專利名稱：多晶硅氫還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種多晶硅氫還原爐，特別是一種爐子內(nèi)壁附著有一層光滑的銀質(zhì)材料層的多晶硅氫還原爐。
背景技術(shù)：
多晶硅氫還原爐是提煉多晶硅棒的專用設(shè)備。現(xiàn)有的多晶硅氫還原爐的結(jié)構(gòu)是由爐體、底板和上封頭構(gòu)成，封頭上有冷卻水腔、冷卻水出口和啟動(dòng)裝置法蘭，爐體上有冷卻水腔和冷卻水進(jìn)口，底板上有電極、進(jìn)氣口和排氣口，爐體與底板之間用法蘭連接，爐子主體采用不銹鋼制作。

發(fā)明內(nèi)容
為了在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高多晶硅的純度，本實(shí)用新型的目的是設(shè)計(jì)一種可提高多晶硅純度的氫還原爐。
本實(shí)用新型是一種多晶硅氫還原爐，由爐體、底板和爐體上部的封頭構(gòu)成，封頭上有冷卻水腔、冷卻水出口和啟動(dòng)裝置法蘭，爐體上有冷卻水腔和冷卻水進(jìn)口，底板上有電極、進(jìn)氣口和排氣口，爐體與底板之間用法蘭連接，其特征在于本實(shí)用新型氫還原爐內(nèi)壁上有一層光滑的銀質(zhì)材料。
本實(shí)用新型利用銀的化學(xué)特性，利用銀的良好的加工性以及拋光后的鏡面效果使生產(chǎn)高純度的多晶硅產(chǎn)品有了保證，為生產(chǎn)單晶硅提供了純度更高的原料，同時(shí)，可大幅度降低能耗，從而大大降低多晶硅的生產(chǎn)成本。
本實(shí)施例中，銀層的厚度應(yīng)為2-3mm。
上述的多晶硅氫還原爐內(nèi)壁附著的光滑的銀質(zhì)材料是銀和不銹鋼的復(fù)合材料。
上述的銀層焊縫采用銀焊，焊縫平整光滑。


圖1是銀復(fù)合材料多晶硅氫還原爐裝配結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1本實(shí)用新型涉及的銀復(fù)合材料多晶硅氫還原爐的裝配結(jié)構(gòu)如圖1所示。該銀復(fù)合材料多晶硅氫還原爐由爐體13、底板6、爐體上部的封頭3構(gòu)成，封頭上有啟動(dòng)裝置法蘭1、冷卻水腔2、冷卻出水口14、15，爐體上有冷卻水腔4和冷卻水進(jìn)口9、11，底板上有電極12、進(jìn)氣口7和排氣口8，爐體與底板之間用法蘭連接，其特征在于銀復(fù)合材料多晶硅氫還原爐內(nèi)壁上有一層光滑的銀材料層5。本實(shí)施例中，爐體采用銀不銹鋼復(fù)合板焊接而成，銀面在爐體內(nèi)側(cè)。接縫處采用銀焊工藝焊接并經(jīng)拋光，焊縫與爐體內(nèi)壁接縫處平整光滑。銀層厚度為2mm。整個(gè)爐體安裝在支架10上。
實(shí)施例2本實(shí)用新型涉及的銀復(fù)合材料多晶硅氫還原爐的裝配結(jié)構(gòu)如圖1所示。該銀復(fù)合材料多晶硅氫還原爐由爐體13、底板6、爐體上部的封頭3構(gòu)成，封頭上有啟動(dòng)裝置法蘭1、冷卻水腔2、冷卻出水口14、15，爐體上有冷卻水腔4和冷卻水進(jìn)口9、11，底板上有電極12、進(jìn)氣口7和排氣口8，爐體與底板之間用法蘭連接，其特征在于銀復(fù)合材料多晶硅氫還原爐內(nèi)壁上有一層光滑的銀材料層5。本實(shí)施例中，爐體采用銀不銹鋼復(fù)合板焊接而成，銀面在爐體內(nèi)側(cè)。接縫處采用銀焊工藝焊接并經(jīng)拋光，焊縫與爐體內(nèi)壁接縫處平整光滑。銀層厚度為3mm。整個(gè)爐體安裝在支架10上。
權(quán)利要求1.多晶硅氫還原爐，由爐體、底板和上封頭組成，封頭上有冷卻水腔、冷卻出水口和啟動(dòng)裝置法蘭，爐體上有冷卻水腔和冷卻水進(jìn)口，底板上有電極、進(jìn)氣口和排氣口，爐體與底板之間用法蘭連接，其特征在于氫還原爐內(nèi)壁上有一層厚度為2-3mm的光滑的銀質(zhì)材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅氫還原爐，其特征在于所述的光滑的銀質(zhì)材料為銀復(fù)合材料層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅氫還原爐，其特征在于爐體由銀不銹鋼復(fù)合板焊接而成，焊縫采用銀焊，焊縫平整光滑。
專利摘要本實(shí)用新型是一種多晶硅氫還原爐，由爐體、底板和上部的封頭構(gòu)成，封頭上有冷卻水腔、冷卻出水口和啟動(dòng)裝置法蘭，爐體上有冷卻水腔和冷卻水進(jìn)口，底板上有電極、進(jìn)氣口和排氣口，爐體與底板之間用法蘭連接，其特征在于本實(shí)用新型在氫還原爐內(nèi)壁上附著了一層光滑的銀質(zhì)材料，利用銀的化學(xué)特性，使其參與多晶硅棒的生長(zhǎng)，不僅可大大提高多晶硅的純度，并且大大降低了氫還原爐的能耗。
文檔編號(hào)C03B20/00GK2685333SQ20042003314
公開(kāi)日2005年3月16日 申請(qǐng)日期2004年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月8日
發(fā)明者王姍 申請(qǐng)人:成都蜀菱貿(mào)易發(fā)展有限公司