專利名稱：：電介質(zhì)陶瓷組合物、復(fù)合電子部件和疊層陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在低溫下可以燒結(jié)的電介質(zhì)陶瓷組合物、具有該電介質(zhì)陶瓷組合物作為電介質(zhì)層的復(fù)合電子部件和疊層陶瓷電容器。
背景技術(shù)：
：伴隨著對(duì)安裝了電子部件的電子儀器的小型輕量化的要求，對(duì)小型疊層電子部件的需求正在飛速增長。接著，為了在電路基板上配置多個(gè)這樣的電子部件相配合，作為將線圏和電容器一體化的復(fù)合電子部件的一種的疊層型濾波器，正在用于應(yīng)對(duì)電路基板的高頻噪聲。這樣的疊層型濾波器因?yàn)槭峭瑫r(shí)具有線圈部和電容器部的電子部件，其制造步驟中，必須同時(shí)燒成構(gòu)成線圈部的磁性體材料和構(gòu)成電容器部的電介質(zhì)陶瓷組合物。一般，作為構(gòu)成線圈部的磁性體材料使用的鐵氧體其燒結(jié)溫度在較低的800~900°C。因此，在疊層型濾波器的電容器部中使用的電介質(zhì)陶瓷組合物的構(gòu)成材料要求可以低溫?zé)Y(jié)。例如，日本專利第3030557號(hào)公報(bào)中提出了在SrTi03中添加CuO或根據(jù)需要的MnO作為主成分，在該主成分中添加特定量的玻璃，形成能和Ag系的內(nèi)部電極同時(shí)燒成的低溫?zé)呻娊橘|(zhì)陶瓷組合物。另一方面，伴隨著近年來的電子儀器的進(jìn)一步小型化，對(duì)疊層型濾波器的小型化、低高度化的要求更強(qiáng)了。為了維持疊層型濾波器的性能且滿足小型化、低高度化，必須將電容器部的電介質(zhì)層小型化、薄層化。但是，在日本專利第3030557號(hào)公報(bào)中，因?yàn)橛呻娊橘|(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層的厚度為50jum,薄層化時(shí)，不能保證其可靠性。并且，日本專利第3030557號(hào)公報(bào)中公開的電介質(zhì)陶瓷組合物因?yàn)椴ＡС煞值暮枯^多，或者結(jié)晶粒徑變得太大，或者結(jié)晶組織變得不均勻，認(rèn)為難以薄層化。進(jìn)而，玻璃成分的含量變多的話，不僅相對(duì)介電常數(shù)有降低的傾向，在形成外部電極時(shí)有鍍敷液進(jìn)入到元件內(nèi)部(本體疊層部)的問題。并且，CuO的添加量太多的話，有分離且絕緣電阻降低的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于這樣的現(xiàn)狀提出的，目的在于提供一種能相對(duì)地減少玻璃成分等的含量且能對(duì)應(yīng)薄層化、顯示良好特性(相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值、絕緣電阻)的電解質(zhì)陶瓷組合物及具有由該電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層的疊層型濾波器等復(fù)合電子部件或疊層陶瓷電容器。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物的特征在于包含含有選自鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸鈣的至少一種的主成分和含有B的氧化物的玻璃成分作為副成分，上述玻璃成分的含量相對(duì)于100重量％上述主成分，為2~7重量％。本發(fā)明中，含有B的氧化物的玻璃成分是玻璃軟化點(diǎn)為80(TC以下的低熔點(diǎn)玻璃。通過含有上述范圍的這樣的玻璃成分，能相對(duì)地減少電介質(zhì)陶瓷組合物中玻璃成分的含量，且能在低溫下燒結(jié)。優(yōu)選上述玻璃成分不含有Bi的氧化物。另外，"不含Bi的氧化物"是指不含有超過雜質(zhì)水平量的Bi的氧化物，只要含有雜質(zhì)水平的量(例如含量為1000ppm以下)也是可以的。優(yōu)選上述電介質(zhì)陶瓷組合物進(jìn)而作為副成分含有Cu的氧化物，上述Cu的氧化物的含量相對(duì)于100重量％的上述主成分，以CuO計(jì)為多于0重量％、在10重量％以下。優(yōu)選上述電介質(zhì)陶瓷組合物進(jìn)而作為副成分含有Mn的氧化物，上述Mn的氧化物的含量相對(duì)于100重量％的上述主成分，以MnO計(jì)為多于0重量％、在1.5重量％以下。除了上述主成分和作為副成分的玻璃成分，含有上述范圍的Cu和/或Mn的氧化物，能在更低溫度下燒結(jié)，且能提高特性(相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值、絕緣電阻等)?；蛘邇?yōu)選代替上述電介質(zhì)陶瓷組合物中含有的上述玻璃成分，構(gòu)成上述玻璃成分的各成分作為氧化物含有，其含量合計(jì)為玻璃成分的含量，為2~7重量％。構(gòu)成上述玻璃成分的各成分以氧化物形式含有時(shí)，能獲得和上述一樣的效果。本發(fā)明的復(fù)合電子部件是具有由線圈導(dǎo)體和磁性體層構(gòu)成的線圈部和由內(nèi)部電極層和電介質(zhì)層構(gòu)成的電容器部的復(fù)合電子部件，上述內(nèi)部電極層作為導(dǎo)電材料含有Ag,上述電介質(zhì)層由上述任何一項(xiàng)記載的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。作為本發(fā)明的復(fù)合電子部件，沒有特別限制，列舉有疊層型濾波器、疊層型噪音濾波器等。或者，本發(fā)明的疊層陶瓷電容器是內(nèi)部電極層和電介質(zhì)層交替疊層的疊層陶瓷電容器，上述內(nèi)部電極層作為導(dǎo)電材料含有Ag,上述電介質(zhì)層由上述任何之一記載的電介質(zhì)陶資組合物構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，相對(duì)于含有選自鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸釣的至少一種的主成分，含有B的氧化物的玻璃成分的含量相對(duì)減少，能抑制結(jié)晶粒徑的增大，在形成外部電極時(shí)能有效地防止電鍍液進(jìn)入到元件內(nèi)部(本體疊層部)，能獲得顯示良好特性(相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值、絕緣電阻等)、具有高可靠性的電介質(zhì)陶瓷組合物。玻璃成分因?yàn)楹蠦的氧化物、且玻璃的軟化點(diǎn)在800。C以下，能在低溫(例如950。C以下)下燒成。在電介質(zhì)層中應(yīng)用這樣的電介質(zhì)陶瓷組合物，能有效地抑制由于結(jié)晶粒徑的增大使得薄層化困難的問題或由于電鍍液進(jìn)入到元件中引起的可靠性的降低，且能獲得具有良好特性的復(fù)合電子部件或疊層陶瓷電容器。作為內(nèi)部電極層的導(dǎo)電材料，可以采用直流電阻低的Ag。并且，本發(fā)明中優(yōu)選在上述電介質(zhì)陶瓷組合物中進(jìn)一步含有Cu的氧化物和/或Mn的氧化物，進(jìn)而能在更低溫度下燒成，獲得更良好的特性。因而，具有由該電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層的復(fù)合電子部件或疊層陶瓷電容器能提高特性，獲得高的可靠性。進(jìn)而，本發(fā)明中，構(gòu)成上述玻璃成分的各成分不是作為玻璃成分，以氧化物形式含有時(shí)，能獲得同樣的效果。圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的疊層型濾波器的立體圖，圖2是沿圖1所示的II-II線的疊層型濾波器的截面圖，圖3是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的疊層型濾波器的疊層結(jié)構(gòu)的分解立體圖，圖4(A)是T型電路的電路圖，圖4(B)是兀型電路的電路圖，圖4(C)是L型電路的電路圖，圖5是本發(fā)明的其他實(shí)施方式的疊層型濾波器的立體圖，圖6是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的疊層型濾波器的疊層結(jié)構(gòu)的分解立體圖，圖7是本發(fā)明的其他實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器的截面圖。具體實(shí)施方式下面，基于附圖所示的實(shí)施方式來說明本發(fā)明。疊層型濾波器1如圖1所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的疊層型濾波器1以本體疊層部ll作為主要部分，在圖示的左側(cè)面上具有外部電極21、22、23，在圖示的右側(cè)面上具有外部電極24、25、26。疊層型濾波器l的形狀沒有特別限制，通常是立方體狀。并且，其尺寸沒有特別限制，可以是才艮據(jù)用途制成適當(dāng)?shù)某叽?，通常?0.6~5.6mm)x(0.3~5.0mm)x(0.3~1.9mm)左右。首先說明本實(shí)施方式的疊層型濾波器的結(jié)構(gòu)。圖2是沿圖1所示的II-II線的疊層型濾波器1的截面圖。本實(shí)施方式的疊層型濾波器1是在下層部具有電容器部30，在上層部具有線圈部40。電容器部30在多個(gè)內(nèi)部電極31間形成多個(gè)電介質(zhì)層32,成為多層的電容器。另一方面，線圏部40是在磁性體層42中形成具有規(guī)定圖案的線圏導(dǎo)體41。構(gòu)成電容器部30的電介質(zhì)層32含有本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物。電介質(zhì)陶瓷組合物作為主成分含有選自鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸鈣的至少一種，特別優(yōu)選含有鈦酸鍶。作為主成分含有的鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸釣具有釣鈦礦型結(jié)構(gòu)，例如能用組成式AB03(A=Ba、Sr、Ca;B=Ti)表示。占據(jù)鈣鈥礦型結(jié)構(gòu)的A位置的元素(Ba、Sr、Ca)和占據(jù)B位置的Ti的摩爾比用上述組成式中的A和B即A/B來表示。本實(shí)施方式中，可以使用0.98<A/B<1.10的產(chǎn)品等。并且，電介質(zhì)陶瓷組合物除了上述主成分以外，作為副成分含有包含B的氧化物的玻璃成分，優(yōu)選玻璃成分不含Bi的氧化物。該玻璃成分是玻璃軟化點(diǎn)在80(TC以下的低熔點(diǎn)玻璃。另外，玻璃軟化點(diǎn)是根據(jù)JIS-R-3103來測定的。本實(shí)施方式的電介質(zhì)陶瓷組合物因?yàn)榫哂胁Ａк浕c(diǎn)為800°C以下的低熔點(diǎn)玻璃成分，例如可以在950。C以下的低溫下燒成，能適用于由直流電阻低的Ag構(gòu)成內(nèi)部電極31的電子部件中。該玻璃成分只要含有B的氧化物，玻璃軟化點(diǎn)為800。C以下，沒有特別限制，具體能列舉有B203-ZnO-Si02系玻璃、B203-Si02-BaO-CaO系玻璃、B203-ZnO-BaO系玻璃、B203-ZnO系玻璃、B203-ZnO-Si02-BaO系玻璃等，優(yōu)選B203-ZnO系玻璃、B203-ZnO-Si02系玻璃。玻璃成分的含量相對(duì)于100重量％主成分為2~7重量％,優(yōu)選為2-5重量％。另外，相對(duì)于100重量％玻璃成分，B的氧化物成分優(yōu)選為15重量％以上。玻璃成分的含量太少的話，低溫(例如950。C以下)下有得不到充分的燒結(jié)性的傾向。另一方面，太多的話，相對(duì)介電常數(shù)有降低的傾向，結(jié)果電子部件的小型化變困難，可靠性有欠缺的傾向。并且，本發(fā)明中，代替上述的玻璃成分，構(gòu)成該玻璃成分的各成分可以以氧化物方式來含有。即，本實(shí)施方式的電介質(zhì)陶瓷組合物不含上述玻璃成分時(shí)，代替該玻璃成分，至少含有B的氧化物。進(jìn)而根據(jù)需要，構(gòu)成上述玻璃成分的各成分(ZnO、Si02、BaO、CaO等)優(yōu)選以氧化物來含有，特別優(yōu)選含有Zn的氧化物、Si的氧化物。代替上述玻璃成分，以氧化物形式含有時(shí)，能獲得同樣的效果。另外，此時(shí)優(yōu)選不含Bi的氧化物。上述情況下，作為構(gòu)成玻璃成分的各成分的氧化物合計(jì)含量和玻璃成分的含量相同，相對(duì)于100重量％主成分，優(yōu)選為2~7重量％，更優(yōu)選為2~5重量％。并且，此時(shí)B的氧化物含量相對(duì)于100重量％主成分，優(yōu)選為0.3~1.8重量％。本實(shí)施方式的電介質(zhì)陶瓷組合物優(yōu)選還含有Cu的氧化物。含有Cu的氧化物，能提高燒結(jié)性，能在更低溫度下燒成。Cu的氧化物的含量相對(duì)于100重量％主成分，優(yōu)選多于0重量％、10重量％以下，更優(yōu)選為0.1~3重量％。Cu的氧化物含量太多的話，損耗Q值或絕緣電阻降低，可靠性有欠缺的傾向。并且，本實(shí)施方式的電介質(zhì)陶瓷組合物優(yōu)選還含有Mn的氧化物。含有Mn的氧化物，能提高損耗Q值或絕緣電阻，能提高作為電子部件的可靠性。Mn的氧化物含量相對(duì)于100重量％主成分，優(yōu)選多于0重量％、1.5重量％以下，更優(yōu)選為0.1~1重量％。Mn的氧化物的含量太多的話，相對(duì)介電常數(shù)或絕緣電阻降低，可靠性有降低的傾向。并且，本實(shí)施方式的電介質(zhì)陶瓷組合物通過含有上述各成分，其收縮率能與后述的線圏部的磁性體層42的收縮率相近。結(jié)果，能抑制電介質(zhì)層32和磁性體層42之間燒成時(shí)產(chǎn)生的剝離、彎曲、裂縫等結(jié)構(gòu)缺陷。構(gòu)成電介質(zhì)層32的燒結(jié)后電介質(zhì)結(jié)晶粒子的平均結(jié)晶粒徑優(yōu)選為1.5jum以下，更優(yōu)選為l.Opm以下。平均結(jié)晶粒徑的下限沒有特別限制，通常為0.5jum左右。電介質(zhì)結(jié)晶粒子的平均結(jié)晶粒徑太大的話，絕緣電阻有變差的傾向。電介質(zhì)結(jié)晶粒子的平均結(jié)晶粒徑例如可以通過切斷電介質(zhì)層32，SEM觀察切斷面，測定規(guī)定數(shù)量的電介質(zhì)結(jié)晶粒子的結(jié)晶粒徑，基于該測定結(jié)果計(jì)算。另外，各電介質(zhì)結(jié)晶粒子的結(jié)晶粒徑例如可以通過將各結(jié)晶粒子假定為球的標(biāo)記法來求得。并且，計(jì)算平均結(jié)晶粒徑時(shí)，進(jìn)行結(jié)晶粒徑測定的粒子數(shù)量通常為IOO個(gè)以上。在一對(duì)內(nèi)部電極31中夾持部分的電介質(zhì)層32的厚度(g)優(yōu)選為20jum以下，更優(yōu)選為lOi-im以下。由本發(fā)明的電介質(zhì)陶資組合物構(gòu)成電介質(zhì)層，電介質(zhì)層32的厚度(g)控制在上述范圍，能實(shí)現(xiàn)薄層化。構(gòu)成電容器30的內(nèi)部電極31中含有的導(dǎo)電材料沒有特別限制，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物因?yàn)榭梢栽诘蜏?例如950°C以下)下燒成，本實(shí)施方式中作為導(dǎo)電材料使用直流電阻低的銀。內(nèi)部電極31的厚度沒有特別限制，可以根據(jù)電介質(zhì)層32的厚度適宜決定，但是對(duì)于電介質(zhì)層的厚度的比優(yōu)選為35%以下，更優(yōu)選為30%以下。這樣，通過將內(nèi)部電極31的厚度控制在電介質(zhì)層32的厚度的35%以下，進(jìn)而在30%以下，能有效地防止稱為分層的層間剝離現(xiàn)象。特別是通過控制在30%以下，能將分層的產(chǎn)生率幾乎控制在0%。構(gòu)成線圈部40的磁性體層42含有磁性體材料。作為磁性體材料沒有特別限制，但是作為主成分優(yōu)選含有Ni的氧化物、Cu的氧化物、Zn的氧化物或Mn的氧化物等的鐵氧體。作為這樣的《失氧體，例如能列舉有Ni-Cu-Zn系鐵氧體、Cu-Zn系鐵氧體、Ni-Cu系鐵氧體、Ni-Cu-Zn-Mg系鐵氧體等。它們中特別優(yōu)選使用Ni-Cu-Zn系鐵氧體或Cu-Zn系鐵氧體。另外，磁性體層42除了上述主成分以外，根據(jù)需要也可以含有副成分。作為在構(gòu)成線圈部40的線圏導(dǎo)體41中含有的導(dǎo)電材料，可以使用和內(nèi)部電極31—樣的。外部電極21~26沒有特別限制，可以使用銀電極，該銀電極優(yōu)選鍍敷Cu國Ni-Sn、Ni畫Sn、Ni畫Au、Ni-Ag等。疊層型濾波器1的制造方法本實(shí)施方式的疊層型濾波器和現(xiàn)有的疊層型濾波器一樣，是通過制造電介質(zhì)生片和磁性體生片，將這些生片疊層，形成生材狀態(tài)的本體疊層部ll,燒成它們后，來形成外部電極21~26。下面具體說明制造方法。電介質(zhì)生片的制造首先，準(zhǔn)備構(gòu)成電介質(zhì)陶瓷組合物原料的各主成分原料和根據(jù)需要的其他副成分原料。作為主成分原料，能使用鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸釣或其混合物、復(fù)合氧化物，但是其他的通過燒成形成上述氧化物或復(fù)合氧化物的各種化合物，例如從碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氬氧化物、有機(jī)金屬化合物等適宜選擇，混合使用也可以。作為副成分的玻璃成分的原料，可以使用構(gòu)成該玻璃成分的氧化物或其混合物、復(fù)合氧化物，其他通過燒成形成構(gòu)成該玻璃成分的氧化物或復(fù)合氧化物的各種化合物。玻璃成分是將構(gòu)成該玻璃成分的氧化物等原料混合，燒成，然后急冷，玻璃化來獲得。另外，代替玻璃成分，可以使用構(gòu)成上述該玻璃成分的氧化物等作為副成分原料。玻璃成分以外的副成分可以根據(jù)添加的副成分的種類適宜準(zhǔn)備，例如優(yōu)選使用Cu、Mn的氧化物或通過燒成形成Cu、Mn的氧化物的化合物。接著，混合各主成分原料和副成分原料，制備混合粉末。各主成分原料和副成分原料進(jìn)行混合的方法沒有特別限制，例如可以通過以粉末狀態(tài)干式混合原料粉末來進(jìn)行，或者在原料粉末中添加水或有機(jī)溶劑等，使用球磨等進(jìn)行濕式混合。接著，對(duì)上述獲得的混合粉末進(jìn)行預(yù)備燒成，促進(jìn)和副成分的反應(yīng)，制造粉末。預(yù)備燒成的保持溫度優(yōu)選為500~850°C，更優(yōu)選為600~85CTC,溫度保持時(shí)間優(yōu)選為1~15小時(shí)。該預(yù)備燒成可以在大氣中進(jìn)行，并且也可以在比大氣中的氧分壓高的氣氛或純氧氣氛中進(jìn)行。接著，預(yù)備燒成獲得的粉末進(jìn)行粉碎，制備燒成前的粉末。作為粉末的粉碎的方法沒有特別限制，例如在粉末中添加水或有機(jī)溶劑等，使用球磨等，通過濕式混合來進(jìn)行。接著，將獲得的燒成前粉末涂料化，制備電介質(zhì)層用糊料。電介質(zhì)層用糊料可以是混煉燒成前粉末和有機(jī)連結(jié)料(匕'匕夕A)的有機(jī)系涂料，也可以是水系涂料。內(nèi)部電極用糊料是將作為導(dǎo)電材料的銀和上述有機(jī)連結(jié)料混煉來制備的。上述的各糊料中的有機(jī)連結(jié)料的含量沒有特別限制，通常的含量例如相對(duì)于100重量％的燒成前粉末，可以是粘合劑為5~15重量％左右，溶劑為50~150重量％左右。并且，各糊料中根據(jù)需要還可以含有選自各種分散劑、增塑劑等的添加物。它們的總含量優(yōu)選為10重量％以下。接著，通過刮刀法等將電介質(zhì)層用糊料薄片化，形成電介質(zhì)生片。接著，在電介質(zhì)生片上形成內(nèi)部電極。內(nèi)部電極的形成是通過絲網(wǎng)印刷等方法在電介質(zhì)生片上形成內(nèi)部電極用糊料。另外，內(nèi)部電極的形成圖案可以根據(jù)制造的疊層型濾波器的電路結(jié)構(gòu)等適宜選擇，本實(shí)施方式中，制得后述的各圖案。磁性體生片的制造首先，準(zhǔn)備在磁性體層用糊料中含有的磁性體材料，將其涂料化，制備磁性體層用糊料。磁性體層用糊料可以是混煉磁性體材料和有機(jī)連結(jié)料的有機(jī)系涂料，也可以是水系涂料。作為磁性體材料，作為主成分的起始原料，能適宜選擇Fe、Ni、Cu、Zn、Mg的各氧化物或燒成后形成它們的各氧化物的各種化合物，例如碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氬氧化物、有機(jī)金屬化合物等，混合使用也可以。并且，磁性體材料中除上述主成分以外，根據(jù)需要可以含有副成分的起始原料。另外，磁性體材料可以在制成磁性體層用糊料之前，通過將構(gòu)成磁性體材料的各起始原料煅燒合成等，也可以預(yù)先反應(yīng)。線圏導(dǎo)體用糊料例如將銀等導(dǎo)電材料和上述有機(jī)連結(jié)料混煉來制備。接著，通過刮刀法等將磁性體層用糊料薄片化，形成磁性體生片。接著，由上述制造的磁性體生片上形成線圏導(dǎo)體。線圏導(dǎo)體的形成是通過絲網(wǎng)印刷等方法在磁性體生片上形成線圏導(dǎo)體用糊料。另外，線圏導(dǎo)體的形成圖案可以根據(jù)要制造的疊層型濾波器的電路結(jié)構(gòu)等適宜選擇，在本實(shí)施方式中是后述的各圖案。接著，在磁性體生片上的線圏導(dǎo)體上形成貫通孔。作為貫通孔的形成方法沒有特別限制，例如可以通過激光加工等來進(jìn)行。另外，貫通孔的形成位置只要是在線圏導(dǎo)體上，沒有特別限制，但是優(yōu)選在線圏導(dǎo)體的端部上形成，本實(shí)施方式是在后述的各位置。生片的疊層接著，依次疊層上述制造的各電介質(zhì)生片和磁性體的生片，形成生片狀態(tài)的本體疊層體部11。本實(shí)施方式中，生片狀態(tài)的本體疊層部11如圖3所示，將形成了構(gòu)成電容器部的內(nèi)部電極的電介質(zhì)生片疊層多個(gè)，在其上疊層多個(gè)構(gòu)成線圈的線圈導(dǎo)體形成的磁性體生片來制造。下面詳述生片的疊層步驟。首先，配置在最下層未形成內(nèi)部電極的電介質(zhì)生片32c。未形成內(nèi)部電極的電介質(zhì)生片32c用于保護(hù)電容器部，其厚度可以適宜選擇。接著，在未形成內(nèi)部電極的電介質(zhì)生片32c上，疊層形成了內(nèi)部電極31a的電介質(zhì)生片32a,該內(nèi)部電極31a具有從電介質(zhì)生片的短方向X的后側(cè)側(cè)部向生片的端部突出的一對(duì)導(dǎo)出部24a和26a。接著，在形成內(nèi)部電極31a的電介質(zhì)生片32a上，疊層形成了內(nèi)部電極31b的電介質(zhì)生片32b，該內(nèi)部電極31a具有從電介質(zhì)生片的短方向X的前側(cè)和后側(cè)分別向電介質(zhì)生片的端部突出的一對(duì)導(dǎo)出部22a和25a。接著，通過這樣疊層形成了內(nèi)部電極31a的電介質(zhì)生片32a和形成了內(nèi)部電才及31b的電介質(zhì)生片32b,形成由內(nèi)部電才及31a、31b和電介質(zhì)生片32b構(gòu)成的生片狀態(tài)的單層電容器30b。接著，在形成了內(nèi)部電極31b的電介質(zhì)生片32b之上，疊層形成了內(nèi)部電極31a的電介質(zhì)生片32a,同樣形成由內(nèi)部電才及31a、31b和電介質(zhì)生片32a構(gòu)成的生片狀態(tài)的單層電容器30a。同樣，通過交替疊層形成了內(nèi)部電極31a的電介質(zhì)生片32a和形成了內(nèi)部電極31b的電介質(zhì)生片32b,獲得交替形成多個(gè)生片狀態(tài)的單層電容器30a和30b的電容器部。另外，本實(shí)施方式中，列舉了單層電容器30a、30b合計(jì)為6層進(jìn)行疊層的方式，但是其疊層數(shù)沒有特別限制，可以根據(jù)目的適宜選擇。接著，在上述形成的生片狀態(tài)的電容器部上形成生片狀態(tài)的線圏部。首先，在電容器部上，疊層未形成線圏導(dǎo)體的磁性體生片42e。電容器部上疊層的、未形成線圏導(dǎo)體的磁性體生片42e是用于分離電容器部和線圏部的，其厚度可以適宜調(diào)整。另外，本實(shí)施方式中，為了分離電容器部和線圈部，列舉了適宜的磁性體生片42e的方式，但是代替磁性體生片42e,可以使用電介質(zhì)生片。接著，在未形成線圏導(dǎo)體的磁性體生片42e上，疊層形成了一對(duì)線圏導(dǎo)體41a的磁性體生片42a,該線圏導(dǎo)體41a分別具有一端是磁性體生片的短方向X的前側(cè)端部上突出的導(dǎo)出部21a和23a。接著，在其上疊層形成了大致C型的一對(duì)線圏導(dǎo)體41b的磁性體生片42b。另外，大致C型的線圈導(dǎo)體41b以彎曲部配置在磁性體生片的長方向Y的前側(cè)，進(jìn)而在磁性體生片的短方向X的前側(cè)一端上形成貫通孔51b。并且，疊層形成了大致C型的一對(duì)線圏導(dǎo)體41b的磁性體生片42b時(shí)，使用導(dǎo)體糊料，通過在磁性體生片42b上形成的一對(duì)貫通孔51b,電接合線圏導(dǎo)體41a和線圈導(dǎo)體41b。另外，接合貫通孔時(shí)使用的導(dǎo)體糊料沒有特別限制，但是優(yōu)選使用銀糊料。接著，在磁性體生片42b上疊層形成了與線圏導(dǎo)體41b反圖案的一對(duì)線圈導(dǎo)體41c的磁性體生片42c。即，在磁性體生片42c上，將線圈導(dǎo)體41c的彎曲部配置在磁性體生片42c的長方向Y的后側(cè)，并且在該線圈導(dǎo)體41c上，在磁性體生片的短方向X的后側(cè)一端形成一對(duì)貫通孔51c。接著，同樣使用導(dǎo)體糊料，通過該貫通孔51c，電接合線圈導(dǎo)體41b和線圏導(dǎo)體41c。同樣，交替疊層多個(gè)形成了線圈導(dǎo)體41b的磁性體生片42b和形成了線圈導(dǎo)體41c的磁性體生片42c。接著在形成了線圈導(dǎo)體41b的磁性體生片42b上，疊層^f茲性體生片42d。該^F茲性體生片42d是形成一對(duì)線圈導(dǎo)體41d的磁性體生片，該線圏導(dǎo)體41d分別具有一端是磁性體生片42d的短方向X的后側(cè)端部上突出的導(dǎo)出部24b和26b。另外，疊層磁性體生片42d時(shí)，通過在線圈導(dǎo)體41d上的短方向X的前側(cè)一端形成的一對(duì)貫通孔51d，使用導(dǎo)體糊料，電接合線圏導(dǎo)體41b和線圈導(dǎo)體41d。最后，在形成了線圈導(dǎo)體41d的磁性體生片42d上疊層未形成線圏導(dǎo)體的磁性體生片42f。該磁性體生片42f是為了保護(hù)線圈部、和調(diào)整疊層型濾波器的厚度尺寸而使用的，其厚度根據(jù)疊層型濾波器的厚度期望的厚度而適宜調(diào)整。如上所述，通過各貫通孔，通過接合各磁性體生片上的線圏導(dǎo)體，用2個(gè)磁性體生片巻成1巻，形成線圏。本體疊層部的燒成和外部電極的形成接著，通過依次疊層電介質(zhì)生片和磁性體生片，燒成生片狀態(tài)的本體疊層部。作為燒成條件，升溫速度優(yōu)選為5050(TC/小時(shí)，更優(yōu)選為200300。C/小時(shí)，保持溫度優(yōu)選為840~900°C，溫度保持時(shí)間優(yōu)選為0.5-8小時(shí)，更優(yōu)選為1-3小時(shí)，冷卻速度優(yōu)選為50~500°C/小時(shí)，更優(yōu)選為200-30(TC/小時(shí)。接著，進(jìn)行燒成的本體疊層部例如實(shí)施滾筒拋光或噴砂等端面研磨，在本體疊層部的兩側(cè)面上涂布外部電極用糊料，干燥后，通過燒結(jié)形成圖1所示的外部電極21~26。外部電極用糊料例如可以混煉銀等導(dǎo)電材料和上述有機(jī)連結(jié)料來制備。另外，這樣形成的外部電極21~26上優(yōu)選用Cu-Ni-Sn、Ni-Sn、Ni-Au、Ni-Ag等進(jìn)行電鍍。形成外部電才及時(shí)，外部電極21和23通過與圖3所示的線圏部的導(dǎo)出部21a和23a連接，作為輸入輸出端子。并且，外部電極24通過連接在電容器部的各導(dǎo)出部24a和線圏部的導(dǎo)出部24b上，制成連接電容器部和線圏部的輸入輸出端子。接著，外部電極26也一樣通過連接到電容器部的各導(dǎo)出部26a和線圈部的導(dǎo)出部26b上，制成連接電容器部和線圈部的輸入輸出端子。外部電極22和25分別連接到電容器部的各導(dǎo)出部22a和25a,作為接地端子。如上所述，通過在本體疊層部11上形成各外部電才及21~26，本實(shí)施方式的疊層型濾波器構(gòu)成圖4(A)所示的T型電路。這樣制造的本實(shí)施方式的疊層型濾波器通過軟釬焊等安裝到印刷基板上等，用于各種電子機(jī)器等中。以上說明本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式的任何一種，在不超出本發(fā)明要點(diǎn)的范圍內(nèi)可以作各種改變。例如，上述實(shí)施方式中列舉了形成T型電路的疊層型濾波器，但是也可以是形成其他集總常數(shù)電路的疊層型濾波器。例如作為其他的集中常數(shù)電路，可以是通過圖4(B)所示的Ti型或圖4(C)所示的L型或二個(gè)TT型電路形成的雙7T型，并且也可以是形成了4個(gè)圖5、圖6所示的L型電路的疊層型濾波器101。對(duì)于形成了4個(gè)圖5、圖6所示的L型電路的疊層型濾波器101,構(gòu)成上述實(shí)施方式和電介質(zhì)層或磁性體層的材料可以使用相同的材料，并且電介質(zhì)生片和^磁性體生片可以和上述實(shí)施方式一樣來制造。在圖5、圖6所示的疊層型濾波器中，圖5所示的外部電極121~124與圖6所示的線圈部的各導(dǎo)出部121a~124a連接，形成輸入輸出端子。并且，同樣的，外部電極125~128連接到電容器部的各導(dǎo)出部125a~128a和線圏部的各導(dǎo)出部125b~128b上，形成連接電容器部和線圏部的輸入輸出端子。進(jìn)而，外部電極120、129分別連接到電容器部的各導(dǎo)出部120a、129a上，形成接地端子。接著，圖5、圖6所示的疊層型濾波器101是由形成4個(gè)圖4(C)所示的L型電路來構(gòu)成。并且，上述實(shí)施方式中，列舉了作為本發(fā)明的復(fù)合電子部件的疊層型濾波器，但是作為本發(fā)明的復(fù)合電子部件，不限于疊層型濾波器，只要是具有由上述電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層的產(chǎn)品都可以。進(jìn)而，如圖7所示，可以是具有交替疊層了電介質(zhì)層202和內(nèi)部電極層203的元件本身210,在其兩端部形成外部電才及204的疊層陶瓷電容器201。此時(shí)，內(nèi)部電極層優(yōu)選將Ag作為導(dǎo)電體。實(shí)施例下面基于實(shí)施例來更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1首先，作為構(gòu)成電介質(zhì)陶瓷組合物原料的主成分原料，準(zhǔn)備SrTi03,作為副成分原料，準(zhǔn)備B203-ZnO-Si02系玻璃、CuO、MnC03。另外，SrTi03的A/B比即Sr/Ti比為1.00,B203-ZnO-Si02系玻璃的玻璃軟化點(diǎn)為630。C。并且，MnC03在燒成后作為MnO含有在電介質(zhì)陶乾組合物中。并且，B203-ZnO-Si02系玻璃可以使用市售的3皮璃。另外，B203-ZnO-Si02系玻璃的組成為B203:20重量％,ZnO:65重量％,Si02:15重量％。燒成后以表1所示的組成比稱量混合這些原料，通過球磨濕式混合16小時(shí)。濕式混合后，用干燥機(jī)在150°C-24小時(shí)的條件下干燥獲得的漿料，進(jìn)而，在間歇生產(chǎn)爐、800。C下煅燒干燥的混合粉末，獲得煅燒粉末。該煅燒粉末通過球磨濕式混合，用干燥才幾在150°C-24小時(shí)的條件下干燥獲得的漿料，制造電介質(zhì)陶瓷組合物原料。接著，在該電介質(zhì)陶瓷組合物原料中加入作為有才幾連結(jié)料的用溶劑稀釋的丙烯酸樹脂，制成顆粒后，加壓成型，獲得直徑12mm、厚3mm的圓片狀成形體。該成形體在空氣中、900°C-2小時(shí)的條件下燒成，獲得燒結(jié)體。對(duì)獲得的燒結(jié)體，從燒成前的成形物的尺寸和燒成后的燒結(jié)體的尺寸計(jì)算收縮率。結(jié)果示于表1中。并且，從燒成后的燒結(jié)體的尺寸和重量計(jì)算燒結(jié)體密度，計(jì)算出相對(duì)于理論密度的燒結(jié)體密度作為相對(duì)密度。相對(duì)密度為90%以上為良好。結(jié)果示于表l中。進(jìn)而，在獲得的燒結(jié)體的兩面上涂布In-Ga，制造電極，進(jìn)行相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值和絕緣電阻的評(píng)價(jià)。相對(duì)介電常數(shù)相對(duì)于形成電極的燒結(jié)體，在基準(zhǔn)溫度為20。C下，用數(shù)字LCR測量器(YHP公司制造的4274A)在頻率lMHz、輸入信號(hào)水平(測定電壓)1Vrms/pm的條件下，測定靜電容量C。接著，從獲得的靜電容量、燒結(jié)體的電極面積和電極間的距離計(jì)算出相對(duì)介電常數(shù)(沒有單位)。評(píng)價(jià)基準(zhǔn)在200以上為良好。結(jié)果示于表l中。損耗0值在和相對(duì)介電常數(shù)的測定條件相同的條件下，測定介質(zhì)損耗(tan5)，基于獲得的介質(zhì)損耗(tan5),計(jì)算出損耗Q值(=1/tan5)。損耗Q值優(yōu)選高的一方。評(píng)價(jià)基準(zhǔn)為200以上為良好。結(jié)果示于表1中。絕緣電阻(p)針對(duì)形成電極的燒結(jié)體，使用絕^彖電阻計(jì)(HEWLETTPACKARD公司制造的E2377Amutilmeter)，在25°C下30秒間施加DC25V后，測定電阻值，從該領(lǐng)，J定值和燒結(jié)體的電極面積和厚度計(jì)算出絕緣電阻p。本實(shí)施例中，對(duì)20個(gè)樣品進(jìn)行測定，通過求出其平均值來評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)基準(zhǔn)在1.0x108Q.m以上為良好。結(jié)果示于表1中。表1樣品No.副成分燒結(jié)體特性B2。3系玻璃CuOMnO收縮率相對(duì)密度相對(duì)介電常數(shù)ssQ值絕緣電阻P(重量％)(重量％)(重量％)(Qm)樣品1比較例1.01.00.37.3%64.9%"51042.6E+07樣品2實(shí)施例2.01.00.318.6%97.9%26515811.3E+12樣品2a實(shí)施例2.00017.6%90.5%2042988.4E+09樣品3實(shí)施例3.01.00.319.0%95.9%24713371.6E+12樣品4實(shí)施例4.01.00.319.3%95.8%23814192.2E+11樣品5實(shí)施例4.51.00.319.3沐23615032.6E+"樣品6實(shí)施例5.01.00.319.5%95.2%.23414562.7E+"樣品7實(shí)施例7.01.00.319.8%93.9%20912122.2E+"樣品7a實(shí)施例7.00019.0%92.2%2064053.4E+10樣品8比較例8.01.00.320.0%92.8%1985646.3E+10樣品9比較例10.01.00.320.291.0%1774891.9E+10表中，"mE+n"是表示"mxlO根據(jù)表l，作為玻璃成分B203-ZnO-Si02系玻璃(玻璃軟化點(diǎn)630。C)在本發(fā)明范圍內(nèi)含有時(shí)(樣品2~7a),具有充分的燒結(jié)性，且能夠使相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值和絕緣電阻全都良好。而且為了具有適度的收縮率，例如適用于LC復(fù)合電子部件的電容器部時(shí)，可以和線圏部的收縮率一致。另一方面，玻璃成分的含量比本發(fā)明范圍小時(shí)(樣品1),因?yàn)椴粺Y(jié)，能確認(rèn)特性非常差。并且，玻璃成分的含量大于本發(fā)明范圍時(shí)(樣品8和9),結(jié)果相對(duì)介電常數(shù)變低。實(shí)施例2除了玻璃成分和CuO的含量如表2所示以外，和樣品2—樣，制造電介質(zhì)陶瓷組合物，和實(shí)施例1進(jìn)行一樣的評(píng)價(jià)。結(jié)果示于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>表中，"mE+n"是表示"mxl0+n"。根據(jù)表2，比較樣品11和樣品12的話，通過含有CuO,能確認(rèn)相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值和絕緣電阻的任何一項(xiàng)有較大提高。在樣品13和樣品14中，也發(fā)現(xiàn)同樣的傾向。并且，CuO的含量在本發(fā)明優(yōu)選的范圍外時(shí)(樣品18)，能確認(rèn)損耗Q值和絕緣電阻變差的傾向。實(shí)施例3除了MnO的含量如表3所示以外，和樣品3—樣，制造電介質(zhì)陶瓷組合物，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果示于表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>表中，"mE+n，，是表示"mxl0+n"。根據(jù)表3，比較樣品3和樣品19的話，通過含有MnO，能確認(rèn)損耗Q值和絕緣電阻的提高。并且，MnO的含量在本發(fā)明優(yōu)選的范圍外時(shí)(樣品22)，能確認(rèn)相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值和絕緣電阻有變差的傾向。實(shí)施例4玻璃成分如表4所示以外，和樣品3—樣，制造電介質(zhì)陶瓷組合物，和實(shí)施例1進(jìn)行一樣的評(píng)價(jià)。結(jié)果示于表4中。另外，B203-Si02-BaO-CaO系玻璃(樣品23)的組成是8203:30重量％，Si02:20重量％,BaO:25重量％,CaO:25重量％,B203-ZnO-BaO系玻璃(樣品24)的組成為B203:30重量％，ZnO:30重量％,BaO:40重量％,B203-ZnO系玻璃(樣品25)的組成為B203:65重量％,ZnO:35重量％,B203-ZnO-Si02-BaO系玻璃(樣品26)的組成為B203:45重量%,ZnO:20重量％,Si02:5重量％，BaO:30重量％。并且，樣品23~26的玻璃成分的玻璃軟化點(diǎn)為80(TC以下，樣品27的玻璃成分(Si02-Al203-BaO)的玻璃軟化點(diǎn)比800。C高。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表中，"mE+n"是表示"mxlO+n"。根據(jù)表4，使用含有B203、玻璃軟化點(diǎn)為800。C以下的玻璃成分的樣品23-26任何一個(gè)都顯示良好的特性。另一方面，不含8203、玻璃軟化點(diǎn)比80(TC高的樣品27在900。C下不燒結(jié)。實(shí)施例5作為玻璃成分，B203-ZnO系玻璃的含量如表5所示(樣品25和29)、構(gòu)成該玻璃成分的B203和ZnO的氧化物的量如表5所示(樣品28和30)，制造電介質(zhì)陶資組合物，和實(shí)施例1進(jìn)行同樣的評(píng)價(jià)。結(jié)果示于表5中。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>表中，"mE+n"是表示"mx10根據(jù)表5,作為氧化物在電介質(zhì)陶瓷組合物中含有本發(fā)明的玻璃成分時(shí)，能確認(rèn)相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值和絕緣電阻的任何一個(gè)都良好。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能獲得相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值和絕緣電阻的任何一個(gè)都良好的電介質(zhì)陶資組合物。而且，即^吏在900。C下燒成，能充分燒成，且獲得適度的收縮率。因而，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物適用于LC復(fù)合電子部件中時(shí)，可以和構(gòu)成線圈部的磁性體層同時(shí)燒成，能提供具有顯示上述良好特性的電介質(zhì)層的復(fù)合電子部件。并且，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物也適合作為內(nèi)部電極層由Ag構(gòu)成的疊層陶瓷電容器的電介質(zhì)層。權(quán)利要求1.一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其包含含有選自鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸鈣的至少一種的主成分、和作為副成分，含有B的氧化物的玻璃成分，其特征在于，上述玻璃成分的含量相對(duì)于100重量％上述主成分，為2～7重量％。2.如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于，上述玻璃成分不含Bi的氧化物。3.如權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，上述電介質(zhì)陶瓷組合物還含有Cu的氧化物作為副成分，上述Cu的氧化物的含量相對(duì)于100重量％的上述主成分，以CuO計(jì)，多于0重量％,在10重量％以下。4.如權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，上述電介質(zhì)陶資組合物還含有Mn的氧化物作為副成分，上述Mn的氧化物的含量相對(duì)于100重量％的上述主成分，以MnO計(jì)，多于0重量％，在1.5重量％以下。5.如權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，代替上述玻璃成分，以氧化物的形式含有構(gòu)成上述玻璃成分的各成分。6.—種復(fù)合電子部件，其具有線圈導(dǎo)體和磁性體層構(gòu)成的線圏部、和內(nèi)部電極層和電介質(zhì)層構(gòu)成的電容器部，上述內(nèi)部電極層作為導(dǎo)電材料含有Ag，上述電介質(zhì)層由權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。7.—種疊層陶瓷電容器，其具有內(nèi)部電極層、電介質(zhì)層交替疊層的元件本體，上述內(nèi)部電極層作為導(dǎo)電材料含有Ag,上述電介質(zhì)層由權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。全文摘要本發(fā)明提供包含含有選自鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸鈣的至少一種的主成分、含有B的氧化物的玻璃成分作為副成分的電介質(zhì)陶瓷組合物，上述玻璃成分的含量相對(duì)于100重量％上述主成分為2～7重量％。根據(jù)該發(fā)明，提供通過相對(duì)地降低玻璃成分等含量，能對(duì)應(yīng)薄層化、顯示良好特性(相對(duì)介電常數(shù)、損耗Q值、絕緣電阻)的電介質(zhì)磁器組合物和具有由該電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層的疊層型濾波器等復(fù)合電子部件或疊層陶瓷電容器。文檔編號(hào)C04B35/462GK101276660SQ20081008847公開日2008年10月1日申請(qǐng)日期2008年3月31日優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日發(fā)明者桃井博,角田晃一,近藤真一,鈴木孝志,高橋圣樹,鷹野祥子申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社