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      阻氣膜、其制造方法、電子裝置用構(gòu)件以及電子裝置的制作方法

      文檔序號:2467700閱讀:275來源:國知局
      專利名稱:阻氣膜、其制造方法、電子裝置用構(gòu)件以及電子裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及具有由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)高的耐熱性樹脂形成的基材層的阻氣膜、其制造方法、包含前述阻氣膜的電子裝置用構(gòu)件、以及具備該電子裝置用構(gòu)件的電子裝置。
      背景技術(shù)
      以往,塑料膜等高分子阻氣膜由于價(jià)格低廉且加工性優(yōu)異,因而對其賦予所期望的功能而在各種領(lǐng)域中使用。例如,對于食品、藥品的包裝用膜而言,為了抑制蛋白質(zhì)、油脂等的氧化、變質(zhì)來保持味道、新鮮度,使用了防止水蒸氣、氧透過的阻氣性的塑料膜。另外,近年來,對于液晶顯示器、電致發(fā)光(EL)顯示器等顯示器而言,為了實(shí)現(xiàn)薄型化、輕量化、柔性化等,研究了作為具有電極的基板,使用透明塑料膜來代替玻璃板。作為現(xiàn)有的阻氣性膜,例如已知有如下膜:專利文獻(xiàn)I中記載的、在透明塑料膜上層疊有由金屬氧化物形成的透明阻氣層的柔性顯示器基板;專利文獻(xiàn)2中記載的、在膜的至少一面上形成聚硅氮烷膜,對該聚硅氮烷膜實(shí)施等離子體處理而得到的阻氣性膜。然而,這些文獻(xiàn)中記載的阻氣性膜存在如下問題:阻氣層產(chǎn)生裂紋而使阻氣性降低、或者如果不將阻氣層的厚度控制為微米數(shù)量級就無法表現(xiàn)出充分的阻氣性能。另外,塑料膜還存在如下問題:與玻璃板相比水蒸氣、氧等容易透過,從而容易引起顯示器內(nèi)部的元件劣化,進(jìn)而透明性和耐熱性差?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
      專利文獻(xiàn)1:日本特開2000-338901號公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本特開2007-237588號公報(bào)。

      發(fā)明內(nèi)容
      發(fā)明要解決的問題
      本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)而進(jìn)行的,其課題在于,提供一種阻氣性、透明性、耐彎折性以及耐熱性均優(yōu)異的阻氣膜、其制造方法、包含該阻氣膜的電子裝置用構(gòu)件、以及具備該電子裝置用構(gòu)件的電子裝置。用于解決問題的技術(shù)方案
      本發(fā)明人等為了解決上述課題而進(jìn)行了深入研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn)了一種阻氣性、透明性以及耐熱性均優(yōu)異的阻氣膜,所述阻氣膜具備基材層和位于該基材層的至少單面的阻氣層,前述基材層包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂,前述阻氣層由至少包含氧原子和硅原子的材料構(gòu)成,其表層部中,氧原子、氮原子、硅原子的存在比率以及膜密度為特定的值。另外發(fā)現(xiàn),具有這種特性的阻氣膜可以通過在基材上形成包含聚硅氮烷化合物的層,然后在該包含聚硅氮烷化合物的層的表面部注入離子而簡便且高效地制造,從而完成了本發(fā)明。由此,根據(jù)本發(fā)明的第一技術(shù)方案,提供下述(1廣(8)的阻氣膜。(I)阻氣膜,其為具備基材層和位于該基材層的至少單面的阻氣層的阻氣膜,
      前述基材層包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂,
      前述阻氣層由至少包含氧原子和硅原子的材料構(gòu)成,其表層部中,相對于氧原子、氮原子以及硅原子的總存在量,氧原子的存在比率為6(T75%、氮原子的存在比率為(Tl0%、硅原子的存在比率為25 35%,且該表層部的膜密度為2.4^4.0g/cm3。(2)根據(jù)(I)所述的阻氣膜,其特征在于,構(gòu)成前述阻氣層的材料包含聚硅氮烷化合物。(3)根據(jù)(I)或⑵所述的阻氣膜,其特征在于,前述阻氣層是向包含聚硅氮烷化合物的層注入離子而得到的。(4)根據(jù)(3)所述的阻氣膜,其特征在于,前述離子是將選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物以及烴中的至少一種氣體離子化而成的。(5)根據(jù)(3)或(4)所述的阻氣膜,其特征在于,前述阻氣層是利用等離子體離子注入法向包含聚硅氮烷化合物的層注入離子而得到的。(6)根據(jù)(2) (5)中任一項(xiàng)所述的阻氣膜,其特征在于,前述聚硅氮烷化合物為全
      氫聚硅氮烷。(7)根據(jù)(1) (6)中任一項(xiàng)所述的阻氣膜,其特征在于,前述基材層包含選自聚砜系樹脂、聚芳酯系樹脂以 及脂環(huán)式烴樹脂中的至少I種樹脂。(8)根據(jù)(1) (7)中任一項(xiàng)所述的阻氣膜,其特征在于,霧度值為8.0%以下。根據(jù)本發(fā)明的第二技術(shù)方案,提供下述(9廣(11)的阻氣膜的制造方法。(9)阻氣膜的制造方法,其為前述(2廣(8)中任一項(xiàng)所述的阻氣膜的制造方法,其具備:
      在包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂的基材層上形成包含聚硅氮烷化合物的層的工序;和向該包含聚硅氮烷化合物的層的表面部注入離子的工序。(10)根據(jù)(9)所述的阻氣膜的制造方法,其具備:在包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂的基材層上形成包含聚硅氮烷化合物的層的工序;和向該包含聚硅氮烷化合物的層的表面部離子注入選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物以及烴中的至少一種氣體的工序。(11)根據(jù)(9)所述的阻氣膜的制造方法,其具備:在包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂的基材層上形成包含聚硅氮烷化合物的層的工序;和利用等離子體離子注入法向該包含聚硅氮烷化合物的層的表面部離子注入選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物以及烴中的至少一種氣體的工序。根據(jù)本發(fā)明的第三技術(shù)方案,提供下述(12)的電子裝置用構(gòu)件。(12)電子裝置用構(gòu)件,其包含前述(1廣(8)中任一項(xiàng)所述的阻氣膜。根據(jù)本發(fā)明的第四技術(shù)方案,提供下述(13)的電子裝置。(13)電子裝置,其具備前述(12)所述的電子裝置用構(gòu)件。發(fā)明效果
      本發(fā)明的阻氣膜的阻氣性、透明性以及耐彎折性優(yōu)異,且耐熱性也優(yōu)異。因此,本發(fā)明的阻氣膜適合用作太陽能電池、觸摸面板、電子紙、顯示器等的電子裝置用構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明的制造方法,可以簡便且高效地制造阻氣性、透明性、耐彎折性以及耐熱性均優(yōu)異的本發(fā)明的阻氣膜。另外,能夠以低于無機(jī)薄膜成膜的成本容易地實(shí)現(xiàn)大面積化。本發(fā)明的電子裝置用構(gòu)件包含具有優(yōu)異的阻氣性、透明性、耐彎折性以及耐熱性的本發(fā)明的阻氣膜,因此適用于觸摸面板、電子紙、有機(jī)/無機(jī)EL的柔性顯示器、太陽能電池等電子裝置等。
      具體實(shí)施例方式以下,將本發(fā)明分為I)阻氣膜、2)阻氣膜的制造方法、以及3)電子裝置用構(gòu)件和電子裝置來詳細(xì)說明。I)阻氣膜
      本發(fā)明的阻氣膜的特征在于,其為具備基材層和位于該基材層的至少單面的阻氣層的阻氣膜,前述基材層包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂,前述阻氣層由至少包含氧原子和硅原子的材料構(gòu)成,其表層部中,相對于氧原子、氮原子以及硅原子的總存在量,氧原子的存在比率為6(Γ75%、氮原子的存在比率為(Γ10%、硅原子的存在比率為25 35%,且該表層部的膜密度為2.Γ4.0g/cm3。(基材層)
      本發(fā)明的阻氣膜具備包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°c的樹脂的基材層。前述基材層的原材料只要包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度超過130°C (大于130°C )的樹脂,就沒有特別限定。從得到本發(fā)明的更優(yōu)異的效果的觀點(diǎn)出發(fā),構(gòu)成前述基材層的樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度優(yōu)選為135°C以上,更優(yōu)選為150°C以上。通過使用具有這種玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的樹脂作為基材的原材料,能夠得到阻氣性、透明性以及耐彎折性優(yōu)異且耐熱性也優(yōu)異的阻氣膜。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為130°C以下時(shí),基材層在暴露于高溫的環(huán)境(例如,阻氣膜在室外使用時(shí)、后述的形成阻氣層時(shí)的加熱干燥等)中,基材層有時(shí)出現(xiàn)白濁或透明性極端降低。另外,有時(shí)通過基材層軟化來形成后述的阻氣層變得困難、或者基材層顯著卷曲或收縮。作為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂,只要是玻璃化轉(zhuǎn)變溫度超過130°C的樹脂就沒有特別限定。例如,可列舉出聚砜系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、環(huán)烯烴系聚合物、聚苯醚樹脂、聚醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、液晶聚酯樹脂、脂環(huán)式烴樹脂等。這些之中,從耐熱性和透明性優(yōu)異并具有通用性的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選為聚砜系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、脂環(huán)式烴樹月旨,特別優(yōu)選為聚砜系樹脂、聚芳酯系樹脂、脂環(huán)式烴樹脂。這些樹脂可以單獨(dú)使用一種,或者組合使用二種以上。前述基材層中,前述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂以重量比計(jì)優(yōu)選包含50%以上,更優(yōu)選包 含70%以上,進(jìn)一步優(yōu)選包含85%以上。聚砜系樹脂為具有下述(a廣(h)中的任一個(gè)所示的重復(fù)單元的高分子。
      權(quán)利要求
      1.阻氣膜,其為具備基材層和位于該基材層的至少單面的阻氣層的阻氣膜, 所述基材層包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂, 所述阻氣層由至少包含氧原子和硅原子的材料構(gòu)成,其表層部中,相對于氧原子、氮原子以及硅原子的總存在量,氧原子的存在比率為6(T75%、氮原子的存在比率為(TlO%、硅原子的存在比率為25 35%,且該表層部的膜密度為2.4^4.0g/cm3。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻氣膜,其特征在于,構(gòu)成所述阻氣層的材料包含聚硅氮烷化合物。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的阻氣膜,其特征在于,所述阻氣層是向包含聚硅氮烷化合物的層注入離子而得到的。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的阻氣膜,其特征在于,所述離子是將選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物以及烴中的至少 一種氣體離子化而成的。
      5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的阻氣膜,其特征在于,所述阻氣層是利用等離子體離子注入法向包含聚硅氮烷化合物的層注入離子而得到的。
      6.根據(jù)權(quán)利要求2飛中任一項(xiàng)所述的阻氣膜,其特征在于,所述聚硅氮烷化合物為全氫聚硅氮烷。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1飛中任一項(xiàng)所述的阻氣膜,其特征在于,所述基材層包含選自聚砜系樹脂、聚芳酯系樹脂以及脂環(huán)式烴樹脂中的至少I種樹脂。
      8.根據(jù)權(quán)利要求f7中任一項(xiàng)所述的阻氣膜,其特征在于,霧度值為8.0%以下。
      9.阻氣膜的制造方法,其為權(quán)利要求21中任一項(xiàng)所述的阻氣膜的制造方法,其具備:在包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂的基材層上形成包含聚硅氮烷化合物的層的工序;和向該包含聚硅氮烷化合物的層的表面部注入離子的工序。
      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的阻氣膜的制造方法,其具備:在包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂的基材層上形成包含聚硅氮烷化合物的層的工序;和向該包含聚硅氮烷化合物的層的表面部離子注入選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物以及烴中的至少一種氣體的工序。
      11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的阻氣膜的制造方法,其具備:在包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130°C的樹脂的基材層上形成包含聚硅氮烷化合物的層的工序;和利用等離子體離子注入法向該包含聚硅氮烷化合物的層的表面部離子注入選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物以及烴中的至少一種氣體的工序。
      12.電子裝置用構(gòu)件,其包含權(quán)利要求廣8中任一項(xiàng)所述的阻氣膜。
      13.電子裝置,其具備權(quán)利要求12所述的電子裝置用構(gòu)件
      全文摘要
      本發(fā)明為一種阻氣膜、其制造方法、包含該阻氣膜的電子裝置用構(gòu)件、以及具備該電子裝置用構(gòu)件的電子裝置,所述阻氣膜為具備基材層和位于該基材層的至少單面的阻氣層的阻氣膜,前述基材層包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)超過130℃的樹脂,前述阻氣層由至少包含O原子和Si原子的材料構(gòu)成,其表層部中,相對于O原子、N原子以及Si原子的總存在量,O原子的存在比率為60~75%、N原子的存在比率為0~10%、Si原子的存在比率為25~35%,且該表層部的膜密度為2.4~4.0g/cm3。根據(jù)本發(fā)明,提供阻氣性、透明性、耐彎折性以及耐熱性均優(yōu)異的阻氣膜、其制造方法、包含該阻氣膜的電子裝置用構(gòu)件、以及具備該電子裝置用構(gòu)件的電子裝置。
      文檔編號B32B27/00GK103201109SQ201180055899
      公開日2013年7月10日 申請日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
      發(fā)明者伊藤雅春, 近藤健, 鈴木悠太 申請人:琳得科株式會社
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