調(diào)整單晶棒晶向的方法及測(cè)量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種單晶生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其是一種調(diào)整單晶棒晶向的方法及測(cè)量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常情況下，單晶棒切割后客戶要求硅片的晶向滿足一定要求，而單晶棒在拉制和滾圓過(guò)程中會(huì)導(dǎo)致單晶原始晶向的偏離，需要在后道加工中進(jìn)行修正。目前通用的多線線切割技術(shù)機(jī)臺(tái)無(wú)法在水平和垂直方向上同時(shí)調(diào)整，只能在水平方向上調(diào)整，因此就需要在切割前首先保證垂直方向上的晶向，然后在調(diào)整水平方向上的晶向來(lái)保證切割后的硅片的晶向滿足客戶要求。而之前使用的通過(guò)矢量計(jì)算來(lái)確認(rèn)晶向，需要實(shí)際切割后才知道硅片的晶向，往往會(huì)由于確認(rèn)方向偏反導(dǎo)致切割后整段單晶晶向超標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種簡(jiǎn)單的調(diào)整單晶棒晶向的方法及測(cè)量方法。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種調(diào)整單晶棒晶向的方法；包括如下的步驟:1)通過(guò)晶體的種類確定標(biāo)準(zhǔn)晶向；2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向；3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進(jìn)行單晶棒與墊條粘結(jié)；4)根據(jù)單晶X軸方向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的偏差值進(jìn)行調(diào)整。
[0005]作為對(duì)本發(fā)明所述的調(diào)整單晶棒晶向的方法的改進(jìn):所述晶向測(cè)量均通過(guò)定向儀實(shí)現(xiàn)。
[0006]作為對(duì)本發(fā)明所述的調(diào)整單晶棒晶向的方法的進(jìn)一步改進(jìn):測(cè)量單晶端面符合標(biāo)準(zhǔn)要求的晶向方向作為的單晶Y軸方向晶向；再測(cè)量單晶X軸方向晶向。
[0007]作為對(duì)本發(fā)明所述的調(diào)整單晶棒晶向的方法的進(jìn)一步改進(jìn):X軸方向晶向大于標(biāo)準(zhǔn)晶向，則將墊條和單晶棒沿著逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角度為X軸方向的晶向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊上。
[0008]作為對(duì)本發(fā)明所述的調(diào)整單晶棒晶向的方法的進(jìn)一步改進(jìn):X軸方向晶向小于標(biāo)準(zhǔn)晶向，則將墊條和單晶棒沿著順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角度為X軸方向的晶向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊上。
[0009]一種調(diào)整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測(cè)量方法；包括如下的步驟:1)通過(guò)晶體的種類確定標(biāo)準(zhǔn)晶向；2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向；3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進(jìn)行單晶棒與墊條粘結(jié)；4)根據(jù)單晶X軸方向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的偏差值進(jìn)行調(diào)整；5)將粘結(jié)在鐵塊上的墊條和單晶棒再次進(jìn)行X方向晶向的測(cè)量，最后得出切割后硅片的晶向。
[0010]作為對(duì)本發(fā)明所述的調(diào)整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測(cè)量方法的改進(jìn):所述晶向測(cè)量均通過(guò)定向儀實(shí)現(xiàn)。
[0011]作為對(duì)本發(fā)明所述的調(diào)整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測(cè)量方法的進(jìn)一步改進(jìn):測(cè)量單晶端面符合標(biāo)準(zhǔn)要求的晶向方向作為的單晶Y軸方向晶向；再測(cè)量單晶X軸方向晶向。
[0012]作為對(duì)本發(fā)明所述的調(diào)整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測(cè)量方法的進(jìn)一步改進(jìn):X軸方向晶向大于標(biāo)準(zhǔn)晶向，則將墊條和單晶棒沿著逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角度為X軸方向的晶向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊上。
[0013]作為對(duì)本發(fā)明所述的調(diào)整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測(cè)量方法的進(jìn)一步改進(jìn):X軸方向晶向小于標(biāo)準(zhǔn)晶向，則將墊條和單晶棒沿著順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角度為X軸方向的晶向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊上。
[0014]將鐵與線切割機(jī)頭安裝結(jié)合。墊條為樹(shù)脂材料制成，通過(guò)粘結(jié)膠把墊條和單晶硅棒結(jié)合在一起，單晶棒放置于有與晶棒直徑一致圓弧的墊條上，再將墊條連同單晶棒粘結(jié)在鐵塊上，把平行于鐵塊的方向定義為單晶硅棒晶向的X軸方向，垂直方向定義為Y軸方向。
【附圖說(shuō)明】
[0015]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0016]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意俯視圖(附圖標(biāo)注:單晶棒3、晶棒X軸方向晶向4、標(biāo)準(zhǔn)晶向6、墊條1、鐵塊2、單晶棒方向5)；
[0017]圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意側(cè)視圖(附圖標(biāo)注:單晶棒3、晶棒X軸方向晶向4、標(biāo)準(zhǔn)晶向6、墊條1、鐵塊2、單晶棒方向5、晶棒Y軸方向晶向7、墊條X軸方向8、鐵塊X軸方向9)。
【具體實(shí)施方式】
[0018]實(shí)施例1、圖1?圖2給出了一種調(diào)整單晶棒3晶向的測(cè)量方法；主要通過(guò)如下的步驟實(shí):
[0019]1、通過(guò)晶體的種類確定單晶棒3的標(biāo)準(zhǔn)晶向6，如〈111〉單晶標(biāo)準(zhǔn)晶向6為14° 12'，〈100〉單晶晶向?yàn)?4° 36';即〈111〉單晶硅標(biāo)準(zhǔn)晶向6在由X軸、Y軸構(gòu)成的平面內(nèi)應(yīng)都為14° 12'，即〈100〉單晶硅標(biāo)準(zhǔn)晶向6在由X軸、Y軸構(gòu)成的平面內(nèi)應(yīng)都為34。36'；
[0020]2、使用定向儀測(cè)量單晶棒3的單晶端面符合標(biāo)準(zhǔn)要求的晶向方向作為的晶棒Y軸方向晶向7 ;再測(cè)量晶棒X軸方向晶向4 ；
[0021]3、將晶棒X軸方向晶向4與墊條X軸方向8 (墊條I上設(shè)置X軸與Y軸，如圖2)方向平行，并將單晶棒3與墊條I粘結(jié)；
[0022]4、根據(jù)晶棒X軸方向晶向4與標(biāo)準(zhǔn)晶向6的偏差值進(jìn)行調(diào)整，將粘結(jié)有單晶的墊條I與鐵塊2粘；
[0023]此時(shí)，有兩種狀況:
[0024]4.1晶棒X軸方向晶向4大于標(biāo)準(zhǔn)晶向6，則將墊條I和單晶棒3沿著逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角度為晶棒X軸方向晶向4與標(biāo)準(zhǔn)晶向6的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊2上;
[0025]4.2晶棒X軸方向晶向4小于標(biāo)準(zhǔn)晶向6，則將墊條I和單晶棒3沿著順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角為晶棒X軸方向晶向4與標(biāo)準(zhǔn)晶向6的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊2上；
[0026]5、將粘結(jié)在鐵塊2上的墊條I和單晶棒3再次使用定向儀器進(jìn)行晶棒X軸方向晶向4的測(cè)量，最后得出切割后硅片的晶向。
[0027]在實(shí)際使用的過(guò)程中，以要求單晶棒3切割后〈111〉硅片的晶向滿足14° 12' ±30'的單晶棒3為例，其單晶棒3原始晶向偏2°，需要在線切割進(jìn)行調(diào)整晶向并符合要求的步驟如下。
[0028]1、客戶要求14° 12' ±30'，將14° 12'作為標(biāo)準(zhǔn)晶向6 ;
[0029]2、使用定向儀，測(cè)量單晶端面晶向，滿足14° 12' ±30'要求的方向作為晶棒Y軸方向晶向7 ;再測(cè)量晶棒X軸方向晶向4，實(shí)測(cè)為16° 12'；
[0030]3、將晶棒X軸方向晶向4平行于墊條IX軸方向進(jìn)行單晶棒3與墊條I粘結(jié)；
[0031]4、晶棒X軸方向晶向4實(shí)測(cè)為16° 12'，根據(jù)測(cè)量的晶向大于標(biāo)準(zhǔn)晶向6 (標(biāo)準(zhǔn)晶向6為14° 12')時(shí)，將單晶棒3連同墊條I放置在需要粘結(jié)的鐵塊2上，做逆時(shí)針?lè)较蛐?，旋轉(zhuǎn)角度為2° ；
[0032]5、將粘結(jié)好鐵塊2的單晶棒3再次放到定向儀器上測(cè)量單晶棒3的水平方向的晶向，此時(shí)測(cè)量的晶向即切割后硅片的晶向。
[0033]對(duì)比例:
[0034]一般是現(xiàn)有技術(shù)與本技術(shù)進(jìn)行對(duì)比，然后從數(shù)據(jù)上做出優(yōu)勢(shì)。
[0035]比如，現(xiàn)有技術(shù)中，采用X測(cè)量的方法，其測(cè)量只能進(jìn)行水平方向上調(diào)整，因此就需要在切割前首先保證垂直方向上的晶向，然后在調(diào)整水平方向上的晶向來(lái)保證切割后的硅片的晶向滿足客戶要求。過(guò)程繁瑣，且容易出現(xiàn)偏差，而本發(fā)明通過(guò)修改看了這些技術(shù)問(wèn)題，使得過(guò)程簡(jiǎn)單，且精確度大幅度提高。具體的，現(xiàn)有技術(shù)的合格率只有50%，而本發(fā)明達(dá)到了 90%。
[0036]而之前使用的通過(guò)矢量計(jì)算來(lái)確認(rèn)晶向，需要實(shí)際切割后才知道硅片的晶向，往往會(huì)由于確認(rèn)方向偏反導(dǎo)致切割后整段單晶晶向超標(biāo)，而本發(fā)明通過(guò)修改看了這些技術(shù)問(wèn)題。
[0037]如圖1和圖2所示，圖中底部為粘結(jié)的鐵塊2，將與線切割機(jī)頭安裝結(jié)合。墊條I為樹(shù)脂材料制成，通過(guò)粘結(jié)膠把墊條I和單晶硅棒結(jié)合在一起，單晶棒3放置于有與晶棒直徑一致圓弧的墊條I上，再將墊條I連同單晶棒3粘結(jié)在鐵塊2上，把平行于鐵塊2的方向定義為單晶硅棒晶向的X軸方向，垂直方向定義為Y軸方向。
[0038]最后，還需要注意的是，以上列舉的僅是本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例。顯然，本發(fā)明不限于以上實(shí)施例，還可以有許多變形。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能從本發(fā)明公開(kāi)的內(nèi)容直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的所有變形，均應(yīng)認(rèn)為是本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種調(diào)整單晶棒晶向的方法；其特征是:包括如下的步驟: 1)通過(guò)晶體的種類確定標(biāo)準(zhǔn)晶向； 2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向； 3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進(jìn)行單晶棒與墊條粘結(jié)； 4)根據(jù)單晶X軸方向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的偏差值進(jìn)行調(diào)整。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整單晶棒晶向的方法，其特征是:所述晶向測(cè)量均通過(guò)定向儀實(shí)現(xiàn)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的調(diào)整單晶棒晶向的方法，其特征是:測(cè)量單晶端面符合標(biāo)準(zhǔn)要求的晶向方向作為的單晶Y軸方向晶向； 再測(cè)量單晶X軸方向晶向。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的調(diào)整單晶棒晶向的方法，其特征是:X軸方向晶向大于標(biāo)準(zhǔn)晶向，則將墊條和單晶棒沿著逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角度為X軸方向的晶向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊上。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的調(diào)整單晶棒晶向的方法，其特征是:X軸方向晶向小于標(biāo)準(zhǔn)晶向，則將墊條和單晶棒沿著順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角度為X軸方向的晶向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊上。6.一種調(diào)整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測(cè)量方法；其特征是:包括如下的步驟: 1)通過(guò)晶體的種類確定標(biāo)準(zhǔn)晶向； 2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向； 3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進(jìn)行單晶棒與墊條粘結(jié)； 4)根據(jù)單晶X軸方向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的偏差值進(jìn)行調(diào)整； 5)將粘結(jié)在鐵塊上的墊條和單晶棒再次進(jìn)行X方向晶向的測(cè)量，最后得出切割后硅片的晶向。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)整單晶棒晶向的測(cè)量方法，其特征是:所述晶向測(cè)量均通過(guò)定向儀實(shí)現(xiàn)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的調(diào)整單晶棒晶向的測(cè)量方法，其特征是:測(cè)量單晶端面符合標(biāo)準(zhǔn)要求的晶向方向作為的單晶Y軸方向晶向； 再測(cè)量單晶X軸方向晶向。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的調(diào)整單晶棒晶向的測(cè)量方法，其特征是:X軸方向晶向大于標(biāo)準(zhǔn)晶向，則將墊條和單晶棒沿著逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角度為X軸方向的晶向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊上。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的調(diào)整單晶棒晶向的測(cè)量方法，其特征是:X軸方向晶向小于標(biāo)準(zhǔn)晶向，則將墊條和單晶棒沿著順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的角度為X軸方向的晶向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的差值，并粘結(jié)在需要粘結(jié)的鐵塊上。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種調(diào)整單晶棒晶向的方法；包括如下的步驟：1)通過(guò)晶體的種類確定標(biāo)準(zhǔn)晶向；2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向；3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進(jìn)行單晶棒與墊條粘結(jié)；4)根據(jù)單晶X軸方向與標(biāo)準(zhǔn)晶向的偏差值進(jìn)行調(diào)整。
【IPC分類】B28D5/04, B28D7/00
【公開(kāi)號(hào)】CN104985709
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510330222
【發(fā)明人】陳建峰, 饒偉星, 高海軍, 吳雄杰
【申請(qǐng)人】杭州海納半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2015年10月21日
【申請(qǐng)日】2015年6月16日