一種用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，包括：用于支撐多晶硅還原爐的支撐架、設(shè)置于支撐架上的用于對(duì)多晶硅還原爐的內(nèi)表面通過清洗液進(jìn)行清洗的清洗機(jī)構(gòu)和設(shè)置于支撐架上的用于對(duì)多晶硅還原爐的內(nèi)表面進(jìn)行拋光的拋光機(jī)構(gòu)。通過用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置對(duì)多晶硅還原爐內(nèi)表面進(jìn)行清洗和拋光后，多晶硅還原爐內(nèi)表面呈鏡面，此鏡面態(tài)可保持90天，減少了多晶硅還原爐內(nèi)表面的清洗次數(shù)，提高了多晶硅的生產(chǎn)效率。同時(shí)，提高了多晶硅還原爐內(nèi)多晶硅生長(zhǎng)過程中多晶硅還原爐內(nèi)表面反射熱量，降低多晶硅還原爐的電耗，從而降低了多晶硅的生產(chǎn)成本。該裝置操作簡(jiǎn)單，易于維修保養(yǎng)，制造成本低，環(huán)保，適合推廣。
【專利說明】一種用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于多晶硅生產(chǎn)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅生產(chǎn)主要是采用改良西門子法，隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，如何降低生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)效率，使企業(yè)效益最大化成為每個(gè)企業(yè)尋求的突破口。
[0003]改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的反應(yīng)器主要采用多晶硅還原爐，該方法是將多晶硅還原爐內(nèi)安裝沉積載體通電發(fā)熱，在多晶硅還原爐內(nèi)將高純度氯硅烷與氫氣的混合氣體加熱到1000°C以上發(fā)生反應(yīng)生成硅，硅沉積在上述沉積載體上的過程。在此過程中高純度氯硅烷與氫氣的混合氣與還原爐內(nèi)表面接觸溫度高達(dá)600°c以上，因此，伴隨著多晶硅生產(chǎn)，多晶硅還原爐內(nèi)表面會(huì)被高溫混合氣燒黑，同時(shí)也會(huì)在多晶硅還原爐內(nèi)表面上沉積一定厚度的多晶硅和副產(chǎn)物(例如:無定型硅、高硅氯聚物)。多晶硅生產(chǎn)過程中被高溫氣體燒黑的多晶硅還原爐內(nèi)表面積約占多晶硅還原爐內(nèi)表面積的20%?95%。所述多晶硅生產(chǎn)過程中多晶娃還原爐內(nèi)表面上沉積的多晶娃和副廣物(無定型娃、尚娃氯聚物)厚度在0.1?lmm0
[0004]同時(shí)，在多晶硅生產(chǎn)過程中，沉積載體上的多晶硅硅棒的斷裂，會(huì)對(duì)多晶硅還原爐內(nèi)表面造成砸傷、劃傷，使其粗糙度增加，很難修復(fù)。被多晶硅硅棒倒棒砸傷的多晶硅還原爐內(nèi)表面積占多晶硅還原爐內(nèi)表面積的10 %?30 %。
[0005]多晶硅生產(chǎn)過程中，多晶硅還原爐內(nèi)表面要求潔凈、光滑，最好呈鏡面。而多晶硅還原爐內(nèi)表面發(fā)黑并沉積多晶硅、無定型硅、高硅氯聚物，多晶硅還原爐內(nèi)表面粗糙不平，上述因素均會(huì)造成多晶硅生產(chǎn)過程中，多晶硅還原爐內(nèi)表面會(huì)吸收大量熱量，造成多晶硅還原爐內(nèi)熱場(chǎng)分布不均勻、無反射，從而引起多晶硅生產(chǎn)成本的上升，生產(chǎn)效率的下降?，F(xiàn)有技術(shù)僅僅通過清洗液對(duì)多晶硅還原爐內(nèi)表面進(jìn)行清洗，根本無法解決多晶硅還原爐內(nèi)表面發(fā)黑、粗糙不平的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，通過該裝置對(duì)多晶硅還原爐內(nèi)表面進(jìn)行清洗和拋光后，多晶硅還原爐內(nèi)表面呈鏡面，此鏡面態(tài)可保持90天，減少了多晶硅還原爐內(nèi)表面的清洗次數(shù)，提高了多晶硅的生產(chǎn)效率。
[0007]解決本實(shí)用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，包括:用于支撐多晶硅還原爐的支撐架、設(shè)置于所述支撐架上的用于對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面通過清洗液進(jìn)行清洗的清洗機(jī)構(gòu)和設(shè)置于所述支撐架上的用于對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面進(jìn)行拋光的拋光機(jī)構(gòu)。
[0008]優(yōu)選的是，所述清洗機(jī)構(gòu)包括高壓清洗噴頭和用于對(duì)清洗液增壓的柱塞泵，所述柱塞泵與所述高壓清洗噴頭連接。
[0009]優(yōu)選的是，所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置還包括:對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面進(jìn)行烘干的烘干機(jī)構(gòu)。
[0010]優(yōu)選的是，所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置還包括:用于對(duì)所述清洗液進(jìn)行回收的清洗液回收機(jī)構(gòu)。
[0011]優(yōu)選的是，所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置還包括:設(shè)置于所述支撐架上能在所述多晶硅還原爐的內(nèi)部空間做軸向運(yùn)動(dòng)的軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和/或能在所述多晶硅還原爐的內(nèi)部空間做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)選擇性與所述清洗機(jī)構(gòu)和/或拋光機(jī)構(gòu)連接，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)選擇性與所述清洗機(jī)構(gòu)和/或拋光機(jī)構(gòu)連接。
[0012]優(yōu)選的是，所述軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括蝸輪-蝸桿減速器、與該蝸輪-蝸桿減速器連接的鏈輪、與該鏈輪連接的鏈條。
[0013]優(yōu)選的是，所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置還包括:用于對(duì)所述軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和/或所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行定位的定位機(jī)構(gòu)。
[0014]優(yōu)選的是，所述拋光機(jī)構(gòu)包括:機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)、化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)、電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)中的至少一種。
[0015]優(yōu)選的是，所述拋光機(jī)構(gòu)包括:對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面進(jìn)行初步拋光的機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)和對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面進(jìn)行精細(xì)拋光的電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)。
[0016]優(yōu)選的是，所述機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)包括:設(shè)置于所述支撐架上的工作臂、設(shè)置于該工作臂上的機(jī)械打磨頭和對(duì)所述工作臂進(jìn)行下壓定位的下壓定位器。
[0017]本實(shí)用新型通過用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置對(duì)多晶硅還原爐內(nèi)表面進(jìn)行清洗和拋光后，多晶硅還原爐內(nèi)表面呈鏡面，此鏡面態(tài)可保持90天，減少了多晶硅還原爐內(nèi)表面的清洗次數(shù)，提高了多晶硅的生產(chǎn)效率。同時(shí)，提高了多晶硅還原爐內(nèi)多晶硅生長(zhǎng)過程中多晶硅還原爐內(nèi)表面反射熱量，降低多晶硅還原爐的電耗，從而降低了多晶硅的生產(chǎn)成本。該裝置操作簡(jiǎn)單，易于維修保養(yǎng)，制造成本低，環(huán)保，適合推廣。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例中的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖中:1_多晶硅還原爐；2_支撐架；4_高壓清洗噴頭；5_柱塞泵；6_清洗液；7-烘干機(jī)構(gòu)；8_離心風(fēng)機(jī)；9_清洗液回收機(jī)構(gòu)；10_軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；11_旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；12_拋光機(jī)構(gòu)；13_電解拋光刷；14_電解液存儲(chǔ)回收槽；15_工作臂；16_機(jī)械打磨頭。

【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0021]實(shí)施例
[0022]如圖1所示，本實(shí)施例提供一種用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置，包括:用于支撐多晶硅還原爐1的支撐架2、設(shè)置于所述支撐架2上的用于對(duì)所述多晶硅還原爐1的內(nèi)表面通過清洗液6進(jìn)行清洗的清洗機(jī)構(gòu)和設(shè)置于所述支撐架2上的用于對(duì)所述多晶硅還原爐1的內(nèi)表面進(jìn)行拋光的拋光機(jī)構(gòu)12。
[0023]該用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置不僅僅可以對(duì)多晶硅還原爐1的內(nèi)表面進(jìn)行清洗，還可以進(jìn)行拋光。通過用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置對(duì)多晶硅還原爐1內(nèi)表面進(jìn)行清洗和拋光后，多晶硅還原爐1內(nèi)表面呈鏡面，此鏡面態(tài)可保持90天，減少了多晶硅還原爐1內(nèi)表面的清洗次數(shù)，提高了多晶硅的生產(chǎn)效率。同時(shí)，提高了多晶硅還原爐1內(nèi)多晶硅生長(zhǎng)過程中多晶硅還原爐1內(nèi)表面反射熱量，降低多晶硅還原爐1的電耗，從而降低了多晶硅的生產(chǎn)成本。該裝置操作簡(jiǎn)單，易于維修保養(yǎng)，制造成本低，環(huán)保，適合推廣。
[0024]優(yōu)選的是，所述清洗機(jī)構(gòu)包括高壓清洗噴頭4和用于對(duì)清洗液6增壓的柱塞泵5，所述柱塞泵5與所述高壓清洗噴頭4連接。通過柱塞泵5將清洗液6增壓，然后通過高壓清洗噴頭4將清洗液6噴射到多晶硅還原爐1的內(nèi)表面上。所述的高壓清洗噴頭4呈圓球形，高壓清洗噴頭4上均勻布滿孔洞，高壓液體通過孔洞噴射在多晶硅還原爐1的內(nèi)表面上，所述的柱塞泵5出口壓力為3MPa?lOMpa。
[0025]優(yōu)選的是，所述的用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置還包括:對(duì)所述多晶硅還原爐1的內(nèi)表面進(jìn)行烘干的烘干機(jī)構(gòu)7。該烘干機(jī)構(gòu)7包括初效過濾網(wǎng)、中效過濾網(wǎng)、換熱器和離心風(fēng)機(jī)8，首先將氣體通過初效過濾網(wǎng)過濾，再通過中效過濾網(wǎng)過濾，進(jìn)入到換熱器內(nèi)，在換熱器內(nèi)進(jìn)行換熱后，再通過離心風(fēng)機(jī)8將氣體送入到多晶硅還原爐1內(nèi)對(duì)多晶硅還原爐1進(jìn)行烘干，溫度不低于60°C。
[0026]通過用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置，先將多晶硅還原爐1固定在支撐架2上，然后使用清洗機(jī)構(gòu)進(jìn)行清洗，再通過烘干機(jī)構(gòu)7進(jìn)行烘干，再通過拋光機(jī)構(gòu)12進(jìn)行拋光，再通過清洗機(jī)構(gòu)進(jìn)行清洗，再通過烘干機(jī)構(gòu)7進(jìn)行烘干。通過用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置可以實(shí)現(xiàn)清洗機(jī)構(gòu)、拋光機(jī)構(gòu)12、烘干機(jī)構(gòu)7的快速簡(jiǎn)潔切換。
[0027]優(yōu)選的是，所述的用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置還包括:用于對(duì)所述清洗液6進(jìn)行回收的清洗液回收機(jī)構(gòu)9。
[0028]優(yōu)選的是，所述的用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置還包括:設(shè)置于所述支撐架2上能在所述多晶硅還原爐1的內(nèi)部空間做軸向運(yùn)動(dòng)的軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10和/或能在所述多晶娃還原爐1的內(nèi)部空間做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11，所述軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10選擇性與所述清洗機(jī)構(gòu)和/或拋光機(jī)構(gòu)12連接，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11選擇性與所述清洗機(jī)構(gòu)和/或拋光機(jī)構(gòu)12連接。當(dāng)然，軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11可以一體化設(shè)計(jì)，也可以分開設(shè)計(jì)。當(dāng)需要使用清洗機(jī)構(gòu)時(shí)，將清洗機(jī)構(gòu)安裝于軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10和/或旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11上；當(dāng)需要使用拋光機(jī)構(gòu)12時(shí)，將拋光機(jī)構(gòu)12安裝于軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10和/或旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11上。當(dāng)然，清洗機(jī)構(gòu)和拋光機(jī)構(gòu)12也可以同時(shí)安裝于軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10和/或旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11上。本實(shí)施例中具體的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11可以使得支撐架2做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，同時(shí)帶動(dòng)安裝于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11上的清洗機(jī)構(gòu)和/或拋光機(jī)構(gòu)12做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，當(dāng)然，這樣的話，清洗結(jié)構(gòu)和/或拋光機(jī)構(gòu)12也可以直接安裝于支撐架2上。
[0029]優(yōu)選的是，所述軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10包括蝸輪-蝸桿減速器、與該蝸輪-蝸桿減速器連接的鏈輪、與該鏈輪連接的鏈條。通過鏈條的傳動(dòng)帶動(dòng)與軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10連接的清洗機(jī)構(gòu)和/或拋光機(jī)構(gòu)12做上下運(yùn)動(dòng)。
[0030]優(yōu)選的是，所述的用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置還包括:用于對(duì)所述軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10和/或所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11進(jìn)行定位的定位機(jī)構(gòu)。
[0031]優(yōu)選的是，所述拋光機(jī)構(gòu)12包括:機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)、化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)、電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)中的至少一種。
[0032]優(yōu)選的是，所述拋光機(jī)構(gòu)12包括:對(duì)所述多晶硅還原爐1的內(nèi)表面進(jìn)行初步拋光的機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)和對(duì)所述多晶硅還原爐1的內(nèi)表面進(jìn)行精細(xì)拋光的電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)。電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)包括正負(fù)極、電解拋光刷13、電解液存儲(chǔ)回收槽14。當(dāng)使用用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置時(shí)，先通過機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)進(jìn)行初步的機(jī)械拋光，然后再通過電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)進(jìn)行精細(xì)拋光。機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)對(duì)多晶硅還原爐1的內(nèi)表面進(jìn)行拋光，從而使得多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的粗糙度Ra < 0.4 μπι。當(dāng)進(jìn)行完機(jī)械拋光后，電解液存儲(chǔ)在電解液存儲(chǔ)回收槽14內(nèi)，在進(jìn)行電化學(xué)拋光時(shí)，電解液通過電解拋光刷13噴射到多晶硅還原爐1的內(nèi)壁上，電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)通過正負(fù)極的電流、電解液的共同作用下來改善多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的微觀結(jié)構(gòu)，使多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的粗糙度Ra < 0.2 μπι。通過電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)進(jìn)行電化學(xué)拋光選擇性的溶解，多晶硅還原爐1的內(nèi)表面從微觀上看是呈波浪曲線形的，表面凸出的部位得電率比凹進(jìn)的部位得電率要高，所以凸出的部位會(huì)先溶解，而凹進(jìn)的部位因得到的粘膜較多得電率低，所以呈鈍化狀態(tài)，不容易被溶解。所以電解的初期是表面平整的過程。待表面平整后再慢慢進(jìn)入出光的過程，這時(shí)多晶硅還原爐1的內(nèi)表面就光亮平整了。
[0033]優(yōu)選的是，所述機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)包括:設(shè)置于所述支撐架2上的工作臂15、設(shè)置于該工作臂15上的機(jī)械打磨頭16和對(duì)所述工作臂15進(jìn)行下壓定位的下壓定位器，其中，機(jī)械打磨頭16包括拋光輪和設(shè)置于拋光輪上的砂帶，通過拋光輪帶動(dòng)砂帶進(jìn)行機(jī)械拋光。本實(shí)施例中具體的，下壓定位器采用制動(dòng)電機(jī)，該制動(dòng)電機(jī)可以使得工作臂15運(yùn)動(dòng)到任何位置均可以停止運(yùn)動(dòng)并鎖定，且工作臂15的升降極限位置都可以進(jìn)行強(qiáng)制限位設(shè)定。
[0034]本實(shí)施例中具體的工作臂15在氣缸和彈簧的作用下，始終處于上鉤狀態(tài)，而由于氣缸頂出的氣壓較小，工作臂15在自重的作用下向下壓，而下壓定位器對(duì)所述工作臂15進(jìn)行下壓定位從而使得設(shè)置于該工作臂15上的機(jī)械打磨頭16達(dá)到均勻磨削的效果。氣缸需配置動(dòng)力氣源為0.25m3/h，壓力為0.4?0.7MPa。
[0035]使用本實(shí)施例中的用于清洗多晶硅還原爐1的內(nèi)表面的裝置對(duì)多晶硅還原爐1進(jìn)行清洗，將多晶硅還原爐1安裝固定在支撐架2上，將清洗機(jī)構(gòu)內(nèi)注滿清洗液6，啟動(dòng)柱塞泵5對(duì)清洗液6增壓到lOMPa后，清洗液6從高壓清洗噴頭4噴出，高壓清洗噴頭4可以在軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10的導(dǎo)軌的牽引下做上下滑動(dòng)，軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10的導(dǎo)軌在旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11驅(qū)動(dòng)的支撐架2的帶動(dòng)下做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)高壓清洗噴頭4同時(shí)進(jìn)行圓周運(yùn)動(dòng)，對(duì)多晶硅還原爐1的內(nèi)表面進(jìn)行全面的清洗。清洗一個(gè)周期后，多晶硅還原爐1的內(nèi)表面清洗完畢。啟動(dòng)烘干機(jī)構(gòu)7帶動(dòng)它的離心風(fēng)機(jī)8，將換熱后的空氣送入多晶硅還原爐內(nèi)進(jìn)行烘干。在多晶硅還原爐1的內(nèi)表面被烘干后，啟動(dòng)機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)，設(shè)定好機(jī)械拋光的時(shí)間后，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11帶動(dòng)支撐架2進(jìn)行圓周運(yùn)動(dòng)，軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)10的導(dǎo)軌做上下運(yùn)動(dòng)，共同帶動(dòng)砂帶對(duì)多晶硅還原爐1的內(nèi)表面進(jìn)行機(jī)械拋光。在電解液存儲(chǔ)回收槽14內(nèi)配置電解液，機(jī)械打磨拋光完成后，啟動(dòng)電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)，電解液從電解拋光刷13處噴射到多晶硅還原爐1的內(nèi)表面上，并最終借助勢(shì)能回收到電解液存儲(chǔ)回收槽14內(nèi)；本實(shí)施例中具體的，電解液存儲(chǔ)回收槽14設(shè)計(jì)在支撐架2下方。拋光完成后，再通過清洗機(jī)構(gòu)對(duì)多晶硅還原爐1的內(nèi)表面進(jìn)行全面清洗，清洗一個(gè)周期后，多晶硅還原爐1的內(nèi)表面清洗完畢，再通過啟動(dòng)烘干機(jī)構(gòu)7烘干。多晶硅還原爐1的內(nèi)表面在清洗、烘干、機(jī)械拋光、電化學(xué)拋光、清洗、烘干后，多晶硅還原爐1的內(nèi)表面達(dá)到鏡面效果，粗糙度Ra ( 0.2 μ m，鏡面態(tài)保持90天。
[0036]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，包括:用于支撐多晶硅還原爐的支撐架、設(shè)置于所述支撐架上的用于對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面通過清洗液進(jìn)行清洗的清洗機(jī)構(gòu)和設(shè)置于所述支撐架上的用于對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面進(jìn)行拋光的拋光機(jī)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，所述清洗機(jī)構(gòu)包括高壓清洗噴頭和用于對(duì)清洗液增壓的柱塞泵，所述柱塞泵與所述高壓清洗噴頭連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，還包括:對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面進(jìn)行烘干的烘干機(jī)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，還包括:用于對(duì)所述清洗液進(jìn)行回收的清洗液回收機(jī)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，還包括:設(shè)置于所述支撐架上能在所述多晶硅還原爐的內(nèi)部空間做軸向運(yùn)動(dòng)的軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和/或能在所述多晶硅還原爐的內(nèi)部空間做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)選擇性與所述清洗機(jī)構(gòu)和/或拋光機(jī)構(gòu)連接，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)選擇性與所述清洗機(jī)構(gòu)和/或拋光機(jī)構(gòu)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，所述軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括蝸輪-蝸桿減速器、與該蝸輪-蝸桿減速器連接的鏈輪、與該鏈輪連接的鏈條。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，還包括:用于對(duì)所述軸向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和/或所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行定位的定位機(jī)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?7任意一項(xiàng)所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，所述拋光機(jī)構(gòu)包括:機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)、化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)、電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，所述拋光機(jī)構(gòu)包括:對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面進(jìn)行初步拋光的機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)和對(duì)所述多晶硅還原爐的內(nèi)表面進(jìn)行精細(xì)拋光的電化學(xué)拋光機(jī)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于清洗多晶硅還原爐的內(nèi)表面的裝置，其特征在于，所述機(jī)械拋光機(jī)構(gòu)包括:設(shè)置于所述支撐架上的工作臂、設(shè)置于該工作臂上的機(jī)械打磨頭和對(duì)所述工作臂進(jìn)行下壓定位的下壓定位器。
【文檔編號(hào)】B08B9/093GK204194401SQ201420588977
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月11日
【發(fā)明者】馬永飛, 孫運(yùn)德, 潘小龍, 孫希德, 趙建文 申請(qǐng)人:新特能源股份有限公司