專利名稱：：光學(xué)信息記錄介質(zhì)和信息記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及允許通過使用激光束記錄和復(fù)制信息的光學(xué)信息記錄介質(zhì)以及記錄信息的方法。本發(fā)明特別涉及適宜于通過使用波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束進(jìn)行信息記錄的加熱模式光學(xué)信息記錄介質(zhì)和信息記錄方法。只能通過激光束輻照記錄信息一次的光學(xué)信息記錄介質(zhì)(光盤)是己知的。通常稱為一次性寫入CD(所謂CD-R)的這樣的光盤具有典型的結(jié)構(gòu)，其中將包含有機(jī)染料的記錄層、金屬如金的光反射層和樹脂保護(hù)層以此順序形成在透明盤狀襯底上。通過向CD-R上輻照在近紅外區(qū)中的激光束(通常，波長(zhǎng)在780nm附近的激光束)來在CD-R上記錄信息。在記錄層的被輻照區(qū)域中，光被吸收，導(dǎo)致溫度的局部升高，并且這改變了它的物理和化學(xué)性質(zhì)(例如，凹坑的產(chǎn)生)。由于這些物理和化學(xué)變化，光學(xué)性質(zhì)被改變，并且可以記錄信息。還通過用具有與記錄激光束的波長(zhǎng)相同的波長(zhǎng)的激光束輻照來進(jìn)行信息的讀取(復(fù)制)。信息是通過檢測(cè)記錄層的光學(xué)性質(zhì)已經(jīng)改變的區(qū)域(記錄區(qū))與記錄層的光學(xué)性質(zhì)未改變的區(qū)域(未記錄區(qū))之間的反射率差別來復(fù)制的。近來，網(wǎng)絡(luò)如互聯(lián)網(wǎng)和清晰度TV迅速變得越來越普及。HDTV(高清晰度電視)的普及也已經(jīng)導(dǎo)致了對(duì)在成本上更加有效的記錄圖像信息用大容量記錄介質(zhì)需求的增加。盡管上述CD-R和允許通過使用可見激光束(630至680nm)進(jìn)行高密度記錄的一次性寫入數(shù)字多用光盤(所謂DVD-R)已經(jīng)使它們自己在一定程度上作為大容量記錄介質(zhì)而占有一席之地，但是還沒有應(yīng)對(duì)未來需求的足夠大的記錄容量。己經(jīng)研究了具有更高記錄密度和更大記錄容量并且使用具有比DVD-R用激光束的波長(zhǎng)更短波長(zhǎng)的激光束的光盤，并且例如，使用波長(zhǎng)為405nm的藍(lán)色激光的所謂"藍(lán)光模式"的光記錄盤已經(jīng)商業(yè)化。公開了通過用波長(zhǎng)為530nm或更短的激光輻照有機(jī)染料記錄層，從而將信息記錄在包含該記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)上，并且從所述包含記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)回放信息的方法。這些方法具體提出用藍(lán)(430nm或488nm的波長(zhǎng))或藍(lán)綠(515nm的波長(zhǎng))激光輻照包含記錄層的光盤，所述記錄層包含染料如卟啉化合物、偶氮染料、金屬偶氮染料、喹啉酮染料、三次甲基花青染料、二氰基乙烯基苯基骨架染料、香豆素化合物、酞菁染料以及萘酞菁化合物。另外，公開了通過用波長(zhǎng)為550nm或更短的激光輻照具有包含氧雜菁染料的記錄層的光盤來記錄信息和回放信息的方法。參見例如，日本專利申請(qǐng)公開(JP-A)2001-287460、2001-287465、2001-253171、2001-39034、2000-318313、2000-318312、2000-280621、2000-280620、2000-263939、2000-222772、2000-222771、2000-218940、2000-158818、2000-149320、2000-108513、2000-113504、2002-301870和2001-287465;美國專利2002-76648A1;JP-A2003-94828和2001-71638。然而，根據(jù)本發(fā)明人的研究，使用已知染料的光盤仍沒有處于滿足關(guān)于記錄性質(zhì)需求的水平。另外，使用公開于JP-A2001-71638中的氧雜菁染料之一的光盤在實(shí)際中還不令人滿意，因?yàn)樵谠搶＠暾?qǐng)中使用的氧雜菁染料的光學(xué)貯存性更低。備選地，描述于JP-A2004-188968中的氧雜菁的光學(xué)貯存性充分，但是其中沒有描述允許通過使用波長(zhǎng)為440nm或更短的激光來信息記錄的染料。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是考慮到以上情形而進(jìn)行的，并且提供一種光學(xué)記錄介質(zhì)和記錄信息的方法。本發(fā)明的第一方面提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)包含提供在襯底上或在襯底上方的通過波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束的輻照而能夠記錄信息的記錄層，其中所述記錄層包含分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分的染料，所述兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分以除形成共軛鍵至所述染料部分之外的方式相互結(jié)合。本發(fā)明的第二方面提供一種通過將波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束輻照在根據(jù)第一方面的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上而記錄信息的方法。實(shí)施本發(fā)明的最佳方式(1)光學(xué)信息記錄介質(zhì)根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)是具有提供在襯底上或在襯底上方的記錄層的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，所述記錄層能夠通過波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束的輻照而記錄信息，其中該記錄層包含分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分的染料，所述兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分以除形成共軛鍵至所述染料部分之外的方式相互結(jié)合。染料部分表示具有從其中去除了氫原子并且能夠結(jié)合至另一化合物的染料結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。以下，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。當(dāng)具體部分在本發(fā)明中被稱為"基團(tuán)"時(shí)，除非另外規(guī)定，該基團(tuán)可以由或可以不由一個(gè)或多個(gè)取代基(一直到最大可能)取代。例如，"烷基"是指取代或未取代的垸基。另外，在本發(fā)明的化合物上的取代基可以是任意取代基，與它又被取代的情況無關(guān)。此外，在本發(fā)明中，當(dāng)具體區(qū)域被稱為"環(huán)"時(shí)，或當(dāng)"基團(tuán)"包含"環(huán)"時(shí)，除非另外規(guī)定，所述環(huán)可以是單環(huán)或稠環(huán)，并且可以是取代的或未取代的。例如，"芳基"可以是苯基或萘基，或取代的苯基。以上染料優(yōu)選具有由下式(l)表示的結(jié)構(gòu)。在下式(l)中，Dye11、Dye12和Dy^k各自獨(dú)立表示染料部分。對(duì)由Dye11、Dye12或Dye2k表示的染料部分沒有具體限制，并且它們的實(shí)例包含以下染料的部分，例如花青染料、苯乙烯基染料、部花青染料、酞菁染料、氧雜菁(oxonol)染料、偶氮染料、偶氮甲堿染料、方錯(cuò)(squalium)染料和金屬螯合物染料。由Dye11、Dye^或Dy^k表示的染料部分特別優(yōu)選為以下染料的部分花青染料、部花青染料、氧雜菁染料、酞菁染料或金屬螯合物染料。由Dye11、Dye^和Dye2k表示的染料部分更優(yōu)選為花青染料、部花青染料或氧雜菁染料的部分，并且最優(yōu)選為花青染料或氧雜菁染料的部分。由DyeU、Dye^和Dye^表示的染料部分可以相互相同或不同，但是優(yōu)選為相互相同。L"和I^各自表示二價(jià)連接基團(tuán)，所述的二價(jià)連接基團(tuán)與結(jié)合到它上的染料部分不形成兀-共軛鍵；n為0至10的整數(shù)；k為0至n的整數(shù)；Q表示用于中和電荷的離子；以及y為用于中和電荷所需要的離子的數(shù)目。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>當(dāng)由Dye11、Dye"或Dy^k表示的染料部分為花青染料部分時(shí)，該花青染料優(yōu)選為由下式(2)表示的花青染料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>在式(2)中，Za'和Z^各自表示形成5-或6元含氮雜環(huán)的原子團(tuán)，該含氮雜環(huán)可以與苯環(huán)、苯并呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吡咯環(huán)、吲哚環(huán)或噻吩環(huán)等稠合。Ra1和R^各自表示氫原子、取代或未取代的烷基(優(yōu)選具有1至20個(gè)碳原子，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、正戊基、芐基、3-磺基丙基、4磺基丁基、3-甲基-3-磺基丙基、2'-磺基芐基、羧甲基或5-羧戊基)、取代或未取代的鏈烯基(優(yōu)選具有2至20個(gè)碳原子，例如乙烯基、烯丙基)、取代或未取代的芳基(優(yōu)選具有6至20個(gè)碳原子，例如苯基、2-氯苯基、4-甲氧苯基、3-甲基苯基或l-萘基)、取代或未取代的雜環(huán)基團(tuán)(優(yōu)選具有i至20個(gè)碳原子，例如吡啶基、噻吩基、呋喃基、噻唑基、咪唑基、吡唑基、吡咯垸基、哌啶子基或嗎啉代)；優(yōu)選氫原子、取代或未取代的烷基，或取代或未取代的磺基烷基；并且更優(yōu)選取代或未取代的烷基，或取代或未取代的磺基烷基。Ma'至M^各自獨(dú)立表示可以被取代的次甲基，并且取代基的有利實(shí)例包含具有1至20個(gè)碳原子的烷基(例如、甲基、乙基和異丙基)、鹵素原子(例如氯、溴、碘和氟)、硝基、具有1至20個(gè)碳原子的烷氧基(例如甲氧基和乙氧基)、具有6至26個(gè)碳原子的芳基(例如苯基和2-萘基)、具有0至20個(gè)碳原子的雜環(huán)基團(tuán)(例如2-吡啶基和3-吡啶基)、具有6至20個(gè)碳原子的芳氧基(例如、苯氧基、1-萘氧基和2-萘氧基)、具有1至20個(gè)碳原子的酰氨基(例如乙酰氨基和苯甲酰氨基)、具有1至20個(gè)碳原子的氨基甲?；?例如N，N-二甲基氨基甲酰氨基)、磺基、羥基、羧基、具有1至20個(gè)碳原子的烷硫基(例如甲硫基)、氰基等。所述基團(tuán)可以結(jié)合至形成環(huán)的另一次甲基上，或結(jié)合至形成環(huán)的助色團(tuán)上。Ma'至M^各自優(yōu)選為未取代的、乙基取代的或甲基取代的次甲基。nJ和n^為0或l，并且優(yōu)選為0。k^為0至3的整數(shù)，優(yōu)選為0至2的整數(shù)，并且更優(yōu)選為O。當(dāng)ka'為2以上時(shí)，M^和Ma'可以相互相同或不同。Q表示用于中和電荷的離子；并且y為用于中和電荷所需要的離子的數(shù)目。在式(2)中，Za1、Za2、Ra1、Ra2和Ma1至Ma7中的任何一個(gè)都可以結(jié)合至形成去除了其氫原子的式(l)的染料部分的連接基團(tuán)Ln或L2k。當(dāng)由Dye11、Dye"或Dy^k表示的染料部分為部花青染料部分時(shí)，該部花青染料優(yōu)選為由下式(3)表示的部花青染料。式(3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>在式(3)中，Z^表示形成5-或6元含氮雜環(huán)的原子團(tuán)，該含氮雜環(huán)可以與苯環(huán)、苯并呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吡咯環(huán)、吲哚環(huán)或噻吩環(huán)等稠合。Za4表示形成酸性核的原子團(tuán)。R^表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的鏈烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基團(tuán)(其有利的實(shí)例與Ra1和Ra2的實(shí)例相同)。MaS至Ma11各自獨(dú)立地表示次甲基(其有利的實(shí)例與Ma1至Ma7的實(shí)例相同)。na3為0或1。ka2為0至3的整數(shù)，并且優(yōu)選為0至2的整數(shù)。Q表示用于中和電荷的離子；并且y為用于中和電荷所需要的離子的數(shù)目。當(dāng)1^2為2以上時(shí)，Ma^和Ma"可以相互相同或不同。在式(3)中，Za3、Za4、R^和M^至Ma11中的任何一個(gè)都可以結(jié)合至形成去除了其氫原子的式(l)的染料部分的連接基團(tuán)L11或L2k。當(dāng)由Dye11、Dye。或Dy^k表示的染料部分為氧雜菁染料部分時(shí)，該染料部分將描述如下。根據(jù)本發(fā)明的氧雜菁染料被定義為具有陰離子染料的聚甲炔染料。基于記錄性質(zhì)的觀點(diǎn)，特別有利于使用的是由下式(I)表示的氧雜菁染料。式(I)在式(I)中，A、B、C和D各自表示吸電子基團(tuán)；"A禾QB"或"C和D"可以相互結(jié)合形成環(huán)；并且當(dāng)基團(tuán)不相互結(jié)合時(shí)，基團(tuán)A和B的總的哈米特叩值和基團(tuán)C和D的總的哈米特叩值分別為0.6以上。R表示次甲基碳上的取代基；m為0至3的整數(shù)；n為0至2m+l的整數(shù)；當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)R可以相互相同或不同，或可以相互結(jié)合形成環(huán)；Q表示用于中和電荷的離子；并且y為用于中和電荷所需要的離子的數(shù)目。由式(I)表示的化合物包括陰離子定位部位的符號(hào)不同的多個(gè)互變體，并且尤其是當(dāng)A、B、C和D中的任何一個(gè)由-CO-E(E表示取代基)表示時(shí)，該化合物通常通過在它的氧原子上放置陰離子電荷來表達(dá)。例如當(dāng)D為-CO-E時(shí)，該化合物一般由下式(II)表達(dá)，并且式(II)中的化合物也包括式co的化合物中。式(n)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>上式(II)中的A、B、C、R、m、n、Q和y的定義與式(I)中的相同。以下，將描述由上式(I)表示的氧雜菁染料。在式(I)中，A、B、C禾口D各自表示吸電子基團(tuán)；A和B或C和D可以相互結(jié)合形成環(huán)；并且當(dāng)基團(tuán)不相互結(jié)合時(shí)，基團(tuán)A和B的總的哈米特cjp值和基團(tuán)C和D的總的哈米特叩值分別為0.6以上。A、B、C和D可以相互相同或不同。由A、B、C或D表示的吸電子基團(tuán)的哈米特取代基常數(shù)crp值獨(dú)立地優(yōu)選在0.30至0.85的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在0.35至0.80的范圍內(nèi)。哈米特取代基常數(shù)叩值(以下，稱為op值)描述于例如Chem.Rev.91,165(1991)及其中的參考文獻(xiàn)中，并且在其中沒有描述的crp值可以根據(jù)在其中描述的方法來估計(jì)。當(dāng)A和B(或C和D)相互結(jié)合形成環(huán)時(shí)，A(C)的叩值是指-A-B-H(-C-D-H)基團(tuán)的op值，而B(D)的叩值是指-B-A-H(-D-C-H)基團(tuán)的op值。在這樣的情況下，op值相互不同，因?yàn)閮烧咧g的鍵合方向不同。吸電子基團(tuán)的典型有利實(shí)例包括氰基、硝基、具有1至10個(gè)碳原子的?；?例如乙酰基、丙酰基、丁?；?、新戊?；?、苯甲?；?、具有2至12個(gè)碳原子的烷氧羰基(例如甲氧羰基、乙氧羰基、異丙氧羰基、丁氧羰基和癸氧羰基)、具有7至11個(gè)碳原子的芳氧羰基(例如苯氧羰基)、具有1至IO個(gè)碳原子的氨基甲?；?例如甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲酰基和苯基氨基甲?；?、具有1至10個(gè)碳原子的烷基磺酰基(例如甲磺?；?、具有6至10個(gè)碳原子的芳基磺?；?例如苯磺?；?、具有1至10個(gè)碳原子的烷氧基磺酰基(例如甲氧基磺?；?、具有1至io個(gè)碳原子的氨磺?；?例如乙基氨磺酰基和苯基氨磺?；?、具有1至10個(gè)碳原子的烷基亞硫?；?例如甲亞硫?；鸵襾喠蝓；?、具有6至10個(gè)碳原子的芳基亞硫酰基(例如苯亞硫?；?、具有1至10個(gè)碳原子的垸基氧硫基(例如甲亞氧硫基和乙亞氧硫基)、具有6至10個(gè)碳原子的芳基亞氧硫基(例如苯亞氧硫基)、鹵素原子、具有2至IO個(gè)碳原子的炔基(例如乙炔基)、具有2至10個(gè)碳原子的二酰胺基(例如二乙酰氨基)、磷?；?、羧基，以及5-或6元雜環(huán)基團(tuán)(例如2-苯并噻唑基、2-苯并噁唑基、3-吡啶基、5-(lH)-四唑基和4-嘧啶基)；并且優(yōu)選為氰基、垸氧羰基、烷基磺?；头蓟酋；?。在式(I)中，次甲基碳上由R表示的取代基的實(shí)例包括如下具有l(wèi)至20個(gè)碳原子的線性或環(huán)狀垸基(甲基、乙基、正丙基、異丙基和正丁基)、具有6至18個(gè)碳原子的取代或未取代的芳基(例如苯基、氯代苯基、茴香基、甲苯甲酰基、2,4-二叔戊基和l-萘基)、鏈烯基(例如乙烯基和2-甲基乙烯基)、炔基(例如乙炔基、2-甲基乙炔基和2-苯基乙炔基)、鹵素原子(例如F、Cl、Br和I)、氰基、羥基、羰基、?；?例如乙?；?、苯甲?；?、水楊酰基和新戊?；?、烷氧基(例如甲氧基、丁氧基和環(huán)己氧基)、芳氧基(例如苯氧基和l-萘氧基)、烷硫基(例如甲硫基、丁硫基、芐硫基和3-甲氧基丙硫基)、芳硫基(例如苯硫基和4-氯代苯硫基)、烷基磺?；?例如甲磺?；投』酋；?、芳基磺?；?例如苯磺?；蛯?duì)甲苯磺?；?、具有1至10個(gè)碳原子的氨基甲酰基、具有1至10個(gè)碳原子的酰氨基、具有2至12個(gè)碳原子的亞氨基、具有2至10個(gè)碳原子的酰氧基、具有2至10個(gè)碳原子的烷氧羰基，以及雜環(huán)基團(tuán)(包括芳族雜環(huán)，例如吡啶基、噻吩基、呋喃基、噻唑基、咪唑基和吡唑基；以及脂族雜環(huán)，例如吡咯垸環(huán)、哌啶環(huán)、嗎啉環(huán)、吡喃環(huán)、噻喃環(huán)、二噁烷環(huán)和二硫戊環(huán))。取代基R的有利實(shí)例包括鹵素原子、具有1至8個(gè)碳原子的線性或環(huán)狀烷基、具有6至10個(gè)碳原子的芳基、具有1至8個(gè)碳原子的烷氧基、具有6至10個(gè)碳原子的芳氧基，以及具有3至10個(gè)碳原子的雜環(huán)基團(tuán)；特別優(yōu)選的是氯原子、具有1至4個(gè)碳原子的烷基(例如甲基、乙基和異丙基)、苯基、具有1至4個(gè)碳原子的垸氧基(例如甲氧基和乙氧基)、苯氧基，以及具有4至8個(gè)碳原子的含氮雜環(huán)基團(tuán)(例如4-吡啶基、苯并噁唑-2-基和苯并噻唑-2-基)。n為0至2m+l的整數(shù)，并且當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)R可以相互相同或不同，并且可以相互結(jié)合形成環(huán)。因而，環(huán)的數(shù)目?jī)?yōu)選為4至8，特別優(yōu)選為5或6，并且構(gòu)成環(huán)的原子優(yōu)選為碳和氧或氮，以及特別優(yōu)選為碳。A、B、C、D和R可以進(jìn)一步具有取代基，并且該取代基的實(shí)例包括用于由式(I)中的R表示的基團(tuán)的那些單價(jià)取代基。在用于光盤的染料中，基于熱分解的觀點(diǎn)，A和B或C和D優(yōu)選相互結(jié)合形成環(huán)，并且環(huán)的實(shí)例包括下列各項(xiàng)(A-l至A-66):在下列實(shí)例中，Ra、Rb和Rc各自獨(dú)立表示氫原子或取代基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A—5<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-12<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-13<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-14<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>A-15<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>在以上環(huán)中，優(yōu)選的是由A-2、A-8、A-9、A-IO、A-13、A-14、A-16、A-17、A-36、A-39、A隱42、A-54、A-57、A-59、A-61、A-65和A-66表示的環(huán)。更優(yōu)選的是由A-2、A-9、A-IO、A-13、A-17、A-42、A-54、A-57、A畫59、A-61、A-65和A-66表示的環(huán)。最優(yōu)選的是由A-13、A-17、A-54、A-57、A-59、A-61、A-65和A-66表示的環(huán)。由Ra、Rb和Rc表示的取代基分別與由R表示的取代基相同。Ra、Rb和Rc可以相互結(jié)合以形成碳環(huán)或雜環(huán)。碳環(huán)的實(shí)例包括飽和或不飽和的4-至7元碳環(huán)，例如環(huán)己基環(huán)、環(huán)戊基環(huán)、環(huán)己烯環(huán)和苯環(huán)。雜環(huán)的實(shí)例包括飽和或不飽和的4-至7元雜環(huán)，例如哌啶環(huán)、哌嗪環(huán)、嗎啉環(huán)、四氫呋喃環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡啶環(huán)和吡嗪環(huán)。這些碳環(huán)和雜環(huán)可以進(jìn)一步被取代。可以進(jìn)一步取代的基團(tuán)與對(duì)于由R表示的取代基所示例的那些基團(tuán)相同。在式(I)中，m為0至3的整數(shù)，并且氧雜菁染料的吸收波長(zhǎng)依賴于m的值而顯著變化。需要設(shè)計(jì)根據(jù)用于記錄復(fù)制的激光的振蕩波長(zhǎng)而具有最佳吸收波長(zhǎng)的染料，因而，在這點(diǎn)上，m值的選擇是重要的。當(dāng)用于記錄復(fù)制的激光的中心振蕩波長(zhǎng)為780nm(CD-R記錄用半導(dǎo)體激光)時(shí)，式(I)中的m優(yōu)選為2或3;當(dāng)中心振蕩波長(zhǎng)為635nm或650nm(DVD-R記錄用半導(dǎo)體激光)時(shí)，m優(yōu)選為1或2;并且當(dāng)中心振蕩波長(zhǎng)為550nm或更短(例如，中心振蕩波長(zhǎng)為405nm的藍(lán)紫半導(dǎo)體激光)時(shí)，m優(yōu)選為0或1。由式(I)表示的氧雜菁生色團(tuán)可以在任意位置相互結(jié)合形成多聚體，并且在這樣的情況下，單元可以相互相同或不同，并且可以結(jié)合至聚合物鏈例如聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇或纖維素。在式(I)中，A、B、C、D和R的任何一種都可以結(jié)合至形成去除了其氫原子的式(l)的染料部分的連接基團(tuán)L'1或L2k?；ㄇ嗳玖?、部花青染料和氧雜菁染料的典型實(shí)例包括在F.M.Harmer,HeterocyclicCompounds-CyanineDyesandRelatedCompounds,JohnWiley&Sons,NewYork,London,1964中所述的染料。次甲基染料優(yōu)選為由式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)和(2-5)中的任何一種所表示的氧雜菁染料。式(2-l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>式(2-3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>式(2-4)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>式(2-5)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>式(2-2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>在式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2_4)和(2-5)中，R表示在次甲基碳上的取代基；m表示0至l的整數(shù)；n表示0至2m+l的整數(shù)；當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)R可以相互相同或不同，或可以相互結(jié)合形成環(huán)；Z^和Z^各自表示形成酸性核的原子團(tuán)；L"、Q和y的定義與式(I)中的L11、Q和y相同；Y表示-O-、^1^-和-012113-中任何一種；R'至I^各自獨(dú)立表示氫原子或取代基；Z表示取代或未取代的亞烷基；以及x表示1或2。G表示氧原子或硫原子，優(yōu)選氧原子。對(duì)由R'至W表示的取代基沒有具體限制，并且其實(shí)例包括由式(I)中的R表示的那些取代基，以及其實(shí)例的優(yōu)選范圍同樣相同。Z表示取代或未取代的亞烷基。亞烷基的有利實(shí)例包括取代或未取代的亞甲基、取代或未取代的亞乙基，以及取代或未取代的亞丙基；其更優(yōu)選的實(shí)例包括取代或未取代的亞甲基和取代或未取代的亞乙基；并且再更優(yōu)選的是取代或未取代的亞甲基。式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)和(2-5)中的m優(yōu)選為0。包含在由式(1)表示的染料中具有由下列式(5-1)、(5-2)、(5-3)、(5-4)或(5-5)表示的結(jié)構(gòu)的染料的光學(xué)信息記錄介質(zhì)是優(yōu)選的。式(5-l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>式(5誦3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>式(5-l)、(5-2)、(5-3)、(5-4)和(5-5)中的R、Z、Y、Q、y和x的定義與式(2-l)至(2-5)中的r、Z、Y、Q、y和x的定義相同。W至r9各自獨(dú)立表示氫原子或取代基；并且G表示氧原子或硫原子。Za1、Z^和Z^的實(shí)例包括:具有3至25個(gè)碳原子的噁唑核(例如，2-3-甲基噁唑基、2-3-乙基噁唑基、2-3，4-二乙基噁唑基、2-3-甲基苯并噁唑基、2-3-乙基苯并噁唑基、2-3-磺乙基苯并噁唑基、2-3-磺丙基苯并噁唑基、2-3-甲硫基乙基苯并噁唑基、2-3-甲氧基乙基苯并噁唑基、2-3-磺丁基苯并噁唑基、2-3-甲基-P-萘并噁唑基、2-3-甲基-a-萘并噁唑基、2-3-磺丙基-|3-萘并噁唑基、2-3-磺丙基-|3-萘并噁唑基、2-3-(3-萘氧基乙基)苯并噁唑基、2-3,5-二甲基苯并噁唑基、2-6-氯-3-甲基苯并噁唑基、2-5-溴-3-甲基苯并噁唑基、2-3-乙基-5-甲氧基苯并噁唑基、2-5-苯基-3-磺丙基苯并噁唑基、2-5-(4-溴苯基)-3-磺丁基苯并噁唑基和2-3-二甲基-5,6-二甲硫基苯并噁唑基)；具有3至25個(gè)碳原子的噻唑核(例如，2-3-甲基噻唑基、2-3-乙基噻唑基、2-3-磺丙基噻唑基、2-3-磺基丁基噻唑基、2-3，4-二甲基噻唑基、2-3,4,4-三甲基噻唑基、2-3-羧乙基噻唑基、2-3-甲基苯并噻唑基、2-3-乙基苯并噻唑基、2-3-丁基苯并噻唑基、2-3-磺丙基苯并噻唑基、2-3-磺丁基苯并噻唑基、2-3-甲基-(3-萘噻唑基、2-3-磺丙基-Y-萘噻唑基、2-3-(l-萘氧基乙基)苯并噻唑基、2-3，5-二甲基苯并噻唑基、2-6-氯-3-甲基苯并噻唑基、2_6_碘—3-乙基苯并噻唑基、2-5-溴-3-甲基苯并噻唑基、2-3-乙基-5-甲氧基苯并噻唑基、2-5-苯基-3-磺丙基苯并噻唑基、2-5-(4-溴苯基)-3-磺丁基苯并噻唑基和2-3-二甲基-5,6-二甲硫基苯并噻唑基)；具有3至25個(gè)碳原子的咪唑核(例如，2-153-二乙基咪唑基、2-l，3-二甲基咪唑基、2-1-甲基苯并咪唑基、2-1,3,4-三乙基咪唑基、2-1,3-二乙基苯并咪唑基、2-1,3,5-三甲基苯并咪唑基、2-6-氯-l，3-二甲基苯并咪唑基、2-5,6-二氯-l，3-二乙基苯并咪唑基和2-l,3-二磺丙基-5-氰基-6-氯代苯并咪唑基)；具有10至30個(gè)碳原子的假吲哚核(例如3，3-二甲基假U引哚)；具有9至25個(gè)碳原子的喹啉核(例如，2-1-甲基喹啉基、2-1-乙基喹啉基、2-1-甲基-6-氯代喹啉基、2-l，3-二乙基喹啉基、2-1-甲基-6-甲硫基喹啉基、2-1-磺丙基喹啉基、4-1-甲基喹啉基、4-1_磺乙基喹啉基、4-l-甲基-7-氯代喹啉基、4-1,8-二乙基喹啉基、4-1-甲基-6-甲硫基喹啉基和4-l-磺丙基喹啉基)；具有3至25個(gè)碳原子的硒唑核(例如2-3-甲基苯并硒唑基)；和具有5至25個(gè)碳原子的吡啶核(例如2-吡啶基)，以及噻唑啉核、噁唑啉核、硒唑啉核、碲唑啉核、碲唑核、苯并碲唑核、咪唑啉核、咪唑并[4,5-喹喔啉]核、噁二唑核、噻二唑核、四唑核和嘧啶核。這些可以進(jìn)一步被取代，并且取代基的有利實(shí)例包括:烷基(例如甲基、乙基和丙基)、鹵素原子(例如氯、溴、碘和氟)、硝基、烷氧基(例如甲氧基和乙氧基)、芳基(例如苯基)、雜環(huán)基團(tuán)(例如2-吡啶基、3-吡啶基、1-吡咯基和2-噻吩基)、芳氧基(例如苯氧基)、酰氨基(例如乙酰氨基和苯甲酰氨基)、氨基甲酰基(例如N,N-二甲基氨基甲酰氨基)、磺基、磺酰胺基(例如甲磺酰胺)、氨磺酰基(例如N-甲基氨磺?；?、羥基、羧基、烷硫基(例如甲硫基)和氰基；并且優(yōu)選的是唑核、咪唑核和噻唑核。這些雜環(huán)可以與另一個(gè)環(huán)進(jìn)一步稠合?？梢耘c其稠合的環(huán)的實(shí)例包括苯環(huán)、苯并呋喃環(huán)、吡錠環(huán)、吡咯環(huán)、吲哚環(huán)和噻吩環(huán)等。Za4、ZaS和Z^各自表示用于形成酸性核所需要的原子團(tuán)，并且定義于James著的TheTheoryofthePhotographicProcess,第4版，McMillan,1977，第198頁中。其具體實(shí)例包括以下化合物的核.*2-吡唑啉-5-酮、吡唑烷-3,5-二酮、咪唑啉-5-酮、乙內(nèi)酰脲、2-或4-乙內(nèi)酰硫脲、2-亞氨基噁唑吡啶-4-酮(2-iminooxazorigin-4-one)、2-噁唑啉-5-酮、2-硫代噁唑啉-2,4-二酮、異繞丹寧、繞丹寧、茚-l,3-二酮、噻吩-3-酮、噻吩-3-酮-l,l-二氧化物、二氫吲哚-2-酮、二氫吲哚-3-酮、2-氧代吲唑镥、5,7-二氧代-6，7-二氫噻唑并[3,2-a]嘧啶、3,4-二氫異喹啉-4-酮、1,3-二噁垸-4，6-二酮、巴比土酸、2-硫代巴比土酸、香豆素-2,4-二酮、吲唑啉-2-酮、吡啶并[1,2-3]嘧啶-1,3-二酮、吡唑并[l,5-b]喹啉酮、吡唑并吡啶酮、3-二氰基亞甲基(dicyanomethylidenyl)-3-苯基丙腈、氧雜四氫噻吩酮二氧化物(oxathioanonedioxide)或米氏酸(Meldrum，sacid);并且優(yōu)選的是2-吡唑啉-5-酮、巴比土酸、2-硫代巴比土酸、氧雜四氫噻吩酮二氧化物、米氏酸和吡唑烷-3,5-二酮。在式(1)中，LU和I^各自獨(dú)立表示二價(jià)連接基團(tuán)，并且除它與結(jié)合到其上的生色團(tuán)不形成7C-共軛體系以外，對(duì)其沒有具體限制，以及它的有利實(shí)例包括亞烷基(具有1至20個(gè)碳原子，例如亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基和亞戊基)、亞芳基(具有6至26個(gè)碳原子，例如亞苯基和亞萘基)、亞鏈烯基(具有2至20個(gè)碳原子，例如亞乙烯基和亞丙烯基)、亞炔基(具有2至20個(gè)碳原子，例如亞乙炔基和亞丙炔基)、亞茂金屬基(metallocenylenegroups)(例如二茂鐵)、-CO-N(R1()1)-、-CO-O-、-S02-N(R1。2)-、-SOrO-、陽N(R朋)-CO-N(R104)-、-SOr、-SO-、-S-、-O-、-CO-、-N(R1Q5)-，以及具有0至100個(gè)或更少，優(yōu)選1個(gè)以上和20個(gè)以下的碳原子，并且具有一個(gè)或更多的亞雜芳基(heterylenegroups)的連接基團(tuán)(具有1至26個(gè)碳原子，例如6-氯-l，3，5-triaxyl-2，4-二基和嘧啶-2，4-二基)。以上R1Q1、R1Q2、R1Q3、R^和R'M各自獨(dú)立表示氫原子、取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基。另外，上面由L"或Ik表示的一個(gè)或多個(gè)連接基團(tuán)可以存在于結(jié)合到其上的兩個(gè)生色團(tuán)之間，并且該多個(gè)連接基團(tuán)(優(yōu)選兩個(gè))可以相互結(jié)合形成環(huán)。L"和L"各自優(yōu)選為由兩個(gè)亞垸基(優(yōu)選亞乙基)結(jié)合而形成的環(huán)。特別地，它再更優(yōu)選為5-或6元環(huán)(優(yōu)選環(huán)己基)。在式(1)中，n表示0至10的整數(shù)，優(yōu)選0至5的整數(shù)，更優(yōu)選0至3的整數(shù)，并且特別優(yōu)選0至2的整數(shù)。在式(1)中，k表示O以上和n以下的整數(shù)。例如，當(dāng)n為2時(shí)，k為0、1或2的整數(shù)；并且Dye^和！^各自獨(dú)立表示Dye2G、Dye21或Dye22的生色團(tuán)以及L"、L"或L"的連接基團(tuán)。當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)Dy^可以相互相同或不同。當(dāng)n表示2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)L2k也可以相互相同或不同。在式(1)中，Q表示用于中和電荷的離子；并且y表示用于中和電荷所需要的離子的數(shù)目。它依賴于化合物的取代基，而不管該化合物是陽離子還是陰離子，或者具有凈離子電荷。在式(1)和(3)至(5)中由Q表示的離子根據(jù)染料分子的相應(yīng)電荷可以表示陽離子和陰離子，并且當(dāng)染料分子不攜帶電荷時(shí)，Q不存在。對(duì)由Q表示的離子的離子電荷沒有具體限制，并且可以是無機(jī)或有機(jī)化合物的離子。由Q表示的離子可以是單價(jià)或多價(jià)的。由Q表示的陽離子的實(shí)例包括金屬陽離子如鈉離子和鉀離子，以及徵離子如季銨離子、氧錙離子、锍離子、轔離子、硒鏡離子和碘鏡離子。另一方面，由Q表示的陰離子的實(shí)例包括鹵素陰離子如氯離子、溴離子和氟離子；雜多酸離子如硫酸根離子、磷酸根離子和雙磷酸根離子(biphosphateion);有機(jī)多價(jià)陰離子如琥珀酸根離子、馬來酸根離子、富馬酸根離子和芳族二磺酸根離子；以及四氟硼酸根離子和六氟磷酸根離子。由Q表示的陽離子優(yōu)選為镥離子，并且更優(yōu)選為季銨離子。在季銨離子之中，特別優(yōu)選的是由JP-A2000-52658的式(I-4)表示的4,4，-聯(lián)吡啶鏡陽離子和公開于JP-A2002-59652中的4,4，-聯(lián)吡啶镥陽離子。由Q表示的陰離子優(yōu)選為四氟硼酸根離子、六氟磷酸根離子或有機(jī)多價(jià)陰離子，更優(yōu)選為二價(jià)或三價(jià)有機(jī)陰離子如萘二磺酸鹽衍生物。在二價(jià)或三價(jià)有機(jī)陰離子之中，特別優(yōu)選的是公開于JP-A10-226170中的萘二磺酸陰離子。在由式(l)表示的染料之中，具有由下式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)或(2-5)表示的結(jié)構(gòu)的染料是優(yōu)選的。式(2-l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>式(2-2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>式(2-5)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>式(2-4)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>式(2-5)將在以下描述由式(2-l)、(2-2)和(2-3)表示的染料。Y表示-O-、-NR1-和-012113中的任何一種。Y優(yōu)選為-0-或-CR2113，并且更優(yōu)選為-O-。R1至W各自獨(dú)立表示氫原子或取代基。對(duì)由R'至W表示的取代基沒有具體限制，并且其實(shí)例包括式(I)中由R表示的那些取代基，并且其優(yōu)選實(shí)例也相同。z表示取代或未取代的亞烷基。亞烷基的有利實(shí)例包括取代或未取代的亞甲基、取代或未取代的亞乙基，以及取代或未取代的亞丙基；更優(yōu)選的實(shí)例包括取代或未取代的亞甲基和取代或未取代的亞乙基；以及再更優(yōu)選的實(shí)例包括取代或未取代的亞甲基。x表示1或2，優(yōu)選為2。G表示氧原子或硫原子，優(yōu)選為氧原子。在以上式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)和(2-5)中，R表示在次甲基碳上的取代基；m表示0至l的整數(shù)；n表示0至2m+l的整數(shù)；當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)R可以相互相同或不同，或者可以相互結(jié)合形成環(huán)；ZaS和ZaS各自表示形成酸性核的原子團(tuán)；L11、Q和y的定義與式(l)中的L11、Q和y相同。在由式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)和(2-5)表示的結(jié)構(gòu)之中，優(yōu)選的是其中m為0的染料。在以上由式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)和(2-5)表示的染料中，基于光穩(wěn)定性和良好的降解性的觀點(diǎn)，具有由下式(5-l)、(5-2)、(5-3)、(5-4)或(5_5)表示的結(jié)構(gòu)的染料是最優(yōu)選的。式(5-l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>式(5-2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>式(5-4)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>式(5-5)在式(5-l)、(5畫2)、(5-3)、(5-4)和(5-5)中，Rl至R9、R、x、Y、Z、Q、y和G與式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)和(2-5)中的Rl至R9、R、x、Y、Z、Q、y和G相同。以下，將列出根據(jù)本發(fā)明的由式(1)和(2)表示的化合物的典型優(yōu)選實(shí)例(S-l至S-27)，但是本發(fā)明不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>式(5-3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>(S-5)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>有利于在本發(fā)明中使用的典型化合物顯示于下列表1中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>由式(l)表示的根據(jù)本發(fā)明的染料化合物可以單獨(dú)或以兩種或更多種的組合來使用。備選地，根據(jù)本發(fā)明的染料化合物可以與其它的染料化合物組合使用。在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的記錄層中，為了增強(qiáng)記錄層的耐光性，可以包含各種耐褪色劑。作為耐褪色劑，可以使用有機(jī)氧化劑和單線態(tài)氧猝滅劑。作為有機(jī)氧化劑，可以使用描述于JP-A10-151861中的化合物。作為單線態(tài)氧猝滅劑，可以使用描述于公開如己知的專利說明書中的那些單線態(tài)氧猝滅劑。此單線態(tài)氧猝滅劑的具體實(shí)例包括描述于以下內(nèi)容中的單線態(tài)氧猝滅劑JP-A58-175693、59-81194、60-18387、60-19586、60-19587、60-35054、60-36190、60-36191、60-44554、60-44555、60-44389、60-44390、60-54892、60-47069、63-209995、4-25492、日本專利申請(qǐng)公開(JP-B)1-38680和6-26028;德國專利350399;以及NipponKagakuKaishi,October(1992)，第1141頁。單線態(tài)氧猝滅劑的其它優(yōu)選實(shí)例包括由下列通式(n)表示的化合物。式(II)其中R"表示可以具有取代基的烷基，并且Q—表示陰離子。在通式(II)中，R"通常為具有1至8個(gè)碳原子和可以具有取代基的烷基，并且優(yōu)選為具有1至6個(gè)碳原子的未取代的烷基。對(duì)于烷基的取代基的實(shí)例包括鹵素原子(例如，F(xiàn)和C1)、垸氧基(例如，甲氧基和乙氧基)、烷硫基(例如，甲硫基和乙硫基)、?；?例如，乙?；捅；?、酰氧基(例如，乙酰氧基和丙酰氧基)、羥基、垸氧羰基(例如，甲氧羰基和乙氧羰基)、鏈烯基(例如，乙烯基)和芳基(例如，苯基和萘基)。優(yōu)選的是卣素原子、垸氧基、垸硫基和垸氧羰基。Q—陰離子的優(yōu)選實(shí)例包括C1CV、AsF6—、BF4—和SbF"由通式(II)表示的化合物(化合物編號(hào)II-lII-8)的實(shí)例顯示于以下表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>相對(duì)于染料的量，耐褪色劑如單線態(tài)氧猝滅劑的使用量通常在0.1至50質(zhì)量％的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.5至45質(zhì)量。/。的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在3至40質(zhì)量％的范圍內(nèi)，并且特別優(yōu)選在5至25質(zhì)量％的范圍內(nèi)。<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的形態(tài)>在本發(fā)明的方面(l)中，根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)優(yōu)選為在厚度為0.7至2mm的襯底上具有以此順序的含染料一次性寫入記錄層和厚度為0.01至0.5mm的覆蓋層的光學(xué)信息記錄介質(zhì)；并且在方面(2)中，它優(yōu)選是在厚度為0.7至2mm的襯底上具有以此順序的含染料一次性寫入記錄層和厚度為0.1至1.0mm的保護(hù)性襯底的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。在以上方面(1)中，形成在襯底上的預(yù)槽優(yōu)選具有50至500nm的磁道間距、25至250nm的槽寬和5至150nm的槽深；并且在以上方面(2)中，形成在襯底上的預(yù)槽優(yōu)選具有200至600nm的磁道間距、50至300nm的槽寬、30至200nm的槽深和10至50nm的擺幅。方面(1)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)至少具有襯底、一次性寫入記錄層和覆蓋層，并且將首先逐一描述這些重要的部分。將以具有全部在以下范圍內(nèi)的磁道間距、槽寬(半值寬度)、槽深和擺幅的形狀的預(yù)槽(導(dǎo)槽)基本上形成在有利的方面(l)的襯底上。形成預(yù)槽是為了賦予襯底比CD-R或DVD-R的記錄密度更高的記錄密度，并且在例如將根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)用作與藍(lán)紫激光相容的介質(zhì)時(shí)，是特別有利的。預(yù)槽磁道間距優(yōu)選在50至500nm的范圍內(nèi)，并且上限優(yōu)選為420nm以下，更優(yōu)選為370nm以下，以及再更優(yōu)選為330nm以下。下限優(yōu)選為100nm以上，更優(yōu)選為200nm以上，并且再更優(yōu)選為260nm以上。小于50nm的磁道間距可能導(dǎo)致難以精確形成預(yù)槽、產(chǎn)生串?dāng)_問題，而超過500nm的磁道間距可能引起記錄密度降低的問題。預(yù)槽寬度(半值寬度)優(yōu)選在25至250nm的范圍內(nèi)，并且其上限優(yōu)選為200mn以下，更優(yōu)選為170nm以下，以及再更優(yōu)選為150nm以下。其下限優(yōu)選為50nm以上，更優(yōu)選為80nm以上，并且再更優(yōu)選為100nm以上。小于25nm的預(yù)槽寬度可能導(dǎo)致在成型期間的槽的轉(zhuǎn)印不足，并且增加在記錄期間的差錯(cuò)率(enmmte)，而超過250nm的預(yù)槽寬度導(dǎo)致在記錄期間形成的坑(pit)加寬、引起串?dāng)_和調(diào)制(modulation)不足。預(yù)槽深度優(yōu)選在5至150nm的范圍內(nèi)，并且其上限優(yōu)選為100nm以下，更優(yōu)選為70nm以下，以及再更優(yōu)選為50nm以下。其下限優(yōu)選為10nm以上，更優(yōu)選為20nm以上，并且再更優(yōu)選為28nm以上。小于5nm的預(yù)槽深度可能導(dǎo)致記錄調(diào)制(recordingmodulation)不足，而超過150nm的預(yù)槽深度顯著地減少反射度。預(yù)槽的角的上限優(yōu)選為80°以下，更優(yōu)選為70°以下，再更優(yōu)選為60°以下，并且特別優(yōu)選為50°以下。此外，預(yù)槽的角的下限優(yōu)選為20°以上，更優(yōu)選為30°以上，并且再更優(yōu)選為40。以上。小于20°的預(yù)槽角可能導(dǎo)致跟蹤誤差信號(hào)振幅不足，而超過80°的預(yù)槽角則導(dǎo)致成型困難。作為本發(fā)明中的襯底，可以任意地選擇和使用在現(xiàn)有光學(xué)信息記錄介質(zhì)中用作襯底材料的各種材料。該材料的具體實(shí)例包括玻璃；聚碳酸酯；丙烯酸類樹脂如聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯基樹脂如聚氯乙烯和氯乙烯共聚物；環(huán)氧樹脂；無定形聚烯烴；聚酯；以及金屬如鋁，并且如果需要，可以使用它們的兩種或更多種中的組合。在上述材料之中，基于防潮性、尺寸穩(wěn)定性和低成本的觀點(diǎn)，優(yōu)選熱塑性樹脂如無定形聚烯烴和聚碳酸酯，并且聚碳酸酯是特別優(yōu)選的。在使用這樣的樹脂的情況，可以通過注塑的方式來制造襯底。需要的是，襯底的厚度在0.7至2mm的范圍內(nèi)。優(yōu)選它在0.9至1.6mm的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在1.0至1.3mm的范圍內(nèi)。在襯底布置下述光學(xué)反射層的一側(cè)的表面上，為了改善平面性以及增加粘合力，優(yōu)選形成底涂層。底涂層的材料的實(shí)例包括聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸酯-甲基丙烯酸酯共聚物、苯乙烯-馬來酐共聚物、聚乙烯醇、N-羥甲基丙烯酰胺、苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝酸纖維素、聚氯乙烯、氯化聚烯烴、聚酯、聚酰亞胺、乙酸乙烯酯-氯乙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯和聚碳酸酯；以及表面改性劑，例如硅垸偶聯(lián)劑。底涂層可以通過以下方法形成通過將上述材料溶解或分散在適當(dāng)?shù)娜軇┲兄苽渫坎既芤?，隨后依靠涂布方法如旋涂法、浸涂法或擠涂法來將涂布溶液涂布在襯底的表面上。通常，底涂層的膜厚度在0.05至20pm的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選在O.Ol至10pm的范圍內(nèi)。方面(l)的有利的一次性寫入記錄層通過以下方法制備通過將染料(上述在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分的染料，并且該染料部分相互結(jié)合，而沒有上述共軛鍵)和粘合劑以及其它一起溶解在合適的溶劑中，以制備涂布溶液；并且通過在襯底或下述光反射層上涂敷涂布溶液來形成涂布膜；以及干燥該涂布膜。于此，一次性寫入記錄層可以是單層的或多層的。在具有多層構(gòu)型的一次性寫入記錄層的情況下，該記錄層可以通過進(jìn)行多次涂布步驟來形成。涂布溶液中染料的濃度通常在0.01至15質(zhì)量％的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.1至10質(zhì)量°/。的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.5至5質(zhì)量％的范圍內(nèi)，并且最優(yōu)選在0.5至3質(zhì)量％的范圍內(nèi)。涂布溶液用溶劑的實(shí)例包括酉旨，例如乙酸丁酯、乳酸乙酯和乙酸溶纖劑；酮，例如甲基乙基酮、環(huán)己酮和甲基乙丁基酮；氯化烴，例如二氯甲烷、1,2-二氯乙烷和氯仿；酰胺，例如二甲基甲酰胺；烴，例如甲基環(huán)己烷；醚，例如四氫呋喃、乙醚和二噁烷；醇，例如乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇和雙丙酮醇；氟化溶劑，例如2，2,3,3-四氟丙醇；以及乙二醇醚，例如乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚和丙二醇單甲基醚。考慮到所使用的染料的溶解性，上述溶劑可以單獨(dú)或以它們的兩種或更多種的組合來使用。此外，可以根據(jù)目的而向涂布溶液中加入各種的添加劑如抗氧化劑、UV吸收劑、增塑劑和潤(rùn)滑劑。作為涂布方法，可以列舉的有噴涂法、旋涂法、浸漬法、輥涂法、刀涂法、涂布量控制輥法和絲網(wǎng)印刷法。在涂布時(shí)，涂布溶液的溫度優(yōu)選在23至50攝氏度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在24至40攝氏度的范圍內(nèi)，在此之中，特別優(yōu)選在23至50攝氏度的范圍內(nèi)。在槽(襯底上的突出部分)上，這樣形成的一次性寫入記錄層的厚度優(yōu)選為300nm以下，更優(yōu)選為250nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為200nm以下，并且特別優(yōu)選為180nm以下。其下限優(yōu)選為30nm以上，更優(yōu)選為50nm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為70nm以上，并且特別優(yōu)選為90nm以上。此外，在平臺(tái)(land)(襯底上的凹部)上，一次性寫入記錄層的厚度優(yōu)選為400nm以下，更優(yōu)選為300nm以下，并且進(jìn)一步更優(yōu)選為250nm以下。其下限優(yōu)選為70nm以上，更優(yōu)選為90nm以上，并且進(jìn)一步更優(yōu)選為110nm以上。又此外，在槽上的一次性寫入記錄層的厚度對(duì)在平臺(tái)上的一次性寫入記錄層的厚度的比率優(yōu)選為0.4以上，更優(yōu)選為0.5以上，進(jìn)一步更優(yōu)選為0.6以上，并且特別優(yōu)選為0.7以上。其上限優(yōu)選為小于1，更優(yōu)選為0.9以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.85以下，并且特別優(yōu)選為0.8以下。在涂布溶液包含粘合劑的情況，粘合劑的實(shí)例包括天然有機(jī)聚合物，例如明膠、纖維素衍生物、葡聚糖、松香和橡膠；以及合成有機(jī)聚合物，例如，烴類樹脂如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯和聚異丁烯、乙烯基樹脂如聚氯乙烯、聚偏l，l-二氯乙烯和聚氯乙烯-聚乙酸乙烯酯共聚物、丙烯酸類樹脂如聚丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸甲酯；以及熱固性樹脂的初始縮合物，例如聚乙烯醇、氯化聚乙烯、環(huán)氧樹脂、丁醛樹脂、橡膠衍生物和酚醛樹脂。在粘合劑同時(shí)作為記錄層的材料而使用的情況，粘合劑的使用量通常在染料的量(質(zhì)量比)的0.01至50倍的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選在染料的量(質(zhì)量比)的0.1至5倍的范圍內(nèi)。在上述一次性寫入記錄層或下述阻擋層上，通過粘合劑或增粘劑而粘合根據(jù)優(yōu)選方面(l)的覆蓋層。只要使用從透明的材料制成的膜，對(duì)本發(fā)明中使用的覆蓋層沒有具體限制。然而，可以優(yōu)選使用聚碳酸酯；丙烯酸類樹脂如聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯樹脂如聚氯乙烯和氯乙烯共聚物；環(huán)氧樹脂；無定形聚烯烴；聚酯；以及三乙酸纖維素。在這些中，可以優(yōu)選使用聚碳酸酯或三乙酸纖維素。"透明的"是指對(duì)于記錄和復(fù)制用光的透射比為80%以上。在覆蓋層中，只要不妨礙本發(fā)明的效果，可以包含各種添加劑。例如，覆蓋層可以包含將波長(zhǎng)為400nm或更短的光切斷的UV吸收劑，和/或?qū)⒉ㄩL(zhǎng)為500nm或更長(zhǎng)的光切斷的染料。此外，作為覆蓋層的表面的物理性質(zhì)，在二維粗糙度參數(shù)和三維粗糙度參數(shù)中，表面粗糙度優(yōu)選都為5nm以下?；谠谟涗浐蛷?fù)制中使用的光的收集功率(collectingpower)的觀點(diǎn)，覆蓋層的雙折射率優(yōu)選為10nm以下。根據(jù)用于記錄和復(fù)制而輻照的激光的波長(zhǎng)以及NA，適當(dāng)?shù)靥峁└采w層的厚度。然而，在本發(fā)明中，它在0.01至0.5mm的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在0.05至0.12mm的范圍內(nèi)。由覆蓋層和粘合劑或增粘劑層制成的層的總的厚度優(yōu)選在0.09至0.11mm的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在0.095至0.105mm的范圍內(nèi)。為了在制造光學(xué)信息記錄介質(zhì)時(shí)抑制光入射表面產(chǎn)生缺陷，在覆蓋層的光入射表面上可以布置保護(hù)層(硬涂層)。作為用于粘合覆蓋層的粘合劑，可以優(yōu)選使用例如UV固化性樹脂、EB固化性樹脂和熱固性樹脂，并且可以特別優(yōu)選使用UV固化性樹脂。在UV固化性樹脂用作粘合劑的情況下，可以從分配器將UV固化性樹脂原樣或通過將UV固化性樹脂溶解在適當(dāng)溶劑如甲基乙酮在和乙酸乙酯中而制備的涂布溶液供給在阻擋層的表面上。為了抑制制造的光學(xué)信息記錄介質(zhì)翹曲，構(gòu)成粘合層的UV固化性樹脂優(yōu)選具有小的固化收縮速率。作為這樣的UV固化性樹脂的實(shí)例，可以列舉的有諸如由DainipponInkandChemicals,Incorporated制造的商品名為SD-640的UV固化性樹脂。優(yōu)選的是，例如，將預(yù)定量的粘合劑涂布由阻擋層制成的粘合表面上；在其上布置覆蓋層；隨后依靠旋涂在粘合層和覆蓋層之間均勻地鋪展粘合劑；再隨后可以固化粘合劑。由這樣的粘合劑制成的粘合層的厚度優(yōu)選在0.1至100pm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.5至50pm的范圍內(nèi)，并且進(jìn)一步更優(yōu)選在10至30的范圍內(nèi)。作為用于粘合覆蓋層的增粘劑，可以使用丙烯酸類、橡膠基和硅基增粘劑。然而，基于透明性和耐久性的觀點(diǎn)，優(yōu)選的是丙烯酸類增粘劑。作為這樣的丙烯酸類增粘劑，可以優(yōu)選使用的有丙烯酸類增粘劑，其中用丙烯酸-2-乙基己酯或丙烯酸正丁酯作為其主要組分，為了增加內(nèi)聚力，共聚短鏈丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸垸基酯如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯，和丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酰胺衍生物、馬來酸、丙烯酸羥乙酯和丙烯酸縮水甘油酯，它們?nèi)靠梢宰鳛榕c交聯(lián)劑的交聯(lián)點(diǎn)。通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)主要組分、短鏈組分以及增加交聯(lián)點(diǎn)的組分的混合比例和種類，可以改變玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)和交聯(lián)密度。作為與增粘劑一起使用的交聯(lián)劑，可以列舉的有例如異氰酸酯基交聯(lián)劑。這樣的異氰酸酯基交聯(lián)劑的實(shí)例包括異氰酸酯，例如三氯乙烯二異氰酸酯、4,4，-二苯甲垸二異氰酸酯、1,6-己二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、亞萘基-l，5-二異氰酸酯、鄰甲苯胺異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯和三苯甲垸三異氰酸酯；或異氰酸酯和多元醇的產(chǎn)物；或由異氰酸酯的縮合制備的聚異氰酸酯。異氰酸酯的商購產(chǎn)品的實(shí)例包括商品名CoronateL、CoronateHL、Coronate2030、Coronate2031、MillionateMR和MillionateHTL，由NipponPolyurethaneIndustryCo.Ltd.生產(chǎn)；商品名TakenateD-102、TakenateD-1讓、TakenateD-200禾口TakenateD-202，由TakedaChemicalIndustriesCo.,Ltd.生產(chǎn)；禾口商品名DesmodueL、DesmoduleIL、DesmoduleN禾BDesmoduleHL，由SumitomoBayerCo.，Ltd.生產(chǎn)。在將預(yù)定量的增粘劑均勻地涂布在由阻擋層和其上布置的覆蓋層制成的粘合表面以后，可以固化增粘劑；或者在將預(yù)定量的增粘劑預(yù)先涂布在覆蓋層上以形成增粘劑涂布膜，并且將該涂布膜層壓至粘合表面以后，可以固化增粘劑。此外，作為覆蓋層，可以使用其上預(yù)先布置有增粘劑層的商購粘合膜。由增粘劑制成的增粘劑層的厚度優(yōu)選在0.1至100的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.5至50jum的范圍內(nèi)，并且進(jìn)一步更優(yōu)選在10至30的范圍內(nèi)。除上述不可缺少的層以外，只要不損害本發(fā)明的效果，根據(jù)優(yōu)選方面(l)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)可以具有其它的任選層。作為任選層，例如可以列舉的有具有在襯底背面(與形成一次性寫入記錄層的面相反的面)上形成的需要圖像的標(biāo)記層；含有需要圖像的標(biāo)記層；布置在襯底和一次性寫入記錄層之間的光反射層(下述)；布置在一次性寫入層和覆蓋層之間的阻擋層(下述)；以及布置在光反射層和一次性寫入記錄層之間的界面層。該標(biāo)記層通過使用UV固化性樹脂、熱固性樹脂和熱干燥樹脂(themialdryresins)形成。所有的不可缺少的層以及任選層可以是單層，或可以具有多層結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，為了增加對(duì)激光的反射度，或者為了賦予改善記錄和復(fù)制性質(zhì)的功能，在襯底和一次性寫入記錄層之間優(yōu)選布置光反射層。光反射層可以通過真空蒸發(fā)、濺射或離子鍍敷對(duì)激光具有高反射度的光反射性材料而在襯底上形成。光反射層的層厚度通常在10至300mm的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選在50至200mm的范圍內(nèi)。除此之外，反射度優(yōu)選為70%以上。反射度高的光反射性材料的實(shí)例包括金屬和準(zhǔn)金屬如Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn和Bi，或不銹鋼。光反射性材料可以單獨(dú)使用，或者以它們的兩種或更多種的組合使用，或者還可以作為它們的合金使用。在這些中，Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不銹鋼是優(yōu)選的。特別優(yōu)選地，可以使用Au、Ag、Al或它們的合金，并且最優(yōu)選地，可以使用Au、Ag或它們的合金。在本發(fā)明中，優(yōu)選在一次性寫入記錄層和覆蓋層之間形成阻擋層。布置阻擋層是為了增加一次性記錄層的貯存穩(wěn)定性、增加一次性寫入記錄層和覆蓋層之間的粘合性、控制反射度以及控制熱導(dǎo)率。對(duì)用于阻擋層的材料沒有限制，只要這些材料是可以透射用于記錄和復(fù)制的光，并且還可以顯示以上功能的材料即可。例如，通常，優(yōu)選的是氣體和水的滲透性低的材料，并且是電介質(zhì)。具體地，由Zn、Si、Ti、Te、Sn、Mo和Ge的氮化物、氧化物、碳化物和硫化物制成的材料是優(yōu)選的。在這些之中，ZnS、Mo02、Ge02、TeO、Si02、Ti02、ZnO、ZnS-Si02、Sn02和ZnO-Ga203是優(yōu)選的，并且ZnS-Si02、Sn02和ZnO-Ga203是更優(yōu)選的。阻擋層還可以通過真空膜形成法如真空蒸發(fā)、DC濺射、RP濺射或離子鍍敷形成。在這些之中，更優(yōu)選的是使用濺射法，并且可以進(jìn)一步更優(yōu)選使用RF濺射。根據(jù)本發(fā)明的阻擋層的厚度優(yōu)選在1至200nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2至100nm的范圍內(nèi)，并且進(jìn)一步更優(yōu)選在3至50nm的范圍內(nèi)。以下，將描述有利方面(2)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。方面(2)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)是具有層壓層結(jié)構(gòu)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，并且該層結(jié)構(gòu)的典型實(shí)例如下(1)第一層結(jié)構(gòu)，其具有在襯底上以如下順序形成的一次性寫入記錄層、光反射層和粘合層，并且又在粘合層上形成的保護(hù)性襯底。(2)第二層結(jié)構(gòu)，其具有在襯底上以如下順序形成的一次性寫入記錄層、光反射層、保護(hù)層和粘合層，并且又在粘合層上形成的保護(hù)性襯底。(3)第三層結(jié)構(gòu)，其具有在襯底上以如下順序形成的一次性寫入記錄層、光反射層、保護(hù)層、粘合層和保護(hù)層，并且又在保護(hù)層上形成的保護(hù)性襯底。(4)第四層結(jié)構(gòu)，其具有在襯底上以如下順序形成的一次性寫入記錄層、光反射層、保護(hù)層、粘合層、保護(hù)層和光反射層，并且又在光反射層上形成的保護(hù)性襯底。(5)第五層結(jié)構(gòu)，其具有在襯底上以如下順序形成的一次性寫入記錄層、光反射層、粘合層和光反射層，并且又在光反射層上形成的保護(hù)性襯底。層結(jié)構(gòu)(1)至(5)僅為例證，而層結(jié)構(gòu)不限于上述這些結(jié)構(gòu)，并且可以改變一些層的順序或可以將其去除。一次性寫入記錄層還可以形成在保護(hù)性襯底側(cè)的表面上，并且在這樣的情況下，得到了允許從兩面記錄和復(fù)制的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。此外，各個(gè)層可以是單層或可以包含多層。以下將通過采用具有在襯底上以如下順序形成的一次性寫入記錄層、光反射層、粘合層和保護(hù)性襯底的介質(zhì)作為實(shí)例，來描述根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。在有利方面(2)的襯底上基本上形成以具有全部在下列范圍內(nèi)的磁道間距、槽寬(半值寬度)、槽深和擺幅的形狀的預(yù)槽(導(dǎo)槽)。例如當(dāng)將根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)用作與藍(lán)紫激光相容的介質(zhì)時(shí)，用于賦予襯底比CD-R或DVD-R的記錄密度更高的記錄密度而形成的預(yù)槽是特別有利的。預(yù)槽磁道間距優(yōu)選在200至600nm的范圍內(nèi)，并且上限優(yōu)選為500nm以下，更優(yōu)選為450nm以下，并且再更優(yōu)選為430nm以下。下限優(yōu)選為300nm以上，更優(yōu)選為330nm以上，并且再更優(yōu)選為370nm以上。小于200nm的磁道間距可能使得難以精確地形成預(yù)槽，引起串?dāng)_的問題，而大于600nm的磁道間距可能引起記錄密度劣化的問題。預(yù)槽寬度(半值寬度)優(yōu)選在50至300nm的范圍內(nèi)，并且上限優(yōu)選為250nm以下，更優(yōu)選為200nm以下，并且再更優(yōu)選為180nm以下。下限優(yōu)選為100nm以上，更優(yōu)選為120nm以上，并且再更優(yōu)選為140nm以上。小于50nm的預(yù)槽寬度可能導(dǎo)致在成型期間的槽的轉(zhuǎn)印不足，并且增加在記錄期間的差錯(cuò)率，而超過300nm的預(yù)槽寬度導(dǎo)致在記錄期間形成的坑加寬、引起串?dāng)_和調(diào)制不足。預(yù)槽深度優(yōu)選在30至200nm的范圍內(nèi)，并且其上限優(yōu)選為170nm以下，更優(yōu)選為140nm以下，以及再更優(yōu)選為120nm以下。其下限優(yōu)選為40nm以上，更優(yōu)選為50nm以上，并且再更優(yōu)選為60nm以上。小于30nm的預(yù)槽深度可能導(dǎo)致記錄調(diào)制不足，而超過200nm的預(yù)槽深度顯著地減少反射度?？梢詫⒂糜诔Ｒ?guī)光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的襯底的各種材料的任意一種用于制備有利于在方面(2)中使用的襯底，因?yàn)樗沁m當(dāng)選擇的，并且它的典型實(shí)例和有利實(shí)例與方面(l)中的襯底所述的典型實(shí)例和有利實(shí)例相同。襯底的厚度應(yīng)當(dāng)在O.l至1.0mm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.2至0.8mm的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在0.3至0.7mm的范圍內(nèi)。底涂層優(yōu)選形成在襯底的一次性寫入記錄層側(cè)的表面上，以改善平面性和粘合強(qiáng)度，并且底涂層的材料、涂布方法和層厚度的典型和有利實(shí)例與對(duì)于方面(l)的底涂層所述的材料、涂布方法和層厚度相同。方面(2)的--次性寫入記錄層的細(xì)節(jié)與方面(l)的一次性寫入記錄層的細(xì)節(jié)相同。在有利方面(2)中，有時(shí)將光反射層形成在一次性寫入記錄層上，以改善對(duì)激光束的反射度和記錄復(fù)制性質(zhì)。方面(2)的光反射層的細(xì)節(jié)與方面(1)的光反射層的細(xì)節(jié)相同。有利方面(2)的粘合層是為了改善在光反射層和保護(hù)性襯底之間的粘合而形成的任意層。粘合層用材料優(yōu)選為可光固化性樹脂，并且特別是具有用于防止盤翹曲的低固化收縮的光固化性樹脂。光固化性樹脂的實(shí)例包括諸如由DainipponInkandChemicals,Inc.生產(chǎn)的商品名為SD-640和SD-347的UV-固化性樹脂(UV-固化性粘合齊U)等。為了對(duì)層提供充分的彈性，粘合層的厚度優(yōu)選在1至1000的范圍內(nèi)。可以將相同形狀的與用于上述襯底的材料相同的材料作為有利方面(2)的保護(hù)性襯底(假襯底(dummysubstmte))。保護(hù)性襯底的厚度應(yīng)當(dāng)在0.1至1.0mm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.2至0.8mm的范圍內(nèi)，并且再更優(yōu)選在0.3至0.7mm的范圍內(nèi)。有利方面(2)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)取決于它的層結(jié)構(gòu)可以具有用于物理和化學(xué)保護(hù)光反射層、一次性寫入記錄層等的保護(hù)層。保護(hù)層用材料的實(shí)例包括無機(jī)材料，例如ZnS、ZnS-Si02、SiO、Si02、MgF2、Sn02和Si3N4;以及有機(jī)材料，例如熱塑性樹脂、熱固性樹脂和UV-固化性樹脂。保護(hù)層可以例如通過粘合膜來制備，所述膜是通過將塑性樹脂(plasticresin)與粘合劑擠出到光反射層上制備的。備選地，它可以通過其它方法如真空沉積、濺射或涂布來形成。當(dāng)保護(hù)層由熱塑性樹脂或熱固性樹脂制成時(shí)，該保護(hù)層可以通過將樹脂溶解在適宜的溶劑中以制備涂布溶液，并且涂布和干燥該涂布溶液來形成。當(dāng)使用UV-固化性樹脂時(shí)，保護(hù)層可以通過將它溶解在適宜的溶劑中以制備涂布溶液、涂布該涂布溶液并且通過uv輻照硬化涂布膜來形成。根據(jù)它的應(yīng)用，可以另外將各種添加劑如抗靜電劑、抗氧化劑和uv吸收劑加入這樣的涂布溶液。保護(hù)層的厚度通常在O.lpm至lmm的范圍內(nèi)。灘據(jù)方面(2)的其它層]在方面(2)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，只要不妨礙本發(fā)明的效果，除以上層之外，還可以包含其它任選層。其它任選層的細(xì)節(jié)與方面(l)的其它層的細(xì)節(jié)相同。光學(xué)信息記錄方法根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄方法是通過使用有利方面(1)或(2)中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)來進(jìn)行的，例如如下首先，將記錄用光束如半導(dǎo)體激光輻照在光學(xué)信息記錄介質(zhì)上，同時(shí)從在方面(l)的情況下的覆蓋層一側(cè)或從在方面(2)的情況下的襯底一側(cè)以恒定線速度(0.5至10m/秒)或恒定角速度旋轉(zhuǎn)?？磥恚S著光輻照由于光吸收而升高記錄層的局部區(qū)域的溫度，從而導(dǎo)致它的物理或化學(xué)性質(zhì)變化(例如，凹坑形成)，信息被記錄。在本發(fā)明中，將振蕩波長(zhǎng)在390至440nm(優(yōu)選400至410nm)范圍內(nèi)的半導(dǎo)體激光用作記錄光。優(yōu)選光源的實(shí)例包括振蕩波長(zhǎng)在390至415nm范圍內(nèi)的藍(lán)紫半導(dǎo)體激光器，以及中心振蕩波長(zhǎng)為425nm的藍(lán)紫SHG激光器，所述的中心振蕩波長(zhǎng)是通過使用光學(xué)波導(dǎo)元件對(duì)分中心振蕩波長(zhǎng)為850nm的紅外半導(dǎo)體激光的波長(zhǎng)而得到的。根據(jù)記錄密度，振蕩波長(zhǎng)在390至415nm范圍內(nèi)的藍(lán)紫半導(dǎo)體激光器是特別優(yōu)選的。通過用半導(dǎo)體激光從方面(1)中的覆蓋層一側(cè)和從方面(2)中的襯底一側(cè)輻照介質(zhì)，同時(shí)以與上述相同的恒定線速度旋轉(zhuǎn)介質(zhì)，并且檢測(cè)反射光，可以回放記錄的信息。包含分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)在沒有共軛鍵的情況下相互結(jié)合的獨(dú)立染料部分的染料的記錄層的使用使得能夠通過輻照波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束而進(jìn)行信息的高密度記錄和復(fù)制，并且有利于它的光學(xué)穩(wěn)定性?？赡艿氖怯捎跍p少了每單位體積的染料的締合。優(yōu)選將下列第一至第八方面中的至少一方面應(yīng)用到根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(1)第一方面，其中染料具有由下列式(l)表示的結(jié)構(gòu)。式(l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula>(式(1)中，Dye11、Dye'2和Dye2k各自表示染料部分；1^和1^各自表示二價(jià)連接基團(tuán)，所述的二價(jià)連接基團(tuán)與結(jié)合到它上的染料部分不形成兀-共軛鍵；n為0以上和10以下的整數(shù)；k為0至n的整數(shù)；當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)Dye"可以相互相同或不同；當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)L^可以相互相同或不同；Q表示用于中和電荷的離子；以及y為用于中和電荷所需要的離子的數(shù)目)。具有由式(l)表示的結(jié)構(gòu)的染料減少了每單位體積的染料的締合，并且改善了光堅(jiān)固性。(2)第二方面，其中染料部分為氧雜菁染料部分。多聚體染料通常難溶于溶劑中，然而，通過作為氧雜菁的染料部分，染料可以更加可溶解于氟化醇中。(3)第三方面，其中染料由下列式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)或(2-5)表不。式(2-l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>(上式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)和(2-5)中，R表示在次甲基碳上的取代基；m為0至1的整數(shù)；n為0至2m+l的整數(shù)；當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)R可以相互相同或不同，或可以相互結(jié)合形成環(huán)；Z^和Z^各自表示形成酸性核的原子團(tuán)；L11、Q和y的定義與式(1)中的L11、Q和y相同；Y表示-O-、-NR"-和-CR"R-中的任何一種；R'至I^各自獨(dú)立表示氫原子或取代基；Z表示取代或未取代的亞垸基；以及x為l或2。G表示氧原子或硫原子，優(yōu)選氧原子)由式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)和(2-5)表示的染料降解性優(yōu)良，從而允許了有利記錄。(4)第四方面，其中式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)或(2-5)中的m為0。當(dāng)m為0時(shí)，染料具有比其中m為1以上的染料的光穩(wěn)定性更好的光穩(wěn)定性?？赡苁且?yàn)?，?dāng)m為0時(shí)，共軛鏈在空間上更加混雜，從而抑制了單線態(tài)氧的滲入。(5)第五方面，其中染料為由下列式(5-l)、(5-2)、(5-3)、(5-4)或(5-5)表示的氧雜菁染料。式(5-l)式(5-2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula>式(5-4)(上式(5-l)、(5-2)、(5-3)、(5-4)和(5-5)中，R、Z、Y、Q和y與式(2-1)至(2-5)中的R、Z、Y、Q和y相同；R1至119各自獨(dú)立表示氫原子或取代基；以及G表示氧原子或硫原子)。由式(5-l)、(5-2)、(5-3)、(5-4)或(5-5)表示的染料降解性優(yōu)良，允許了有利記錄。(6)第六方面，其中除記錄層之外，還形成由金屬制成的光反射層。在信息復(fù)制期間，光反射層的存在有效改善了反射度。(7)第七方面，其中除記錄層之外，還形成保護(hù)層。保護(hù)層的存在有效保護(hù)各種層。(8)第八方面，其中襯底是具有在它的表面上形成的磁磁道間距為50至600mn的預(yù)槽的透明盤狀襯底，并且記錄層形成在襯底的預(yù)槽一側(cè)的表面上。在這樣的構(gòu)型中，可以更可靠地進(jìn)行信息的高密度記錄。本發(fā)明還提供了一種通過在根據(jù)上述本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上輻照波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束來記錄信息的信息記錄方法。根據(jù)本發(fā)明的信息記錄方法通過使用根據(jù)上述本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)而有利地允許了信息的高密度記錄和復(fù)制。式(5-5)實(shí)施例以下，將描述實(shí)施例中一些化合物的示例性合成方法?？梢灶愃频刂苽淦渌衔?S-2至S-4、S-6至S-22和S-24至S-27)。以上化合物(S-1)的合成根據(jù)以下方案(A)合成該化合物。(S-1〉將2.84g的"化合物2"溶解在50ml的N,N'-二甲基甲酰胺中，然后將溶液冷卻至0。C，同時(shí)攪拌溶液，加入8.34ml的三乙胺，然后向其中加入5.86g的"化合物1"。在0"反應(yīng)4小時(shí)以后，加入8.00g的溴化四丁基銨，隨后攪拌1小時(shí)。將反應(yīng)溶液傾倒到300ml的水中，并且過濾以得到白色晶體。用乙酸乙酯洗滌得到的晶體，得到6.06g的化合物(S-l)。通過雨R測(cè)定結(jié)構(gòu)。'HNMR(DMS0-d6):d:0.95(t,24H)、1.31(m，16H)，1,4至1.9(m,20H),2.05(s，8H),3.15(t,16H)和7.89(s,2H)。以上化合物(S-5)的合成根據(jù)以下方案(B)合成該化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula>將2.84g的"化合物2"溶解在50ml的N,N'-二甲基甲酰胺中，然后將溶液冷卻至0。C，同時(shí)攪拌溶液，加入8.34ml的三乙胺，然后向其中加入6.12g的"化合物3"。在0。C反應(yīng)4小時(shí)以后，加入7.00g的溴化四丁基銨，隨后攪拌1小時(shí)。將反應(yīng)溶液傾倒到300ml的水中，并且過濾以得到白色晶體。用乙酸乙酯-甲醇洗滌得到的晶體，得到8.00g的化合物(S-5)。通過NMR測(cè)定結(jié)構(gòu)。iHNMR(DMS0-d6):d:0.95(t,24H)，1.31(m，16H)，1.5至2.5(m,28H),3.15(t,16H)和7.92(s,2H)。以上化合物S-23的合成根據(jù)下列方案(C)至(D)合成該化合物。將0.29g的"化合物4"和0.29g的"化合物2"加入到5ml的乙醇中，同時(shí)攪拌溶液，向其中加入0.57g的三乙胺。在室溫下反應(yīng)4小時(shí)以后，過濾生成的結(jié)晶，得到0.24§的"化合物5"。將0.24g的"化合物5"加入到2.5ml的二甲基甲酰胺中，然后向其中加入0.27g的"化合物6"，以在5(TC反應(yīng)1小時(shí)。此后，將溶液冷卻至室溫，然后向其中加入40ml的甲醇以生成晶體。過濾生成的晶體得到0.31g的化合物(S-23)。通過NMR測(cè)定結(jié)構(gòu)。'HNMR(DMSO-d6):d:2.0(s,8H),3.65(s,6H)，7.2至7.8(m,14H),7.9(s,2H)，8.15(s,2H),9.0(d,4H)，9.7(d,4H)禾口10.75(s:2H)。根據(jù)以下方案(E)合成該化合物。將4,15g的"化合物3"和2.50g的"化合物7"溶解在40ml的乙腈中，隨后逐滴加入1.28ml的乙酸酐，然后逐滴加入1.90ml的三乙胺，然后將溶液在攪拌的情況下回流。反應(yīng)2小時(shí)后，加入7.00g的溴化四丁基銨，并且將混合物攪拌l小時(shí)。向反應(yīng)溶液中加入300ml的乙酸乙酯，并且過濾溶液，得到白色晶體。用乙酸乙酯洗滌生成的晶體得到5.33g的化合物(H-1)。通過NMR測(cè)定結(jié)構(gòu)。'HNMR(CDCl3):d:0.95(t,12H),Ul(m,願(yuàn)),1.55至2.7(m,20H)，3.22(t，8H)和8.21(s,2H)。Bu4NOH)<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制備>(襯底的制備)通過注塑制備聚碳酸酯樹脂襯底，所述聚碳酸酯樹脂襯底具有1.1mm的厚度，120mm的外徑和15mm的內(nèi)徑，并且具有螺旋預(yù)槽(磁道間距320rnn;槽寬槽上寬度(on-groovewidth)120nm;槽深35nm;槽傾斜角65°;擺幅20nm)。通過激光切割(351nm)對(duì)注塑中使用的壓模(stamper)進(jìn)行母版制作(mastering)。(光反射層的形成)在Ar氣氣氛中，通過使用由Unaxis制造的商品名Cube,依靠DC濺射，在襯底上形成膜厚度為100nm的APC光反射層(Ag:98.1質(zhì)量％;P山0.9質(zhì)量％;和Cm.0質(zhì)量％)作為真空沉積層。光反射層的膜厚度由濺射時(shí)間控制。(一次性寫入記錄層的形成)將2克的表1中的每種化合物(S-l)、(S-4)、(S-5)和(S-23)加入至100ml的2，2，3,3-四氟丙醇以溶解，從而制備含染料的涂布溶液。在23攝氏度和50%RH的條件下，依靠旋涂法將制備的含染料涂布溶液涂布在光反射層上，其中轉(zhuǎn)數(shù)在300至400rpm范圍內(nèi)變化。然后，將它在23攝氏度和50。/。RH貯存1小時(shí)，形成一次性寫入記錄層(在槽上具有120nm的厚度，而在平臺(tái)具有nOnm的厚度)。在形成一次性寫入記錄層后，在清潔的爐中，進(jìn)行退火處理。將襯底支持在用隔離物分開的垂直堆積桿(stackpole)上，并且在80攝氏度進(jìn)行退火處理1小時(shí)。(阻擋層的形成)此后，在Ar氣氣氛中，通過使用由Unaxis制造的商品名Cube,依靠RF濺射，在一次性寫入記錄層上形成5nm的厚度并且由ZnO-Ga203(ZnO:Ga203=7:3(按質(zhì)量比計(jì)))制成的阻擋層。(覆蓋層的粘合)作為覆蓋層，采用具有15mm的內(nèi)徑，120mm的外徑，并且在其一個(gè)表面上使用了增粘劑的聚碳酸酯膜(商品名.'TeijinPureAce;厚度SOpm),控制增粘劑層和聚碳酸酯膜的厚度的總和，以使得其為100pm。然后，在將覆蓋層布置在阻擋層上，使得阻擋層與增粘劑層可以接觸以后，通過使用壓制構(gòu)件來壓制粘合覆蓋層，以粘合。(比較例1至4)除用由以下化學(xué)式表示的比較化合物(A)至(D)分別代替化合物(S-1),(S-4),(S-5)和(S-23)之外，以正好與實(shí)施例1至4同樣的方式制備盤。比較化合物A(JP-A11-58758中描述的典型實(shí)例(b))比較化合B(JP-A11-58758中描述的典型實(shí)例(c))比較化合物C(JP-A2001-71638中描述的典型實(shí)例(32))<formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula>比較化合物D(JP-A2001-71638中描述的典型實(shí)例(34))<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula>由此制備出實(shí)施例1至4和比較例1至4的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)>-C/N比的評(píng)價(jià)(載波對(duì)噪聲比率)當(dāng)在66MHz的時(shí)鐘頻率和5.28m/s的線速度的條件下，在帶有403-nm激光器和NA為0.85的檢波器的記錄/復(fù)制檢驗(yàn)機(jī)(inspectingmachine)(商品名DDU1000;由PulstecIndustrialCo丄td.制造)中，記錄和復(fù)制0.16屮m信號(hào)(2T)時(shí)，通過光譜分析儀(TR4171，由AdvantestCorporation制造)測(cè)定制備的各個(gè)光學(xué)信息記錄介質(zhì)的C/N比(在記錄以后)。結(jié)果顯示于表3中。在槽上進(jìn)行記錄以進(jìn)行評(píng)價(jià)。于是記錄輸出(recordingoutput)為5.2mW，而復(fù)制功率(reproductionpower)為0.3mW。<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制備>(襯底的制備)制備由聚碳酸酯樹脂制成的注塑襯底，所述襯底具有0.6mm的厚度,120mm的外徑和15mm的內(nèi)徑，以及螺旋預(yù)槽(磁道間距400nm;槽寬170nm;槽深lOOnm;槽角65°;擺幅20nm)。通過使用激光切割(351nm)對(duì)注塑中使用的壓模進(jìn)行母版制作。(一次性寫入記錄層的形成)將2克的表1中每種化合物(S-l)、(S-4)、(S-5)和(S-23)加入至100ml的2,2,3，3-四氟丙醇以溶解，從而制備含染料的涂布溶液。在23攝氏度和50%RH的條件下，依靠旋涂法將制備的含染料涂布溶液涂布在襯底上，其中轉(zhuǎn)數(shù)在300至400rpm范圍內(nèi)變化。然后，將它在23攝氏度和50%RH貯存1小時(shí)，形成一次性寫入記錄層(在槽上具有120nm的厚度，而在平臺(tái)具有170nm的厚度)。在形成一次性寫入記錄層后，在清潔的爐中，進(jìn)行退火處理。將襯底支持在用隔離物分離的垂直堆積桿上，并且在80攝氏度進(jìn)行退火處理1小時(shí)。(光反射層的形成)在Ar氣氣氛中，通過使用由Unaxis制造的商品名Cube，依靠DC濺射，在一次性寫入記錄層上形成膜厚度為100nm的APC光反射層(Ag:98.1質(zhì)量％;Pd:0.9質(zhì)量％;以及Cu:1.0質(zhì)量％)作為真空沉積層。光反射層的膜厚度由濺射時(shí)間控制。(保護(hù)性襯底的粘合)通過旋涂將紫外線固化性樹脂(SD640，由DainipponInkandChemicals制造)涂布在光反射層上，然后將由聚碳酸酯制成的保護(hù)性襯底(除不形成預(yù)槽之外，與以上襯底相同)粘合于其上，并且通過紫外線輻照固化。制備的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的紫外線固化性樹脂的粘合層的厚度為25pm。(比較例5至8)除用由以上化學(xué)式表示的比較化合物(A)至(D)分別代替化合物(S-1)、(S-4)、(S-5)和(S-23)之外，以正好與實(shí)施例5至8同樣的方式制備盤。由此，制備出實(shí)施例5至8和比較例5至8的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)>-C/N比的評(píng)價(jià)(載波對(duì)噪聲比率)當(dāng)在64.8MHz的時(shí)鐘頻率和6.61m/s的線速度的條件下，在帶有405-nm激光器和NA為0.65的檢波器的記錄/復(fù)制撿驗(yàn)機(jī)(商品名DDU1000;由PulstecIndustrial制造)中，記錄和復(fù)制0.204卞m信號(hào)(2T)時(shí)，通過光譜分析儀(TR4171，由AdvantestCorporation制造)測(cè)定制備的各個(gè)光學(xué)信息記錄介質(zhì)的C/N比(在記錄以后)。結(jié)果顯示于表3中。在評(píng)價(jià)中，通過使用根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄方法，將記錄保持在槽上。于是記錄輸出為12mW，而復(fù)制功率為0.5mW。結(jié)果顯示于表3中。25dB以上的C/N比(在記錄以后)表明復(fù)制信號(hào)強(qiáng)度充分大，并且記錄性質(zhì)是有利的。將表1中的化合物(S-l)和(S-5)和比較化合物(H-l)和(H-2)中的每種化合物以20mg的量加入到1ml的2，2,3,3-四氟丙醇以溶解，從而制備含染料的涂布溶液。在23攝氏度和50%RH的條件下，依靠旋涂法將制備的含染料涂布溶液涂布在玻璃襯底上，其中轉(zhuǎn)數(shù)在300至400rpm范圍內(nèi)變化?；衔?H-2)為JP-A2001-52293中描述的化合物(I-8)，該化合物根據(jù)其中的實(shí)施例中的方法制備。然后，在遮蔽條件下，將玻璃襯底在室溫貯存1天。此后，將涂布了染料的玻璃襯底布置在Merry-Go-Round型耐光性測(cè)試機(jī)(由EAGLEENGINEERINGInc.根據(jù)客戶制造)上，并且在距光源8cm的距離處使用附有濾光片(H-A-50，由HOYA制造)的氙氣燈(XL-500D-O500W，由USHIODISCHARGELAMPS制造)進(jìn)行光輻照。然后通過使用UV-1600(商品名由SHIMADZU制造)測(cè)定吸收度。將化合物(S-l)和(S-5)的吸收度與比較化合物(H-l)和(H-2)的吸收度進(jìn)行比較。將根據(jù)以上測(cè)定的吸收度隨時(shí)間的變化顯示于以下表4中。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>表4中的結(jié)果揭示，化合物(S-l)和(S-5)具有比比較化合物(H-l)和(H-2)更長(zhǎng)的光學(xué)貯存性。用化合物(H-2)作為標(biāo)準(zhǔn)，在48小時(shí)結(jié)束時(shí)，余下的染料化合物顯示了如表5中顯示的比較關(guān)系，在化合物(H-l)與化合物(S-l)或(S-5)相比時(shí)，發(fā)現(xiàn)化合物(S-l)或(S-5)是光穩(wěn)定性高出3倍的優(yōu)良染料。這證明了本發(fā)明的有用性。<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>以上所有結(jié)果表明，通過使用在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)不通過共軛鍵而相互結(jié)合的獨(dú)立染料部分的染料，可以得到有利于記錄性質(zhì)和耐貯性的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。因?yàn)樵谑褂镁哂斜菴D-R和DVD-R所用的激光的波長(zhǎng)更短波長(zhǎng)的激光時(shí)，可以得到這樣有利的效果，因此可以提供一種更高密度的信息記錄介質(zhì)和一種使用該信息記錄介質(zhì)的記錄和復(fù)制的方法。根據(jù)本發(fā)明的方面，提供了一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)和一種在光學(xué)信息記錄介質(zhì)上記錄信息的方法，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)有利地允許了通過輻照波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束來進(jìn)行信息的高密度記錄和復(fù)制，并且光貯存性優(yōu)良。本說明書中提及的全部公布、專利申請(qǐng)和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)都通過引用而結(jié)合于此，到如同具體地并且單獨(dú)地表示將每個(gè)單獨(dú)的公布、專利申請(qǐng)或技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)通過引用而結(jié)合相同的程度。權(quán)利要求1.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)包含在襯底上或在襯底上方的能夠通過輻照波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束來記錄信息的記錄層，所述記錄層包含分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分的染料，所述兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分以除形成共軛鍵至所述染料部分之外的方式相互結(jié)合。2.按照權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中所述染料具有由下式(l)表示的結(jié)構(gòu)式(l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中在式(l)中，Dye11、Dye'2和Dy^各自表示染料部分；L11禾PL2k各自表示二價(jià)連接基團(tuán)，所述的二價(jià)連接基團(tuán)與結(jié)合到它上的染料部分不形成兀-共軛鍵；n為0至10的整數(shù)；k為0至n的整數(shù)；當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)Dye"可以相互相同或不同；當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)基團(tuán)！^可以相互相同或不同；Q表示用于中和電荷的離子；并且y為用于中和電荷所需要的離子的數(shù)目。3.按照權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中所述染料部分為氧雜菁染料部分。4.按照權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中所述染料為由下式(2-1)、(2-2)、(2-3)、(2-4)或(2-5)表示的染料式(2-l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式(2-3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式(2-4)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式(2-5)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中在上式(2-l)、(2-2)、(2-3)、(2-4)或(2-5)中，R表示次甲基碳上的取代基；m為0至1的整數(shù)；n為0至2m+l的整數(shù)；當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)R可以相互相同或不同，或可以相互結(jié)合形成環(huán)；Z^和Za6各自表示形成酸性核的原子團(tuán)；L11各自表示二價(jià)連接基團(tuán)，所述的二價(jià)連接基團(tuán)與結(jié)合到它上的染料部分不形成兀-共軛鍵；Q表示用于中和電荷的離子；并且y為用于中和電荷所需要的離子的數(shù)目；Y表示-O-、-NR1-或-012尺3-中任何一種；R'至W各自獨(dú)立表示氫原子或取代基；Z表示取4式(5-2)代或未取代的亞烷基；以及x為l或2;G表示氧原子或硫原子。5.按照權(quán)利要求4所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中式(2-l)、(2-2)、(2畫3)、(2-4)和(2-5)中的m為0。6.按照權(quán)利要求5所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中所述染料為由下式(5-1)、(5-2)、(5-3)、(5-4)或(5墨5)表示的染茅斗式(5-l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式(5-3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式(5-4)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式(5-5)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中在上式(5-l)、(5-2)、(5-3)、(5-4)和(5-5)中，R表示次甲基碳上的取代基；Q表示用于中和電荷的離子；y為用于中和電荷所需要的離子的數(shù)目；Y為-O-、-NRL和-CRR、中任何一種；Z表示取代或未取代的亞烷基；x為l或2;并且R'至RS各自獨(dú)立表示氫原子或取代基；以及G表示氧原子或硫原子。7.按照權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)除所述記錄層之外還包含由金屬制成的光反射層。8.按照權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)除所述記錄層之外還包含保護(hù)層。9.按照權(quán)利要求l所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中所述襯底是透明盤狀襯底，所述的透明盤狀襯底具有形成在它的表面上的具有磁道間距為50至600nm的預(yù)槽，并且所述記錄層形成在所述襯底在預(yù)槽一側(cè)上的表面上。10.—種記錄信息的方法，所述記錄信息的方法包括將波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束輻照在光學(xué)信息記錄介質(zhì)上來記錄信息，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)在襯底上或在襯底上方具有記錄層，所述記錄層包含分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分的染料，所述兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分以除形成共軛鍵至所述染料部分之外的方式相互結(jié)合。全文摘要本發(fā)明提供了一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)和一種記錄信息的方法，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)包含在襯底上或在襯底上方的能夠通過輻照波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束來記錄信息的記錄層，所述記錄層包含分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分的染料，所述兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立染料部分以除形成共軛鍵至所述染料部分之外的方式相互結(jié)合，所述記錄信息的方法包括在根據(jù)上述本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)之上或以上輻照波長(zhǎng)為440nm或更短的激光束來記錄信息。文檔編號(hào)B41M5/26GK101189133SQ2006800198公開日2008年5月28日申請(qǐng)日期2006年6月29日優(yōu)先權(quán)日2005年6月29日發(fā)明者渡邊哲也,片山和俊,高橋慶太申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社