脆性材料基板的分?jǐn)喾椒ㄅc分?jǐn)嘌b置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種脆性材料基板的分?jǐn)喾椒ㄅc分?jǐn)嘌b置，其可減少斷裂時(shí)的上刀的壓入量。其是在由切割環(huán)1支撐的具有彈性的粘著膜2的下面貼附脆性材料基板W，于在該基板W的下面形成多條劃線S后，跨越應(yīng)分?jǐn)嗟膭澗€S而在其左右位置的基板W下面抵接一對(duì)支撐刀4、4，在基板W的與設(shè)置有劃線S的面為相反側(cè)的面，在與劃線S相對(duì)的部位配置上刀6，將該上刀6自粘著膜2的上方按壓至基板W，藉此利用3點(diǎn)彎曲力矩使基板W沿劃線S斷裂，且在利用上刀6進(jìn)行斷裂時(shí)，以在保持基板W的粘著膜2產(chǎn)生向下的張力的方式，將支撐刀4、4配置于上推粘著膜2的位置而進(jìn)行斷裂。
【專利說明】脆性材料基板的分?jǐn)喾椒ㄅc分?jǐn)嘌b置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種由玻璃、硅、氧化鋁、陶瓷、化合物半導(dǎo)體等脆性材料構(gòu)成的基板的分?jǐn)喾椒?、分?jǐn)嘌b置。特別是涉及一種沿形成于基板上的多條劃線以短條狀或格子狀分?jǐn)嗷宥謹(jǐn)喑删戎破返姆椒ㄅc其分?jǐn)嘌b置。
【背景技術(shù)】
[0002]自先前起,眾所周知有如下方法:對(duì)脆性材料基板使用晶圓切割機(jī)(dicingsaw)、刀輪(cutter wheel)、激光束形成多條劃線，其后施加外力使基板彎曲而沿劃線斷裂，藉此取出晶片等單位制品(例如專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2等)。
[0003]在對(duì)脆性材料基板沿劃線施加彎曲力矩而使其斷裂時(shí)，為了有效地產(chǎn)生彎曲力矩，較佳為藉由如上述專利文獻(xiàn)等所示的3點(diǎn)彎曲方式進(jìn)行。
[0004]圖3是表示將表面形成有多個(gè)電子零件(微細(xì)的電子電路)的氧化鋁基板或LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics,低溫煅燒陶瓷)基板以3點(diǎn)彎曲方式斷裂而取出電子零件的通常的斷裂步驟。
[0005]對(duì)于表面形成有多個(gè)電子零件且以保護(hù)膠帶11被覆其電子零件形成面的基板W，將保護(hù)膠帶11以朝下的方式貼附于由切割環(huán)12支撐的具有彈性的粘著膜13的下面。在基板W的電子零件形成面，在前面步驟中形成多條劃線S，跨越該劃線S而在其左右位置配置承受基板W的下面的一對(duì)支撐刀14。在基板W的與設(shè)置有劃線S的面為相反側(cè)的面，在與劃線S相對(duì)的部位的上方配置有上刀15。藉由使該上刀15自粘著膜13的上方按壓至基板W，使基板W彎曲而自劃線S斷裂。
[0006]再者，為了自劃線S準(zhǔn)確地?cái)嗔眩诨錡設(shè)置與上刀15的位置對(duì)準(zhǔn)用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，利用攝像裝置(未圖示)拍攝基板W的表面，藉此參照所拍攝的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行斷裂位置的定位。利用該攝像裝置進(jìn)行的定位也存在取代對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而參照劃線自身進(jìn)行定位的情況。
[0007][先前技術(shù)文獻(xiàn)]
[0008][專利文獻(xiàn)]
[0009][專利文獻(xiàn)I]日本專利特開2011-212963號(hào)公報(bào)
[0010][專利文獻(xiàn)2]日本專利特開2010-014945號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011][發(fā)明所欲解決的問題]
[0012]于在基板W的上表面抵壓上刀15而以上述的3點(diǎn)彎曲方式使基板W彎曲而斷裂的情形時(shí)，需要自上刀15接觸基板W的上表面起至將劃線分?jǐn)酁橹沟墓潭ǖ膲喝霙_程(壓入量)。在例如厚度0.64mm的氧化鋁基板的情形時(shí)，該壓入量必須為約0.1_。
[0013]由上刀15進(jìn)行的壓入動(dòng)作是對(duì)I片基板進(jìn)行與劃線的數(shù)目相同的次數(shù)，因此存在若壓入量較大則在粘著膠帶產(chǎn)生無法復(fù)原的較小的「皺褶」的情況。若產(chǎn)生這種「皺褶」，則在上述的利用攝像裝置進(jìn)行的基板的對(duì)準(zhǔn)中產(chǎn)生誤差，無法準(zhǔn)確地自劃線S斷裂。
[0014]若上刀的壓入量較大，則如圖4所示，存在基板W的分?jǐn)喽嗣?6的上端緣彼此相互干涉而使該部分欠缺的情況，也存在較大地?fù)p及制品的加工品質(zhì)的問題。
[0015]因此，本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的脆性材料基板的分?jǐn)喾椒ㄅc分?jǐn)嘌b置存在的缺陷，而提供一種新的脆性材料基板的分?jǐn)喾椒ㄅc分?jǐn)嘌b置，所要解決的技術(shù)問題是使其可減少斷裂時(shí)的上刀的壓入量。
[0016][解決問題的技術(shù)手段]
[0017]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種脆性材料基板的分?jǐn)喾椒?，其是在由切割環(huán)支撐的具有彈性的粘著膜的下面貼附脆性材料基板，于在上述脆性材料基板的敞開的下面形成多條劃線后，跨越應(yīng)分?jǐn)嗟膭澗€而在其左右位置的基板下面抵接一對(duì)支撐刀，在上述脆性材料基板的與設(shè)置有劃線的面為相反側(cè)的面，在與劃線相對(duì)的部位配置上刀，將該上刀自上述粘著膜上方按壓至上述脆性材料基板，藉此利用3點(diǎn)彎曲力矩使脆性材料基板沿劃線斷裂，且在利用上述上刀進(jìn)行斷裂時(shí)，以保持上述脆性材料基板的上述粘著膜產(chǎn)生向下的張力的方式，將上述一對(duì)支撐刀配置于上推粘著膜的位置而進(jìn)行斷裂。
[0018]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種脆性材料基板的分?jǐn)嘌b置為如下的構(gòu)成:在由切割環(huán)支撐的具有彈性的粘著膜的下面貼附脆性材料基板，跨越形成于上述脆性材料基板的下面的應(yīng)分?jǐn)嗟膭澗€而配置抵接于其左右位置的基板下面的一對(duì)支撐刀，在上述脆性材料基板的與設(shè)置有上述應(yīng)分?jǐn)嗟膭澗€的面為相反側(cè)的面，在與該劃線相對(duì)的部位的上方配置上刀，自上述粘著膜上方以上述上刀按壓上述脆性材料基板，藉此利用3點(diǎn)彎曲力矩使上述脆性材料基板沿劃線斷裂，且在利用上述上刀進(jìn)行斷裂時(shí)，以保持上述脆性材料基板的粘著膜產(chǎn)生向下的張力的方式，將上述一對(duì)支撐刀配置于上推粘著膜的位置。
[0019][發(fā)明的效果]
[0020]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明脆性材料基板的分?jǐn)喾椒ㄅc分?jǐn)嘌b置至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0021]根據(jù)本發(fā)明，保持基板的粘著膜藉由支撐刀提升而產(chǎn)生向下的張力，因此基板藉由粘著膜而始終受到如撕裂劃線的力，其結(jié)果為，即便上刀對(duì)基板的壓入量較小，也可自劃線斷裂。因此，可使上刀對(duì)基板的壓入量相較先前的方法減少，因此可抑制因上刀的反復(fù)升降而導(dǎo)致在粘著膜產(chǎn)生較小的皺褶等變形，藉此可消除基板的分?jǐn)辔恢玫奈恢闷频漠a(chǎn)生。由于上刀對(duì)基板的壓入量較小，并且藉由粘著膜而使基板在自劃線撕裂的方向受到拉伸力，因此在斷裂時(shí)，分?jǐn)喽嗣娴纳隙司壉舜瞬粫?huì)干涉，可制作無缺陷的高品質(zhì)的制品。
[0022]在本發(fā)明的基板分?jǐn)嘌b置中，較佳為如下構(gòu)成:上述支撐刀以可經(jīng)由能上下移動(dòng)的移動(dòng)載物臺(tái)而進(jìn)行上下位置調(diào)整的方式形成。
[0023]藉此，可根據(jù)應(yīng)分?jǐn)嗟幕宥谶m當(dāng)?shù)奈恢脤?duì)藉由上述支撐刀提升的粘著膜的提升量進(jìn)行微調(diào)整。
[0024]綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種脆性材料基板的分?jǐn)喾椒ㄅc分?jǐn)嘌b置，其可減少斷裂時(shí)的上刀的壓入量。其是在由切割環(huán)I支撐的具有彈性的粘著膜2的下面貼附脆性材料基板W，于在該基板W的下面形成多條劃線S后，跨越應(yīng)分?jǐn)嗟膭澗€S而在其左右位置的基板W下面抵接一對(duì)支撐刀4、4，在基板W的與設(shè)置有劃線S的面為相反側(cè)的面，在與劃線S相對(duì)的部位配置上刀6，將該上刀6自粘著膜2的上方按壓至基板W，藉此利用3點(diǎn)彎曲力矩使基板W沿劃線S斷裂，且在利用上刀6進(jìn)行斷裂時(shí)，以在保持基板W的粘著膜2產(chǎn)生向下的張力的方式，將支撐刀4、4配置于上推粘著膜2的位置而進(jìn)行斷裂。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
[0025]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是表示將成為分?jǐn)鄬?duì)象的氧化鋁基板安裝于由切割環(huán)支撐的粘著膜上的狀態(tài)的立體圖。
[0027]圖2是本發(fā)明的基板分?jǐn)嘌b置的剖面圖。
[0028]圖3是表示先前的藉由3點(diǎn)彎曲力矩進(jìn)行的斷裂步驟的一例的剖面圖。
[0029]圖4是表示先前的藉由3點(diǎn)彎曲力矩使基板斷裂的狀態(tài)的剖面圖。
[0030]1:切割環(huán)
[0031]2:粘著膜
[0032]3:保護(hù)膠帶
[0033]4:支撐刀
[0034]6:上刀
[0035]S:劃線
[0036]W:基板
【具體實(shí)施方式】
[0037]以下，基于表示一實(shí)施形態(tài)的圖式而對(duì)本發(fā)明的基板分?jǐn)喾椒ㄅc基板分?jǐn)嘌b置的詳情進(jìn)行詳細(xì)說明。此處，以將一體成形有多個(gè)電子零件的氧化鋁基板斷裂而取出電子零件的情形為例進(jìn)行說明。
[0038]圖1是表示將成為分?jǐn)鄬?duì)象的氧化鋁基板安裝于由切割環(huán)支撐的粘著膜上的狀態(tài)的立體圖，圖2是本發(fā)明的基板分?jǐn)嘌b置的剖面圖。
[0039]如圖1所示，成為加工對(duì)象的基板W是以將電子零件形成面朝上的狀態(tài)貼附于由切割環(huán)I支撐的粘著膜2的粘著面。該粘著膜2是由具有彈性的樹脂片材形成，在經(jīng)切割環(huán)I張開的狀態(tài)下固定周圍。在基板W的電子零件形成面，在前步驟中加工有多條劃線S，其表面藉由保護(hù)膠帶3而被覆保護(hù)。在斷裂加工時(shí)以使保護(hù)膠帶3朝下的方式反轉(zhuǎn)，而在下述的基板分?jǐn)嘌b置的固定載物臺(tái)5上載置切割環(huán)I。
[0040]如圖2所示，基板分?jǐn)嘌b置具備:左右一對(duì)支撐刀4、4，其跨越形成于經(jīng)反轉(zhuǎn)的基板W的下面的劃線S而位于其左右位置的基板下面；固定載物臺(tái)5，其載置切割環(huán)I ;及上刀6，其配置于基板W的與劃線S相對(duì)的部位的上方。支撐刀4、4其上表面由平坦的面形成。
[0041]在將切割環(huán)I載置于固定載物臺(tái)5上時(shí)，以將基板W保持于下面的粘著膜2藉由支撐刀4、4提升而產(chǎn)生向下的張力(彈性復(fù)原力)的方式，預(yù)先設(shè)定有上述一對(duì)支撐刀4、4的位置。該提升量H在例如切割環(huán)I的內(nèi)徑為250_、基板W的厚度為0.64mm的情形時(shí)較佳為1.3mm左右。
[0042]本實(shí)施例中，以可調(diào)整左右的支撐刀4、4的間隔的方式經(jīng)由調(diào)整機(jī)構(gòu)(未圖示)安裝于支撐臺(tái)7。進(jìn)而，支撐臺(tái)7安裝于移動(dòng)載物臺(tái)8，該移動(dòng)載物臺(tái)8是以可藉由移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)而上下移動(dòng)的方式形成，藉此形成為可對(duì)支撐刀4、4的高度位置進(jìn)行微調(diào)整。
[0043]再者，省略圖示，在基板W，以與先前相同的方式設(shè)置有與上刀6的位置對(duì)準(zhǔn)用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，藉由攝像裝置(未圖示)拍攝對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，藉此進(jìn)行斷裂位置的定位后進(jìn)行斷裂。在此情形時(shí)，也可不使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而參照劃線自身進(jìn)行斷裂位置的定位。
[0044]在如上述般形成的基板分?jǐn)嘌b置中，藉由將上刀6自上述粘著膜2的上方按壓至基板W，利用與支撐刀4、4形成的3點(diǎn)彎曲力矩使基板W沿劃線S斷裂。
[0045]在該斷裂動(dòng)作時(shí)，將基板W保持于下面的粘著膜2藉由支撐刀4、4提升而產(chǎn)生向下的張力，因此基板W藉由粘著膜2的向如圖中箭頭所表示的外方向的拉伸力而始終受到如撕裂劃線S的力，其結(jié)果為，即便上刀6對(duì)基板的壓入量較小，也可自劃線S斷裂。
[0046]為了實(shí)際確認(rèn)本發(fā)明的效果，在切割環(huán)I的內(nèi)徑為250mm、基板W的厚度為
0.64mm、粘著膜2的提升量H為1.3mm的條件下進(jìn)行斷裂測試，結(jié)果，以使經(jīng)切割環(huán)I張開的粘著膜成為水平的姿勢(未賦予張力的狀態(tài))的方式進(jìn)行斷裂的情形的上刀壓入量
為0.1mm，相對(duì)于此，在以本發(fā)明方法實(shí)施的情形時(shí)，可以約一半的0.05mm的壓入量進(jìn)行斷
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[0047]如上所述，根據(jù)本發(fā)明`，可使斷裂時(shí)的上刀6對(duì)基板W的壓入量相較先前方法減少至大致一半左右，因此可抑制因上刀6的反復(fù)升降而導(dǎo)致在粘著膜2產(chǎn)生的較小的皺褶等變形，藉此，可消除基板的利用攝像裝置進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)后的位置偏移的產(chǎn)生。由于上刀6對(duì)基板W的壓入量較小，并且藉由粘著膜2的向外方向的拉伸力而使基板在自劃線S撕裂的方向受到力，因此在斷裂時(shí)分?jǐn)喽嗣娴纳隙司壉舜瞬粫?huì)干涉，可制作無缺陷的高品質(zhì)的制品O
[0048]以上對(duì)本發(fā)明的代表性實(shí)施例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并非限定于上述實(shí)施形態(tài)。例如，被覆基板W的電子零件形成面的保護(hù)膠帶3也可設(shè)置于支撐刀4、4的上表面，或者也可省略保護(hù)膠帶自身。支撐刀4、4也可夾持劃線S而承受基板W下面的一部分。進(jìn)而，作為加工對(duì)象的基板，在本實(shí)施例中以氧化鋁基板為例，但也可為LTCC基板或玻璃基板、硅基板。
[0049]此外，本發(fā)明中，可在達(dá)成其目的且不脫離申請(qǐng)專利范圍的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)修正、變更。
[0050][產(chǎn)業(yè)上的可利用性]
[0051]本發(fā)明的分?jǐn)喾椒ㄅc分?jǐn)嘌b置是用于氧化鋁基板、LTCC基板、玻璃基板及由硅、陶瓷、化合物半導(dǎo)體等脆性材料構(gòu)成的基板的分?jǐn)唷?br> [0052]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種脆性材料基板的分?jǐn)喾椒?，其特征在?其是在由切割環(huán)支撐的具有彈性的粘著膜的下面貼附脆性材料基板，于在上述脆性材料基板的敞開的下面形成多條劃線后，跨越應(yīng)分?jǐn)嗟膭澗€而在其左右位置的基板下面抵接一對(duì)支撐刀，在上述脆性材料基板的與設(shè)置有劃線的面為相反側(cè)的面，在與劃線相對(duì)的部位配置上刀，將該上刀自上述粘著膜上方按壓至上述脆性材料基板，藉此利用3點(diǎn)彎曲力矩使脆性材料基板沿劃線斷裂，且 在利用上述上刀進(jìn)行斷裂時(shí)，以保持上述脆性材料基板的上述粘著膜產(chǎn)生向下的張力的方式，將上述一對(duì)支撐刀配置于上推粘著膜的位置而進(jìn)行斷裂。
2.一種脆性材料基板的分?jǐn)嘌b置，其特征在于:其是在由切割環(huán)支撐的具有彈性的粘著膜的下面貼附脆性材料基板，跨越形成于上述脆性材料基板的下面的應(yīng)分?jǐn)嗟膭澗€而配置抵接于其左右位置的基板下面的一對(duì)支撐刀，在上述脆性材料基板的與設(shè)置有上述應(yīng)分?jǐn)嗟膭澗€的面為相反側(cè)的面，在與該劃線相對(duì)的部位的上方配置上刀，自上述粘著膜上方以上述上刀按壓上述脆性材料基板，藉此利用3點(diǎn)彎曲力矩使上述脆性材料基板沿劃線斷裂，且 在利用上述上刀進(jìn)行斷裂時(shí)，以保持上述脆性材料基板的粘著膜產(chǎn)生向下的張力的方式，將上述一對(duì)支撐刀配置于上推粘著膜的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的脆性材料基板的分?jǐn)嘌b置，其特征在于，其中上述支撐刀是以可經(jīng)由能上下移動(dòng)的移動(dòng)載物臺(tái)而進(jìn)行上下位置調(diào)整的方式而形成。
【文檔編號(hào)】B28D1/22GK103786267SQ201310447319
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2013年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月26日
【發(fā)明者】村上健二, 武田真和, 木下知子, 田村健太 申請(qǐng)人:三星鉆石工業(yè)股份有限公司