疏水窗玻璃的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于制備疏水窗玻璃的方法，其包括下列連續(xù)步驟：(a)通過在由無機(jī)玻璃制成的基材的至少一部分表面上的化學(xué)氣相沉積(CVD)，在600℃至680℃的溫度下，通過使所述表面與包含乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)和二氧化碳(CO2)的反應(yīng)性氣體流接觸，在所述基材的表面上形成富含碳的氧碳化硅(SiOxCy)層，其中在步驟(a)期間的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)體積比小于或等于3.3，(b)于在步驟(a)中沉積的氧碳化硅層上形成SiO2層，或(b’)形成貧含碳的氧碳化硅層，該層具有低于0.2的平均C/Si比率，(c)在580℃至700℃的溫度下使在步驟(b)或(b’)結(jié)束時(shí)獲得的基材退火和/或成型，(d)通過等離子體處理或酸或堿的化學(xué)處理使在步驟(b)中形成的二氧化硅層或在步驟(b’)中形成的氧碳化硅層活化，和(e)通過共價(jià)鍵合接枝氟化疏水試劑。本發(fā)明還涉及通過這種方法可獲得的疏水窗玻璃，優(yōu)選是風(fēng)擋。
【專利說明】疏水窗玻璃
[0001]本發(fā)明涉及用于制備疏水窗玻璃的方法和通過這種方法獲得的疏水窗玻璃，特別地風(fēng)擋。
[0002]在市場(chǎng)上存在許多由具有疏水表面的無機(jī)玻璃制成產(chǎn)品，該疏水表面通過共價(jià)接枝通常具有硅氧烷鏈或全氟烷基鏈的疏水試劑獲得。
[0003]這些具有疏水性的玻璃制品用作為例如用于窗戶、淋浴隔間的窗玻璃，或汽車窗玻璃。
[0004]然而，大多數(shù)產(chǎn)品在一定時(shí)間段(其可以為數(shù)月至數(shù)年)之后逐步損失它們的疏水性。疏水性的這種損失對(duì)于窗玻璃，如風(fēng)擋是特別快速的，其經(jīng)受大的化學(xué)和物理應(yīng)力，如用風(fēng)擋刮水器的擦拭、溫度的變化、大氣污染、日光等等。
[0005]國際申請(qǐng)W02010/125964公開了由無機(jī)玻璃基材和基于有機(jī)金屬化合物的粘結(jié)下層組成的疏水窗玻璃，該有機(jī)金屬化合物可以包含0.3%至50%的碳、氮、氯和/或氟原子。下層具有能夠與氟化醚類型的疏水試劑的甲硅烷基官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)。
[0006]以本 申請(qǐng)人:公司名義的國際申請(qǐng)W02010/079299公開了用于在玻璃基材上制備疏水涂層的方法，其包括形成基于氧碳化硅的下層。確定用于耐久性的參數(shù)是粘結(jié)下層的粗糙度，其必須至少等于4nm(RMS粗糙度)。
[0007]Central Glass C0.公司目前以商標(biāo)名Aquasplash?提供具有由氟代硅烷和娃氧烷的混合物組成的表面層的疏水風(fēng)擋。然而，本 申請(qǐng)人:公司已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這種窗玻璃的耐久性低于3年。
[0008]因此，至今不存在允許提供在至少3年期間保留令人滿意的疏水性的風(fēng)擋的技術(shù)方案。
[0009]在其目的是改善風(fēng)擋的疏水性和延長該疏水性甚至超過三年的研究工作的背景中，本 申請(qǐng)人:公司已令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，由氧碳化硅制成的粘結(jié)層(其隨后用于共價(jià)接枝疏水試劑)的化學(xué)組成，特別地這種層的碳富集度對(duì)接枝的疏水涂層的壽命具有顯著的并且意料之外的影響。
[0010]本 申請(qǐng)人:公司已經(jīng)特別地觀察到，當(dāng)在薄SiOxCy層中的碳/硅(C/Si)比率在所述層的顯著深度中高于0.4時(shí)，與未實(shí)現(xiàn)這種C/Si比率或以過局部化方式實(shí)現(xiàn)這種比率(即在它們的僅僅小部分深度上)的層相比較，去離子水滴的接觸角的損失極大地降低。
[0011]而且，本 申請(qǐng)人:公司已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在用于氧碳化硅層的化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法中不通過提高而是令人驚訝地通過降低乙烯(C2H4)流量(與硅烷(SiH4)流量比較)，在SiOxCy層的顯著深度上獲得高比例的碳。
[0012]這些發(fā)現(xiàn)的整體已經(jīng)形成在與本應(yīng)用同一天提交的分開的專利申請(qǐng)的主題。
[0013]然而，如此獲得的攜帶富含碳的粘結(jié)下層的疏水窗玻璃具有高的劃痕靈敏度，這代表棘手的缺點(diǎn)，特別地在暴露于相當(dāng)高磨損的窗玻璃，如，例如風(fēng)擋的情況下更如此。
[0014]在其目的為更多優(yōu)化疏水窗玻璃的研究工作的背景中，本 申請(qǐng)人:公司已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過在第一富含碳的氧碳化硅下層上沉積第二 SiOC下層(其是更貧含碳或不含碳的，即二氧化硅層)可以顯著地提高疏水窗玻璃的抗劃痕性，而這不顯著地降低該接枝的疏水涂層的壽命。
[0015]鑒于先驗(yàn)結(jié)果，疏水涂層的這種長壽命的保持實(shí)際上是絕不能被預(yù)見到的，該先驗(yàn)結(jié)果已經(jīng)顯示它取決于該粘結(jié)層的化學(xué)組成，特別地碳含量。本領(lǐng)域的技術(shù)人員因此有各種原因相信，通過在富含碳的SiOC層和疏水試劑之間插入薄層，他將降低疏水涂層的長壽命。
[0016]本發(fā)明的主題因此是用于制備疏水窗玻璃的方法，其包括下列連續(xù)步驟:
(a)通過在由無機(jī)玻璃制成的基材的至少一部分表面上的化學(xué)氣相沉積(CVD)，在600°C至680°C，優(yōu)選610°C至660°C的溫度下，使所述表面與包含乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)和二氧化碳(CO2)的反應(yīng)性氣體流接觸，在所述基材的表面上形成富含碳的氧碳化硅(SiOxCy)層，其中在步驟(a)期間的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)體積比小于或等于3.3，
(b)于在步驟(a)中沉積的氧碳化硅層上形成SiO2層，或
(b’)于在步驟(a)中沉積的SiOxCy層上形成貧含碳的氧碳化硅層，該層具有低于0.2，優(yōu)選低于0.1的平均C/Si比率，
(c)在580°C至700°C，優(yōu)選在600°C至680°C的溫度下使在步驟(b)或(b’)結(jié)束時(shí)獲得的基材退火和/或成型，
(d)通過等離子體處理或通過酸或堿的化學(xué)處理使二氧化硅層或氧碳化硅層活化，和
(e)通過共價(jià)鍵合將氟化疏水試劑接枝到二氧化硅或SiOxCy層的表面上。 [0017]本發(fā)明的另外的主題是通過這種方法可獲得的疏水窗玻璃。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的方法因此以兩種變型的形式存在，第一種包括連續(xù)步驟(a)、(b)、
(c)、(d)和(e)和第二種包括連續(xù)步驟(a)、(b’)、(c)、(d)和(e)。
[0019]實(shí)際上，第一種變型僅僅是第二種變型的極限情況。這是因?yàn)槎趸?SiO2)可以被認(rèn)為是貧含碳的氧碳化硅(SiOxCy)層，其中碳濃度是零(y=0)。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的方法的第一步驟(步驟(a))優(yōu)選在爐內(nèi)部在錫浴上的漂浮玻璃上或在從該爐排出之后立即地進(jìn)行實(shí)施。特別有利的實(shí)施方式在于在該爐內(nèi)部通過CVD實(shí)施該沉積，在那里相對(duì)容易產(chǎn)生對(duì)于該反應(yīng)混合物和該沉積的層的化學(xué)組成的滿意控制來說是必要的封閉(confin6e)氣氛。
[0021]將反應(yīng)性氣體的混合物經(jīng)由噴嘴引入爐中，噴嘴的寬度優(yōu)選覆蓋該在該爐中行進(jìn)的玻璃帶的寬度的至少90%。反應(yīng)性氣體(C2H4, SiH4, CO2)通常與惰性載氣或稀釋氣如氮?dú)?N2)進(jìn)行混合。
[0022]通過CVD沉積薄的氧碳化硅層是已知的并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員將知道根據(jù)玻璃的行進(jìn)速率、爐的溫度和他希望獲得的層的厚度來調(diào)節(jié)該反應(yīng)性氣體的流速。
[0023]在本發(fā)明中，步驟(a)的實(shí)驗(yàn)條件(帶的行進(jìn)速率、反應(yīng)性氣體的流速等等)優(yōu)選進(jìn)行調(diào)節(jié)以使得沉積的SiOxCy層的厚度為10至200nm，特別地20至lOOnm，特別優(yōu)選40至70nmo
[0024]上面對(duì)于步驟(a)所指出的溫度是在緊臨沉積噴嘴(反應(yīng)性氣體的混合物經(jīng)由該噴嘴而到達(dá))的附近(低于20cm)處的錫浴的溫度。
[0025]氧化性氣體(CO2)與硅烷(SiH4)的比率通常為I至50，優(yōu)選1.5至10，特別地2至6。
[0026]如上面所解釋，本 申請(qǐng)人:公司已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，相當(dāng)令人驚訝地，對(duì)于步驟(a)通過使用相對(duì)低(即小于或等于3.3)的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)體積比獲得富含碳的氧碳化硅層。這種比率優(yōu)選為I至3.3，特別地1.5至3.3。
[0027]這是因?yàn)?，?duì)于較高的C2H4/SiH4體積比，特別地高于3.4的C2H4/SiH4體積比，氧碳化硅下層的碳含量在接枝疏水試劑之后不再足以引起持久的疏水性質(zhì)。在C2H4/SiH4體積比和獲得的SiOC層的碳含量之間的關(guān)系的揭示以及對(duì)接枝的疏水層的耐久性的影響已經(jīng)形成在與本專利申請(qǐng)同一天提交的分開專利申請(qǐng)的主題。
[0028]已存在許多用于在玻璃基材的表面上沉積薄二氧化硅層的方法。舉例來說，可以提到使用四乙氧基硅烷(TEOS)作為前體的化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)、磁場(chǎng)增強(qiáng)的真空陰極濺射(磁控管濺射)或這最后兩種技術(shù)的組合(PECVD-磁控管)。
[0029]對(duì)于步驟(b’)，可以利用本 申請(qǐng)人:公司的發(fā)現(xiàn):通過使用高(:2Η4Λ?Η“φ積比的CVD沉積SiOC層產(chǎn)生相對(duì)貧含碳的層。因此，步驟(b’)優(yōu)選包括在600°C至680°C，優(yōu)選610°C至660°C的溫度下使在步驟(a)中形成的氧碳化硅層與包含乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)和二氧化碳(CO2)的反應(yīng)性氣體流接觸，其中在步驟(b’)期間的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)體積比(b’)高于3.4，優(yōu)選3.5至6，特別地3.7至5.5。
[0030]在根據(jù)本發(fā)明的方法的這種變型的有利實(shí)施方式(因?yàn)樗欠浅：唵蔚?中，步驟(a)和(b’)在漂浮爐內(nèi)部進(jìn)行實(shí)施。將包含乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)和二氧化碳(CO2)的反應(yīng)性氣體的兩種混合物經(jīng)由兩個(gè)分開的噴嘴引入爐中，該用于引入步驟(a)的混合物的噴嘴位于該用于引入步驟(b’)的混合物的噴嘴的上游(相對(duì)于玻璃帶的行進(jìn)方向)。
[0031]在步驟(b)中 沉積的二氧化硅層，或在步驟(b’)中沉積的氧碳化硅層，優(yōu)選具有3至lOOnm，特別地5至50nm的厚度。
[0032]在步驟(a)、(b)和(b’)中形成的層是具有1.45至1.9的折光指數(shù)的致密非多孔層。
[0033]在沉積二氧化硅層(步驟(b))或貧含碳的氧碳化硅層(步驟(b’ ))之后，冷卻用兩個(gè)薄層覆蓋的基材，通常直到環(huán)境溫度，然后使它經(jīng)受退火和/或成型步驟，例如彎曲。
[0034]在退火步驟(C)結(jié)束時(shí)獲得的產(chǎn)品當(dāng)然還不具有疏水性質(zhì)。為了使它是疏水的，需要借助于等離子體處理或堿性或酸性水解來活化該表面-以便使得在粘結(jié)層的表面可得到大量SiOH基團(tuán)-然后在短時(shí)間段內(nèi)，優(yōu)選不超過幾分鐘，施用能夠與活化的硅烷醇官能團(tuán)反應(yīng)的疏水試劑。
[0035]活化可以在真空下或在大氣壓下的裝置中，例如在平行板電容RF反應(yīng)器(reacteur RF capacitif ? plaques paralleles)中，進(jìn)行實(shí)施。等離子體處理僅僅非常輕微地，實(shí)際上甚至完全不改變?cè)摫砻娴奈锢硇螒B(tài)，表面特別地保持它的粗糙度。使用的氣體通常選自n2、o2、h2o和這些氣體的混合物。對(duì)于用等離子體的活化步驟，通過使用在環(huán)境溫度下經(jīng)由使氮?dú)饬鞴呐莸饺ルx子水中獲得的N2和H2O的混合物，本 申請(qǐng)人:公司已經(jīng)獲得優(yōu)良的結(jié)果。該水/氮?dú)饣旌衔锇罡?%體積的水。使操作壓力調(diào)節(jié)至75至300mtorr的值，反應(yīng)器的功率調(diào)節(jié)至150至5000W的值和活化步驟的持續(xù)時(shí)間通常為I分鐘至大約15分鐘，典型地5至10分鐘。
[0036]當(dāng)活化通過液體途徑進(jìn)行實(shí)施時(shí)，使層的表面與pH>10的強(qiáng)堿溶液或具有pH〈4的強(qiáng)酸溶液接觸至少數(shù)秒，甚至幾分鐘。[0037]該活化步驟優(yōu)選緊鄰地在共價(jià)接枝疏水試劑的步驟(e)之前進(jìn)行實(shí)施。這是因?yàn)橥ㄟ^活化產(chǎn)生的硅烷醇官能團(tuán)可以彼此或與該大氣的組分反應(yīng)，然后再次變得對(duì)于疏水試劑的固定是不可用的。
[0038]在本發(fā)明方法的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，在活化步驟(步驟(d))結(jié)束后的低于30分鐘，優(yōu)選低于15分鐘，特別地低于5分鐘內(nèi)來實(shí)施步驟(e)。
[0039]疏水步驟原則上可以通過任何已知技術(shù)，如浸沒、噴射、離心、大氣壓或真空等離子沉積，或使用抹布(使用經(jīng)浸濕的抹布施用疏水試劑的溶液)進(jìn)行實(shí)施。
[0040]在本發(fā)明中，原則上，可以使用能夠與該氧碳化硅層的硅烷醇基形成共價(jià)鍵的任何疏水試劑。這種試劑是已知的并且特別地在EP0492417，EP0492545, EP0672779和W02007/012779中進(jìn)行描述。此外，這些文件描述了這些疏水反應(yīng)劑的不同施用方法。
[0041]在本發(fā)明中使用的疏水試劑優(yōu)選地選自下式的氟代烷基硅烷:
F3C-(CF2)ffl-(CH2)n-Si (X)3-P (R) P
其中:
m=0-l5，優(yōu)選 5-9， η=1-5,優(yōu)選 η=2, P=O>I或2,優(yōu)選O或I,特別地O,
R是Ci_8烷基或氫原子，
X是可水解基團(tuán)，優(yōu)選鹵素原子或Cu烷氧基。
[0042]還可以設(shè)想使用下式的化合物:
F3C- (CF2-CF (CF3) -O) m- (CH2-CH2) n_Si ⑴ 3_p (R) p
或下式的化合物:
F3C- (CF2-CF2-CF2-O) m- (CH2-CH2) n_Si ⑴ 3_p (R) p
其中m=2-30，n=l-3，優(yōu)選n=l，和p、X和R具有如上所指出的含義。
[0043]疏水反應(yīng)劑優(yōu)選以即時(shí)制備的酸性水/醇溶液，例如通常包含低于15%的酸化水(例如鹽酸)的在乙醇或異丙醇中的溶液的形式進(jìn)行施用。
[0044]這種疏水化溶液優(yōu)選具有I至5%重量的疏水試劑濃度。它借助于用所述溶液浸濕的抹布被施用于經(jīng)活化的半成品。這種使疏水試劑與活化表面接觸操作的持續(xù)時(shí)間優(yōu)選為5至60分鐘，優(yōu)選10至30分鐘。過量疏水試劑隨后可以通過用醇沖洗被除去。
[0045]本發(fā)明的疏水窗玻璃優(yōu)選是機(jī)動(dòng)車輛的窗玻璃，特別地風(fēng)擋。
[0046]然而，它的持久的疏水性質(zhì)還可以在其它使用領(lǐng)域，例如在航空(飛機(jī)風(fēng)擋)、建筑業(yè)(玻璃窗或門)、家具(鏡子、儲(chǔ)存架、用于家用電器設(shè)備的架子、淋浴隔間元件、隔板)、街道附屬設(shè)施(公共汽車站)、顯示屏(電視、計(jì)算機(jī)、觸敏熒光屏)等等領(lǐng)域中是有利的。
[0047]以下實(shí)施例舉例說明本發(fā)明然而不限制該唯一通過權(quán)利要求所定義的范圍。實(shí)施例
[0048]兩種根據(jù)本發(fā)明的疏水窗玻璃通過下列方法進(jìn)行制備:
a)在650°C的溫度(在該噴嘴的緊臨附近處的錫浴的溫度)，通過CVD(C2H2、SiH4、C02、稀釋劑N2)使用具有3.3m寬度的噴嘴在由透亮浮法玻璃制成的基材上沉積富含碳的氧碳化硅層；帶寬度是3.6m，它的厚度是2.8_和它的行進(jìn)速率是16.7m/min ;反應(yīng)性氣體的流速為如下:在稀釋劑 N2 中的 SiH4 (20.2nL/min)、C2H4 (35nL/min)和 CO2 (30nL/min) ；C2H2/SiH4體積比=1.73 ；
b)通過磁控管派射沉積具有5nm或15nm厚度的二氧化娃層；
c)在640°C的溫度下退火8分鐘，
d)通過Η20/Ν2等離子體進(jìn)行活化，和
e)通過使用抹布施用在異丙醇和酸化水的混合物(0.3NHC1) (90/10)中包含2%的CF3- (CF2) 7- (CH2) 2-Si (OEt)的溶液來接枝該疏水試劑。
[0049]此外，對(duì)比疏水窗玻璃通過包含步驟(a)、(c)、(d)和(f)，但不包括沉積二氧化硅層(步驟(b))的方法進(jìn)行制備。
[0050]最終產(chǎn)品的疏水性通過使用Kriiss自動(dòng)張力計(jì)測(cè)量去離子水滴的接觸角(Θ初始)進(jìn)行評(píng)價(jià)。接觸角越高，最終產(chǎn)品是更疏水的。
[0051]所有的樣品隨后經(jīng)受加速老化，在其期間樣品經(jīng)受人工降雨，干燥，照射和使用刮水片擦拭的周期。加速老化的總持續(xù)時(shí)間是32000分鐘。
[0052]在這種加速老化結(jié)束時(shí)，再次測(cè)量接觸角(Θ ?_)，對(duì)于所有樣品接觸角都降低了。接觸角的fe失等于Θ初始-Θ最終。
[0053]而且,表1介紹了抗劃痕性測(cè)試iBrichsen Scratch Test)的結(jié)果,該測(cè)試在于向被強(qiáng)迫旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的樣品施用恒定力(經(jīng)由標(biāo)準(zhǔn)化尖端)。記錄對(duì)應(yīng)于肉眼可見的劃痕出現(xiàn)的用牛頓(N)表示的力(F)。
[0054]表1
【權(quán)利要求】
1.用于制備疏水窗玻璃的方法，其包括下列連續(xù)步驟: (a)通過在由無機(jī)玻璃制成的基材的至少一部分表面上的化學(xué)氣相沉積(CVD)，在600°C至680°C，優(yōu)選610°C至660°C的溫度下，通過使所述表面與包含乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)和二氧化碳(CO2)的反應(yīng)性氣體流接觸，在所述基材的表面上形成富含碳的氧碳化硅(SiOxCy)層，其中在步驟(a)期間的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)體積比小于或等于3.3， (b)在步驟(a)中沉積的氧碳化硅層上形成SiO2層，或 (b’)在步驟(a)中沉積的SiOxCy層上形成貧含碳的氧碳化硅層，該層具有低于0.2，優(yōu)選低于0.1的平均C/Si比率， (c)在580°C至700°C，優(yōu)選在600°C至680°C的溫度下使在步驟(b)或(b’)結(jié)束時(shí)獲得的基材退火和/或成型， (d)通過等離子體處理或通過酸或堿的化學(xué)處理使二氧化硅層或氧碳化硅層活化，和 (e)通過共價(jià)鍵合將氟化疏水試劑接枝到該二氧化硅或SiOxCy層的表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，特征在于步驟(a)在爐內(nèi)部在錫浴上的漂浮玻璃上或在從該爐排出之后立即地進(jìn)行實(shí)施，優(yōu)選地在爐內(nèi)部進(jìn)行實(shí)施。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，特征在于在步驟(b)的SiO2層通過使用四乙氧基硅烷(TEOS)作為前體的化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)、磁場(chǎng)增強(qiáng)的真空陰極濺射(磁控管濺射)或這最后兩種技術(shù)的組合(PECVD-磁控管)來形成。
4.根據(jù)前一權(quán)利要求的方法，特征在于步驟(b’)是CVD步驟，其包括在60(TC至680°C，優(yōu)選610°C至660°C的溫度下使在步驟(a)中形成的氧碳化硅層與包含乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)和二氧化碳(CO2)的反應(yīng)性氣體流接觸，其中在步驟(b’)期間的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)體積比(b，)高于 3.4。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，特征在于步驟(a)和(b’)在漂浮爐內(nèi)部進(jìn)行實(shí)施，其中將包含乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)和二氧化碳(CO2)的反應(yīng)性氣體的混合物經(jīng)由兩個(gè)分開的噴嘴引入爐中，該用于引入步驟(a)的混合物的噴嘴位于該用于引入步驟(b’)的混合物的噴嘴的上游。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，特征在于步驟(a)的條件使得沉積的SiOxCy層具有10至200nm，特別地20至lOOnm，特別地40至70nm的厚度。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，特征在于在步驟(b)中沉積的二氧化硅層，或在步驟(b’)中沉積的氧碳化娃層具有3至IOOnm,特別地5至50nm的厚度。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，特征在于在步驟(d)接枝的氟化疏水試劑選自下式的氣代烷基硅烷:
F3C-(CF2)m-(CH2)n-Si ⑴ 3_p (R)p 其中: m=0-l5，優(yōu)選 5-9， η=1-5,優(yōu)選 η=2, P=O>I或2,優(yōu)選O或I,特別地O, R是Ci_8烷基或氫原子， X是可水解基團(tuán)，優(yōu)選鹵素原子或Cu烷氧基。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，特征在于疏水試劑以酸性水-醇溶液形式，優(yōu)選借助于用所述溶液浸濕的抹布進(jìn)行施用。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法可以獲得的疏水窗玻璃。
11.根據(jù)權(quán)利 要求10的疏水窗玻璃，特征在于它是機(jī)動(dòng)車輛的窗玻璃，特別是風(fēng)擋。
【文檔編號(hào)】C03C17/42GK104024176SQ201280055822
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月16日
【發(fā)明者】C.圖馬澤, M.梅爾赫, A.于尼亞爾, R.蘭特 申請(qǐng)人:法國圣戈班玻璃廠