專利名稱：熱打印頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱打印頭及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖30和圖31表示現(xiàn)有的熱打印頭。圖30所示的熱打印頭X1為依次疊層絕緣基板90，瓷釉層91，電阻體92，電極93a、93b，和保護(hù)層94形成的結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻(xiàn)1)。在電阻體92中，位于電極93a、93b之間的部分為發(fā)熱部92a。利用該發(fā)熱部92a的發(fā)熱作用，可以向熱敏記錄介質(zhì)打印。
然而，在制造熱打印頭X1的情況下，在形成電阻體92后，形成電極93a、93b。例如通過(guò)將樹脂酸(resinate)金印刷在電阻體92上，進(jìn)行燒制，形成電極93a、93b。由于用于該燒制的加熱，會(huì)導(dǎo)致電阻體92氧化變質(zhì)。
與此相對(duì)，在圖31所示的熱打印頭X2中，電阻體92和電極93a、93b的疊層順序與圖30所示的熱打印頭X1相反。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在形成電極93a、93b的階段，未形成電阻體92。由此，能夠消除因電極93a、93b的燒制引起的電阻體92氧化的問(wèn)題。
然而，如下所示，在圖31所示的熱打印頭X2中，還存在尚未改善的地方。
第一，電極93a、93b在瓷釉層91的表面上，產(chǎn)生與電極93a、93b的厚度相當(dāng)?shù)母叩筒町怘。在產(chǎn)生高低差異H的部分，電阻體92以驟然的角度彎曲。以驟然的角度彎曲，難以適當(dāng)?shù)匦纬呻娮梵w92。另外，電阻體92在上述彎曲部分容易產(chǎn)生斷線。
第二，電阻體92的發(fā)熱部92a沉入電極93a、93b之間。因此，在將熱敏記錄介質(zhì)配置在保護(hù)層94上，進(jìn)行打印的情況下，該熱敏記錄介質(zhì)和發(fā)熱部92a之間的距離比較大。由此，從發(fā)熱部92a向熱敏記錄介質(zhì)的傳熱效率降低。由于這樣，打印濃度降低，難以得到高畫面質(zhì)量的打印。另外，不適合高速打印。
第三，在保護(hù)層94的表面上，產(chǎn)生與電極93a、93b和電阻體92對(duì)應(yīng)的高低差別。熱敏錄用油墨帶的油墨成分或熱敏紙的紙粉成分等容易堆積在該高低差別部分。另外，在使熱敏記錄介質(zhì)與保護(hù)層94的表面接觸同時(shí)進(jìn)行搬送時(shí)的平穩(wěn)性也劣化。
專利文獻(xiàn)1日本特開2001-246770號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是考慮上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種熱打印頭及其制造方法。該熱打印頭可減少在電阻體上產(chǎn)生斷線的危險(xiǎn)，同時(shí)，從電阻體的發(fā)熱部向熱敏記錄介質(zhì)的傳感效率高，可以順利地搬送熱敏紙。
本發(fā)明的第一方面提供一種熱打印頭，包括基板；在上述基板上形成的瓷釉層；在上述瓷釉層上，互相隔開間隔設(shè)置的多個(gè)電極；跨過(guò)上述多個(gè)電極，在這些多個(gè)電極上和上述瓷釉層上重合形成的電阻體。其特征在于，上述各電極中，至少上述電阻體重合的部分相對(duì)于沉入所述瓷釉層中。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，上述各電極中，上述電阻體重合的部分下沉至其表面與上述瓷釉層的表面在同一面內(nèi)的深度。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，還具有覆蓋上述多個(gè)電極和上述電阻體的保護(hù)層。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，上述多個(gè)電極，由熔點(diǎn)高于上述瓷釉層的軟化溫度、且比重大于上述瓷釉層的金屬構(gòu)成。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，上述電阻體的寬度，小于上述各電極中上述電阻體重合部分的寬度。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，上述電阻體為沿主掃描方向延伸的帶狀。上述多個(gè)電極，包括多個(gè)單獨(dú)電極和至少一個(gè)以上的共用電極。上述共用電極，包括在副掃描方向上與上述電阻體離開、且沿主掃描方向延伸的至少一個(gè)以上的帶狀部；和從上述帶狀部橫穿上述電阻體，沿副掃描方向延伸，且在副掃描方向上排列的多個(gè)枝部。上述多個(gè)單獨(dú)電極，分別包括橫穿上述電阻體，在副掃描方向帶有的帶狀部，而且與上述共用電極的上述多個(gè)枝部在主掃描方向上交替排列。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，上述共用電極具有隔著上述電阻體、在副掃描方向離開的一對(duì)上述帶狀部。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，至少一個(gè)以上的上述枝部與上述一對(duì)帶狀部連接。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，在上述多個(gè)電極上形成有用于導(dǎo)線接合的接合墊片，各接合墊片從上述瓷釉層突出。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，上述接合墊片從上述瓷釉層突出的高度為1μm以上。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，上述接合墊片的厚度大于上述各電極中上述接合墊片以外的部分。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，上述接合墊片，包括其表面與上述瓷釉層的表面在同一面內(nèi)的主體層，和在該主體層上形成的追加層。
在本發(fā)明的第二方面提供一種熱打印頭的制造方法，包括在基板上形成的瓷釉層上，互相隔開間隔形成多個(gè)電極的工序；在上述瓷釉層和上述多個(gè)電極上以跨過(guò)上述多個(gè)電極的方式重合形成電阻體的工序。還包括電極沉下工序，在形成上述多個(gè)電極后、形成上述電阻體前，通過(guò)加熱上述瓷釉層的至少一部分，使其軟化，使上述各電極的至少一部分逐一地沉入上述瓷釉層中。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，形成上述電阻體的工序，在形成電阻體材料的膜后，通過(guò)對(duì)該膜實(shí)施干式蝕刻進(jìn)行。這里，所謂干式蝕刻，是指利用離子化的氣體的物理能量進(jìn)行的蝕刻，或合并使用離子化而被活化的反應(yīng)性氣體的物理能量和化學(xué)作用的蝕刻等，例如包括濺射、離子束蝕刻(離子束濺射)、等離子體灰化、等離子體蝕刻、RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)等。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，在上述電極沉下工序前，還包括在上述各電極的一部分上形成追加層的工序。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，在上述電極沉下工序后，還包括形成與上述各電極的至少一部分重合的追加層的工序。
本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)和特征，由以下進(jìn)行的發(fā)明實(shí)施方式的說(shuō)明中更加清楚。


圖1為表示本發(fā)明的熱打印頭的第一實(shí)施方式的主要部分的平面圖。
圖2為沿圖1的II-II線的主要部分的截面圖。
圖3為表示在圖1和圖2所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成瓷釉層的工序的主要部分的平面圖。
圖4為沿圖3的IV-IV線的主要部分的截面圖。
圖5為表示在圖1和圖2所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成電極的工序的主要部分的平面圖。
圖6為沿圖5的VI-VI線的主要部分的截面圖。
圖7為表示在圖1和圖2所示的熱打印頭的制造方法的一例中，電極沉下的工序的主要部分的截面圖。
圖8為表示在圖1和圖2所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成電阻體材料膜的工序的主要部分的平面圖。
圖9為沿圖8的IX-IX線的主要部分的截面圖。
圖10為表示在圖1和圖2所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成電阻體的工序的主要部分的平面圖。
圖11為沿圖10的XI-XI線的主要部分的截面圖。
圖12為表示本發(fā)明的熱打印頭的第二實(shí)施方式的主要部分的平面圖。
圖13為沿圖12的XIII-XIII線的主要部分的截面圖。
圖14為沿圖12的XIV-XIV線的主要部分的截面圖。
圖15為表示在圖12～圖14所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成瓷釉層的工序的主要部分的截面圖。
圖16為表示在圖12～圖14所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成金薄膜的工序的主要部分的截面圖。
圖17為表示在圖12～圖14所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成金薄膜的工序的主要部分的平面圖。
圖18為沿圖17的XVIII-XVIII線的主要部分的截面圖。
圖19為表示在圖12～圖14所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成電極的工序的主要部分的平面圖。
圖20為沿圖19的XX-XX線的主要部分的截面圖。
圖21為表示在圖12～圖14所示的熱打印頭的制造方法的一例中，電極沉下工序的主要部分的截面圖。
圖22為表示在圖12～圖14所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成電阻體材料薄膜的工序的主要部分的截面圖。
圖23為表示在圖12～圖14所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成電阻體和保護(hù)層的工序的主要部分的截面圖。
圖24為表示本發(fā)明的熱打印頭的第三實(shí)施方式的主要部分的平面圖。
圖25為沿圖24的XXV-XXV線的主要部分的截面圖。
圖26為表示在圖24和圖25所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成電極的工序的主要部分的截面圖。
圖27為表示在圖24和圖25所示的熱打印頭的制造方法的一例中，電極沉下工序的主要部分的截面圖。
圖28為表示在圖24和圖25所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成金薄膜的工序的主要部分的截面圖。
圖29為表示在圖24和圖25所示的熱打印頭的制造方法的一例中，形成電極的工序的主要部分的截面圖。
圖30為表示現(xiàn)有的熱打印頭的一例的主要部分的截面圖。
圖31為表示現(xiàn)有的熱打印頭的另一例的主要部分的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，具體地說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
圖1和圖2表示本發(fā)明的熱打印頭的第一實(shí)施方式。本實(shí)施方式的熱打印頭A1包括基板1、瓷釉層2、多個(gè)電極3a～3c、多個(gè)電阻體4和保護(hù)層5。但在圖1中省略保護(hù)層5。
基板1為沿主掃描方向y延伸的平面視長(zhǎng)矩形的平板狀，為例如陶瓷制的絕緣基板。瓷釉層2例如通過(guò)印刷、燒制非晶質(zhì)的玻璃糊劑，在基板1上形成，發(fā)揮著使蓄熱性良好的作用和使形成多個(gè)電極3a～3c的表面平滑的作用。該瓷釉層2具有表面作成凸?fàn)钋娴穆∑鸩?0。該隆起部20發(fā)揮著提高保護(hù)層5中與后述的發(fā)熱部40對(duì)應(yīng)的部分和油墨帶或熱敏紙等熱敏記錄介質(zhì)之間的接觸壓力。
多個(gè)電極3a～3c例如通過(guò)印刷、燒制樹脂酸金糊劑形成，形成在瓷釉層2上。各電極3b為具有二個(gè)端部的“コ”形，在基板1的一側(cè)邊緣附近，如圖2所示，位于瓷釉層2的隆起部20上。
如圖1所示，電極3a、3c沿副掃描方向x延伸。電極3a的一端部與電極3b的一端部隔開間隔。通電控制用的驅(qū)動(dòng)IC(圖中省略)與電極3a的另一端部連接。電極3c的一端部分支成二股狀，與電極3b的另一端部隔開間隔。電極3c的另一端部與公共線路(圖中省略)連接。如果上述驅(qū)動(dòng)IC接通，電流從上述公共線路經(jīng)由電極3c，在電阻體4和電極3b、3a中流動(dòng)。
如圖2所示，多個(gè)電極3a～3c沉入瓷釉層2內(nèi)。由于該下沉，多個(gè)電極3a～3c的表面與瓷釉層2的表面大致在同一面內(nèi)。即，多個(gè)電極3a～3c的表面和瓷釉層2的表面之間的階梯差為零或幾乎近似于零。
多個(gè)電阻體4分別跨過(guò)電極3b的兩端部和電極3a、3c的一端部，與瓷釉層2和電極3a～3c重合形成，沿主掃描方向y排列。電阻體4的材質(zhì)為例如TaSiO2。各電阻體4的寬度W4小于電極3a～3c中與各個(gè)電阻體4重合部分的寬度W3。在本實(shí)施方式中，W3為25μm左右，W4為23μm左右。
保護(hù)層5以覆蓋瓷釉層2、電極3a～3c和電阻體4的方式形成。保護(hù)層5例如與瓷釉層2同樣，通過(guò)印刷、燒制玻璃糊劑形成。保護(hù)層5用于避免電極3a～3c和電阻體4等與上述熱敏記錄介質(zhì)直接接觸、或受到化學(xué)或電的侵害。另外，保護(hù)層5用于提高表面平滑性。如果表面平滑性提高，由于減輕保護(hù)層5和上述熱敏記錄介質(zhì)在印刷時(shí)的摩擦，可以進(jìn)行更平穩(wěn)的印刷。
下面，說(shuō)明熱打印頭A1的作用。
本實(shí)施方式的熱打印頭A1處于瓷釉層2的表面與電極3a～3c的表面之間的階梯差為零或幾乎近似于零的狀態(tài)，在電阻體4上不形成以驟然角度增大的彎曲部分。因此，在電阻體4中難以產(chǎn)生斷線。另外，由于電阻體4的發(fā)熱部40不是在大量沉入電極3a、3c和電極3b之間的狀態(tài)，因此發(fā)熱部40和上述熱敏記錄介質(zhì)之間的距離小于圖30和圖31所示的現(xiàn)有熱打印頭X1、X2。因此，從發(fā)熱部40向上述熱敏記錄介質(zhì)的傳熱效率高，打印濃度濃。由此，可以進(jìn)行高畫面質(zhì)量的打印和高速打印。并且，覆蓋瓷釉層2和電極3a～3c的保護(hù)層5的表面的階梯差小。因此，能夠抑制例如油墨帶的油墨成分堆積在保護(hù)層5的表面的階梯差部分上。并且，能夠使作為上述熱敏記錄介質(zhì)的熱敏紙與保護(hù)層5的表面接觸，同時(shí)順利地搬送。
另外，在熱打印頭A1的制造工序中，有時(shí)電阻體4和電極3a～3c會(huì)在它們的寬度方向偏移的狀態(tài)下形成。與本實(shí)施方式不同，在電阻體4和電極3a～3c為相同寬度的結(jié)構(gòu)中，電阻體4和電極3a～3c重合的部分的寬度僅減小上述寬度方向位置偏移的大小。這樣，電流在電阻體4中流過(guò)發(fā)熱的區(qū)域的大小不一致，打印點(diǎn)的大小產(chǎn)生分散。在本實(shí)施方式中，電阻體4的寬度W4小于電極3a～3c中與電阻體4重合部分的寬度W3。由于這樣，即使形成電阻體4和電極3a～3c時(shí)，它們寬度方向位置產(chǎn)生偏移，也能夠抑制電阻體4從電極3a～3c不適當(dāng)?shù)赝怀?。因此，可使電阻體4和電極3a～3c重合的部分的寬度為定值，能夠防止打印點(diǎn)的分散。
其次，參照?qǐng)D3～圖11，說(shuō)明熱打印頭A1的制造方法的一例。圖3～圖11為表示本實(shí)施方式的熱打印頭A1的制造方法中一系列工序的主要部分的平面圖和主要部分的截面圖。
首先，如圖3和圖4所示，準(zhǔn)備基板1，在該基板1上形成瓷釉層2。該形成是通過(guò)印刷、燒制非晶質(zhì)玻璃糊劑進(jìn)行。作為非晶質(zhì)玻璃糊劑的玻璃成分，可以使用例如玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)為680℃，玻璃軟化點(diǎn)為865℃的玻璃。
然后，如圖5和圖6所示，在瓷釉層2的圖中的上面形成電極3a～3c。該形成是通過(guò)在印刷、燒制樹脂酸金糊劑后，實(shí)施印刻圖案進(jìn)行。
如圖7所示，在形成電極3a～3c后，使電極3a～3c沉入瓷釉層2中。該處理通過(guò)將瓷釉層2加熱至例如從玻璃組分的玻璃軟化點(diǎn)到玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)的范圍內(nèi)，使瓷釉層2軟化而進(jìn)行。一旦瓷釉層2軟化，電極3a～3c由于其自重沉入瓷釉層2內(nèi)。該沉入量可通過(guò)調(diào)整上述加熱的溫度或時(shí)間進(jìn)行控制，在電極3a～3c的表面與瓷釉層2的表面在同一面內(nèi)的時(shí)刻或在其以前，消除瓷釉層2的軟化狀態(tài)即可以。
在形成電極3a～3c之后，形成電阻體4。形成該電阻體4時(shí)，首先，如圖8和圖9所示，以覆蓋電極3a～3c的方式形成電阻體膜4A。該電阻體膜4A例如由TaSiO2形成，厚膜和薄膜均可。然后，通過(guò)對(duì)該電阻體膜4A實(shí)施干式蝕刻，如圖10和圖11所示，以分別跨過(guò)電極3b的二個(gè)端部和電極3a、3c的一端部的方式，形成多個(gè)電阻體4。此時(shí)，如上所述，形成電阻體4，使得寬度W4小于電極3a～3c中與電阻體4重合部分的寬度W3。
然后，通過(guò)使用玻璃糊劑的厚膜印刷和燒制，以覆蓋電極3a～3c和電阻體4的方式形成保護(hù)層5。或者也可以利用使用SiO2、SiAlON等的濺射法，形成保護(hù)層5。經(jīng)過(guò)這個(gè)工序，制造圖1和圖2所示的熱打印頭A1。
在本實(shí)施方式的熱打印頭A1的制造方法中，作為使多個(gè)電極3a～3c沉入瓷釉層2中的方法，采用通過(guò)加熱瓷釉層2使其在軟化狀態(tài)下，使電極3a～3c利用其自重下沉的方法。因此，與例如削去瓷釉層2的一部分，在該削去的部位形成電極3a～3c的方法相比，處理容易。另外，除了通過(guò)控制瓷釉層2的加熱溫度和加熱時(shí)間，能夠控制電極3a～3c在瓷釉層2中的下沉量以外，還能夠避免在瓷釉層2和電極3a～3c之間產(chǎn)生不適當(dāng)?shù)拈g隙。
在上述制造方法中，使用金作為電極3a～3c的材料。金的熔點(diǎn)比較高，比例如鋁的耐腐蝕性好。另外，金的比重大于構(gòu)成瓷釉層2的材料的比重。因此，通過(guò)加熱使瓷釉層2軟化時(shí)，不產(chǎn)生氧化等，能夠利用重力迅速地沉入瓷釉內(nèi)層2內(nèi)。
另外，通過(guò)利用干式蝕刻形成電阻體4，能夠正確地加工電阻體4的尺寸。由于這樣，在使電阻體4的寬度W4為小于電極3a～3c中與電阻體4重合部分的寬度W3的尺寸的情況下，不需要過(guò)度地增大這些寬度的差。例如，在使電極3a～3c下沉的工序中，隨著電極3a～3c下沉，產(chǎn)生在寬度方向相對(duì)的偏移的情況下，可以使寬度W3、W4的差等同于或適當(dāng)大于該偏移量。因此，能夠適當(dāng)?shù)胤乐褂蛇@種偏移引起的打印點(diǎn)產(chǎn)生分散。
圖12～圖29表示本發(fā)明的熱打印頭的另一個(gè)實(shí)施方式及其制造方法。并且，在這些圖中，對(duì)于與上述第一實(shí)施方式中已述的元件相同或類似的元件，用相同的符號(hào)表示，適當(dāng)省略其說(shuō)明。
圖12～圖14表示本發(fā)明的熱打印頭的第二實(shí)施方式。本實(shí)施方式的熱打印頭A2的多個(gè)電極的結(jié)構(gòu)和電阻體4的形狀與上述第一實(shí)施方式不同。并且，在圖12中，省略了保護(hù)層5。
如圖12所示，多個(gè)的單獨(dú)電極3d沿主掃描方向y排列配置。單獨(dú)電極3d具有帶狀部31和接合墊片32。
帶狀部31在副掃描方向X上延伸，橫穿電阻體4和瓷釉層2之間。接合墊片32為用于接合導(dǎo)線W的部分，如圖13所示，具有疊層主體層32a和追加層32b的結(jié)構(gòu)。本體層32a與帶狀部31連接，例如通過(guò)使用樹脂酸金糊劑的印刷、燒制形成。帶狀部31和主體層32a的厚度為0.6μm，其圖中的上面與瓷釉層2的表面大致在一個(gè)面內(nèi)。追加層32b為從瓷釉層2向圖中的上方突出、與導(dǎo)線W直接接合的部分。
追加層32b例如通過(guò)使用金糊劑的印刷、燒制形成，其厚度為1μm左右。這里所述的金糊劑與樹脂酸金糊劑不同，是例如金的顆?；烊胝澈蟿┲械暮齽?。使用樹脂酸金糊劑的成膜適合于形成厚度比較薄、平滑的膜；反之使用金糊劑的成膜適合于形成厚度比較厚的膜。另外，也可以通過(guò)例如使用金的濺射，代替使用金糊劑的印刷、燒制，形成追加層32b。
如圖12所示，共用電極3e具有一對(duì)帶狀部35、36和多個(gè)枝部37。一對(duì)帶狀部35、36為沿主掃描方向y延伸的帶狀，隔著電阻體4、在副掃描方向x上互相離開。多個(gè)枝部37為沿副掃描方x延伸的帶狀，在主掃描方向y上，與多個(gè)單獨(dú)電極3d交替地配置。一對(duì)帶狀部35、36由多個(gè)枝部37連接。
帶狀部35的一部分可以作為接合導(dǎo)線W用的接合墊片。如圖13所示，帶狀部35具有疊層主體層35a和追加層35b的結(jié)構(gòu)。主體層35a與多個(gè)枝部37和帶狀部36連接，例如通過(guò)使用樹脂酸金糊劑的印刷、燒制形成。主體層35a、多個(gè)枝部37和帶狀部36的厚度為0.6μm，其圖中的上面與瓷釉層2的表面大致在一個(gè)面內(nèi)。追加層35b與追加層32同樣，例如通過(guò)使用金糊劑的印刷、燒制形成，其厚度為1μm左右。
如圖12所示，電阻體4為沿主掃描方向y延伸的帶狀，如圖13所示，配置在瓷釉層2的隆起部20的圖中上方。如圖12和圖14所示，電阻體4與多個(gè)單獨(dú)電極3d的帶狀部31和共用電極3e的枝部37重合。在電阻體4中，被帶狀部31和枝部37夾著的部分為發(fā)熱部40。如圖14所示，通過(guò)使帶狀部31和枝部37與瓷釉層2在一個(gè)面內(nèi)，電阻體4在主掃描方向y上幾乎沒(méi)有階梯差，形成平滑的形狀。
在利用熱打印頭A2打印時(shí)，可利用圖外的驅(qū)動(dòng)IC，通過(guò)導(dǎo)線W，選擇任意的單獨(dú)電極3d。在被選擇的單獨(dú)電極3d和夾著該單獨(dú)電極3d的枝部37之間通電。這樣，發(fā)熱部40發(fā)熱。該熱傳遞至熱敏記錄介質(zhì)，進(jìn)行向該熱敏記錄介質(zhì)的印刷。
下面，說(shuō)明熱打印頭A2的作用。
采用本實(shí)施方式，如圖14所示，由于電阻體4在主掃描方向y上為平滑的形狀，在保護(hù)層5中覆蓋電阻體4的部分在主掃描方向y上也為平滑的形狀。由此，適于使保護(hù)層5中覆蓋電阻體4的部分與熱敏記錄介質(zhì)緊密貼合。特別是即使熱敏記錄介質(zhì)由塑料等比較硬的材質(zhì)形成，也可使保護(hù)層5和熱敏記錄介質(zhì)適當(dāng)?shù)鼐o密貼合。這樣，來(lái)自電阻體4的發(fā)熱部40的熱容易傳遞至熱敏記錄介質(zhì)。因此，采用熱打印頭A2可以進(jìn)行鮮明的打印。特別適用于在要求高精細(xì)化的情況下，鮮明地打印小型的各打印點(diǎn)。
向發(fā)熱部40的通電從一對(duì)帶狀部35、36完成。由于一對(duì)帶狀部35、36的合計(jì)面積比較大，因此適于抑制一對(duì)帶狀部35、36的電壓降低。另外，可以使帶狀部36的寬度比較細(xì)。如果帶狀部36的寬度細(xì)，能夠使電阻體4接近基板1的圖中右端。因此，有利于作為電阻體4配置在基板1的圖中右端附近的所謂近邊型(near edge)，構(gòu)成熱打印頭A2。
另外，接合有導(dǎo)線W的接合墊片32和帶狀部35從瓷釉層2突出。由此，即使在用于接合導(dǎo)線W的接合工具的前端大于接合墊片32的情況下，也可以避免該接合工具與瓷釉層2不適當(dāng)?shù)馗缮妗Ｒ虼?，能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行導(dǎo)線W的接合作業(yè)。另外，接合墊片32和帶狀部35的厚度合計(jì)為1.6μm左右，壁比較厚。這樣，能夠提高導(dǎo)線W的接合強(qiáng)度。
其次，參照?qǐng)D15～圖23，說(shuō)明熱打印頭A2的制造方法的一例。圖15～圖23為表示本實(shí)施方式的熱打印頭A2的制造方法中一系列工序的主要部分的平面圖和主要部分的截面圖。
首先，如圖15所示，準(zhǔn)備基板1，在基板1上形成瓷釉層2。瓷釉層2的形成是通過(guò)使用非晶質(zhì)的玻璃糊劑的厚膜印刷和燒制進(jìn)行的。
其次，如圖16所示，形成金的薄膜3A。金的薄膜3A的形成例如通過(guò)使用樹脂酸金糊劑的印刷、燒制進(jìn)行。此時(shí)，金的薄膜3A的厚度為0.6μm左右。
然后，如圖17和圖18所示，在金的薄膜3A上形成金的薄膜3B。這時(shí)，金的薄膜3B的厚度為1μm左右。另外，使金的薄膜3A中圖中右側(cè)部分從金的薄膜3B露出。金的薄膜3B的形成例如通過(guò)使用金糊劑的印刷、燒制進(jìn)行。另外，也可以不同于本實(shí)施方式，通過(guò)多次反復(fù)進(jìn)行使用樹脂酸金糊劑的印刷、燒制，形成金的薄膜3B?；蛘?，也可以通過(guò)使用金的濺射，形成金的薄膜3B。
在形成金的薄膜3A、3B后，通過(guò)對(duì)金的薄膜3A、3B實(shí)施印刻圖案，形成圖19和圖20所示的多個(gè)單獨(dú)電極3d和共用電極3e。該印刻圖案例如利用濕刻進(jìn)行。
接著，如圖21所示，使多個(gè)單獨(dú)電極3d和共用電極3e沉入瓷釉層2中。該電極沉下工序與參照?qǐng)D7說(shuō)明的方法相同地進(jìn)行。由此，使帶狀部31、枝部37和帶狀部36的圖中上面與瓷釉層2的表面在一個(gè)面內(nèi)。另一方面，接合墊片32和帶狀部35分別從瓷釉層2突出追加層32b、35b的厚度。
如圖22所示，在電極沉下工序后，形成電阻體膜4A。通過(guò)對(duì)該電阻體膜4A實(shí)施印刻圖案，形成圖23所示的電阻體4。另外，以覆蓋電阻體4、帶狀部36、帶狀部31的一部分和枝部37的一部分的方式形成保護(hù)層5。然后，經(jīng)過(guò)在接合墊片32和帶狀部35上接合導(dǎo)線W的工序，得到圖12～圖14所示的熱打印頭A2。
采用這種制造方法，能夠以只使多個(gè)單獨(dú)電極3d和共用電極3e中接合墊片32和帶狀部35從瓷釉層2突出所希望的高度的方式形成。這樣，容易進(jìn)行導(dǎo)線W的接合作業(yè)。
圖24和圖25表示本發(fā)明的熱打印頭的第三實(shí)施方式。本實(shí)施方式的熱打印頭A3主要是接合墊片32的疊層結(jié)構(gòu)和共用電極3e的形狀與上述第二實(shí)施方式不同。另外，在圖24中省略了保護(hù)層5。
如圖25所示，接合墊片32為主體層32a和追加層32的一部分重合的結(jié)構(gòu)。主體層32a的圖中上面和瓷釉層2的表面在一個(gè)而內(nèi)這點(diǎn)，和追加層32b從瓷釉層2突出這點(diǎn)，與上述第二實(shí)施方式相同。另外，在共用電極3e上形成一個(gè)帶狀部36。
利用這種結(jié)構(gòu)，可以適當(dāng)?shù)亟雍蠈?dǎo)線W，能夠期待提高導(dǎo)線W和接合墊片32的接合強(qiáng)度的效果。另外，通過(guò)縮小主體層32a，能夠減少金的使用量。
下面，參照?qǐng)D26～圖29，說(shuō)明熱打印頭A3的制造方法的一例。圖26～圖29為表示本實(shí)施方式的熱打印頭A3的制造方法中一系列工序的主要部分的截面圖。
在本實(shí)施方式的制造方法中，如預(yù)先參照?qǐng)D16說(shuō)明的那樣，在基板1上形成瓷釉層2和金的薄膜3A。然后，通過(guò)對(duì)金的薄膜3A實(shí)施印刻圖案，形成圖26所示的電極3Ad和共用電極3e。
其次，如圖27所示，使電極3Ad和共用電極3e沉入瓷釉層2中，通過(guò)使電極3Ad沉下，使電極3Ad的表面和瓷釉層2的表面在同一面內(nèi)后，如圖28所示，形成金的薄膜3B。金的薄膜3B的形成例如通過(guò)使用金糊劑的印刷、燒制進(jìn)行。這時(shí)，金的薄膜3B的厚度為1μm左右。另外，使金的薄膜3B的圖中右端與主體層32a重合。通過(guò)對(duì)該金的薄膜3B實(shí)施印刻圖案，形成圖29所示的追加層32b。這樣，形成單獨(dú)電極3d。然后，通過(guò)經(jīng)過(guò)與上述第二實(shí)施方式相同的工序，得到熱打印頭A3。
采用這種制造方法，在主體層32a和瓷釉層2上形成追加層32b后，不進(jìn)行電極沉下工序。因此，可以確實(shí)地使接合墊片32從瓷釉層2突出金的薄膜3B或追加層32的厚度。因此，適于適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行導(dǎo)線接合作業(yè)。
以上，說(shuō)明了本發(fā)明的具體實(shí)施方式

，但本發(fā)明的不限于此，在不偏離發(fā)明的思想的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種變更。
例如，在第一實(shí)施方式中，使電極3a～3c沉入瓷釉層2中，直至電極3a～3c的表面和瓷釉層2的表面大致在同一面內(nèi)，但不限于此。例如，也可以只將電極3a～3c的靠近底部的一部分埋入瓷釉層2內(nèi)，其他部分在瓷釉層2上突出。即使在這種結(jié)構(gòu)中，電極3a～3c的表面和瓷釉層2的表面的階梯差小，與現(xiàn)有技術(shù)比較，仍可得到優(yōu)異效果。
另外，在第一實(shí)施方式中，使電極3a～3c整體沉入瓷釉層2中，但不限于此。也可以使電極3a～3c的各部中至少電阻體4重合形成部分下沉。
使電極3a～3c處于沉入瓷釉層2中的狀態(tài)的方法，不限于本實(shí)施方式的方法。也可以是例如將瓷釉層的電極形成部位，與電極的厚度相應(yīng)，削成凹狀，采用厚膜印刷，在該削去的凹狀部分中形成電極的方法。
在第二實(shí)施方式的制造方法中，疊層金的薄膜3A、3B，但也可以通過(guò)例如使金的薄膜3A成膜至厚度為1.6μm左右，對(duì)該薄膜3A實(shí)施多次蝕刻，形成接合墊片32的厚度大于其他部分的單獨(dú)電極3d。也可以采用同樣的方法，形成共用電極3e。
權(quán)利要求
1.一種熱打印頭，包括基板；在所述基板上形成的瓷釉層；在所述瓷釉層上，相互隔開間隔設(shè)置的多個(gè)電極；跨過(guò)所述多個(gè)電極，在這些多個(gè)電極上和所述瓷釉層上重合形成的電阻體，其特征在于所述各電極中，至少所述電阻體重合的部分沉入所述瓷釉層中。
2.如權(quán)利要求1所述的熱打印頭，其特征在于所述各電極中，所述電阻體重合的部分下沉至其表面與所述瓷釉層的表面在同一面內(nèi)的深度。
3.如權(quán)利要求1所述的熱打印頭，其特征在于還具有覆蓋所述多個(gè)電極和所述電阻體的保護(hù)層。
4.如權(quán)利要求1所述的熱打印頭，其特征在于所述多個(gè)電極，由熔點(diǎn)高于所述瓷釉層的軟化溫度、且比重大于所述瓷釉層的金屬構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的熱打印頭，其特征在于所述電阻體的寬度，小于所述各電極中所述電阻體重合部分的寬度。
6.如權(quán)利要求1所述的熱打印頭，其特征在于所述電阻體為沿主掃描方向延伸的帶狀，所述多個(gè)電極，包括多個(gè)單獨(dú)電極和至少一個(gè)以上的共用電極，所述共用電極，包括在副掃描方向上與所述電阻體離開、且沿主掃描方向延伸的至少一個(gè)以上的帶狀部；和從所述帶狀部橫穿所述電阻體，沿副掃描方向延伸，且在副掃描方向上排列的多個(gè)枝部，所述多個(gè)單獨(dú)電極，分別包括橫穿所述電阻體在副掃描方向帶有的帶狀部，而且與所述共用電極的所述多個(gè)枝部在主掃描方向上交替排列。
7.如權(quán)利要求6所述的熱打印頭，其特征在于所述共用電極，具有隔著所述電阻體、在副掃描方向離開的一對(duì)所述帶狀部。
8.如權(quán)利要求7所述的熱打印頭，其特征在于至少一個(gè)以上的所述枝部與所述一對(duì)帶狀部連接。
9.如權(quán)利要求1所述的熱打印頭，其特征在于在所述多個(gè)電極上形成有用于導(dǎo)線接合的接合墊片，各接合墊片從所述瓷釉層突出。
10.如權(quán)利要求9所述的熱打印頭，其特征在于所述接合墊片從所述瓷釉層突出的高度為1μm以上。
11.如權(quán)利要求9所述的熱打印頭，其特征在于所述接合墊片的厚度大于所述各電極中所述接合墊片以外的部分。
12.如權(quán)利要求9所述的熱打印頭，其特征在于所述接合墊片，包括其表面與所述瓷釉層的表面在同一面內(nèi)的主體層，和在該主體層上形成的追加層。
13.一種熱打印頭的制造方法，包括在基板上形成的瓷釉層上，相互隔開間隔形成多個(gè)電極的工序；在所述瓷釉層和所述多個(gè)電極上以跨過(guò)所述多個(gè)電極的方式重合形成電阻體的工序，其特征在于還包括電極沉下工序，在形成所述多個(gè)電極后、形成所述電阻體前，通過(guò)加熱所述瓷釉層的至少一部分，使其軟化，使所述各電極的至少一部分沉入所述瓷釉層中。
14.如權(quán)利要求13所述的熱打印頭的制造方法，其特征在于形成所述電阻體的工序，在形成電阻體材料的膜后，通過(guò)對(duì)該膜實(shí)施干式蝕刻進(jìn)行。
15.如權(quán)利要求13所述的熱打印頭的制造方法，其特征在于在所述電極沉下工序前，還包括在所述各電極的一部分上形成追加層的工序。
16.如權(quán)利要求13所述的熱打印頭的制造方法，其特征在于在所述電極沉下工序后，還包括形成與所述各電極的至少一部分重合的追加層的工序。
全文摘要
熱打印頭(A1)的結(jié)構(gòu)為電極(3a～3c)中至少電阻體(4)重合的部分沉入瓷釉層(2)中。優(yōu)選電極(3a～3c)中，電阻體(4)重合的部分下沉至其表面與瓷釉層(2)的表面在同一面內(nèi)的深度。由此，可提高從電阻體(4)的發(fā)熱部(40)向熱敏記錄介質(zhì)的傳熱效率，能夠順利地搬送熱敏紙。
文檔編號(hào)B41J2/335GK1956849SQ2005800164
公開日2007年5月2日 申請(qǐng)日期2005年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月25日
發(fā)明者山本將也, 小畠?nèi)?申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司