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      一種用于克氏原螯蝦養(yǎng)殖的人工基質(zhì)的制作方法

      文檔序號(hào):1885061閱讀:451來(lái)源:國(guó)知局
      一種用于克氏原螯蝦養(yǎng)殖的人工基質(zhì)的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明屬于水產(chǎn)養(yǎng)殖領(lǐng)域,涉及一種用于克氏原螯蝦養(yǎng)殖的人工基質(zhì)。該項(xiàng)人工基質(zhì)為弧型覆瓦狀,沿該基質(zhì)底邊的側(cè)面設(shè)有四個(gè)開(kāi)口;基質(zhì)的材質(zhì)為陶質(zhì),由復(fù)合粘土燒制。該人工基質(zhì)能充分利用水體,增加養(yǎng)殖水體的空間異質(zhì)性,擴(kuò)大克氏原螯蝦蝦棲息面積。在基質(zhì)制作中中加入電氣石粉,通過(guò)電氣石穩(wěn)定水體pH值,吸附降解氨氮,活化水分子團(tuán),從而提升水體自凈能力,減少換水量和水域污染。并且基質(zhì)中有特定比例營(yíng)養(yǎng)元素的加入,利于水體中對(duì)克氏原螯蝦攝食生長(zhǎng)有益的硅藻等藻類的生長(zhǎng)。
      【專利說(shuō)明】一種用于克氏原螯蝦養(yǎng)殖的人工基質(zhì)
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于水產(chǎn)養(yǎng)殖領(lǐng)域,涉及一種用于克氏原螯蝦養(yǎng)殖的人工基質(zhì)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近年來(lái),隨著克氏原螯蝦的食用越來(lái)越被大眾所接受,克氏原螯蝦在“長(zhǎng)三角”地區(qū)食用量的驟增,其養(yǎng)殖規(guī)模和范圍也不斷擴(kuò)增,在不少地區(qū)已經(jīng)形成了能夠有效帶動(dòng)水產(chǎn)業(yè)發(fā)展的區(qū)域特色。實(shí)地調(diào)查常發(fā)現(xiàn),由于其本身的生理特性具有領(lǐng)域性,在養(yǎng)殖密度較高的水體中,克氏原螯蝦往往由于對(duì)池塘基底的領(lǐng)域爭(zhēng)斗而影響攝食和繁殖,生長(zhǎng)緩慢,繁殖困難。同時(shí)由于養(yǎng)殖水體往往由于富營(yíng)養(yǎng)化程度較高,易生長(zhǎng)爆發(fā)藍(lán)藻水華,有益的硅藻種群卻難以繁殖;在藍(lán)藻毒素的脅迫下,蝦體受氧化應(yīng)激從而引起代謝耗能值大幅上升,生長(zhǎng)能所占總攝食能比值下降,使得近些年來(lái)養(yǎng)殖個(gè)體普遍偏小。因此如何減少領(lǐng)域性行為對(duì)克氏原螯蝦養(yǎng)殖的影響,減弱藍(lán)藻毒素對(duì)克氏原螯蝦生長(zhǎng)和食用的影響,高效、健康地進(jìn)行克氏原螯蝦養(yǎng)殖,這一問(wèn)題需要進(jìn)行廣泛的重視和探討。
      [0003]現(xiàn)有養(yǎng)殖克氏原螯蝦設(shè)施的弊端:
      [0004](I)沒(méi)有充分利用水體,矩形池塘與工廠化水泥池不適于半底棲的克氏原螯蝦活動(dòng)。由于領(lǐng)域性的生理行為,養(yǎng)殖密度往往無(wú)法擴(kuò)大。
      [0005](2)養(yǎng)殖池塘底泥淤積,往往沉積大量富營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)和絮凝后的藍(lán)藻碎屑,不適于底棲硅藻等有益的藻類餌料的生長(zhǎng)。
      [0006](3)水質(zhì)波動(dòng)頻繁,水體PH值偏酸性情況較多,影響克氏原螯蝦生長(zhǎng)速度。

      【發(fā)明內(nèi)容】
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      [0007]為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本發(fā)明提供了一種用于克氏原螯蝦養(yǎng)殖的人工基質(zhì)。該人工基質(zhì)能充分利用水體,增加養(yǎng)殖水體的空間異質(zhì)性,擴(kuò)大克氏原螯蝦蝦棲息面積。在基質(zhì)制作中中加入電氣石粉,通過(guò)電氣石穩(wěn)定水體PH值,吸附降解氨氮,活化水分子團(tuán),從而提升水體自凈能力,減少換水量和水域污染。并且基質(zhì)中有特定比例營(yíng)養(yǎng)元素的加入,利于水體中對(duì)克氏原螯蝦攝食生長(zhǎng)有益的硅藻等藻類的生長(zhǎng)。
      [0008]本發(fā)明用于克氏原螯蝦養(yǎng)殖的人工基質(zhì),為弧型覆瓦狀(或球冠狀),沿該基質(zhì)底邊的側(cè)面設(shè)有4個(gè)開(kāi)口 ;基質(zhì)的材質(zhì)為陶質(zhì),由復(fù)合粘土燒制。
      [0009]一個(gè)具體的方案如圖5、圖6、圖7,人工基質(zhì)為球冠狀,沿球冠底邊的冠面上具有四個(gè)開(kāi)口弧面,球冠高15cm,半徑21.65cm,厚度2cm。
      [0010]本發(fā)明人工基質(zhì)的質(zhì)地為復(fù)合粘土燒制。用合適的粘土和其他成分來(lái)作為原料。用料比例按重量計(jì)為:
      [0011]①硅藻土 9.5%提供礁石表面良好的附著性,在一定程度上便于小型底棲生物的附著和活動(dòng);
      [0012]②粘土 85%制陶基礎(chǔ)原料,基質(zhì)主要成分;
      [0013]③營(yíng)養(yǎng)土 5%提供娃藻生長(zhǎng)營(yíng)養(yǎng);[0014]④電氣石粉0.5% 1500目電氣石粉,燒制前均勻附著于表面。
      [0015]其中,營(yíng)養(yǎng)土比例設(shè)計(jì)(質(zhì)量比)
      [0016]營(yíng)養(yǎng)土設(shè)計(jì)原則為便于水體硅藻生長(zhǎng)附著,且成分對(duì)克氏原螯蝦等養(yǎng)殖生物的生長(zhǎng)無(wú)不良影響。
      [0017]①KNO3 34%
      [0018]②NH4Cl 30%
      [0019]③KH2PO3 34%
      [0020]④微量兀素2% (Cu:lmg/kg ;Man:0.5mg/kg ;Co:0.lmg/kg ;Fe:2mg/kg ;Zn:
      2.5mg/kg ;以有效元素含量記)
      [0021]營(yíng)養(yǎng)土設(shè)計(jì)以充分考慮到組分溶出率與營(yíng)養(yǎng)元素比例,在具體使用時(shí)可以依據(jù)使用水體具體情況,酌情添加或減少某些組分比例。例如使用水體為海水,則K+含量豐富,可減少KNO3, KH2PO3的用量,增加NH4NO3替代。
      [0022]本發(fā)明中,人工基質(zhì)燒制條件為:取1500目的黑色電氣石,蒸餾水,硅溶膠按照15:1:7體積比例混合,充分?jǐn)噭颍缓笤儆眯∷⒆訉⒒旌衔锞鶆虻乃⒃诨|(zhì)的表面,厚度平均Imm左右;硅溶膠有 利于電氣石與平板基質(zhì)的粘合,相當(dāng)于粘結(jié)劑使其在經(jīng)過(guò)高溫灼燒的時(shí)候緊緊附著在平板的表面,不易脫落,從而形成覆膜。將基質(zhì)置于550°C _600°C的溫度下,燒制15min,電氣石粉于基質(zhì)表面燒結(jié)成膜,用干鍋鉗夾出冷卻。
      [0023]本發(fā)明產(chǎn)生的有益效果可分為三類:
      [0024]( I)養(yǎng)殖水體中克氏原螯蝦可棲息水域的增加
      [0025]根據(jù)本發(fā)明制造的人工基質(zhì)通過(guò)鋪設(shè)層次的不同可以增加克氏原螯蝦養(yǎng)殖基質(zhì)20%-240%左右,見(jiàn)圖1和表1。
      [0026]表1平鋪,雙層和三層豎直鋪設(shè)基質(zhì)與增加養(yǎng)殖密度的關(guān)系
      [0027]
      【權(quán)利要求】
      1.一種用于克氏原螯蝦養(yǎng)殖的人工基質(zhì),為弧型覆瓦狀,其特征在于,沿該基質(zhì)底邊的側(cè)面設(shè)有4個(gè)開(kāi)口 ;基質(zhì)的材質(zhì)為陶質(zhì),由復(fù)合粘土燒制。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的人工基質(zhì),其特征在于所述復(fù)合粘土的成分按重量計(jì)為:硅藻土 9.5% ;粘土 85% ;營(yíng)養(yǎng)土 5% ;電氣石粉0.5%。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的人工基質(zhì),其特征在于所述營(yíng)養(yǎng)土成分按重量比計(jì)為=KNO334%、NH4Cl 30%、KH2PO3 34%、微量元素 2%。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的人工基質(zhì),其特征在于所述微量元素以有效元素含量計(jì),是Cu:lmg/kg ;Man:0.5mg/kg ;Co:0.lmg/kg ;Fe:2mg/kg ;Zn:2.5mg/kg。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的人工基質(zhì),其特征在于,燒制條件為:取1500目的黑色電氣石,蒸餾水,硅溶膠按照15:1:7體積比例混合,充分?jǐn)噭?,然后將混合物均勻的刷在基質(zhì)的表面;將基質(zhì)置于550°C _600°C的溫度下,燒制15min,電氣石粉于基質(zhì)表面燒結(jié)成膜,用干鍋甜夾出冷卻。
      【文檔編號(hào)】C04B33/13GK103621446SQ201310664462
      【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年12月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月9日
      【發(fā)明者】安振華 申請(qǐng)人:揚(yáng)州大學(xué)
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