專(zhuān)利名稱(chēng)：一種復(fù)合安全線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及防偽材料和防偽技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種可用于紙幣、有價(jià)證券、票券證卡及類(lèi)似物品的復(fù)合安全線。
背景技術(shù)：
目前，在很多紙質(zhì)類(lèi)或類(lèi)似的物品中需要設(shè)置防偽標(biāo)志來(lái)提高其安全性能，如紙幣、證券、票券、證件等，通過(guò)設(shè)置安全線使其容易被識(shí)別，但不容易被仿造或假冒。安全線作為一種防偽標(biāo)志已被廣泛使用，一般是以PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，英文名 polyethylene terephthalate,簡(jiǎn)稱(chēng)PET，為高聚合物)基材承載防偽信息，采用全埋式或開(kāi)窗方式與紙張結(jié)合。安全線的防偽信息層多使用磁性編碼的防偽方式，磁性編碼的類(lèi)型有硬磁編碼、軟磁編碼、以及根據(jù)磁條的有無(wú)設(shè)定的編碼、以磁場(chǎng)強(qiáng)度的大小或磁條寬度設(shè)定的編碼等等。但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，安全線的磁性編碼多采用單一形式，如中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn) CN1715560A中公開(kāi)了一種用于提高紙張安全性的安全線，包括基層，在所述基層的兩側(cè)分別形成一光學(xué)防偽信息層和一磁性防偽信息層，在所述光學(xué)防偽信息層和所述磁性防偽信息層的外側(cè)各形成有粘結(jié)層。在該技術(shù)方案中，只有磁性防偽信息層需要編碼實(shí)現(xiàn)，而所述磁性防偽信息層只采用一種編碼方式，這種單一的編碼方式由于其編碼信息簡(jiǎn)單，易于被破解，因此不能達(dá)到很好的防偽效果。

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于現(xiàn)有技術(shù)中安全線采用磁性編碼的防偽方式，由于只采用一種磁性編碼方式，易于被破解，防偽效果不佳，從而提出一種使用多種磁性編碼方式、提高了防偽效果的安全線。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一種復(fù)合安全線，包括至少一個(gè)承載磁性物質(zhì)的基層，在所述基層上設(shè)有至少兩個(gè)磁性防偽層，在所述兩個(gè)磁性防偽層上設(shè)有互不干擾的不同的磁性編碼。所述復(fù)合安全線的寬度為l_3mm。所述磁性防偽層設(shè)置在基層的同側(cè)。所述磁性防偽層設(shè)置在基層的兩側(cè)。所述多個(gè)磁性防偽層的磁性編碼之間通過(guò)加密算法相對(duì)應(yīng)。所述磁防偽層為納米薄膜層，由非晶納米薄膜組成。所述納米薄膜層厚度為50-250nm。所述納米薄膜層的機(jī)讀信號(hào)具有大巴克豪森效應(yīng)。所述納米薄膜層通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小及非晶納米薄膜的變化形成磁性編碼。所述磁性防偽層包括磁性信息層，所述磁性信息層包括軟磁層、硬磁層或者其組
I=I O
所述磁性信息層通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小、磁層厚度、磁場(chǎng)強(qiáng)度及不同的磁性材料形成磁性編碼。所述磁性防偽層上覆蓋遮蓋層。所述安全線的表面由外到內(nèi)依次設(shè)置粘結(jié)層和保護(hù)層。所述保護(hù)層的內(nèi)側(cè)還設(shè)置有保護(hù)基層。本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)，(1)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，包括至少一個(gè)承載磁性物質(zhì)的基層，在所述基層上設(shè)有至少兩個(gè)磁性防偽層，在所述兩個(gè)磁性防偽層上設(shè)有互不干擾的不同的磁性編碼，有效增強(qiáng)了所述復(fù)合安全線的防偽性能，比現(xiàn)有技術(shù)中只是用一種磁性防偽編碼的安全性具有更好的防偽性能，可以通過(guò)相應(yīng)的機(jī)讀設(shè)備設(shè)備多兩個(gè)防偽信息層分別讀取，可以方便的檢測(cè)和識(shí)別。(2)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述復(fù)合安全線的寬度為l_3mm，安裝在紙張上， 不會(huì)影響其整體效果，保持美觀度。 (3)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述磁性防偽層設(shè)置在基層的同側(cè)或者兩側(cè)，可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇，也可以根據(jù)加工工藝來(lái)選擇，具有廣泛的適用性。(4)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述多個(gè)磁性防偽層的磁性編碼之間通過(guò)加密算法相對(duì)應(yīng)，這樣就可以進(jìn)一步提高其安全性能，增加了破解的難度，不易被仿冒或偽造。(5)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述磁性防偽層為納米薄膜層，由非晶納米薄膜組成，由于納米薄膜具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料二者的優(yōu)越性，易于使用和生產(chǎn)。(6)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述納米薄膜層厚度為50-250nm，這一厚度范圍可以保證其設(shè)置防偽磁性編碼，又有效節(jié)約材料，保證其較好的防偽效果。(7)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述納米薄膜層的機(jī)讀信號(hào)具有大巴克豪森效應(yīng)， 提高其安全防偽性能，具有很好的安全性。(8)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述納米薄膜層通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小及非晶納米薄膜的變化形成磁性編碼，這樣形成的磁性編碼不易被破解，具有很好的安全性能，又可以通過(guò)相應(yīng)的機(jī)讀設(shè)備讀取，便于檢測(cè)和識(shí)別。(9)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述磁性防偽層包括磁性信息層，所述磁性信息層包括軟磁層、硬磁層或者其組合，所述磁性信息層通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小、磁層厚度、磁場(chǎng)強(qiáng)度及不同的磁性材料形成磁性編碼，這種磁性編碼方式較好的防偽性能，同時(shí)使用提高了所述安全線的防偽性能。(10)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述磁性防偽層上覆蓋遮蓋層，使得所述磁性防偽層不易被破解。(11)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述安全線的表面由外到內(nèi)依次設(shè)置粘結(jié)層和保護(hù)層，粘結(jié)層增加了所述復(fù)合安全線設(shè)置在紙張內(nèi)的牢固性，所述保護(hù)層延長(zhǎng)了所述安全線的使用壽命。(12)本發(fā)明所述的復(fù)合安全線，所述保護(hù)層的內(nèi)側(cè)還設(shè)置有保護(hù)基層，可以起到保護(hù)編碼區(qū)域不易變形受損的作用。


為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中圖1是本發(fā)明所述的復(fù)合安全線的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明所述的復(fù)合安全線的另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3也是本發(fā)明所述的復(fù)合安全線的另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明中所述納米薄膜層進(jìn)行冷燙印轉(zhuǎn)移過(guò)程的示意圖。圖中附圖標(biāo)記表示為1-基層，2-納米薄膜層，3-磁性信息層，4-遮蓋層，5-保護(hù)層，6-粘結(jié)層，7-保護(hù)基層。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 如圖1所示，給出了本發(fā)明所述的安全線的一個(gè)具體的實(shí)施方式，一種復(fù)合安全線，包括至少一個(gè)承載磁性物質(zhì)的基層1，在所述基層1上設(shè)有兩個(gè)磁性防偽層，在本實(shí)施例中，所述兩個(gè)磁性防偽信息層為納米薄膜層2和磁性信息層3，在所述納米薄膜層2和所述磁性信息層3上設(shè)有互不干擾的不同的磁性編碼，此處也可以設(shè)置成其他形式的多個(gè)具有不同磁性編碼的磁性防偽信息層。在本實(shí)施例中，所述復(fù)合安全線的寬度為1.5mm，此處也可以根據(jù)需要選擇寬度為l_3mm ；所述納米薄膜層2和所述磁性信息層3設(shè)置在基層1的同側(cè)，此處也可以根據(jù)需要設(shè)置在基層1的兩側(cè)；在所述納米薄膜層2和所述磁性信息層3的磁性編碼之間還設(shè)置相對(duì)應(yīng)的加密算法，進(jìn)一步提高了其安全性能；在本實(shí)施例中，所述納米薄膜層2厚度為 100-200nm，此處可以根據(jù)需要選擇50-250nm之間，其上設(shè)置的機(jī)讀信號(hào)具有大巴克豪森效應(yīng)，在所述納米薄膜層2上，可以通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小及非晶納米薄膜的變化形成磁性編碼；在磁性信息層3上通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小、磁層厚度、磁場(chǎng)強(qiáng)度及不同的磁性材料形成磁性編碼，在此所述磁性信息層3包括軟磁層、硬磁層或者其組合；此外，所述磁性防偽層上覆蓋遮蓋層4，增加其被破解的難度，為了使所述復(fù)合安全線使用時(shí)與紙張貼合的牢固，其表面設(shè)置粘結(jié)層6，為了增加其使用壽命，在所述粘結(jié)層6內(nèi)設(shè)有保護(hù)層5。其制備過(guò)程如下在厚度為30 μ m的PET薄膜一側(cè)涂布耐高溫剝離層，在剝離層上通過(guò)真空磁控濺射工藝制備厚度為100-200nm的納米薄膜層2，在納米薄膜層2上涂布粘結(jié)膠層，隨后采用冷燙印轉(zhuǎn)移工藝，所述納米薄膜層2的冷燙印轉(zhuǎn)移過(guò)程如圖4所示，將納米薄膜按設(shè)計(jì)的尺寸，間隔大小轉(zhuǎn)移至厚度為19ym的PET薄膜基層1上形成線條編碼，納米薄膜磁性區(qū)域?qū)挒閘_3mm，相鄰間隔為15-20mm，磁性區(qū)域和相鄰間隔可以恒定，也可以周期性變化。在形成編碼后的納米薄膜層2同側(cè)印刷磁性信息層3，磁性信息層3可以通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小、磁層厚度、磁場(chǎng)強(qiáng)度及不同磁性材料的變化形成磁性信息層3的磁性編碼。采用色墨將上所述編碼區(qū)域進(jìn)行遮蓋，形成遮蓋層4，然后在兩面最外側(cè)分別依次涂布保護(hù)層5和粘結(jié)層6。最后，分切成寬為1. 5mm的安全線以全埋的方式與紙張結(jié)合。實(shí)施例2
在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述遮蓋層4上還設(shè)置有保護(hù)基層7，如圖2所示，基層1 和保護(hù)基層7形成一個(gè)保護(hù)夾層，用來(lái)保護(hù)磁性防偽層不會(huì)變形損壞，延長(zhǎng)其使用壽命。在本實(shí)施例中，安全線的寬度為2mm。本實(shí)施例所述的復(fù)合安全線的制備過(guò)程如下在厚度為25 μ m的PET薄膜一側(cè)涂布剝離層，在剝離層上通過(guò)真空磁控濺射工藝制備厚度為100-200nm的納米薄膜層2，在納米薄膜層2上涂布粘結(jié)膠層，隨后采用基于紫外固化技術(shù)的冷燙印轉(zhuǎn)移工藝，將納米薄膜按設(shè)計(jì)的尺寸，間隔大小轉(zhuǎn)移至厚度為12ym的PET薄膜基層1上形成線條編碼，納米薄膜磁性區(qū)域?qū)挒?-5mm，相鄰間隔為20_25mm，磁性區(qū)域和相鄰間隔可以恒定，也可以周期性變化。在形成編碼后的納米薄膜層2同側(cè)印刷磁性信息層3，磁性信息層3可以通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小、磁層厚度、磁場(chǎng)強(qiáng)度及磁性材料的變化形成磁性信息層3的磁性編碼。采用色墨將上所述編碼區(qū)域進(jìn)行遮蓋，形成遮蓋層4，在形成復(fù)合區(qū)域同側(cè)復(fù)合一厚度為IOym的保護(hù)基層7，以起到保護(hù)編碼區(qū)域不被變形受損的作用。后在兩面最外側(cè)分別依次涂布保護(hù)層5和粘結(jié)層6。最后，分切成寬為2mm的安全線以全埋的方式與紙張結(jié)
I=I ο實(shí)施例3 在本實(shí)施例中，所述納米薄膜層2和所述磁性信息層3設(shè)置在所述基層1的兩側(cè)， 在所述納米薄膜層2上設(shè)置有保護(hù)基層7，在所述磁性信息層3上設(shè)置有遮蓋層4，在本實(shí)施例中所述復(fù)合安全線的寬度為2. 5mm。本實(shí)施例所述的復(fù)合安全線的制備工藝如下在厚度為35 μ m的PET薄膜一側(cè)涂布剝離層，在剝離層上通過(guò)真空磁控濺射工藝制備厚度為100-200nm的納米薄膜層2，在納米薄膜層2上涂布粘結(jié)膠層，隨后采用冷燙印轉(zhuǎn)移工藝，將納米薄膜按設(shè)計(jì)的尺寸，間隔大小轉(zhuǎn)移至厚度為12 μ m的PET薄膜基層1上形成線條編碼，納米薄膜磁性區(qū)域?qū)挒?-4mm，相鄰間隔為20-25mm，磁性區(qū)域和相鄰間隔可以恒定，也可以周期性變化。在納米磁性編碼區(qū)域同一側(cè)復(fù)合一厚度為8 μ m的保護(hù)基層7， 以起到保護(hù)編碼區(qū)域不被變形受損的作用。在12 μ m基層1的另一側(cè)印刷磁性信息層3，磁性信息層3可以通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小、磁層厚度、磁場(chǎng)強(qiáng)度及磁性材料的變化形成磁性信息層3的磁性編碼。采用色墨將上所述編碼區(qū)域進(jìn)行遮蓋，形成遮蓋層4，然后在兩面最外側(cè)分別依次涂布保護(hù)層5和粘結(jié)層6。最后，分切成寬為2. 5mm的安全線以全埋的方式與紙張結(jié)合。顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合安全線，包括至少一個(gè)基層，其特征在于在所述基層上設(shè)有至少兩個(gè)磁性防偽層，在所述兩個(gè)磁性防偽層上設(shè)有互不干擾的不同的磁性編碼。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述復(fù)合安全線的寬度為l_3mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述磁性防偽層設(shè)置在基層的同側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述磁性防偽層設(shè)置在基層的兩側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合安全線，其特征在于多個(gè)所述磁性防偽層的磁性編碼之間通過(guò)加密算法相對(duì)應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述磁性防偽層為納米薄膜層，由非晶納米薄膜組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述納米薄膜層厚度為50-250nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述納米薄膜層的機(jī)讀信號(hào)具有大巴克豪森效應(yīng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述納米薄膜層通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小及非晶納米薄膜的變化形成磁性編碼。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5或7或8所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述磁性防偽層包括磁性信息層，所述磁性信息層包括軟磁層、硬磁層或者其組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述磁性信息層通過(guò)磁性區(qū)域自身尺寸、相鄰磁性區(qū)域間隔大小、磁層厚度、磁場(chǎng)強(qiáng)度及不同的磁性材料形成磁性編碼。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5或7或8或11所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述磁性防偽層上覆蓋遮蓋層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5或7或8或11所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述安全線的表面由外到內(nèi)依次設(shè)置粘結(jié)層和保護(hù)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的復(fù)合安全線，其特征在于所述保護(hù)層的內(nèi)側(cè)還設(shè)置有保護(hù)基層。
全文摘要
一種復(fù)合安全線，包括至少一個(gè)基層，在所述基層上設(shè)有至少兩個(gè)磁性防偽層，在所述兩個(gè)磁性防偽層上設(shè)有互不干擾的不同的磁性編碼。解決了現(xiàn)有技術(shù)中安全線采用磁性編碼的防偽方式，由于只采用一種磁性編碼方式，易于被破解，防偽效果不佳的技術(shù)問(wèn)題，是一種使用多種磁性編碼方式、提高了防偽效果的安全線，尤其適用于紙幣、證券、票券、證件等的安全防偽技術(shù)。
文檔編號(hào)D21H21/42GK102465473SQ201010539768
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者常和峰, 張渠, 曹瑜, 李萬(wàn)里, 李尚昆, 李新宇, 李曉偉, 楊驚 申請(qǐng)人:中國(guó)人民銀行印制科學(xué)技術(shù)研究所, 中國(guó)印鈔造幣總公司