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      一種低溫?zé)Y(jié)Zn2Si04微波介質(zhì)陶瓷的方法

      文檔序號(hào):1909602閱讀:232來(lái)源:國(guó)知局
      一種低溫?zé)Y(jié)Zn2Si04微波介質(zhì)陶瓷的方法
      【專(zhuān)利摘要】一種低溫?zé)Y(jié)2!!28104微波介質(zhì)陶瓷的方法,取Zn2Si04微波介質(zhì)陶瓷粉體,加入聚乙二醇超聲分散、再加入飽和CuS04、和還原性金屬粉進(jìn)行機(jī)械攪拌、抽濾、干燥、鍛燒、過(guò)篩、成型燒結(jié)得到Zn2Si04微波介質(zhì)陶瓷;本發(fā)明過(guò)程無(wú)污染,在介電常數(shù)基本保持不變的同時(shí),燒結(jié)溫度在135CTC的基礎(chǔ)上降低了約350°C,Q?f可以達(dá)到60000GHz以上,諧振頻率溫度系數(shù)向正方向移動(dòng),實(shí)現(xiàn)了與Cu電極共燒。
      【專(zhuān)利說(shuō)明】一種低溫?zé)Y(jié)Zn2S i O4微波介質(zhì)陶瓷的方法

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及材料科學(xué)中的微波介質(zhì)陶瓷領(lǐng)域,具體的說(shuō)是涉及一種化學(xué)置換法引 入氧化物助燒劑降低Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷燒結(jié)溫度的方法。

      【背景技術(shù)】
      [0002] Zn2SiO4是一種重要的化合物,具有其特有的物理及化學(xué)特性,被廣泛的運(yùn)用于制 造生物材料、熒光材料和微波介質(zhì)陶瓷。Zn 2SiO4由于具有優(yōu)異的介電性能,較低的介電損 耗(理想的品質(zhì)因子為219000GHz)、穩(wěn)定的介電常數(shù)(ε ,=6. 6)和較高的熱導(dǎo)率,在低溫共 燒(LTCC)技術(shù)中具有廣泛的應(yīng)用潛力。但是Zn2SiO4陶瓷固有燒結(jié)溫度在1300°C以上, 對(duì)于LTCC技術(shù),Zn 2SiO4陶瓷較高的燒結(jié)溫度不能滿(mǎn)足與較低熔點(diǎn)的金屬Ag (961°C)、Cu (1064°C )共燒,所以降低燒結(jié)溫度顯得非常重要。
      [0003] 最常用的降低燒結(jié)溫度的方法是摻入適量的低熔點(diǎn)氧化物或低軟化點(diǎn)玻璃,但是 傳統(tǒng)的固相法添加在降低燒結(jié)溫度的同時(shí)會(huì)惡化陶瓷的介電性能,這是因?yàn)椴捎脗鹘y(tǒng)的固 相添加,是通過(guò)機(jī)械法混合陶瓷粉體和助燒劑,這使得助燒劑混合不均,從而增加助燒劑的 用量;再者,助燒劑的介電性能較差,所以過(guò)多的助燒劑會(huì)惡化陶瓷的介電性能:(1)材料 的主晶相與玻璃相之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生第二相,導(dǎo)致主晶相含量減少,或有雜質(zhì)相生 成;(2)材料內(nèi)部因有玻璃相存在,而使得其本征損耗增大;(3)晶格缺陷的產(chǎn)生。因此, 必須優(yōu)化現(xiàn)有的引入助燒劑的方式,或?qū)で笠环N新的方式,以減小助燒劑對(duì)陶瓷介電性能 的負(fù)面影響。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 本發(fā)明為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,提供一種低溫?zé)Y(jié)Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷的方法, 其不僅能夠降低Zn 2SiO4微波介質(zhì)陶瓷燒結(jié)溫度而且保持了該微波介質(zhì)陶瓷優(yōu)異的介電性 能,實(shí)現(xiàn)了微波介質(zhì)陶瓷與Cu電極的共燒。
      [0005] 本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種低溫?zé)Y(jié)Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷的方法,包括以 下步驟: 步驟一:稱(chēng)取Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷粉體,并向其中加入聚乙二醇和去離子水,磁力攪 拌配成懸濁液備用; 步驟二、向步驟一配制的懸濁液中同時(shí)加飽和CuSO4溶液和用于置換飽和CuSO4溶液中 金屬Cu的還原性金屬粉,使Zn2+和Cu2+的摩爾比為1 : (0. 〇Γ〇. 09),機(jī)械攪拌Ih后,備用; 步驟三、將步驟二得到的溶液靜置12h后進(jìn)行抽濾,將抽濾后的粉體進(jìn)行多次水洗和 醇洗后備用; 步驟四、將步驟三取得的粉體放入干燥箱,在60-80°C條件下干燥12h,備用; 步驟五、將步驟四中干燥后的粉體放入馬弗爐中加熱到500°C,保溫lh,制得CuO與 Zn2SiO4基體物質(zhì)的的復(fù)合粉體,備用; 步驟六、向步驟五加熱后的粉體中加入占其質(zhì)量5%-10%的粘結(jié)劑進(jìn)行造粒,然后過(guò) 60-80目篩后用壓片機(jī)壓制成生坯,備用; 步驟七、將步驟六壓制成型的生坯以1-1. 5°C /min升溫到600°C,排膠I. 5-2h,然后以 3-5°C /min,升溫至950-1KKTC進(jìn)行燒結(jié),保溫2-4h后,制得Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷。
      [0006] 所述步驟六中采用的粘合劑為聚乙烯醇,其濃度為0. lg/ml。
      [0007] 所述步驟六中壓片機(jī)采用壓力為150-200MPa,生坯為〇10mmX5mm的圓柱體。
      [0008] 本發(fā)明中,通過(guò)控制還原性金屬粉的加入量確保,最終生成的CuO占 Zn2SiO4微波 介質(zhì)陶瓷基料總重的39Γ6%。
      [0009] 本發(fā)明的有益效果: (1) 本發(fā)明步驟一種通過(guò)向陶瓷粉體中加入聚乙二醇水溶液并進(jìn)行磁力攪拌,有效降 低了 Zn2SiO4粉體的團(tuán)聚; (2) 本發(fā)明中,通過(guò)置換法引入CuO與傳統(tǒng)固相法相比使CuO在Zn2SiO4基體中分布分 布更加均勻,更加有利于降低燒結(jié)溫度; (3) 本發(fā)明中生坯950-1KKTC進(jìn)行燒結(jié)2~4h,在燒結(jié)過(guò)程中,隨著燒結(jié)溫度升高,CuO 與Zn2SiO4陶瓷的基體物質(zhì)形成低共熔物(液相),液相浸潤(rùn)固體顆粒,固體顆粒在液相產(chǎn)生 巨大的毛細(xì)管力的作用下相互靠近,同時(shí)發(fā)生滑移、重排,有效促進(jìn)了燒結(jié)。

      【專(zhuān)利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0010] 圖1為利用化學(xué)置換法引入CuO的自由表面的不同位置的能譜分析圖; 圖2為圖1中不同位置的元素含量附表; 圖3為本發(fā)明具體實(shí)施例; 圖4為具體實(shí)施例中微波介電性能的測(cè)試結(jié)果圖; 圖5為助燒劑對(duì)實(shí)驗(yàn)性能的影響圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0011] 如圖所示,一種低溫?zé)Y(jié)Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷的方法,包括以下步驟: 步驟一:稱(chēng)取Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷粉體,并向其中加入聚乙二醇和去離子水,磁力攪 拌配成懸濁液備用; 步驟二、向步驟一配制的懸濁液中同時(shí)加飽和CuSO4溶液和用于置換飽和CuSO4溶液中 金屬Cu的還原性金屬粉,使Zn2+和Cu2+的摩爾比為1 : (0. 〇Γ〇. 09),機(jī)械攪拌Ih后,備用; 步驟三、將步驟二得到的溶液靜置12h后進(jìn)行抽濾,將抽濾后的粉體進(jìn)行多次水洗和 醇洗后備用; 步驟四、將步驟三取得的粉體放入干燥箱,在60-80°C條件下干燥12h,備用; 步驟五、將步驟四中干燥后的粉體放入馬弗爐中加熱到500°C,保溫lh,制得CuO與 Zn2SiO4基體物質(zhì)的的復(fù)合粉體,備用; 步驟六、向步驟五加熱后的粉體中加入占其質(zhì)量5%-10%的粘結(jié)劑進(jìn)行造粒,然后過(guò) 60-80目篩后用壓片機(jī)壓制成生坯,備用; 步驟七、將步驟六壓制成型的生坯以1-1. 5°C /min升溫到600°C,排膠I. 5-2h,然后以 3-5°C /min,升溫至950-1KKTC進(jìn)行燒結(jié),保溫2-4h后,制得Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷。
      [0012] 所述步驟六中采用的粘合劑為聚乙烯醇,其濃度為0. lg/ml。
      [0013] 所述步驟六中壓片機(jī)采用壓力為150-200MPa,生坯為〇10mmX5mm的圓柱體。
      [0014] 下面結(jié)合實(shí)施例詳細(xì)闡述本發(fā)明。
      [0015] 一種低溫?zé)Y(jié)Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷的方法,包括以下步驟: 步驟一:稱(chēng)取20g Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷粉體,并向其加入500-1000mL、質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 0. 5-lwt%的聚乙二醇水溶液,磁力攪拌15-30min,配成懸濁液備用; 步驟二、向步驟一配制的懸濁液中同時(shí)加入0. 008-0. 02mol的飽和CuSO4溶液和用于 置換飽和CuSO4溶液中金屬Cu的還原性金屬粉,機(jī)械攪拌Ih后,備用; 步驟三、將步驟二得到的溶液靜置12h后進(jìn)行抽濾,將抽濾后的粉體進(jìn)行多次水洗和 醇洗后備用; 步驟四、將步驟三取得的粉體放入干燥箱,在60-80°C條件下干燥12h,備用; 步驟五、將步驟四中干燥后的粉體放入馬弗爐中加熱到500°C,保溫lh,制得CuO與 Zn2SiO4基體物質(zhì)的低共熔物,備用; 步驟六、向步驟五加熱后的粉體中加入占其質(zhì)量5%-10%的粘結(jié)劑進(jìn)行造粒,然后過(guò) 60-80目篩后用壓片機(jī)壓制成生坯,備用; 步驟七、將步驟六壓制成型的生坯以1-1. 5°C /min升溫到600°C,排膠I. 5-2h,然后以 3-5°C /min,升溫至950-1KKTC進(jìn)行燒結(jié),保溫2-4h后,制得Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷。
      [0016] 所述步驟六中采用的粘合劑為聚乙烯醇,其濃度為0. lg/ml。
      [0017] 所述步驟六中壓片機(jī)采用壓力為150-200MPa,生坯為〇10mmX5mm的圓柱體。
      [0018] 本發(fā)明中測(cè)試方法和檢測(cè)設(shè)備如下: 1、 樣品的直徑和厚度使用千分尺進(jìn)行測(cè)量; 2、 借助Agilent N5230C-220矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和DWB2-6高低溫實(shí)驗(yàn)箱測(cè)量2(T80°C的 諧振頻率及品質(zhì)因數(shù); 3、 采用閉式腔法測(cè)量所制備圓柱形陶瓷樣品的品質(zhì)因數(shù),測(cè)量頻率范圍在13-14GHZ 范圍內(nèi)。
      [0019] 本發(fā)明中CuO的生成量為5wt%,在KKKTC下燒結(jié)3h,陶瓷獲得最優(yōu)的微波介電 性能:介電常數(shù)er= 6.5,Qf= 67342GHz,τ--= -23ppm/°C。通過(guò)此種方法,不僅降低了 Zn2Si04陶瓷的燒結(jié)溫度,同時(shí)降低了助燒劑對(duì)陶瓷介電性能的負(fù)面影響。
      [0020] 本發(fā)明通過(guò)向微波介電陶瓷粉體中加入聚乙二醇水溶液和磁力攪拌得到Zn2SiO 4 的懸濁液,在一定程度上減輕了 Zn2SiO4粉體的團(tuán)聚,然后通過(guò)化學(xué)置換法從飽和CuSO4溶 液中置換出Cu,得到Cu-Zn 2SiO4的前驅(qū)體,通過(guò)加熱氧化反應(yīng)最終得到CuO-Zn2SiO4的復(fù)合 粉體。置換法引入CuO要比固相法引入使CuO在基體粉中分布的更加均勻(見(jiàn)附圖1、附圖 2),CuO的加入不影響Zn 2SiO4相的生成。在燒結(jié)過(guò)程中,隨著燒結(jié)溫度升高,CuO與Zn2SiO 4 陶瓷的基體物質(zhì)形成低共熔物(液相),液相浸潤(rùn)固體顆粒,固體顆粒在液相產(chǎn)生巨大的毛 細(xì)管力的作用下相互靠近,同時(shí)發(fā)生滑移、重排,從而促進(jìn)了燒結(jié)。與固相法相比,降低了同 樣的燒結(jié)溫度時(shí),其介電性能要遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于固相法,如圖5所示。
      【權(quán)利要求】
      1. 一種低溫?zé)Y(jié)Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷的方法,其特征在于:包括以下步驟: 步驟一:稱(chēng)取Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷粉體,并向其中加入聚乙二醇和去離子水,磁力攪 拌配成懸濁液備用; 步驟二、向步驟一配制的懸濁液中同時(shí)加飽和CuSO4溶液和用于置換飽和CuSO4溶液中 金屬Cu的還原性金屬粉,使Zn2+和Cu2+的摩爾比為1 : (0. 〇Γ〇. 09),機(jī)械攪拌Ih后,備用; 步驟三、將步驟二得到的溶液靜置12h后進(jìn)行抽濾,將抽濾后的粉體進(jìn)行多次水洗和 醇洗后備用; 步驟四、將步驟三取得的粉體放入干燥箱,在60-80°C條件下干燥12h,備用; 步驟五、將步驟四中干燥后的粉體放入馬弗爐中加熱到500°C,保溫lh,制得CuO與 Zn2SiO4的復(fù)合粉體,備用; 步驟六、向步驟五加熱后的粉體中加入占其質(zhì)量5%-10%的粘結(jié)劑進(jìn)行造粒,然后過(guò) 60-80目篩后用壓片機(jī)壓制成生坯,備用; 步驟七、將步驟六壓制成型的生坯以1-1. 5°C /min升溫到600°C,排膠I. 5-2h,然后以 3-5°C /min,升溫至950-1KKTC進(jìn)行燒結(jié),保溫2-4h后,制得Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷。
      2. 如權(quán)利要求1所述的一種低溫?zé)Y(jié)Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷的方法,其特征在于:所述 步驟六中采用的粘合劑為聚乙烯醇,其濃度為0. lg/ml。
      3. 如權(quán)利要求1所述的一種低溫?zé)Y(jié)Zn2SiO4微波介質(zhì)陶瓷的方法,其特征在于:所述 步驟六中壓片機(jī)采用壓力為150-200MPa,生坯為Φ IOmmX 5mm的圓柱體。
      【文檔編號(hào)】C04B35/64GK104211383SQ201410422743
      【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
      【發(fā)明者】李謙, 胡婧雯, 李麗華, 黃金亮, 顧永軍 申請(qǐng)人:河南科技大學(xué)
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