專利名稱：機(jī)械手吸附盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種用于吸附晶片的機(jī)械手吸附盤(pán)。
背景技術(shù)：
微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種新型多學(xué)科交叉的技術(shù)，該技 術(shù)將對(duì)未來(lái)人類生活產(chǎn)生革命性的影響。它涉及機(jī)械、電子、化學(xué)、物理、光學(xué)、生物、材料等 多學(xué)科。對(duì)微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)的研究主要包括理論基礎(chǔ)研究、制造工藝研究及應(yīng)用研 究三類。具體來(lái)說(shuō)，MEMS是指對(duì)微米/納米材料進(jìn)行設(shè)計(jì)、加工、制造、測(cè)量和控制的技術(shù)。 它可將機(jī)械構(gòu)件、光學(xué)系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)部件、電控系統(tǒng)集成為一個(gè)整體單元的微型系統(tǒng)。這種微 電子機(jī)械系統(tǒng)不僅能夠采集、處理與發(fā)送信息或指令，還能夠按照所獲取的信息自主地或 根據(jù)外部的指令采取行動(dòng)。它用微電子技術(shù)和微加工技術(shù)(包括硅體微加工、硅表面微加 工、LIGA和晶片鍵合等技術(shù))相結(jié)合的制造工藝，制造出各種性能優(yōu)異、價(jià)格低廉、微型化 的傳感器、執(zhí)行器、驅(qū)動(dòng)器和微系統(tǒng)。 在半導(dǎo)體工藝中，晶片經(jīng)過(guò)切割、刻蝕、離子注入以及退火等一系列工序之后形成 產(chǎn)品，產(chǎn)品在封裝之前，需要對(duì)產(chǎn)品的表面的缺陷進(jìn)行測(cè)試以判斷產(chǎn)品是否合格，而只有測(cè) 試合格的產(chǎn)品才會(huì)進(jìn)行下一步驟的封裝。 現(xiàn)有技術(shù)中，在晶片表面進(jìn)行缺陷檢測(cè)時(shí)，需要用機(jī)械手將晶片移至工作臺(tái)上，檢 測(cè)完成之后再通過(guò)機(jī)械手將晶片移走，機(jī)械手的一端有一吸附盤(pán)，吸附盤(pán)上有吸附孔，吸附 孔連接著抽真空的設(shè)備，操作時(shí)就是靠吸附盤(pán)上的吸附孔吸附晶片，現(xiàn)有技術(shù)中，機(jī)械手的 吸附盤(pán)對(duì)于晶片的吸附，都是以多種形式對(duì)晶片背面中部進(jìn)行吸附，請(qǐng)同時(shí)參考圖l和圖 2，圖1是現(xiàn)有技術(shù)的機(jī)械手的吸附盤(pán)的示意圖，而圖2突出顯示了吸附盤(pán)上的吸附點(diǎn)在所 吸附的晶片上的位置，該吸附區(qū)域位于晶片背面中部，機(jī)械手通過(guò)手臂23連接吸附盤(pán)22， 從而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片11的吸取和移動(dòng)，從圖2中可以看出，現(xiàn)有技術(shù)的吸附點(diǎn)21對(duì)應(yīng)于晶片11 上的中部的位置12，很容易造成晶片表明的不平整，使得晶片的中間部位凸起，另外，吸附 盤(pán)22和所吸附的晶片11背面是全接觸，這樣很容易對(duì)所吸附的晶片11的表面造成刮傷， 由于以往的晶片都只是在晶面有圖案，而和吸附盤(pán)接觸的為晶背，即使被刮傷，也是晶背被 刮傷，因此問(wèn)題還不是很大。然而，由于MEMS芯片工藝的特殊性，在MEMS中，會(huì)要求晶片的 晶面和晶背都有圖案，這樣一來(lái)，采用現(xiàn)有技術(shù)所提供的機(jī)械手就容易刮傷晶片背面的圖 案，不適合繼續(xù)使用。

實(shí)用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的機(jī)械手吸附盤(pán)在吸附晶片的時(shí)候容易造成晶片表明
不平整的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種能夠保護(hù)晶片表面平整的的吸附盤(pán)。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出一種機(jī)械手吸附盤(pán)，所述吸附盤(pán)上有多個(gè)吸
附點(diǎn)，通過(guò)所述多個(gè)吸附點(diǎn)和晶片背面接觸吸附所述晶片，所述多個(gè)吸附點(diǎn)與所述晶片背
面接觸的接觸點(diǎn)都位于所述晶片的邊緣。[0007] 可選的，所述吸附點(diǎn)相對(duì)于所述吸附盤(pán)凸出設(shè)置。 可選的，所述多個(gè)吸附點(diǎn)都和一抽真空機(jī)相連。 可選的，所述吸附盤(pán)和一機(jī)械手臂相連。 可選的，所述機(jī)械手臂和電機(jī)相連，由所述電機(jī)提供驅(qū)動(dòng)力，控制所述機(jī)械手臂的 旋轉(zhuǎn)和移動(dòng)。 本實(shí)用新型機(jī)械手吸附盤(pán)的有益技術(shù)效果為本實(shí)用新型機(jī)械手吸附盤(pán)將吸附點(diǎn) 和晶片背面接觸的接觸點(diǎn)設(shè)置在晶片的邊緣，吸附晶片的同時(shí)對(duì)晶片產(chǎn)生往外的拉力，不 但使得吸附更加的穩(wěn)定，而且保證了晶片在被吸附后的平整性，另外，吸附點(diǎn)相對(duì)于吸附盤(pán) 為凸出部件，這樣避免了吸附盤(pán)和晶片背面直接接觸，從而防止了晶片背面被刮傷。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的機(jī)械手的吸附盤(pán)的示意圖； 圖2為標(biāo)有吸附點(diǎn)的晶片的示意圖； 圖3為使用本實(shí)用新型的機(jī)械手的示意圖； 圖4為使用本實(shí)用新型的機(jī)械手的側(cè)視圖； 圖5為標(biāo)有本實(shí)用新型吸附點(diǎn)在晶片上的示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型的機(jī)械手作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。 首先請(qǐng)參考圖3和圖4，圖3為使用本實(shí)用新型的機(jī)械手的示意圖，圖4為使用本 實(shí)用新型的機(jī)械手的側(cè)視圖，從圖3可以看出，所述機(jī)械手包括機(jī)械手臂23和吸附盤(pán)22，機(jī) 械手臂23用于移動(dòng)晶片，將晶片移到測(cè)量平臺(tái)上做測(cè)試，做完測(cè)試再將晶片移走，驅(qū)動(dòng)機(jī) 械手臂23的是和機(jī)械手臂23相連的電機(jī)(圖中未示)，而吸附盤(pán)則是用來(lái)吸附晶片的，所 述機(jī)械手臂23和所述吸附盤(pán)22樞接，樞接的原因也是為了方便放置和移動(dòng)晶片，所述吸附 盤(pán)22上有多個(gè)吸附點(diǎn)21，每個(gè)吸附點(diǎn)21都和抽真空機(jī)(圖中未示)相連，通過(guò)所述多個(gè) 吸附點(diǎn)21和晶片背面接觸吸附所述晶片，從圖4可以看到，所述吸附點(diǎn)21相對(duì)于所述吸附 盤(pán)22為凸出部件，這樣吸附點(diǎn)21在吸附晶片的過(guò)程中，只有吸附點(diǎn)21和晶片接觸，而吸附 盤(pán)22低于吸附點(diǎn)，相當(dāng)于為一凹槽，因此不會(huì)和晶片背面接觸，從而保護(hù)了晶片背面不被 刮傷。 接著，請(qǐng)參考圖5，圖5為標(biāo)有本實(shí)用新型機(jī)械手吸附點(diǎn)的晶片的示意圖，從圖上 可以看到，機(jī)械手的吸附盤(pán)上的多個(gè)吸附點(diǎn)和所述晶片背面接觸的接觸點(diǎn)12都位于所述 晶片11的邊緣，以前的吸附點(diǎn)都位于晶片背面的中部位置，當(dāng)吸附孔提供的吸附力過(guò)大 時(shí)，晶片所在的吸附點(diǎn)被吸起，這會(huì)損壞晶片的背面的圖形，容易使得晶片晶面下陷，影響 了晶片表面的平整性，而當(dāng)吸附點(diǎn)設(shè)置于晶片的邊緣后，作用吸附力時(shí)，會(huì)對(duì)晶片表面產(chǎn)生 往外的拉力，從而避免了晶片表面平整性的問(wèn)題的發(fā)生。 實(shí)際操作時(shí)，機(jī)械手通過(guò)機(jī)械手臂的移動(dòng)，使得吸附盤(pán)對(duì)準(zhǔn)晶片背面邊緣的吸附 點(diǎn)，吸附盤(pán)上的吸附點(diǎn)分布于晶片的邊緣，抽真空機(jī)開(kāi)動(dòng)抽取真空，使得吸附盤(pán)內(nèi)產(chǎn)生吸附 力，自動(dòng)吸附晶片，機(jī)械手臂移動(dòng)，直至晶片被放置到測(cè)量平臺(tái)上，抽真空機(jī)關(guān)閉，吸附盤(pán)松 開(kāi)晶片，機(jī)械手移開(kāi)。在測(cè)量平臺(tái)上，機(jī)臺(tái)主要是通過(guò)光學(xué)的結(jié)構(gòu)原理對(duì)晶片表面進(jìn)行測(cè)量檢查，機(jī)臺(tái)打在晶片表面的光被晶片表面反射，通過(guò)多反射光的接受分析對(duì)晶片表面進(jìn)行 檢測(cè)，合格的繼續(xù)下一個(gè)步驟，不合格的，需要返工修復(fù)。在測(cè)量完畢后，機(jī)械手再次移動(dòng)， 使得吸附盤(pán)對(duì)準(zhǔn)晶片背面的邊緣吸附點(diǎn)，抽真空機(jī)開(kāi)啟，吸附晶片，機(jī)械手臂移動(dòng)，從測(cè)量 平臺(tái)上取走晶片，至此，機(jī)械手的工作全部完成。 雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型。本實(shí) 用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各 種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求一種機(jī)械手吸附盤(pán)，所述吸附盤(pán)上有多個(gè)吸附點(diǎn)，通過(guò)所述多個(gè)吸附點(diǎn)和晶片背面接觸吸附所述晶片，其特征在于所述多個(gè)吸附點(diǎn)與所述晶片背面接觸的接觸點(diǎn)都位于所述晶片的邊緣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種機(jī)械手吸附盤(pán)，其特征在于所述吸附點(diǎn)相對(duì)于所述吸附 盤(pán)凸出設(shè)置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種機(jī)械手吸附盤(pán)，其特征在于所述多個(gè)吸附點(diǎn)都和一抽真 空機(jī)相連。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種機(jī)械手吸附盤(pán)，其特征在于所述吸附盤(pán)和一機(jī)械手臂相連。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種機(jī)械手吸附盤(pán)，其特征在于所述機(jī)械手臂和電機(jī)相連， 由所述電機(jī)提供驅(qū)動(dòng)力，控制所述機(jī)械手的旋轉(zhuǎn)和移動(dòng)。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種機(jī)械手吸附盤(pán)，所述吸附盤(pán)上有多個(gè)吸附點(diǎn)，通過(guò)所述多個(gè)吸附點(diǎn)和晶片背面接觸吸附所述晶片，所述多個(gè)吸附點(diǎn)和所述晶片背面接觸的接觸點(diǎn)都位于所述晶片的邊緣，本實(shí)用新型機(jī)械手吸附盤(pán)的吸附點(diǎn)位于所述晶片的邊緣，吸附晶片的同時(shí)對(duì)晶片產(chǎn)生往外的拉力，不但使得吸附更加的穩(wěn)定，而且保證了晶片在被吸附后的平整性。
文檔編號(hào)B25J15/06GK201529993SQ200920078369
公開(kāi)日2010年7月21日 申請(qǐng)日期2009年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月16日
發(fā)明者賀俊 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司