專(zhuān)利名稱(chēng)：節(jié)能板材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及節(jié)能板材的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種帶真空層的節(jié)能板材。
背景技術(shù)：
為提高板材的強(qiáng)度、厚度或改善隔音、隔熱等性能，現(xiàn)有技術(shù)中已提出 了 一種在板材基板之間設(shè)置真空層的方法，且該方法已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種板 材的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中。所謂真空層板材，又稱(chēng)節(jié)能板材，概括而言就是將兩塊基 板扣合，在縫隙的周邊進(jìn)行密封，而后將密封層內(nèi)部抽為真空而制成的。節(jié) 能板材技術(shù)特別在玻璃面板制造領(lǐng)域尤為多見(jiàn)，例如現(xiàn)在所普遍使用的雙層 玻璃面板就是在兩層玻璃基板之間設(shè)置真空層來(lái)形成的真空玻璃面板。
顯然，在節(jié)能板材的制造過(guò)程中，在兩基板間進(jìn)行密封以及抽真空的操 作是形成真空層的關(guān)鍵。以真空玻璃面板為例，現(xiàn)有技術(shù)中提出了多種制造
真空玻璃面板的方案，如申請(qǐng)?zhí)枮?00380108877. 2題目為《真空玻璃面板的 制造方法及由該方法制造的真空玻璃面板》的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)所描述的，現(xiàn)有 技術(shù)在加工真空玻璃面板時(shí)，是在兩玻璃基板邊緣處用低熔點(diǎn)玻璃來(lái)進(jìn)行密 封的。在密封時(shí)， 一般以微波形成高溫來(lái)加熱涂覆有低熔點(diǎn)玻璃的玻璃面板 整體，在高溫下，低熔點(diǎn)玻璃融化即可將兩玻璃基板密封。現(xiàn)有技術(shù)不僅在 玻璃基板周邊，往往還可在玻璃基板內(nèi)部的多點(diǎn)分散布設(shè)一些支撐物，支撐 物的兩端同樣涂覆有低熔點(diǎn)玻璃，其熔化后可與兩側(cè)的玻璃基板固連，從而 對(duì)玻璃基板的中部形成支撐，以免變形。
但是，上述技術(shù)不可避免存在的缺陷是微波不能加熱普通低熔點(diǎn)玻璃。在低熔點(diǎn)玻璃中添加吸波材料又會(huì)影響到低熔點(diǎn)玻璃的封接強(qiáng)度、流動(dòng)浸潤(rùn) 性等性能，難以加工與使用。直接對(duì)玻璃面板整體進(jìn)行高溫加熱時(shí)，不僅加 熱了低熔點(diǎn)玻璃，同時(shí)也加熱了整個(gè)玻璃基板，這無(wú)疑對(duì)玻璃基板的性能造 成了嚴(yán)重影響，特別是高溫產(chǎn)生了去鋼化作用，使真空玻璃面板的性能顯著 下降。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種節(jié)能板材，以減小在高溫封接時(shí)對(duì)節(jié)能板 材中基板性能的影響，改善節(jié)能板材形成后的整體性能。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種節(jié)能板材，包括至少兩層基板，
各所述基板之間設(shè)置有封固物，其特征在于所述封固物包括至少一層封固 層和至少一層加熱層；所述封固層鄰接待封固的所述基板設(shè)置，用于被加熱 熔化后再冷卻凝結(jié)于所述基板上；所述加熱層設(shè)置在所述封固層遠(yuǎn)離所述基 板的一側(cè)，且所述加熱層中設(shè)置有具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料，用于在交變 磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱以加熱熔化所述封固層。
由以上技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型以交變磁場(chǎng)在封固物的加熱層中感應(yīng) 形成電流，從而加熱熔化封固層的技術(shù)手段，克服了現(xiàn)有技術(shù)加熱時(shí)對(duì)整個(gè) 節(jié)能板材進(jìn)行加熱而降低基板性能的技術(shù)問(wèn)題。因此，本實(shí)用新型可以對(duì)封 固層進(jìn)行獨(dú)立加熱，避免了對(duì)整個(gè)節(jié)能板材進(jìn)行加熱而產(chǎn)生的問(wèn)題，有效保 證了節(jié)能板材中基板的性能，且實(shí)現(xiàn)方法簡(jiǎn)便、易于控制。
下面通過(guò)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本實(shí)用新型節(jié)能板材具體實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本實(shí)用新型節(jié)能板材具體實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本實(shí)用新型節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施方式
的流程圖一；
4圖4為本實(shí)用新型節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施方式
中封固物的布設(shè)結(jié) 構(gòu)示意圖5為本實(shí)用新型節(jié)能板材的制造方法具體實(shí)施方式
的流程圖二； 圖6為本實(shí)用新型節(jié)能板材具體實(shí)施例中封固物的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
節(jié)能板材實(shí)施例一
如圖1所示為本實(shí)用新型節(jié)能板材具體實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。該節(jié)能 板材具體為玻璃基板夾設(shè)真空層而形成的真空玻璃面板，具體包括兩層玻璃 基板IO,各玻璃_|4反10之間設(shè)置有封固物20，該封固物20包括兩個(gè)封固層 21和一個(gè)加熱層22,封固層21與玻璃基板10壁面鄰接設(shè)置，加熱層22設(shè) 置在封固層21遠(yuǎn)離玻璃基板10的一側(cè)，即夾設(shè)在兩封固層21之間，且該加 熱層22中設(shè)置有導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)磁性材料，用于在交變磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生 電流發(fā)熱以加熱封固層21熔化。
本實(shí)施例的節(jié)能板材可對(duì)加熱層施加交變磁場(chǎng)，使加熱層中的導(dǎo)磁性材 料在磁場(chǎng)感應(yīng)下產(chǎn)生電流來(lái)發(fā)熱，從而加熱封固層熔化，當(dāng)停止施加交變磁 場(chǎng)時(shí)，熔化的封固層即可冷卻凝結(jié)與玻璃基板固連。其具體應(yīng)用形式多樣， 對(duì)于需要在兩基板之間形成密封層的板材，封固物可以包括兩層封固層和一 層加熱層，且設(shè)置在基板之間的邊緣處作為封接框；對(duì)于需要多層基板封接 的板材，可在兩兩基板之間設(shè)置封固物；對(duì)于需要在基板之內(nèi)設(shè)置支撐的板 材，可以將封固物設(shè)置在基板之間，且分散布設(shè)作為支撐物；或可以同時(shí)設(shè) 置封接框和中部的支撐物；另外，如果僅僅需要將封固物固接在基板上，則 可以設(shè)置封固物包括一層封固層和一層加熱層。根據(jù)具體情況的需要，還可 以設(shè)置多層間隔設(shè)置的封固層和加熱層，使兩基板之間的間隔距離更大，封 固層加厚時(shí)，其間的多個(gè)加熱層能均勻的對(duì)其進(jìn)行加熱。
對(duì)于本實(shí)施例中的玻璃基板而言，具體可以為低輻射玻璃基板或防火玻 璃基板或鋼化玻璃基板等材料?；蛘?，也可以采用陶瓷基板形成陶資的節(jié)能板材。所使用的封固層材料較佳的是采用熔化溫度小于60(TC的非結(jié)晶型低 熔點(diǎn)玻璃。當(dāng)基板為其他材質(zhì)，封固層也可以對(duì)應(yīng)選用適當(dāng)?shù)姆夤滩牧?。?熱層中的導(dǎo)電材料可以采用鐵、鎳、鐵鎳合金、426合金或可伐合金等任意 金屬材料，能具備良好的導(dǎo)電性能、導(dǎo)磁性能和電熱轉(zhuǎn)換能力即可。
在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，為了保證節(jié)能板材在制造和使用過(guò)程中維持 高真空密封，需要鐵鎳合金等加熱層的熱膨脹系數(shù)與上下基板、低熔點(diǎn)玻璃 封固層的膨脹系數(shù)相匹配。在同一個(gè)節(jié)能板材上， 一般基板、加熱層和封固 層材料間的膨脹系數(shù)差值不大于20%，較佳的是不大于10%，從而保證低熔 點(diǎn)玻璃材質(zhì)的良好粘接性能。
節(jié)能板材實(shí)施例二
如圖2所示為本實(shí)用新型節(jié)能板材具體實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施 例可以上述實(shí)施例一為基礎(chǔ)，當(dāng)封固物20將兩玻璃基板10封接之后，還要 進(jìn)一步抽空氣形成真空層，具體的，在玻璃基板10上一般還設(shè)置有用于抽取 空氣的直的通孔30,在該通孔30處設(shè)置附加封固層31，該附加封固層31遠(yuǎn) 離通孔30的一側(cè)還設(shè)有附加加熱層32。
當(dāng)抽真空結(jié)束或達(dá)到抽真空要求時(shí)，在交變磁場(chǎng)的作用下可以使附加加 熱層32加熱熔化附加封固層31,附加封固層31將通孔30密封的同時(shí)，將 附加加熱層32按壓在附加封固層31的熔化物上，使通孔30 口處最終形成一 平面。該通孔30不僅可以為貫穿孔的形式，還可以設(shè)置通孔為臺(tái)階孔，臺(tái)階 朝向外側(cè)，附加封固層31和附加加熱層32設(shè)置在臺(tái)階孔的臺(tái)階內(nèi)，則在密 封通孔之后，附加封固層31和附加加熱層32也容置在臺(tái)階之中，使玻璃面 板10的外表更加平坦光滑。
上述技術(shù)方案中所形成的節(jié)能板材，實(shí)際上包括七層結(jié)構(gòu)，如圖2所示， 從下至上依次為玻璃基板10、封固層21、加熱層22、封固層21、玻璃基板 10、在通孔30外側(cè)的附加封固層31和附加加熱層32。
該七層結(jié)構(gòu)的節(jié)能板材，能夠在交變磁場(chǎng)的作用下使封固層熔化，再冷 卻凝結(jié)，完成與玻璃基板的固接。其加熱的實(shí)現(xiàn)可以通過(guò)對(duì)交變磁場(chǎng)的控制來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且能夠獨(dú)立對(duì)加熱層進(jìn)行加熱，而避免對(duì)整個(gè)玻璃面板的加熱， 從而能夠避免對(duì)玻璃基板的去鋼化作用，保證玻璃基板的性能。
本實(shí)用新型基于交變磁場(chǎng)來(lái)作用于加熱層，單獨(dú)對(duì)封固層進(jìn)行加熱的技 術(shù)方案，可以避免玻璃基板本身被高溫加熱，保證玻璃基板的性能不受高溫 的影響。另外，本實(shí)用新型技術(shù)方案簡(jiǎn)單，加熱控制靈活，能夠很好的滿(mǎn)足 現(xiàn)有技術(shù)對(duì)玻璃面板加工的需求。同時(shí)，本實(shí)用新型的技術(shù)方案并不限于真 空玻璃面板，還可以擴(kuò)展至多種節(jié)能板材的封接，例如陶乾基板等。當(dāng)該節(jié) 能板材在封接后需要抽取真空層時(shí)，還可以進(jìn)一 步在封接的各基板之間設(shè)置 吸氣劑。
如圖3所示為本實(shí)用新型節(jié)能板材的較佳制造方法具體實(shí)現(xiàn)方式的流程 圖一，具體為制造本實(shí)用新型實(shí)施例一中真空玻璃面板的方法，包括如下步 驟
步驟IO、將封固物20設(shè)置在玻璃基板10的邊緣處，并在兩層玻璃基板 IO之間的中部分散布設(shè)，如圖4所示，該封固物至少包括封固層和加熱層， 其中封固層為兩層，每層封固層與一塊玻璃基板的壁面鄰接設(shè)置，封固層較 佳的是采用熔化溫度低于60(TC的非結(jié)晶型低熔點(diǎn)玻璃制成，該加熱層設(shè)置 在封固層遠(yuǎn)離玻璃基板的一側(cè)，即一層加熱層設(shè)置在兩封固層之間，加熱層 中設(shè)置有導(dǎo)電性能相對(duì)較好的導(dǎo)磁性材料，較佳的是采用鐵、鎳、鐵鎳合金、 426合金或可伐合金等金屬材料制成加熱層或設(shè)置在其它材料中形成加熱層；
步驟20、在加熱層上施加交變磁場(chǎng)，則加熱層中具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性 材料在交變磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱，對(duì)封固層進(jìn)行加熱熔化；
在步驟20中，利用了》茲場(chǎng)感應(yīng)電流，又稱(chēng)渦流的加熱原理?？梢栽谡婵?玻璃面板下放置加熱設(shè)備，加熱設(shè)備內(nèi)裝設(shè)有電子線路板線圈，產(chǎn)生交變磁 場(chǎng)，當(dāng)含有鐵、鎳合金等導(dǎo)電性能相對(duì)較好的導(dǎo)磁性材料的加熱層處于交變 磁場(chǎng)中時(shí)，磁力線作用于加熱層，加熱層即開(kāi)始切割交變磁力線而產(chǎn)生交變 的電流，電流克服內(nèi)阻流動(dòng)時(shí)完成了電能向熱能的轉(zhuǎn)換，使得加熱層發(fā)出熱 量對(duì)封固層進(jìn)行加熱。
7步驟30、當(dāng)封固層^C加熱熔化后，即減弱或停止施加交變^f茲場(chǎng)，熔化后 的封固層冷卻凝結(jié)，與玻璃基板的壁面固連，加熱層兩側(cè)的封固層分別將兩 側(cè)的玻璃基板封接，同時(shí)也與加熱層固連，因此，兩塊玻璃基板最終被封接 在一起，且由于邊緣處的封接使得兩玻璃基板之間形成密封腔。
在上述技術(shù)方案中，采用；茲場(chǎng)感應(yīng)電流的加熱原理對(duì)封固層進(jìn)行了局部 加熱，避免了對(duì)整個(gè)真空玻璃面板進(jìn)行的加熱，玻璃基板在整個(gè)過(guò)程中只經(jīng) 歷了一次局部瞬間不高于600。C的高溫過(guò)程，因此能最大限度地減小加熱封 接過(guò)程對(duì)玻璃基板性能的影響，避免了玻璃基板被去鋼化而性能下降。并且， 上述技術(shù)方案通過(guò)施加交變磁場(chǎng)即可完成加熱，其工作過(guò)程節(jié)能、安全、可 靠且環(huán)保，對(duì)溫度的控制也可以通過(guò)控制交變磁場(chǎng)來(lái)準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)。
在上述技術(shù)方案中具體是對(duì)兩塊玻璃基板進(jìn)行封接，在具體應(yīng)用中，該 封固物可以布設(shè)在玻璃基板的邊緣用于形成密封腔，也可以獨(dú)立呈點(diǎn)狀M 布設(shè)在玻璃基板中部作為支撐物，交變磁場(chǎng)的施加位置和范圍容易控制，能 夠方便地實(shí)現(xiàn)對(duì)各個(gè)位置的封固物獨(dú)立進(jìn)行加熱。
當(dāng)在非真空室內(nèi)制造上述節(jié)能板材時(shí)，可以在玻璃基板上設(shè)置通孔，于 玻璃基板通孔的外側(cè)設(shè)置封固物，包括封固層和加熱層，且封固層鄰接通孔 設(shè)置，具體可以環(huán)繞布設(shè)在通孔的外表面處，加熱層設(shè)置在封固層遠(yuǎn)離玻璃 基板的一側(cè)，覆蓋在封固層之外；其中，通孔是用于抽取空氣而在玻璃基板 上設(shè)置的， 一般設(shè)置在邊角位置處；封固物被設(shè)置在通孔處，可以在兩塊玻 璃基板已封接形成密封腔之后再設(shè)置通孔外的封固物，也可以與玻璃基板之 間的封固物一起設(shè)置。而后在上述步驟30之后執(zhí)行下述步驟，如圖5所示
步驟31、當(dāng)至少兩層玻璃基板之間被密封形成密封腔后，抽真空設(shè)備利 用抽氣管通過(guò)該通孔抽取空氣；
步驟32、當(dāng)玻璃基板之間形成真空或近似真空的環(huán)境后或者可以在抽取 空氣的過(guò)程中，在通孔外側(cè)設(shè)置的加熱層上施加交變》茲場(chǎng)，該通孔外側(cè)的加 熱層在交變磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱，對(duì)通孔處設(shè)置的封固層進(jìn)行加熱；
步驟33、當(dāng)通孔處的封固層被加熱熔化且板內(nèi)達(dá)到所需真空度后，減弱或停止施加交變磁場(chǎng)，按壓通孔外側(cè)的加熱層，熔化后的封固層冷卻凝結(jié)將 通孔密封，且被按壓的加熱層在凝結(jié)的封固層外形成平面。
上述技術(shù)方案有效解決了現(xiàn)有真空密封口處形成的尖端易損的問(wèn)題?，F(xiàn) 有技術(shù)中，在封離抽取空氣的抽氣管的同時(shí)在抽氣管一端形成了尖端，該尖 端是應(yīng)力集中的部位，也是易受外界碰撞而損壞的部位?，F(xiàn)有技術(shù)因?yàn)檎w 加熱整個(gè)玻璃基板及封固物質(zhì)，所以難以可控制地在通孔處進(jìn)行局部加熱， 以避免尖端的出現(xiàn)。因此，上述技術(shù)方案進(jìn)一步基于石茲場(chǎng)感應(yīng)電流的原理對(duì) 抽氣通孔處進(jìn)行處理，形成平面以克服尖端易損的問(wèn)題，提高產(chǎn)品使用壽命。 作為加熱源的加熱層也恰好可以用于形成封口平面，對(duì)封口進(jìn)行有效保護(hù)。
還可以進(jìn)一步在密封的玻璃基板之間設(shè)置吸氣劑，以進(jìn)一步提高玻璃基 板內(nèi)部的真空度。
上述技術(shù)方案適用于封接低輻射玻璃基板、防火玻璃基板或鋼化玻璃基 板等板材，也可以進(jìn)一步擴(kuò)展至局部加熱封接其他板材，例如，上述玻璃基 板還可以為陶資基板等，只要采用對(duì)應(yīng)的封固層材料即可。
在上述技術(shù)方案中，為了保證節(jié)能板材在制造和使用過(guò)程中維持高真空 密封，需要鐵鎳合金等加熱層的熱膨脹系數(shù)與上下基板、低熔點(diǎn)玻璃封固層 的膨脹系數(shù)相匹配，從而保證低熔點(diǎn)玻璃材質(zhì)的良好粘接性能。在同一個(gè)節(jié)
能板材上， 一般基板、加熱層和封固層材料間的膨脹系數(shù)差值不大于20%， 較佳的是不大于10Q/q。例如，當(dāng)基板使用熱膨脹系數(shù)為(85±10) xl0 — V 。C的鈉釣玻璃、鋼化玻璃或陶瓷基板時(shí)，可采用"426，，合金作為加熱層，"426" 合金是一種定膨脹合金，也稱(chēng)為封接合金，其熱膨脹曲線大約在35(TC左右 與鈉釣浮法玻璃的熱膨脹曲線相交。因此，在該溫度附近，使用低熔點(diǎn)玻璃 封接粘合，在室溫下無(wú)殘余應(yīng)力。由于節(jié)能板材特定的工藝封接溫度一般低 于600°C,所以要求的低熔點(diǎn)玻璃材料的熱膨脹系數(shù)與玻璃基板的熱膨脹系 數(shù)相匹配。因此較佳的是選用非結(jié)晶型低熔點(diǎn)玻璃材料。非結(jié)晶型低熔點(diǎn)玻 璃材料在加熱熔封過(guò)程中不析晶，因此流動(dòng)浸潤(rùn)性能好，多次加熱熔化溫度 不變，容易形成良好的粘接和真空密封。在熔封前后本身沒(méi)有明顯的熱膨脹系數(shù)變化，封接應(yīng)力固定，而且工藝比較簡(jiǎn)單。
在制造真空玻璃面板的過(guò)程中，玻璃基板的厚度大、鋼化度高時(shí)，封固 物的布局位置間距可以更大，以減少使用時(shí)的傳導(dǎo)熱。
本實(shí)用新型節(jié)能板材及其制造方法中所使用到的封固物，如圖6所示， 包括至少一層封固層21和至少一層加熱層22，封固層21與加熱層22相互 疊設(shè)。該封固物可以適用于本實(shí)用新型節(jié)能板材及其制造方法中。加熱層材 料可以為鐵或鎳或鐵鎳合金或426合金或可伐合金，封固層可以具體為熔化 溫度小于60(TC的非結(jié)晶型低熔點(diǎn)玻璃。
該封固物可以獨(dú)立生產(chǎn)制造，成為一種固體部件，在封，接加工時(shí)再力文置 到基板待封接的位置處。比較之下，現(xiàn)有技術(shù)通常只能將低熔點(diǎn)玻璃粉調(diào)制 成為漿料后作為封固物涂覆在玻璃基板上，作為封接框或支撐物，而后再扣 合另一塊玻璃基板，再加熱封接，而不能獨(dú)立地加工成固體形式的封接框或 支撐物。因此，上述技術(shù)方案相比于現(xiàn)有技術(shù)而言工序更加簡(jiǎn)單。
最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非 對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的 普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行 修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不 使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1、一種節(jié)能板材，包括至少兩層基板，各所述基板之間設(shè)置有封固物，其特征在于所述封固物包括至少一層封固層和至少一層加熱層；所述封固層鄰接待封固的所述基板設(shè)置，用于被加熱熔化后再冷卻凝結(jié)于所述基板上；所述加熱層設(shè)置在所述封固層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，且所述加熱層中設(shè)置有具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料，用于在交變磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱以加熱熔化所述封固層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)能板材，其特44于所述封固物設(shè)置在各所 iCS^反之間的邊緣處和/或在各所述J^反之間^t布設(shè)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)能板材，其特征在于所述基板為玻璃J^反或 陶資絲。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)能板材，其特征在于所述加熱層為鐵或4線 鐵鎳合金或426合金或可伐合金。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的節(jié)能板材，其特征在于所述封固層為熔化 溫度小于60(TC的非結(jié)晶型^^點(diǎn)玻璃。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的節(jié)能板材，其特4i^于所i^S4反、加熱層和封 固層材料間的膨脹系數(shù)差值不大于20%。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的節(jié)能板材，其特征在于所述基f反、加熱層和封 固層材料間的膨脹系數(shù)差值不大于10%。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)能板材，其特征在于，還包括 在所述基板上設(shè)置有通孔，于所述^^反通孔的外側(cè)設(shè)置所述封固物，且所述封固層鄰接所述通孔設(shè)置，所述加熱層設(shè)置在所述封固層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的節(jié)能板材，其特4i^于所述通孔為臺(tái)階孔，所 述封固層和所iii口熱層i殳置在所述臺(tái)階孔的臺(tái)階內(nèi)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的節(jié)能板材，其特征在于，還包括在封接 的各1^反之間設(shè)置吸氣劑。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種節(jié)能板材，包括至少兩層基板，各基板之間設(shè)置有封固物，其中封固物包括至少一層封固層和至少一層加熱層；封固層鄰接待封固的所述基板設(shè)置，用于被加熱熔化后再冷卻凝結(jié)于基板上；加熱層設(shè)置在封固層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)，且加熱層中設(shè)置有具有導(dǎo)電性能的導(dǎo)磁性材料，用于在交變磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生電流發(fā)熱以加熱熔化封固層。本實(shí)用新型采用以交變磁場(chǎng)在加熱層中感應(yīng)電流，從而加熱封固層熔化密封的技術(shù)手段，實(shí)現(xiàn)了對(duì)封固層的獨(dú)立加熱，解決了對(duì)整個(gè)節(jié)能板材進(jìn)行加熱會(huì)降低基板性能的技術(shù)問(wèn)題。
文檔編號(hào)C03C27/00GK201245558SQ200820109839
公開(kāi)日2009年5月27日 申請(qǐng)日期2008年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者李夢(mèng)琪 申請(qǐng)人:李夢(mèng)琪