專(zhuān)利名稱(chēng)：成形體、其制造方法、電子裝置用構(gòu)件以及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成形體、其制造方法、包含該成形體的電子裝置用構(gòu)件、以及具備該電子裝置用構(gòu)件的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)于圖像顯示裝置而言，嘗試了用合成樹(shù)脂片材代替玻璃基板來(lái)制造柔性顯示器。然而，合成樹(shù)脂片材與玻璃相比，具有水蒸氣等氣體容易透過(guò)或表面平滑性低等問(wèn)題，實(shí)用化方面存在較多問(wèn)題。為了解決這種問(wèn)題，專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2中提出了在合成樹(shù)脂片材上設(shè)置平滑層、進(jìn)而層疊阻氣性的無(wú)機(jī)化合物膜而成的阻氣性片材。然而，這些文獻(xiàn)中記載的阻氣性片材存在如下問(wèn)題:平滑層與成為阻氣層、電極材料的無(wú)機(jī)材料層之間的層間密合性差，必須在各層間設(shè)置用于提高層間密合性的功能性薄膜，所得阻氣性片材的膜變厚，隨之工序數(shù)多。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了在膜的至少一面上形成聚硅氮烷膜并對(duì)該聚硅氮烷膜實(shí)施等離子體處理，從而制造阻氣性膜的方法。然而，該方法存在不將阻氣層的厚度控制為微米數(shù)量級(jí)就無(wú)法表現(xiàn)出充分的阻氣性能的問(wèn)題。例如記載了:若將阻氣層的厚度制成0.1 μ m,則水蒸氣透過(guò)率為0.50g/m2/天。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專(zhuān)利文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2003-15 4596號(hào)公報(bào) 專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2006-264118號(hào)公報(bào)(US2006232735 Al)
專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2007-237588號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題
本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)而進(jìn)行的，其課題在于，提供層間密合性和阻氣性?xún)?yōu)異的成形體、其制造方法、包含該成形體的電子裝置用構(gòu)件、以及具備該電子裝置用構(gòu)件的電子
>J-U ρ α裝直。用于解決問(wèn)題的方案
本發(fā)明人等為了解決上述課題而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，下述成形體的層間密合性和阻氣性?xún)?yōu)異，所述成形體為基材層、底漆層以及阻氣層依次層疊而成的成形體，前述底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2ρ電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5^104eV,
前述阻氣層是向包含選自聚硅氮烷系化合物、聚有機(jī)硅氧烷系化合物、聚硅烷系化合物、以及聚碳硅烷系化合物中的至少I(mǎi)種的高分子層中注入離子而得到的層；或者是如下層:所述層由至少包含氧原子和硅原子的材料構(gòu)成，其表層部中，相對(duì)于氧原子、氮原子以及硅原子的總存在量，氧原子的存在比率為6(Γ75%、氮原子的存在比率為(TlO%、硅原子的存在比率為25 35%，且該表層部的膜密度為2.Γ4.0g/cm3。另外發(fā)現(xiàn)，這種成形體可以通過(guò)在表面形成有底漆層的基材的前述底漆層上，形成包含選自聚硅氮烷系化合物、聚有機(jī)硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物以及聚硅烷系化合物中的至少一種的高分子層后，并向高分子層的表面部注入離子，從而簡(jiǎn)便且高效地制造；所述底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5^104eV,從而完成了本發(fā)明。由此，根 據(jù)本發(fā)明，提供下述(1) (8)的成形體、(9) (11)的成形體的制造方法、(12)的電子裝置用構(gòu)件以及(13)電子裝置。(I)成形體，其特征在于，其為基材層、底漆層以及阻氣層依次層疊而成的成形體，前述底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2ρ電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5^104eV,
前述阻氣層是向包含選自聚硅氮烷系化合物、聚有機(jī)硅氧烷系化合物、聚硅烷系化合物、以及聚碳硅烷系化合物中的至少I(mǎi)種的高分子層中注入離子而得到的層。(2)成形體，其特征在于，其為基材層、包含含硅化合物的底漆層以及阻氣層依次層疊而成的成形體，前述底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5 104eV,前述阻氣層由至少包含氧原子和娃原子的材料構(gòu)成,其表層部中，相對(duì)于氧原子、氮原子以及硅原子的總存在量，氧原子的存在比率為6(Γ75%、氮原子的存在比率為0 10%、硅原子的存在比率為25 35%，且該表層部的膜密度為2.4 4.0g/cm3。(3)根據(jù)⑵所述的成形體，其特征在于，前述阻氣層為向包含聚硅氮烷系化合物的層注入離子而得到的層。(4)根據(jù)(I)或⑵所述的成形體，其特征在于，從前述底漆層的、與前述阻氣層側(cè)的層分界部至深度方向IOnm的區(qū)域中，相對(duì)于碳原子、氧原子以及硅原子的總存在量，碳原子的存在比率為5.(Γ65.0%、氧原子的存在比率為25.(Γ70.0%、硅原子的存在比率為
3.0 30.0%。(5)根據(jù)(I)或(2)所述的成形體，其特征在于，前述聚硅氮烷系化合物為全氫聚
硅氮烷。(6)根據(jù)(I)或(2)所述的成形體，其特征在于，前述離子是將選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙以及氪中的至少一種氣體離子化而成的。(7)根據(jù)(I)或(2)所述的成形體，其特征在于，前述離子的注入是利用等離子體離子注入法而進(jìn)行的。(8)根據(jù)(I)或(2)所述的成形體，其特征在于，40°C、相對(duì)濕度為90%的氣氛下的水蒸氣透過(guò)率低于0.50g/m2/天。(9)成形體的制造方法，其為前述(I)所述的成形體的制造方法，其具備下述工序:在基材上形成底漆層的工序，所述底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5 104eV;在前述底漆層上形成包含選自聚硅氮烷系化合物、聚有機(jī)硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物以及聚硅烷系化合物中的至少一種的高分子層的工序；以及通過(guò)向前述高分子層的表面部注入離子而形成阻氣層的工序。(10)根據(jù)(9)所述的成形體的制造方法，其中，前述注入離子的工序是離子注入選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙以及氪中的至少一種氣體的工序。(11)根據(jù)(9)所述的成形體的制造方法，其中，前述注入離子的工序是利用等離子體離子注入法進(jìn)行離子注入的工序。(12)電子裝置用構(gòu)件，其包含前述⑴或(2)所述的成形體。(13)電子裝置，其具備前述(12)所述的電子裝置用構(gòu)件。發(fā)明效果
本發(fā)明的成形體的層間密合性和阻氣性?xún)?yōu)異。另外，本發(fā)明的成形體除了層間密合性和阻氣性之外，還可以賦予透明性。因此，本發(fā)明的成形體適合用作太陽(yáng)能電池等的電子裝置用構(gòu)件(例如太陽(yáng)能電池背板)。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可以簡(jiǎn)便且高效地制造層間密合性和阻氣性?xún)?yōu)異的本發(fā)明的成形體。另外，能夠以低于無(wú)機(jī)膜成膜的成本容易地實(shí)現(xiàn)大面積化。本發(fā)明的電子裝置用構(gòu)件的層間密合性和阻氣性?xún)?yōu)異，因此適用于觸摸面板、電子紙、有機(jī)/無(wú)機(jī)EL的柔性顯示器、太陽(yáng)能電池等電子裝置等。
具體實(shí)施例方式以下，將本發(fā)明分 為I)成形體、2)成形體的制造方法、以及3)電子裝置用構(gòu)件和電子裝置來(lái)詳細(xì)說(shuō)明。I)成形體
本發(fā)明的成形體的特征在于，其為基材層、底漆層以及阻氣層依次層疊而成的成形體，前述底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5^104eV,前述阻氣層是向包含選自聚娃氮燒系化合物、聚有機(jī)娃氧燒系化合物、聚碳娃燒系化合物以及聚硅烷系化合物中的至少I(mǎi)種的高分子層中注入離子而得到的層，或者是如下層:所述層由至少包含氧原子和硅原子的材料構(gòu)成，其表層部中，相對(duì)于氧原子、氮原子以及硅原子的總存在量，氧原子的存在比率為6(Γ75%、氮原子的存在比率為(Γ10%、硅原子的存在比率為25 35%，且該表層部的膜密度為2.Γ4.0g/cm3。(基材層)
本發(fā)明的成形體具有基材層。作為該基材層的原材料，只要符合成形體的目的就沒(méi)有特別限定。例如可列舉出聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系樹(shù)脂、環(huán)烯烴系聚合物、芳香族系聚合物等合成樹(shù)脂。這些之中，從透明性?xún)?yōu)異、具有通用性的方面出發(fā)，優(yōu)選為聚酯、聚酰胺、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯或環(huán)烯烴系聚合物，更優(yōu)選為聚酯或環(huán)烯烴系聚合物。作為聚酯，可列舉出聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等。作為聚酰胺，可列舉出全芳香族聚酰胺、尼龍6、尼龍66、尼龍共聚物等。
作為環(huán)烯烴系聚合物，可列舉出降冰片烯系聚合物、單環(huán)的環(huán)狀烯烴系聚合物、環(huán)狀共軛二烯系聚合物、乙烯基脂環(huán)式烴聚合物、以及它們的氫化物。作為其具體例子，可列舉出APEL (三井化學(xué)株式會(huì)社制造的乙烯-環(huán)烯烴共聚物),ARTON(JSR CORPORATION制造的降冰片烯系聚合物)、ZEONOR (Zeon Corporation制造的降冰片烯系聚合物)等。作為基材層的厚度，沒(méi)有特別限定，可以配合成形體的目的來(lái)進(jìn)行決定，通常為0.5 500 μ m,優(yōu)選為 Γ ΟΟ μ m。(底漆層)
本發(fā)明的成形體在前述基材層與后述的阻氣層之間具有底漆層。該底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置為101.5 104eV、優(yōu)選為101.5 102.7eV、更優(yōu)選為101.9 102.5eV、進(jìn)一步優(yōu)選為 102.0 102.3eV。通過(guò)形成所述底漆層，可以提高基材層與阻氣層的層間密合性。硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置的值隨著與硅原子鍵合的原子而變化，與氧等電負(fù)性大的原子鍵合的硅原子存在前述峰位置的值變大的傾向。這種與氧鍵合的硅原子有助于提高與包含硅化合物的前述阻氣層的密合性。前述峰位置的值高時(shí)，與阻氣層的密合性提高而與基材的密合性降低。相反地，峰位置的值低時(shí)，與基材的密合性提高而與阻氣層的密合性降低。因此，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于上述范圍時(shí)，與阻氣層的密合性以及與基材層的密合性?xún)烧呔撸梢蕴岣呋膶优c阻氣層的層間密合性。需要說(shuō)明的是，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置的測(cè)定按照實(shí)施例中說(shuō)明的方法進(jìn)行。

對(duì)于本發(fā)明中使用的底漆層，優(yōu)選的是，從該底漆層與阻氣層側(cè)的層分界部至深度方向IOnm的區(qū)域中，相對(duì)于碳原子、氧原子以及硅原子的總存在量，碳原子的存在比率為5.(Γ65.0%、氧原子的存在比率為25.(Γ70.0%、硅原子的存在比率為3.(Γ30.0%。更優(yōu)選的是，碳原子的存在比率為1(Γ35%、氧原子的存在比率為4(Γ65%、硅原子的存在比率為22 25%，特別優(yōu)選的是，碳原子的存在比率為1(Γ16%、氧原子的存在比率為60 65%、硅原子的存在比率為23 25%。作為這種底漆層的形成材料，例如可列舉出至少具有硅原子、碳原子以及氧原子的硅烷化合物的水解產(chǎn)物；添加有該水解產(chǎn)物的有機(jī)樹(shù)脂(粘結(jié)劑樹(shù)脂)等(以下，有時(shí)將它們統(tǒng)稱(chēng)為“含硅化合物”。)。該底漆層包含以重量比計(jì)優(yōu)選為50%以上、更優(yōu)選為90%以上的含硅化合物。底漆層為包含含硅化合物的層時(shí)，離子的穿透性低，如后述那樣，在向包含選自聚硅氮烷系化合物、聚有機(jī)硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物以及聚硅烷系化合物中的I種或2種以上的高分子層注入離子而形成阻氣層的情況下，即使離子通過(guò)高分子層也不會(huì)到達(dá)基材層。因此，可以防止離子到達(dá)基材層而使基材層的樹(shù)脂碳化而著色(損害透明性)。需要說(shuō)明的是，底漆層自身也不會(huì)碳化著色，不會(huì)降低成形體的透明性。需要說(shuō)明的是，前述碳原子、氧原子以及硅原子的存在比率通過(guò)利用X射線(xiàn)光電子能譜分析(XPS)進(jìn)行元素分析測(cè)定來(lái)算出。
作為含硅化合物的具體例子，可列舉出至少具有硅原子、碳原子以及氧原子的硅烷化合物；該硅烷化合物的水解產(chǎn)物；添加有硅溶膠的有機(jī)樹(shù)脂(粘結(jié)劑樹(shù)脂)。作為前述至少具有硅原子、碳原子以及氧原子的硅烷化合物，可以使用現(xiàn)有公知的硅烷化合物。例如可列舉出甲基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基二乙氧基娃燒、3-環(huán)氧丙氧基丙基二乙氧基娃燒、3-氣基丙基二甲氧基娃燒、乙稀基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-異氰酸酯基丙基二乙氧基娃燒、3-疏基丙基二甲氧基娃燒、乙稀基二乙氧基娃燒、乙稀基二甲氧基娃燒、Y -甲基丙烯酸氧基丙基二甲氧基娃燒、N- (2-氨基乙基)-3_氨基丙基二甲氧基娃燒、Y _氛基丙基二乙氧基娃燒、Y _疏基丙基二甲氧基娃燒、3-氣丙基二甲氧基娃燒等3官能娃燒化合物；_二甲基_二甲氧基娃燒、_二甲基_二乙氧基娃燒、乙稀基甲基_■乙氧基娃烷、Y -環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)_3_氣基丙基甲基_二甲氧基娃燒等2官能娃燒化合物；四甲氧基娃燒、四乙氧基娃燒、四丁氧基硅烷等4官能硅烷化合物與前述3官能硅烷化合物或2官能硅烷化合物的組合；等等。另外，前述硅烷化合物可以分別單獨(dú)使用一種，或組合使用兩種以上。前述硅烷化合物的水解產(chǎn)物(以下，有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為“硅溶膠”。)可以通過(guò)所謂的溶膠凝膠法以硅烷化合物作為起始原料來(lái)獲得。溶膠凝膠法是使硅烷化合物的至少一種溶劑溶液(溶膠)在酸或堿催化劑的存在下進(jìn)行水解、縮聚反應(yīng)來(lái)獲得凝膠體的反應(yīng)。作為催化劑，可以使用鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸等酸催化劑或三乙基胺、吡啶等堿催化劑，優(yōu)選為酸催化劑。硅溶膠的末端可以不經(jīng)修飾，也可以用氨基等進(jìn)行改性。作為添加硅溶膠的有機(jī)樹(shù)脂(粘結(jié)劑樹(shù)脂)，例如可列舉出聚氨基甲酸丙烯酸酯系樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂等。硅溶膠的添加量相對(duì)于硅溶膠與有機(jī)樹(shù)脂的總量整體以重量比計(jì)優(yōu)選為209Γ80%左右，更優(yōu)選為50°/Γ70%。底漆層可以如下形成:將前述含硅化合物的至少一種溶解或分散于適當(dāng)?shù)娜軇┲卸傻牡灼釋有纬捎萌芤和扛苍诨膶由?，使所得涂膜干燥，根?jù)期望進(jìn)行加熱和/或光照射，從而形成。作為所用溶劑，可列舉出醋酸乙酯、醋酸丙酯等酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮等酮系溶劑；苯、甲苯等芳香族烴系溶劑；戊烷、己烷等飽和烴系溶劑；以及包含這些溶劑的2種以上的混合溶劑；等等。另外，作為底漆層形成用溶液，也可以直接使用市售品。例如可列舉出以硅酸乙酯為主成分的溶膠凝膠涂布液(商品名:Colcoat PX, Colcoat C0., Ltd.制造)等。作為將底漆層形成用溶液涂覆至基材層的方法，可以使用通常的濕式涂布方法。例如可列舉出浸潰法、輥涂法、凹版涂布法、刮刀涂布法、氣刀涂布法、輥刮刀涂布法、擠壓涂布法、網(wǎng)版印刷、噴涂法、凹版膠印法(gravure offset method)等。作為對(duì)底漆層形成用溶液的涂膜進(jìn)行干燥的方法，可列舉出熱風(fēng)干燥、熱輥干燥、紅外線(xiàn)照射等現(xiàn)有公知的干燥方法。另外，在所用含硅化合物為具有甲基丙烯酰氧基之類(lèi)的聚合性基團(tuán)的硅烷化合物的水解產(chǎn)物的情況下，也可以向前述包含含硅化合物的溶液中添加光聚合引發(fā)劑，制備底漆層形成用溶液，在成膜后利用公知的方法進(jìn)行光照射(紫外線(xiàn)照射)來(lái)使其固化。作為所用光聚合引發(fā)劑，沒(méi)有特別限定，可以使用現(xiàn)有公知的光聚合引發(fā)齊U。例如可列舉出2，4，6-三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香正丁醚、安息香異丁醚、苯乙酮、二甲基氨基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代-丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯甲酮、對(duì)苯基二苯甲酮、4，4’ - 二乙基氨基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-氯代噻噸酮、2，4- 二甲基噻噸酮、2，4- 二乙基噻噸酮、芐基二甲基縮酮、苯乙酮二甲基縮酮、對(duì)二甲基氨基安息香酸酯、低聚[2-羥基-2-甲基-1[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙麗]等。如此操作得到的底漆層的透明性高、與阻氣層的層間密合性?xún)?yōu)異。所得底漆層的厚度通常為I lOOOnm、優(yōu)選為5 lOOnm。(阻氣層)
本發(fā)明的成形體在前述基材層上形成的底漆層上具有阻氣層。阻氣層是具有阻斷性質(zhì)以使空氣、水蒸氣等氣體不會(huì)通過(guò)的層。本發(fā)明的成形體的阻氣層是如下層:
(I)向包含選自聚硅氮烷系化合物、聚有機(jī)硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物、以及聚硅烷系化合物中的至少I(mǎi)種的高分子層注入離子而得到的層(以下，有時(shí)將注入離子而得到的阻氣層稱(chēng)為“離子注入層”。);或者 (II)該層由至少包含氧原子和硅原子的材料構(gòu)成，其表層部中，相對(duì)于氧原子、氮原子以及硅原子的總存在量，氧原子的存在比率為6(Γ75%、氮原子的存在比率為(Γ10%、硅原子的存在比率為25 35%，且該表層部的膜密度為2.Γ4.0g/cm3?！沧铓鈱?I)〕
從能夠形成具有優(yōu)異阻氣性的阻氣層的觀點(diǎn)出發(fā)，阻氣層(I)中，前述高分子層中的聚硅氮烷系化合物、聚有機(jī)硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物和/或聚硅烷系化合物(以下，有時(shí)將它們統(tǒng)稱(chēng)為“高分子化合物”。)的含量?jī)?yōu)選為50重量％以上，更優(yōu)選為70重量％以上。本發(fā)明中使用的聚硅氮烷化合物為分子內(nèi)具有包含-S1-N-鍵的重復(fù)單元的高分子。具體而言，可列舉出具有式(I)所示的重復(fù)單元的化合物。
(Rx Rz \
I I \
-Si—(I)
RyI H
式⑴中，η表示任意自然數(shù)。Rx> Ry> Rz各自獨(dú)立地表不氧原子、未取代或具有取代基的燒基、未取代或具有取代基的環(huán)烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基或者烷基甲硅烷基等非水解性基團(tuán)。
作為前述未取代或具有取代基的烷基中的烷基，例如可列舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳原子數(shù)f 10的烷基。作為未取代或具有取代基的環(huán)烷基中的環(huán)烷基，可列舉出環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基等碳原子數(shù)3 10的環(huán)烷基。作為未取代或具有取代基的烯基中的烯基，例如可列舉出乙烯基、1-丙烯基、
2-丙烯基、1- 丁烯基、2- 丁烯基、3- 丁烯基等碳原子數(shù)2 10的烯基。作為前述烷基、環(huán)烷基以及烯基的取代基，可列舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等齒素原子；輕基；疏基；環(huán)氧基；環(huán)氧丙氧基；(甲基)丙稀酸氧基；苯基、4_甲基苯基、
4-氯苯基等未取代或具有取代基的芳基；等等。作為未取代或具有取代基的芳基中的芳基，例如可列舉出苯基、1-萘基、2-萘基等碳原子數(shù)6 10的芳基。作為前述芳基的取代基，可列舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子；甲基、乙基等碳原子數(shù)1飛的烷基；甲氧基、乙氧基等碳原子數(shù)1飛的烷氧基；硝基；氰基；羥基；疏基；環(huán)氧基；環(huán)氧丙氧基；(甲基)丙稀酸氧基；苯基、4_甲基苯基、4_氣苯基等未取代或具有取代基的芳基；等等。作為烷基甲硅烷基，可列舉出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三異丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、甲基二乙基甲硅烷基、二甲基甲硅烷基、二乙基甲硅烷基、甲基甲硅燒基、乙基甲娃燒基等。這些之中，作為R x、Ry、Rz，優(yōu)選為氫原子、碳原子數(shù)1飛的烷基或苯基，特別優(yōu)選為氫原子。作為具有前述式(I)所示的重復(fù)單元的聚硅氮烷化合物，可以是Rx、Ry、Rz均為氫原子的無(wú)機(jī)聚硅氮烷、或Rx、Ry、Rz中的至少一個(gè)不是氫原子的有機(jī)聚硅氮烷中的任一種。作為無(wú)機(jī)聚硅氮烷，可列舉出:
具有包含下述式(式中，a表示任意自然數(shù))所示的重復(fù)單元的直鏈狀結(jié)構(gòu)、具有690^2000的分子量、一分子中具有3 10個(gè)SiH3基的全氫聚硅氮烷(日本特公昭63-16325號(hào)公報(bào))；
權(quán)利要求
1.成形體，其特征在于，其為基材層、底漆層以及阻氣層依次層疊而成的成形體， 所述底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5^104eV,所述阻氣層是向包含選自聚娃氮燒系化合物、聚有機(jī)娃氧燒系化合物、聚碳娃燒系化合物以及聚硅烷系化合物中的至少I(mǎi)種的高分子層中注入離子而得到的層。
2.成形體，其特征在于，其為基材層、包含含硅化合物的底漆層以及阻氣層依次層疊而成的成形體，所述底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5^104eV,所述阻氣層由至少包含氧原子和硅原子的材料構(gòu)成，其表層部中，相對(duì)于氧原子、氮原子以及硅原子的總 存在量，氧原子的存在比率為6(Γ75%、氮原子的存在比率為(Γ10%、硅原子的存在比率為25 35%，且該表層部的膜密度為2.Γ4.0g/cm3。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成形體，其特征在于，所述阻氣層是向包含聚硅氮烷系化合物的層注入離子而得到的層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成形體，其特征在于，從所述底漆層的、與所述阻氣層側(cè)的層分界部至深度方向IOnm的區(qū)域中，相對(duì)于碳原子、氧原子以及硅原子的總存在量，碳原子的存在比率為5.(Γ65.0%、氧原子的存在比率為25.(Γ70.0%、硅原子的存在比率為3.0 30.0%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成形體，其特征在于，所述聚硅氮烷系化合物為全氫聚硅氮燒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的成形體，其特征在于，所述離子是將選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙以及氪中的至少一種氣體離子化而成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的成形體，其特征在于，所述離子的注入是利用等離子體離子注入法而進(jìn)行的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的成形體，其特征在于，40°C、相對(duì)濕度為90%的氣氛下的水蒸氣透過(guò)率低于0.50g/m2/天。
9.成形體的制造方法，其為權(quán)利要求1所述的成形體的制造方法，其具備: 在基材上形成底漆層的工序，所述底漆層由如下材料構(gòu)成:所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5 104eV ； 在所述底漆層上形成包含選自聚硅氮烷系化合物、聚有機(jī)硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物以及聚硅烷系化合物中的至少一種的高分子層的工序；以及通過(guò)向所述高分子層的表面部注入離子而形成阻氣層的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成形體的制造方法，其中，所述注入離子的工序是離子注入選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙以及氪中的至少一種氣體的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成形體的制造方法，其中，所述注入離子的工序是利用等離子體離子注入法進(jìn)行離子注入的工序。
12.電子裝置用構(gòu)件，其包含權(quán)利要求1或3所述的成形體。
13.電子裝置，其具備權(quán)利要求12所述的電子裝置用構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種成形體、其制造方法、包含前述成形體的電子裝置用構(gòu)件、以及具備前述電子裝置用構(gòu)件的電子裝置，所述成形體的特征在于，其為基材層、底漆層以及阻氣層依次層疊而成的成形體，前述底漆層由如下材料構(gòu)成所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定中，硅原子的2p電子軌道的結(jié)合能的峰位置處于101.5~104eV；前述阻氣層是(I)向包含選自聚硅氮烷系化合物、聚有機(jī)硅氧烷系化合物、聚硅烷系化合物以及聚碳硅烷系化合物中的至少1種的高分子層中注入離子而得到的層，或者是如下層(II)所述層由至少包含氧原子和硅原子的材料構(gòu)成，其表層部中，相對(duì)于氧原子、氮原子以及硅原子的總存在量，氧原子的存在比率為60~75%、氮原子的存在比率為0~10%、硅原子的存在比率為25~35%，且該表層部的膜密度為2.4~4.0g/cm3。
文檔編號(hào)B32B27/00GK103209834SQ201180055950
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者鈴木悠太, 近藤健 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社