專利名稱：熱敏打印頭、熱敏打印頭的制造方法、記錄裝置、燒結(jié)體及靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及以傳真或孔板印刷等為代表的各種OA機(jī)器中使用的熱敏打印頭、該熱敏打印頭的制造方法、使用該熱敏打印頭的記錄裝置、以及在構(gòu)成該熱敏打印頭的保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層形成時(shí)很適用的燒結(jié)體及靶。
背景技術(shù)：
進(jìn)年來，由于熱敏打印頭具有噪音低、維修費(fèi)用低及運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)用低等優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地用于傳真或孔板印刷等各種0A機(jī)器的熱敏式記錄裝置中。
一般來說，熱敏打印頭如下構(gòu)成。即，在氧化鋁基體上形成玻璃釉層，在玻璃釉層上形成發(fā)熱電阻體層及鋁等的導(dǎo)電層后，利用光刻技術(shù)形成發(fā)熱電阻體及電極。再利用濺射法等的薄膜形成技術(shù)形成被覆保護(hù)發(fā)熱電阻體及電極用的保護(hù)層而構(gòu)成。另外，為了防止氧從玻璃釉層向發(fā)熱電阻體擴(kuò)散，保持發(fā)熱電阻體的特性，有時(shí)在形成于氧化鋁基體上的玻璃釉層和發(fā)熱電阻體之間還形成發(fā)熱電阻體底層。
保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層的形成例如是利用將由氮化硅和二氧化硅構(gòu)成的粉狀體的燒結(jié)體作為靶的濺射法等的薄膜形成技術(shù)進(jìn)行的，可是在形成保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層時(shí)，往往有異物(飛濺物)進(jìn)入保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層。該異物是存在于熱敏打印頭的制造環(huán)境中的懸浮粉塵、來自制造裝置或人體的發(fā)散物，它附著在熱敏打印頭的保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層的上下層及層內(nèi)。特別是，關(guān)于異物的發(fā)生源的問題，可以舉出作為靶使用的燒結(jié)體。
即，隨著凈化室等的凈化技術(shù)的進(jìn)步，與以往相比，熱敏打印頭的制造環(huán)境能保持得非常清潔，懸浮粉塵和來自制造裝置或人體的發(fā)散物的大部分都能被除去?？墒?，在利用濺射法等形成保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層時(shí)，將從作為靶的燒結(jié)體飛散而附著在保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層上的異物除去就難了。因此，從燒結(jié)體飛散的異物就附著在保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層上并滲入其中。從作為靶的燒結(jié)體產(chǎn)生異物的原因，是由于構(gòu)成燒結(jié)體的顆粒的大小不同、或者是由氣孔等造成的燒結(jié)體的局部密度不同，在形成薄膜時(shí)燒結(jié)體消耗的原子在局部發(fā)生偏差，結(jié)果在燒結(jié)體的表面上便產(chǎn)生了微小的凹凸部分，特別是由于凸部發(fā)生的異常放電，使得燒結(jié)體的一部分剝離所致。就是說，剝離下來的燒結(jié)體的一部分作為異物從燒結(jié)體飛散出去而附著在保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層上。
這樣一來，在燒結(jié)體的一部分作為異物進(jìn)入保護(hù)層中的熱敏打印頭中，通過異物和記錄媒體的接觸，異物從保護(hù)層剝離，從而在保護(hù)層中的異物剝離的部位產(chǎn)生了針孔。另外，在剝離下來的異物又被卷入剝離部位的周邊部分的情況下，周邊部分的保護(hù)層遭到破壞。
水和腐蝕性物質(zhì)等容易進(jìn)入這樣產(chǎn)生的針孔和保護(hù)層的破壞部分，造成電極和發(fā)熱電阻體的腐蝕、劣化，存在熱敏打印頭的特性受損害的問題。
另外，在異物進(jìn)入了發(fā)熱電阻體底層的情況下，特別是由于在發(fā)熱電阻體底層上形成的發(fā)熱電阻體層等中產(chǎn)生缺陷，引起發(fā)熱電阻體的電阻值等的特性異常，存在發(fā)熱電阻體的壽命等的品質(zhì)劣化的問題。
另外，由于安裝在記錄裝置中的熱敏打印頭的特性或壽命等的品質(zhì)受到影響，所以存在由記錄裝置記錄在記錄媒體上的圖象的質(zhì)量下降的問題。
本發(fā)明就是為了解決上述現(xiàn)有的問題而完成的，其目的在于提供一種能減少保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層上產(chǎn)生的針孔及保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層的破壞、同時(shí)耐環(huán)境性能好、可靠性高的高品位的熱敏打印頭。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種能保護(hù)發(fā)熱電阻體的特性及品質(zhì)、可靠性高的高品位的熱敏打印頭。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種能減少保護(hù)層上產(chǎn)生的針孔及保護(hù)層的破壞、同時(shí)耐環(huán)境性能好、可靠性高的高品位的熱敏打印頭的制造方法。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種能保護(hù)發(fā)熱電阻體的特性及品質(zhì)、可靠性高的高品位的熱敏打印頭的制造方法。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種安裝了能保護(hù)發(fā)熱電阻體的特性及品質(zhì)、可靠性高的高品位的熱敏打印頭的穩(wěn)定地輸出高質(zhì)量的記錄圖象的記錄裝置。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種安裝了能減少保護(hù)層上產(chǎn)生的針孔及保護(hù)層的破壞、同時(shí)耐環(huán)境性能好、可靠性高的高品位的熱敏打印頭的穩(wěn)定地輸出高質(zhì)量的記錄圖象的記錄裝置。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種在熱敏打印頭的保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層等的形成時(shí)很適用的燒結(jié)體。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種在熱敏打印頭的保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層等的形成時(shí)很適用的靶。
發(fā)明的公開本申請(qǐng)發(fā)明的第一方面的熱敏打印頭的特征在于備有支撐基體；配置在上述支撐基體上的發(fā)熱電阻體；與上述發(fā)熱電阻體連接的電極；以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、通過濺射形成了被覆在上述發(fā)熱電阻體及上述電極上的保護(hù)層。
如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第一方面的熱敏打印頭，則由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶，利用濺射法形成了被覆在發(fā)熱電阻體及電極上的保護(hù)層能抑制由靶引起的異物(飛濺物)的產(chǎn)生，所以能獲得能抑制異物進(jìn)入的保護(hù)層。
另外，本申請(qǐng)發(fā)明的第二方面的熱敏打印頭的特征在于備有支撐基體；配置在上述支撐基體上的玻璃釉層；將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、通過濺射而在上述玻璃釉層上形成的發(fā)熱電阻體底層；配置在上述支撐基體上的發(fā)熱電阻體；與上述發(fā)熱電阻體連接的電極；以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、通過濺射形成了被覆在上述發(fā)熱電阻體及上述電極上的保護(hù)層。
如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第二方面的熱敏打印頭，則由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶，利用濺射法形成了玻璃釉層上的發(fā)熱電阻體底層和被覆在發(fā)熱電阻體及電極上的保護(hù)層，能抑制由靶引起的異物(飛濺物)的產(chǎn)生，所以能獲得能抑制異物進(jìn)入的發(fā)熱電阻體底層及保護(hù)層。
如上所述，如果異物進(jìn)入保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層，就會(huì)在熱敏打印頭上產(chǎn)生結(jié)構(gòu)性的及功能性的缺陷?？墒牵绻捎帽旧暾?qǐng)的第一及第二方面的熱敏打印頭，則由于能抑制異物進(jìn)入保護(hù)層，所以能使該保護(hù)層的硬度和耐磨損性能好，同時(shí)表面狀態(tài)和膜厚的均勻性也好，所以能提高耐環(huán)境性、耐久性及可靠性。另外，如果采用本申請(qǐng)的第二方面的熱敏打印頭，則由于能抑制異物進(jìn)入發(fā)熱電阻體底層，所以能使該發(fā)熱電阻體底層的表面狀態(tài)和膜厚的均勻性也好，能使發(fā)熱電阻體的膜厚均勻，所以能抑制由該發(fā)熱電阻體的局部引起的電阻值的變化。另外，由于發(fā)熱電阻體底層的化學(xué)上的及物理上的穩(wěn)定性好，所以能防止發(fā)熱電阻體隨時(shí)間的推移而劣化，能提高發(fā)熱電阻體的壽命。另外，由于發(fā)熱電阻體底層能有效地阻止來自玻璃釉層的氧等的擴(kuò)散，所以能抑制由玻璃釉層引起的發(fā)熱電阻體的電阻值的變化。
這里，所謂物質(zhì)的表面，可以這樣來規(guī)定，即在某物質(zhì)被置于真空中的情況下，從構(gòu)成物質(zhì)的原子的中心看，至少在特定的方向上在足夠長(zhǎng)的距離內(nèi)找不到其它原子的表面原子的集合。另外，膜的厚度是這樣規(guī)定的，即如圖4所示，由作為基板18的一側(cè)的表面原子的集合(GS)的平均面規(guī)定的基板面(SS)和作為基板18的另一側(cè)的薄膜19的表面的平均面規(guī)定的薄膜19的形狀表面(ST)的組合設(shè)定的形狀膜厚(dT)來規(guī)定。另外，在具有作為對(duì)象的全部表面原子的集合(G)時(shí)，假設(shè)一個(gè)任意的平面(S)，這樣來確定S的位置，即，使從G的所有點(diǎn)到S的距離的二次方之和為最小，這樣確定后將該S作為G的平均面。
如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第一及第二方面的熱敏打印頭，則保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層的厚度通常為1.0～10.0微米及1.0～5.0微米，這時(shí)，保護(hù)層的表面(發(fā)熱電阻體及與電極相對(duì)的表面原子的集合)上的點(diǎn)和保護(hù)層的形狀表面的距離(例如表4中的d1、d2等)被收斂在0.1～0.5微米的范圍內(nèi)，發(fā)熱電阻體底層的表面(與玻璃釉層相對(duì)的表面原子的集合)上的點(diǎn)和發(fā)熱電阻體底層的形狀表面的距離被收斂在0.1～0.5微米的范圍內(nèi)。
在本申請(qǐng)發(fā)明的第一及第二方面的熱敏打印頭中，在形成保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層時(shí)使用的靶即燒結(jié)體的主要成分為氮化硅及二氧化硅，但在燒結(jié)體的原料粉末中添加了平均粒徑在1微米以下的氧化鎂。因此，提高了靶的密度，進(jìn)行濺射時(shí)能抑制異物(飛濺物)的產(chǎn)生。另外，由于在燒結(jié)體的原料粉末中添加了平均粒徑在1微米以下的氧化鎂，所以使用該燒結(jié)體濺射時(shí)形成的薄膜的硬度也高。為了提高靶的密度，以便在濺射時(shí)抑制異物的產(chǎn)生，最好使在燒結(jié)體的原料粉末中添加的氧化鎂的平均粒徑為0.1～0.5微米。下面詳細(xì)說明這一點(diǎn)。
圖5表示向燒結(jié)體的原料粉狀體中添加的氧化鎂的平均粒徑和燒結(jié)體的密度的關(guān)系(圖中用實(shí)線表示)、以及氧化鎂的平均粒徑和將添加該氧化鎂后獲得的燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度的關(guān)系(圖中用虛線表示)。另外，在圖5中，氧化鎂的添加量固定為粉狀體重量的0.5％。另外，燒結(jié)體是通過冷壓成形的。
如圖5所示，燒結(jié)體的對(duì)理論密度比在氧化鎂的平均粒徑為0.04微米附近達(dá)到最大，此后隨著氧化鎂的平均粒徑的增大而逐漸減小。氧化鎂的平均粒徑在1微米以下時(shí)，燒結(jié)體的對(duì)理論密度比變?yōu)槲挥?0％附近的值，但如果氧化鎂的平均粒徑超過1微米，所得到的燒結(jié)體的對(duì)理論密度比變小。另一方面，如果氧化鎂的平均粒徑在1微米以下，將添加氧化鎂后獲得的燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度幾乎是一定的，但如果氧化鎂的平均粒徑超過1微米，硬度就急劇變小。因此，通過使氧化鎂的平均粒徑在1微米以下，能獲得對(duì)理論密度比大的燒結(jié)體，將該燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射時(shí)能抑制異物(飛濺物)的產(chǎn)生。另外，將該燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度也被固定在最大值附近。另外，通過將氧化鎂的平均粒徑設(shè)定在0.1～0.5微米，能穩(wěn)定地獲得對(duì)理論密度比大的燒結(jié)體，將該燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射時(shí)能可靠地抑制異物(飛濺物)的產(chǎn)生。同時(shí)，將該燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度也可靠地固定在最大值附近。另外，圖5中的結(jié)果表明，與濺射的種類無關(guān)，結(jié)果幾乎是相同的。另外，所謂平均粒徑是這樣定義的，即指構(gòu)成粉狀體的材料單體的平均直徑。
另外，在將氧化鎂添加到燒結(jié)體的原料粉狀體中的情況下，會(huì)顯著地提高燒結(jié)體的密度，將該燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射而形成薄膜，從維持如此形成的薄膜的硬度的觀點(diǎn)來說，使粉狀體中的氧化鎂的添加量為0.01～5.0％重量為好，最好為0.1～0.5％重量。下面來詳細(xì)地說明這一點(diǎn)。
圖6表示向燒結(jié)體的原料粉狀體中添加的氧化鎂的添加量和燒結(jié)體的密度的關(guān)系(圖中用實(shí)線表示)、以及氧化鎂的添加量和將添加該氧化鎂后獲得的燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度的關(guān)系(圖中用虛線表示)。另外，在圖6中，所添加的氧化鎂的平均粒徑被固定為0.1微米。另外，燒結(jié)體是通過冷壓成形的。
如圖6所示，燒結(jié)體的對(duì)理論密度比隨著氧化鎂的添加而急劇增大，在氧化鎂的添加量為0.3％重量附近達(dá)到最大，而以后卻隨著氧化鎂的添加量的增加而減小。另一方面，將添加氧化鎂后獲得的燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度隨著氧化鎂的添加而增大，在氧化鎂的添加量達(dá)到6％重量之前幾乎是一定的，但如果氧化鎂的添加量超過6％重量便急劇變小。因此通過使氧化鎂的添加為0.01～5.0％重量，能獲得對(duì)理論密度比大的燒結(jié)體，將該燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射時(shí)能抑制異物(飛濺物)的產(chǎn)生。另外，將該燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度也被固定在最大值附近。另外，通過將氧化鎂的添加量設(shè)定在0.1～0.5％重量，能使燒結(jié)體具有最大的對(duì)理論密度比，能穩(wěn)定地獲得對(duì)理論密度比大的燒結(jié)體，將該燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射時(shí)能可靠地抑制異物(飛濺物)的產(chǎn)生。另外，將該燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度也可靠地固定在最大值附近。另外，圖6中的結(jié)果表明，與濺射的種類無關(guān)，結(jié)果幾乎是相同的。
可是，一般來說，濺射比隨著以濺射方法和溫度、氣相等為代表的濺射環(huán)境等的不同而變化，所以即使在使用同一個(gè)靶的情況下，保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層中鎂的含有量和組成也會(huì)變化，可是在本申請(qǐng)發(fā)明的第一及第二方面的熱敏打印頭中，由于使燒結(jié)體的原料粉狀體中的氧化鎂的添加量為0.01～5.0％重量，所以所形成的保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層含有0.01～3.0％原子的鎂。另外，該保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層具有可以用SiMgxNyOz(0.01≤x≤1.5、0.1≤y≤3.0、0.1≤z≤2.0)表示的組成。另外，在本申請(qǐng)發(fā)明的第一及第二方面的熱敏打印頭的情況下，作為濺射方法，可以采用高頻(RF)濺射法、磁控管濺射法或反應(yīng)性濺射法等。
在本申請(qǐng)發(fā)明的第一及第二方面的熱敏打印頭中，作為支撐基體，通常使用氧化鋁陶瓷等制的基板，但沒有特別限定。另外，在設(shè)置玻璃釉層的情況下，可以使用例如二氧化硅或?qū)⑩}、鋇、鋁、鍶等混合在二氧化硅中，但沒有特別限定。只是，為了防止熱敏打印頭的電阻值的上升，玻璃釉層的玻璃轉(zhuǎn)變溫度最好在670℃以上。玻璃釉層的厚度通常形成10～100微米。另外，作為發(fā)熱電阻體適合采用鎳、鉻、鉭等穩(wěn)定性好的金屬材料的氮化物、或Ta-SiO2、Nb-SiO2、Ti-SiO2等各種金屬陶瓷材料。另一方面，作為電極可以使用一般所使用的Al、Al-Si、Al-Si-Cu等，但不特別限定。另外，一般情況下，發(fā)熱電阻體的厚度為0.1～1微米，電極的厚度為1～3微米。
另外，在本申請(qǐng)發(fā)明的第一方面的熱敏打印頭中，從增大由發(fā)熱電阻體發(fā)生的熱的保持力的目的出發(fā)，可以在支撐基體上設(shè)置玻璃釉層。
本申請(qǐng)發(fā)明的第三方面的熱敏打印頭的制造方法的特征在于包括以下工序?qū)l(fā)熱電阻體配置在支撐基體上的工序；將電極連接在上述發(fā)熱電阻體上的工序以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，將上述發(fā)熱電阻體及上述電極被覆起來的工序。
如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第三方面的熱敏打印頭的制造方法，則由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，所以能抑制由靶引起的異物(飛濺物)的產(chǎn)生，從而能用能抑制異物進(jìn)入的保護(hù)層被覆發(fā)熱電阻體及電極。
另外，本申請(qǐng)發(fā)明的第四方面的熱敏打印頭的制造方法的特征在于包括以下工序通過玻璃釉層將發(fā)熱電阻體配置在支撐基體上的工序?qū)㈦姌O連接在上述發(fā)熱電阻體上的工序以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，將上述發(fā)熱電阻體及上述電極被覆起來的工序。
如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第四方面的熱敏打印頭的制造方法，則由于通過玻璃釉層將發(fā)熱電阻體配置在支撐基體上，所以能保持由發(fā)熱電阻體發(fā)生的熱量。另外，由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，所以能抑制由靶引起的異物(飛濺物)的產(chǎn)生，從而能用能抑制異物進(jìn)入的保護(hù)層被覆發(fā)熱電阻體及電極。
另外，本申請(qǐng)發(fā)明的第五方面的熱敏打印頭的制造方法的特征在于包括以下工序?qū)⒑械琛⒍趸杓捌骄皆?.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射、通過玻璃釉層在支撐基體上形成發(fā)熱電阻體底層的工序?qū)l(fā)熱電阻體配置在上述發(fā)熱電阻體底層上的工序；將電極連接在上述發(fā)熱電阻體上的工序以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射、將上述發(fā)熱電阻體及上述電極被覆起來的工序。
如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第五方面的熱敏打印頭的制造方法，則由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，所以能抑制由靶引起的異物(飛濺物)的產(chǎn)生，從而能在支撐基體上通過玻璃釉層形成能抑制異物進(jìn)入的發(fā)熱電阻體底層。另外，由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，所以能抑制由靶引起的異物(飛濺物)的產(chǎn)生，從而能用能抑制異物進(jìn)入的保護(hù)層被覆發(fā)熱電阻體及電極。
在本申請(qǐng)發(fā)明的第三～五方面的熱敏打印頭的制造方法中，為了減少?gòu)陌酗w散的異物，采用將平均粒徑在1.0微米以下、最好平均粒徑為0.1～0.5微米的氧化鎂添加在作為通常的構(gòu)成成分的氮化硅及二氧化硅中的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射的方法，形成熱敏打印頭的保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層。即，在本申請(qǐng)發(fā)明的第三～五方面的熱敏打印頭的制造方法中，利用平均粒徑在1.0微米以下、最好平均粒徑為0.1～0.5微米的氧化鎂來減少氣孔，準(zhǔn)備密度已提高的燒結(jié)體作為靶。然后，用該靶進(jìn)行濺射，這時(shí)，由于原子從作為靶的燒結(jié)體的表面幾乎均勻地消耗，而且減少了氣孔，所以能防止起因于燒結(jié)體表面上的微細(xì)的凹凸等的異常放電造成的異物的發(fā)生。而且，異物的附著和進(jìn)入都被消除，同時(shí)能形成具有均勻厚度的保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層。
一般來說，與氧化物相比，構(gòu)成氮化物的離子的體積擴(kuò)散速度小，所以在燒結(jié)體上產(chǎn)生氣孔，難以獲得具有與理論密度接近的密度的燒結(jié)體?？墒牵ㄟ^添加平均粒徑在1.0微米以下、最好平均粒徑為0.1～0.5微米的氧化鎂作為燒結(jié)助劑，能減少在燒結(jié)體上產(chǎn)生的氣孔，能將燒結(jié)體的密度提高到理論密度附近。為了提高作為靶使用的燒結(jié)體的密度，使氧化鎂的平均粒徑在1.0微米以下。如上所述，如果氧化鎂的平均粒徑超過1.0微米，就難以實(shí)現(xiàn)作為靶使用的燒結(jié)體的密度的顯著提高。另外，最好將燒結(jié)體的原料粉狀體的平均粒徑調(diào)節(jié)到10微米以下，最好在1微米以下。這樣，通過調(diào)節(jié)粉狀體的粒徑，作為靶使用的燒結(jié)體的密度會(huì)更接近理論密度，所以濺射時(shí)能有效地抑制異物的產(chǎn)生，能形成幾乎消除了異物的附著和進(jìn)入的保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層。另外，所形成的保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層的化學(xué)穩(wěn)定性和硬度等的物理特性也變好。
另外，在本申請(qǐng)發(fā)明的第三～五方面中，氧化鎂的添加量為燒結(jié)體的原料粉狀體的重量0.01～5.0％，最好為0.1～0.5％重量。在將氧化鎂添加到5.0％重量以上的情況下，隨著氧化鎂的添加，燒結(jié)體的密度下降，另外，所獲得的保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層的硬度也下降。另外，在氧化鎂的添加量相對(duì)于燒結(jié)體的原料粉狀體重量在0.01％以下的情況下，難以顯著地提高作為靶使用的燒結(jié)體的密度。關(guān)于這一點(diǎn)上面已說明過。另外，燒結(jié)體的原料粉狀體中的氮化硅及二氧化硅的比例為使氮化硅占粉狀體重量的65～80％，使二氧化硅占粉狀體重量的35～20％，另外，本申請(qǐng)發(fā)明的第六方面的記錄裝置的特征在于備有支撐基體配置在上述支撐基體上的發(fā)熱電阻體與上述發(fā)熱電阻體連接的電極以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、通過濺射形成了被覆在上述發(fā)熱電阻體及上述電極上的保護(hù)層。
如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第六方面的記錄裝置，則由于安裝了將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、利用濺射法形成了被覆在發(fā)熱電阻體及電極上的保護(hù)層的熱敏打印頭，所以能抑制由于異物進(jìn)入保護(hù)層引起的熱敏打印頭的破損及特性的劣化，從而能穩(wěn)定地輸出質(zhì)量高的記錄圖象。
另外，本申請(qǐng)發(fā)明的第七方面的記錄裝置的特征在于備有支撐基體配置在上述支撐基體上的玻璃釉層將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、通過濺射而在上述玻璃釉層上形成的發(fā)熱電阻體底層；配置在上述支撐基體上的發(fā)熱電阻體；與上述發(fā)熱電阻體連接的電極以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、通過濺射形成了被覆在上述發(fā)熱電阻體及上述電極上的保護(hù)層。
如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第七方面的記錄裝置，則由于安裝了將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、利用濺射法形成了玻璃釉層上的發(fā)熱電阻體底層和被覆在發(fā)熱電阻體及電極上的保護(hù)層的熱敏打印頭，所以能抑制由于異物進(jìn)入發(fā)熱電阻體底層及保護(hù)層引起的熱敏打印頭的破損及特性的劣化，從而能穩(wěn)定地輸出質(zhì)量高的記錄圖象。
本申請(qǐng)發(fā)明的第六及第七方面的記錄裝置不限定于利用熱敏打印頭將圖象記錄在記錄媒體上的結(jié)構(gòu)。這里，將本申請(qǐng)發(fā)明的第六及第七方面的記錄裝置的一種結(jié)構(gòu)例示于圖7。
如圖7所示，本結(jié)構(gòu)的記錄裝置是這樣構(gòu)成的，它大體上分為由印字部21及輸送部22構(gòu)成的機(jī)構(gòu)部；由控制該機(jī)構(gòu)部的控制部構(gòu)成的控制電路23；與控制電路23；連接的操作面板部24；以及電源部25。而且，印字部21由在復(fù)印媒體上進(jìn)行打印的熱敏打印頭26、進(jìn)行熱敏打印頭26的定位的起始位置檢測(cè)器27、檢測(cè)熱敏打印頭26和復(fù)印媒體的接觸的頭接觸螺線管28、將色帶供給熱敏打印頭26的色帶供給電機(jī)29、空格電機(jī)30等構(gòu)成。另外，輸送部22由送出復(fù)印媒體的給紙電機(jī)31及檢測(cè)復(fù)印媒體的邊界的紙邊檢測(cè)器32等構(gòu)成。
在本形態(tài)的記錄裝置中，一旦輸入了記錄信號(hào)，記錄信號(hào)便在備有控制電路23的CPU和并/串聯(lián)變換電路之間被變換成打印用的記錄數(shù)據(jù)，驅(qū)動(dòng)各電機(jī)，同時(shí)根據(jù)記錄數(shù)據(jù)、和控制程序驅(qū)動(dòng)熱敏打印頭26，進(jìn)行打印。
作為記錄裝置的形態(tài)，既可以作為計(jì)算機(jī)等信息處理機(jī)器的圖象輸出終端整體地設(shè)置，也可以單獨(dú)地設(shè)置，甚至還可以采取與閱讀器等組合的復(fù)印裝置、有收發(fā)信功能的傳真裝置、孔板印刷中使用的孔板印刷裝置等的形態(tài)。
另外，本申請(qǐng)發(fā)明的第八方面的燒結(jié)體的特征在于它是通過對(duì)含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體進(jìn)行燒結(jié)制成的。
在本申請(qǐng)發(fā)明的第八方面的燒結(jié)體中，由于對(duì)含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體進(jìn)行燒結(jié)，所以能減少氣孔，從而能獲得具有與理論密度接近的密度的燒結(jié)體。
另外，本申請(qǐng)發(fā)明的第九方面的燒結(jié)體的特征在于它具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的組成。
在本申請(qǐng)發(fā)明的第九方面的燒結(jié)體中，由于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的組成，所以能減少氣孔，從而能具有與理論密度接近的密度。
另外，本申請(qǐng)發(fā)明的第十方面的靶的特征在于它是通過對(duì)含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體進(jìn)行燒結(jié)制成的。
在本申請(qǐng)發(fā)明的第十方面的靶中，由于對(duì)含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體進(jìn)行燒結(jié)，所以能減少氣孔，從而能獲得具有與理論密度接近的密度的燒結(jié)體。
另外，本申請(qǐng)發(fā)明的第十一方面的靶的特征在于它具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的組成。
在本申請(qǐng)發(fā)明的第十一方面的靶中，由于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的組成，所以能減少氣孔，從而能具有與理論密度接近的密度。
在本申請(qǐng)發(fā)明的第八方面的燒結(jié)體及本申請(qǐng)發(fā)明的第十方面的靶中，通過添加平均粒徑在1.0微米以下、最好平均粒徑為0.1～0.5微米的氧化鎂作為燒結(jié)助劑，能減少在燒結(jié)體及靶上產(chǎn)生的氣孔，能將密度提高到理論密度附近。氧化鎂的添加量為燒結(jié)體及靶的原料粉狀體的重量0.01～5.0％，最好為重量0.1～0.5％。在使氧化鎂的添加量相對(duì)于燒結(jié)體及靶的原料粉狀體重量的0.01％以下的情況下，難以顯著地提高燒結(jié)體及靶的密度。另外，在相對(duì)于該粉狀體使氧化鎂的添加量在5.0％重量以上的情況下，隨著氧化鎂的添加，燒結(jié)體及靶的密度下降，另外，用該靶形成的薄膜的硬度也下降。另外，該粉狀體中的氮化硅及二氧化硅的比例為氮化硅為粉狀體重量的65～80％，二氧化硅為粉狀體重量的35～20％。燒結(jié)該粉狀體時(shí)，將粉狀體的平均粒徑調(diào)節(jié)到10微米以下，最好在1微米以下。這樣，通過調(diào)節(jié)粉狀體的粒徑，能使燒結(jié)體及靶的密度更接近理論密度。
在制造燒結(jié)體及靶時(shí)，成為該燒結(jié)體及靶的原料的粉狀體，可以預(yù)先將各成分調(diào)整到規(guī)定的粒徑后進(jìn)行混合，也可以將各成分混合后，利用例如球磨機(jī)等粉碎、混合并調(diào)整到規(guī)定的粒徑。燒結(jié)通常是對(duì)粉狀體進(jìn)行冷壓后，在1700℃左右燒結(jié)數(shù)小時(shí)進(jìn)行的，只要能提高所獲得的燒結(jié)體及靶的密度，對(duì)此并不特別限定，例如，可以采用加壓燒結(jié)的方法。這樣制造的燒結(jié)體及靶具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的組成。另外，在本申請(qǐng)發(fā)明的第八及第九方面的燒結(jié)體及本申請(qǐng)發(fā)明的第十及第十一方面的靶中，該燒結(jié)體及該靶能將密度提高到對(duì)理論密度比(相對(duì)理論上計(jì)算的最大密度的比例)的80～95％。


圖1是表示本發(fā)明的熱敏打印頭的一實(shí)施例的圖。
圖2是表示濺射裝置的圖。
圖3是表示本發(fā)明的熱敏打印頭的另一實(shí)施例的圖。
圖4是表示膜厚度的概念圖。
圖5是表示向燒結(jié)體的原料粉狀體中添加的氧化鎂的平均粒徑和燒結(jié)體的密度的關(guān)系、以及氧化鎂的平均粒徑和將添加該氧化鎂后獲得的燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度的關(guān)系的曲線圖。
圖6是表示向燒結(jié)體的原料粉狀體中添加的氧化鎂的添加量和燒結(jié)體的密度的關(guān)系、以及氧化鎂的添加量和將添加該氧化鎂后獲得的燒結(jié)體作為靶使用所形成的薄膜的硬度的關(guān)系的曲線圖。
圖7是表示記錄裝置的一結(jié)構(gòu)例的圖。
實(shí)施發(fā)明用的最佳形態(tài)以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。另外，在各附圖中，對(duì)于同一結(jié)構(gòu)標(biāo)以同一標(biāo)號(hào)表示。
(實(shí)施例1及比較例1)圖1是表示本發(fā)明的熱敏打印頭的一實(shí)施例的圖。
將由二氧化硅構(gòu)成的玻璃釉層2配置在氧化鋁陶瓷制的支撐基板1上。其次，在玻璃釉層2上形成由Ta-SiO2構(gòu)成的發(fā)熱電阻體層3，在發(fā)熱電阻體層3上用照相制板工藝形成了由Al-Si構(gòu)成的獨(dú)立電極5及公用電極6，以便形成發(fā)熱部4。然后，如下所述那樣形成被覆發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。
首先，用球磨機(jī)對(duì)由74.6％重量的平均粒徑為1微米的氮化硅、24.9％重量的平均粒徑為1微米的二氧化硅和0.5％重量的平均粒徑為0.5微米的氧化鎂構(gòu)成的粉狀體進(jìn)行混合，將其作為燒結(jié)材料(實(shí)施例1)。另一方面，與以往相同，用球磨機(jī)對(duì)由75％重量的平均粒徑為1微米的氮化硅、25％重量平均粒徑為1微米的二氧化硅構(gòu)成的粉狀體進(jìn)行混合，將其作為燒結(jié)材料(比較例1)。另外，氮化硅及氧化鎂的純度為99.99％，二氧化硅的純度為99.9％。
其次，用10MPa大小的壓力對(duì)這些燒結(jié)材料進(jìn)行冷壓后，在一個(gè)大氣壓的氮?dú)庵?，?700℃左右的溫度下保持5小時(shí)進(jìn)行燒結(jié)，獲得了810mm×145mm×10mm的燒結(jié)體即靶。當(dāng)用阿基米德法測(cè)定了這些燒結(jié)體的密度時(shí)，分別為2.6g/cm3(實(shí)施例1，對(duì)理論密度比約為90％)及1.6g/cm3(比較例1，對(duì)理論密度比約為55％)，由于氧化鎂的添加，燒結(jié)體的密度大幅度提高。
接著，如圖2所示，將這些燒結(jié)體作為靶，通過高頻雙極濺射形成了保護(hù)層7。即，將形成了獨(dú)立電極5及公用電極6的熱敏打印頭8放置在濺射裝置9內(nèi)的載物臺(tái)10上，使試樣從保持在靶保持部11中的靶12蒸發(fā)，形成了被覆熱敏打印頭的發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。另外，在圖2中，13是RF電源，14是氣體導(dǎo)入口，15是調(diào)整氣體流量的泄漏閥，16是氣體排出口。另外，在氬氣的氣氛中(流量為250sccm)、壓力為0.3～0.47Pa、輸入功率為3～3kW的條件下進(jìn)行了4小時(shí)濺射。另外，靶和發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6之間的距離約為4.0cm。于是獲得了形成了厚度約為3微米的保護(hù)膜7的熱敏打印頭。
用顯微鏡觀察，對(duì)所形成的兩種保護(hù)層7測(cè)定進(jìn)入的異物數(shù)，用添加了氧化鎂的靶形成的保護(hù)層(實(shí)施例1)與用現(xiàn)有的靶形成的保護(hù)層(比較例1)相比，前者進(jìn)入的異物數(shù)減少到約1/10。
另外，將各保護(hù)層7作為試樣，用質(zhì)量分析計(jì)進(jìn)行了元素分析，在實(shí)施例1的保護(hù)層7中，檢測(cè)到鎂為1％原子，硅、氧及氮分別為42、25及32原子％的比例。另一方面，在比較例1的保護(hù)層7中，檢測(cè)到硅、氧、氮分別為42、26、32％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及維氏硬度測(cè)定了各保護(hù)層7的硬度，用添加了氧化鎂的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例1)與用現(xiàn)有的靶形成的保護(hù)層7(比較例1)相比，前者的硬度提高了。推測(cè)這是由于將添加了氧化鎂密度大幅度提高了的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，所以所形成的保護(hù)層的密度比現(xiàn)有的保護(hù)層的高。
其次，用具有各種保護(hù)層7的熱敏打印頭進(jìn)行了步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)，與用現(xiàn)有的靶形成的保護(hù)層7(比較例1)相比，用添加了氧化鎂的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例1)的耐裂化性能提高了，成為壽命長(zhǎng)的保護(hù)層。
另外，將熱脈沖加在具有各種保護(hù)層7的熱敏打印頭上，研究了電阻值的變化，與具有用現(xiàn)有的靶形成的保護(hù)層7(比較例1)的熱敏打印頭相比，具有用添加了氧化鎂的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例1)的熱敏打印頭的電阻值的變化小，提高了熱敏打印頭的特性。
另外，將實(shí)施例1及比較例1的熱敏打印頭安裝在圖7所示結(jié)構(gòu)的記錄裝置上進(jìn)行了打印，安裝了實(shí)施例1的熱敏打印頭的記錄裝置與安裝了比較例1的熱敏打印頭的記錄裝置相比，前者能長(zhǎng)期輸出質(zhì)量高的記錄圖象。
(實(shí)施例2及比較例2)圖3是表示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例的圖。
將由二氧化硅構(gòu)成的玻璃釉層2配置在氧化鋁陶瓷制的支撐基板1上。其次，在玻璃釉層2上形成了厚度約為4微米的發(fā)熱電阻體底層17。即一種是用與實(shí)施例1相同的靶材料形成的發(fā)熱電阻體底層17(實(shí)施例2)、一種是用與比較例1相同的靶材料形成的發(fā)熱電阻體底層17(比較例2)。另外，用圖2所示的裝置進(jìn)行濺射，濺射條件也與實(shí)施例1及比較例1相同。
用顯微鏡觀察，對(duì)所形成的兩種發(fā)熱電阻體底層17測(cè)量進(jìn)入的異物數(shù)，用添加了氧化鎂的靶形成的發(fā)熱電阻體底層17(實(shí)施例2)與用現(xiàn)有的靶形成的發(fā)熱電阻體底層17(比較例2)相比，前者進(jìn)入的異物數(shù)減少到約1/10。
另外，將各發(fā)熱電阻體底層17作為試樣，用質(zhì)量分析計(jì)進(jìn)行了元素分析，在實(shí)施例2的發(fā)熱電阻體底層17中，檢測(cè)到鎂為1％原子，硅、氧及氮分別為42、25及32％原子的比例。另一方面，在比較例2的發(fā)熱電阻體底層17中，檢測(cè)到硅、氧、氮分別為42、26、32％原子重量的比例。另外，按照努氏硬度及維氏硬度測(cè)定了各發(fā)熱電阻體底層17的硬度，用添加了氧化鎂的靶形成的發(fā)熱電阻體底層17(實(shí)施例2)與用現(xiàn)有的靶形成的發(fā)熱電阻體底層17(比較例2)相比，前者的硬度提高了。
其次，在各發(fā)熱電阻體底層17上形成由Ta-SiO2構(gòu)成的發(fā)熱電阻體層3，在發(fā)熱電阻體層3上用照相制板工藝形成了由Al-Si構(gòu)成的獨(dú)立電極5及公用電極6，以便形成發(fā)熱部4。
其次，對(duì)于實(shí)施例2來說，與實(shí)施例1同樣地形成了被覆發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7，另外，對(duì)于比較例2來說，與比較例1同樣地形成。
用顯微鏡觀察，對(duì)所形成的兩種保護(hù)層7測(cè)量進(jìn)入的異物數(shù)，用添加了氧化鎂的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例2)與用現(xiàn)有的靶形成的保護(hù)層7(比較例2)相比，前者進(jìn)入的異物數(shù)減少到約1/10。
另外，將各保護(hù)層7作為試樣，用質(zhì)量分析計(jì)進(jìn)行了元素分析，在實(shí)施例2的保護(hù)層7中，檢測(cè)到鎂為1％原子，硅、氧及氮分別為42、25及32原子％的比例。另一方面，在比較例2的保護(hù)層7中，檢測(cè)到硅、氧、氮分別為42、26、32原子％的比例。
另外，按照努氏硬度及維氏硬度測(cè)定了各保護(hù)層7的硬度，用添加了氧化鎂的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例2)與用現(xiàn)有的靶形成的保護(hù)層7(比較例2)相比，前者的硬度提高了。推測(cè)這是由于添加了氧化鎂，將密度大幅度提高了的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，所以所形成的保護(hù)層的密度比現(xiàn)有的保護(hù)層的高。
其次，用具有這些發(fā)熱電阻體底層17及保護(hù)層7的熱敏打印頭進(jìn)行了步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)，與用現(xiàn)有的靶形成的保護(hù)層7(比較例2)相比，用添加了氧化鎂的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例2)的耐裂化性能提高了，成為壽命長(zhǎng)的保護(hù)層。
另外，將熱脈沖加在具有這些發(fā)熱電阻體底層17及保護(hù)層7的熱敏打印頭上，研究了電阻值的變化，與具有現(xiàn)有的保護(hù)層7及發(fā)熱電阻體底層17(比較例2)的熱敏打印頭相比，具有用添加了氧化鎂的靶形成的保護(hù)層7及發(fā)熱電阻體底層17(實(shí)施例2)的熱敏打印頭的電阻值的變化小，提高了熱敏打印頭的特性。另外，與實(shí)施例1所示的熱敏打印頭相比，在實(shí)施例2所示的熱敏打印頭的情況下，電阻值的變化進(jìn)一步減小。推測(cè)這是由于添加了氧化鎂，將密度大幅度提高了的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，所以所形成的發(fā)熱電阻體底層上的缺陷被抑制，能有效地抑制氧等從玻璃釉層向發(fā)熱電阻體層的擴(kuò)散。
另外，將實(shí)施例2及比較例2的熱敏打印頭安裝在圖7所示結(jié)構(gòu)的記錄裝置上進(jìn)行了打印，安裝了實(shí)施例2的熱敏打印頭的記錄裝置與安裝了比較例2的熱敏打印頭的記錄裝置相比，前者能長(zhǎng)期輸出質(zhì)量高的記錄圖象。
(實(shí)施例3)制造了圖1所示的熱敏打印頭。即，將由二氧化硅構(gòu)成的玻璃釉層2配置在氧化鋁陶瓷制的支撐基板1上。其次，在玻璃釉層2上形成由Ta-SiO2構(gòu)成的發(fā)熱電阻體層3，在發(fā)熱電阻體層3上用照相制板工藝形成了由Al-Si構(gòu)成的獨(dú)立電極5及公用電極6，以便形成發(fā)熱部4。然后，如下所述那樣形成了被覆發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。
首先，用球磨機(jī)對(duì)由74.6％重量的平均粒徑為1微米的氮化硅、24.9％重量的平均粒徑為1微米的二氧化硅、0.5％重量的平均粒徑為0.05微米的氧化鎂按構(gòu)成的粉狀體進(jìn)行混合，將其作為燒結(jié)材料。另外，氮化硅及氧化鎂的純度為99.99％，二氧化硅的純度為99.9％。
其次，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，獲得了810mm×145mm×10mm的燒結(jié)體即靶。用阿基米德法測(cè)定了該燒結(jié)體的密度為2.34g/cm3(實(shí)施例3，對(duì)理論密度比約為85％)，與氧化鎂的平均粒徑為0.5微米的實(shí)施例1相比未發(fā)現(xiàn)大的變化。
接著，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，形成了被覆熱敏打印頭8的發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。所形成的保護(hù)層7的厚度約為3微米。
用顯微鏡觀察，對(duì)所形成的保護(hù)層7測(cè)量進(jìn)入的異物數(shù)，利用將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為0.05微米的靶形成的實(shí)施例3的保護(hù)層7中進(jìn)入的異物數(shù)與實(shí)施例1的保護(hù)層7中進(jìn)入的異物數(shù)相比，未發(fā)現(xiàn)大的變化。
另外，將保護(hù)層7作為試樣，用質(zhì)量分析計(jì)進(jìn)行了元素分析，在實(shí)施例3的保護(hù)層7中，檢測(cè)到鎂、硅、氧及氮分別為1、42、25及32％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及維氏硬度測(cè)定了保護(hù)層7的硬度，利用將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為0.05微米的靶形成的實(shí)施例3的保護(hù)層7的硬度與實(shí)施例1的保護(hù)層7的硬度相比，未發(fā)現(xiàn)大的差異。
其次，用具有各種保護(hù)層7的熱敏打印頭進(jìn)行了步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)，利用將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為0.05微米的靶形成的實(shí)施例3的保護(hù)層7與實(shí)施例1的保護(hù)層7相比，未發(fā)現(xiàn)大的差異。
另外，將熱脈沖加在具有保護(hù)層7的熱敏打印頭上，研究了電阻值的變化，與實(shí)施例1的熱敏打印頭相比，熱敏打印頭的特性大體相同。
另外，將實(shí)施例3的熱敏打印頭安裝在圖7所示結(jié)構(gòu)的記錄裝置上進(jìn)行了打印，與安裝了實(shí)施例1的熱敏打印頭的記錄裝置相比，能在大致相同的期間輸出質(zhì)量高的記錄圖象。
因此可知，只要在燒結(jié)材料中添加的氧化鎂的平均粒徑比1微米小，熱敏打印頭的特性及從記錄裝置輸出的記錄圖象的質(zhì)量大致相同。
(實(shí)施例4及比較例3)制造了圖1所示的熱敏打印頭。即，將由二氧化硅構(gòu)成的玻璃釉層2配置在氧化鋁陶瓷制的支撐基板1上。其次，在玻璃釉層2上形成由Ta-SiO2構(gòu)成的發(fā)熱電阻體層3，在發(fā)熱電阻體層3上用照相制板工藝形成了由Al-Si構(gòu)成的獨(dú)立電極5及公用電極6，以便形成發(fā)熱部4。然后，如下所述那樣形成了被覆發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。
首先，用球磨機(jī)對(duì)由74.6％重量的平均粒徑為1微米的氮化硅、24.9％重量的平均粒徑為1微米的二氧化硅、0.5％重量的平均粒徑為1.0微米的氧化鎂構(gòu)成的粉狀體(實(shí)施例4)及由74.6％重量的平均粒徑為1微米的氮化硅按、24.9％重量平均粒徑為1微米的二氧化硅、0.5％重量的平均粒徑為5.0微米的氧化鎂構(gòu)成的粉狀體(比較例3)分別進(jìn)行混合，將其作為燒結(jié)材料。另外，氮化硅及氧化鎂的純度為99.99％，二氧化硅的純度為99.9％。
其次，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，獲得了810mm×145mm×10mm的燒結(jié)體即靶。用阿基米德法測(cè)定了這些燒結(jié)體的密度分別為2.43g/cm3(實(shí)施例4，對(duì)理論密度比約為85％)及2.25g/cm3(比較例3，對(duì)理論密度比約為79％)，將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為1.0微米時(shí)的密度比將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為5.0微米時(shí)的密度高。
接著，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，形成了被覆熱敏打印頭8的發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。所形成的保護(hù)層7的厚度約為3微米。
用顯微鏡觀察，對(duì)所形成的兩種保護(hù)層7測(cè)量進(jìn)入的異物數(shù)，利用將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為1.0微米的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例4)與利用將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為5.0微米的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(比較例3)相比，前者中進(jìn)入的異物數(shù)減少到約1/1.5。
另外，將各保護(hù)層7作為試樣，用質(zhì)量分析計(jì)進(jìn)行了元素分析，在實(shí)施例4及比較例3的保護(hù)層7中，分別檢測(cè)到鎂、硅、氧及氮為1.0、42、25及32％原子及1.5、42.5、24及31％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及維氏硬度測(cè)定了各保護(hù)層7的硬度，利用將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為1.0微米的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例4)的硬度與利用將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為5.0微米的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(比較例3)的硬度相比，前者的硬度上升了。推測(cè)這是由于添加了氧化鎂，將密度大幅度提高了的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，所以在實(shí)施例4中形成的保護(hù)層的密度高。
其次，用具有各種保護(hù)層7的熱敏打印頭進(jìn)行了步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)，利用將氧化鎂的平均粒徑調(diào)整為1.0微米的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例4)與比較例3的保護(hù)層7相比，耐裂化性能提高了，成為壽命長(zhǎng)的保護(hù)層。
另外，將熱脈沖加在具有各種保護(hù)層7的熱敏打印頭上，研究了電阻值的變化，與比較例3的熱敏打印頭相比，實(shí)施例4的熱敏打印頭的電阻值的變化小，熱敏打印頭的特性提高了。
另外，將實(shí)施例4及比較例3的熱敏打印頭安裝在圖7所示結(jié)構(gòu)的記錄裝置上進(jìn)行了打印，安裝了實(shí)施例4的熱敏打印頭的記錄裝置與安裝了比較例3的熱敏打印頭的記錄裝置相比，前者能長(zhǎng)時(shí)期輸出質(zhì)量高的記錄圖象。
(實(shí)施例5及比較例4)制造了圖1所示的熱敏打印頭。即，將由二氧化硅構(gòu)成的玻璃釉層2配置在氧化鋁陶瓷制的支撐基板1上。其次，在玻璃釉層2上形成由Ta-SiO2構(gòu)成的發(fā)熱電阻體層3，在發(fā)熱電阻體層3上用照相制板工藝形成了由Al-Si構(gòu)成的獨(dú)立電極5及公用電極6，以便形成發(fā)熱部4。然后，如下所述那樣形成了被覆發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。
首先，用球磨機(jī)對(duì)由74.85％重量的平均粒徑為1微米的氮化硅、25.1％重量的平均粒徑為1微米的二氧化硅、0.05％重量的平均粒徑為0.5微米的氧化鎂構(gòu)成的粉狀體進(jìn)行混合，將其作為燒結(jié)材料(實(shí)施例5)。另一方面，用球磨機(jī)對(duì)由74.895％重量的平均粒徑為1微米的氮化硅、25.1％重量的平均粒徑為1微米的二氧化硅、0.005％重量平均粒徑為0.5微米的氧化鎂構(gòu)成的粉狀體進(jìn)行混合，將其作為燒結(jié)材料(比較例4)。另外，氮化硅及氧化鎂的純度為99.99％，二氧化硅的純度為99.9％。
其次，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，獲得了810mm×145mm×10mm的燒結(jié)體即靶。用阿基米德法測(cè)定了這些燒結(jié)體的密度分別為2.00g/cm3(實(shí)施例5，對(duì)理論密度比約為70％)及1.70g/cm3(比較例4，對(duì)理論密度比約為60％)，實(shí)施例5中的燒結(jié)體的密度與比較例4中的燒結(jié)體的密度相比，前者有較大的提高。
接著，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，形成了被覆熱敏打印頭8的發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。所形成的保護(hù)層7的厚度約為3微米。
用顯微鏡觀察，對(duì)所形成的兩種保護(hù)層7測(cè)量進(jìn)入的異物數(shù)，用添加了0.05％重量的氧化鎂的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例5)與用添加了0.005％重量的氧化鎂的靶形成的保護(hù)層7(比較例4)相比，前者中進(jìn)入的異物數(shù)減少到約1/10。
另外，將各保護(hù)層7作為試樣，用質(zhì)量分析計(jì)進(jìn)行了元素分析，在實(shí)施例5的保護(hù)層7中，檢測(cè)到鎂為0.1％原子，硅、氧及氮分別為45、25及30％原子的比例。另一方面，在比較例4的保護(hù)層7中，檢測(cè)到鎂為0.1％原子，硅、氧及氮分別為46、27及27％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及維氏硬度測(cè)定了各保護(hù)層7的硬度，用添加了0.05％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例5)與用添加了0.005％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(比較例4)相比，前者的硬度上升了。推測(cè)這是由于在實(shí)施例5中，將0.05重量％的氧化鎂添加在燒結(jié)材料中，將密度提高了的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射，所以形成的保護(hù)層的密度高，而在比較例4中，往燒結(jié)材料中添加的氧化鎂的添加量為0.005％重量，所以靶的密度的提高不象實(shí)施例5那么顯著，所形成的保護(hù)層的密度比實(shí)施例5的低。
其次，用具有各種保護(hù)層7的熱敏打印頭進(jìn)行了步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)，與用添加了0.005％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(比較例4)相比，用添加了0.05％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例5)的耐裂化性能提高了，成為壽命長(zhǎng)的保護(hù)層。
另外，將熱脈沖加在具有各種保護(hù)層7的熱敏打印頭上，研究了電阻值的變化，與比較例4的熱敏打印頭相比，實(shí)施例5的熱敏打印頭的電阻值的變化小，熱敏打印頭的特性提高了。
另外，將實(shí)施例5及比較例4的熱敏打印頭安裝在圖7所示結(jié)構(gòu)的記錄裝置上進(jìn)行了打印，安裝了實(shí)施例5的熱敏打印頭的記錄裝置與安裝了比較例4的熱敏打印頭的記錄裝置相比，前者能長(zhǎng)時(shí)期輸出質(zhì)量高的記錄圖象。
(實(shí)施例6及比較例5)制造了圖1所示的熱敏打印頭。即，將由二氧化硅構(gòu)成的玻璃釉層2配置在氧化鋁陶瓷制的支撐基板1上。其次，在玻璃釉層2上形成由Ta-SiO2構(gòu)成的發(fā)熱電阻體層3，在發(fā)熱電阻體層3上用照相制板工藝形成了由Al-Si構(gòu)成的獨(dú)立電極5及公用電極6，以便形成發(fā)熱部4。然后，如下所述那樣形成了被覆發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。
首先，用球磨機(jī)對(duì)由77.1％重量的平均粒徑為1微米的氮化硅、26.9％重量的平均粒徑為1微米的二氧化硅、5.0％重量的平均粒徑為0.5微米的氧化鎂構(gòu)成的粉狀體進(jìn)行混合，將其作為燒結(jié)材料(實(shí)施例6)。另一方面，用球磨機(jī)對(duì)由68.0％重量平均粒徑為1微米的氮化硅、22.0％重量的平均粒徑為1微米的二氧化硅、10％重量的平均粒徑為0.5微米的氧化鎂構(gòu)成的粉狀體進(jìn)行混合，將其作為燒結(jié)材料(比較例5)。另外，氮化硅及氧化鎂的純度為99.99％，二氧化硅的純度為99.9％。
其次，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，獲得了810mm×145mm×10mm的燒結(jié)體即靶。用阿基米德法測(cè)定了這些燒結(jié)體的密度分別為2.30g/cm3(實(shí)施例6，對(duì)理論密度比約為81％)及1.95g/cm3(比較例5，對(duì)理論密度比約為68％)，比較例5的燒結(jié)體的對(duì)理論密度比顯示出突然減小的趨向。
接著，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，形成了被覆熱敏打印頭8的發(fā)熱部4、獨(dú)立電極5及公用電極6的保護(hù)層7。所形成的保護(hù)層7的厚度約為3微米。
用顯微鏡觀察，對(duì)所形成的兩種保護(hù)層7測(cè)量進(jìn)入的異物數(shù)，用添加了5.0％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例6)中進(jìn)入的異物數(shù)減少到用添加了10.0％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(比較例5)中進(jìn)入的異物數(shù)的約1/10。
另外，將各保護(hù)層7作為試樣，用質(zhì)量分析計(jì)進(jìn)行了元素分析，在實(shí)施例6的保護(hù)層7中，檢測(cè)到鎂為2％原子，硅、氧及氮分別為41、24及32％原子的比例。另一方面，在比較例5的保護(hù)層7中，檢測(cè)到鎂為5％原子，硅、氧及氮分別為42、21及32％原子的比例。
另外，按照努氏硬度及維氏硬度測(cè)定了各保護(hù)層7的硬度，用添加了10.0％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(比較例5)的硬度比用添加了5.0％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例6)的硬度低。推測(cè)這是與保護(hù)層的密度減小相一致，由于保護(hù)層中含有的氧化鎂的量多，所以保護(hù)層的硬度下降。
其次，用具有各種保護(hù)層7的熱敏打印頭進(jìn)行了步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)，用添加了5.0％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(實(shí)施例6)與用添加了10.0％重量的氧化鎂的燒結(jié)材料獲得的靶形成的保護(hù)層7(比較例5)相比，前者的耐裂化性能提高了，成為壽命較長(zhǎng)的保護(hù)層。
另外，將熱脈沖加在具有各種保護(hù)層7的熱敏打印頭上，研究了電阻值的變化，與比較例5的熱敏打印頭相比，實(shí)施例6的熱敏打印頭的電阻值的變化小，熱敏打印頭的特性提高了。
另外，將實(shí)施例6及比較例5的熱敏打印頭安裝在圖7所示結(jié)構(gòu)的記錄裝置上進(jìn)行了打印，安裝了實(shí)施例6的熱敏打印頭的記錄裝置與安裝了比較例5的熱敏打印頭的記錄裝置相比，前者能長(zhǎng)時(shí)期輸出質(zhì)量高的記錄圖象。
工業(yè)上利用的可能性如上所述，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第一方面的熱敏打印頭，則由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶，利用濺射法形成了保護(hù)層，所以能減少保護(hù)層中的氣孔的產(chǎn)生及保護(hù)層的破壞，同時(shí)能提供耐環(huán)境性能好、可靠性高的高品位的熱敏打印頭。因此，適合用于輸出質(zhì)量高的記錄圖象用的記錄裝置。
另外，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第二方面的熱敏打印頭，則由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶，利用濺射法形成了保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層，所以能減少保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層中的氣孔的產(chǎn)生和保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層的破壞，同時(shí)能提供耐環(huán)境性能好、可靠性高的高品位的熱敏打印頭。因此，適合用于輸出質(zhì)量高的記錄圖象用的記錄裝置。
另外，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第三及第四方面的熱敏打印頭的制造方法，則由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶，利用濺射法形成了能抑制異物進(jìn)入的保護(hù)層，所以能減少保護(hù)層中產(chǎn)生的氣孔和保護(hù)層的破壞，同時(shí)適合用來于提供耐環(huán)境性能好、可靠性高的高品位的熱敏打印頭。
另外，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第五方面的熱敏打印頭的制造方法，則由于將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶，利用濺射法形成了能抑制異物進(jìn)入的保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層，所以能減少保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層中產(chǎn)生的氣孔和保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層的破壞，同時(shí)適合用來提供耐環(huán)境性能好、可靠性高的高品位的熱敏打印頭。
另外，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第六方面的記錄裝置，則由于能減少保護(hù)層中氣孔的產(chǎn)生和保護(hù)層的破壞，同時(shí)備有耐環(huán)境性能好、可靠性高的高品位的熱敏打印頭，所以適合用來進(jìn)行輸出質(zhì)量高的記錄圖象的孔板印刷或傳真等。
另外，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第七方面的記錄裝置，則由于能減少保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層中氣孔的產(chǎn)生和保護(hù)層及發(fā)熱電阻體底層的破壞，同時(shí)備有耐環(huán)境性能好、可靠性高的高品位的熱敏打印頭，所以適合用來進(jìn)行輸出質(zhì)量高的記錄圖象的孔板印刷或傳真等。
另外，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第八方面的燒結(jié)體，則由于對(duì)含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體進(jìn)行燒結(jié)，能減少氣孔，實(shí)現(xiàn)接近于理論密度的密度，所以適合用來形成熱敏打印頭的保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層等。
另外，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第九方面的燒結(jié)體，則由于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的組成，能減少氣孔，實(shí)現(xiàn)接近于理論密度的密度，所以適合用來形成熱敏打印頭的保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層等。
另外，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第十方面的靶，則由于對(duì)含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體進(jìn)行燒結(jié)，能減少氣孔，實(shí)現(xiàn)接近于理論密度的密度，所以適合用來形成熱敏打印頭的保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層等。
另外，如果采用本申請(qǐng)發(fā)明的第十一方面的靶，則由于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的組成，能減少氣孔，實(shí)現(xiàn)接近于理論密度的密度，所以適合用來形成熱敏打印頭的保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層等。
權(quán)利要求
1．一種熱敏打印頭，其特征在于，備有支撐基體；配置在上述支撐基體上的發(fā)熱電阻體；與上述發(fā)熱電阻體連接的電極；以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、通過濺射形成了被覆在上述發(fā)熱電阻體及上述電極上的保護(hù)層。
2．一種熱敏打印頭，其特征在于，備有支撐基體；配置在上述支撐基體上的玻璃釉層；將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶，通過濺射而在上述玻璃釉層上形成的發(fā)熱電阻體底層；配置在上述支撐基體上的發(fā)熱電阻體；與上述發(fā)熱電阻體連接的電極；以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶，通過濺射形成了被覆在上述發(fā)熱電阻體及上述電極上的保護(hù)層。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱敏打印頭，其特征在于在上述支撐基體和上述電極之間還備有玻璃釉層。
4．根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱敏打印頭，其特征在于上述粉狀體含有的氧化鎂的平均粒徑為0.1～0.5微米。
5．根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱敏打印頭，其特征在于上述粉狀體含有0.01～5.0％重量的氧化鎂。
6．根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱敏打印頭，其特征在于上述粉狀體含有0.1～0.5％重量的氧化鎂。
7．根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱敏打印頭，其特征在于上述保護(hù)層含有0.01～3.0％原子的鎂。
8．根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱敏打印頭，其特征在于上述發(fā)熱電阻體底層含有0.01～3.0％原子的鎂。
9．根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱敏打印頭，其特征在于上述保護(hù)層具有可以用SiMgxNyOz(0.01≤x≤1.5、0.1≤y≤3.0、0.1≤z≤2.0)表示的組成。
10．根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱敏打印頭，其特征在于上述發(fā)熱電阻體底層具有可以用SiMgxNyOz(0.01≤x≤1.5、0.1≤y≤3.0、0.1≤z≤2.0)表示的組成。
11．一種熱敏打印頭的制造方法，其特征在于，包括以下工序?qū)l(fā)熱電阻體配置在支撐基體上的工序；將電極連接在上述發(fā)熱電阻體上的工序；以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射、將上述發(fā)熱電阻體及上述電極被覆起來的工序。
12．一種熱敏打印頭的制造方法，其特征在于，包括以下工序通過玻璃釉層將發(fā)熱電阻體配置在支撐基體上的工序；將電極連接在上述發(fā)熱電阻體上的工序；以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射、將上述發(fā)熱電阻體及上述電極被覆起來的工序。
13．一種熱敏打印頭的制造方法，其特征在于，包括以下工序?qū)⒑械?、二氧化硅及平均粒徑?.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射、通過玻璃釉層在支撐基體上形成發(fā)熱電阻體底層的工序；將發(fā)熱電阻體配置在上述發(fā)熱電阻體底層上的工序；將電極連接在上述發(fā)熱電阻體上的工序；以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶進(jìn)行濺射、將上述發(fā)熱電阻體及上述電極被覆起來的工序。
14．根據(jù)權(quán)利要求11至13任一項(xiàng)所述的熱敏打印頭的制造方法，其特征在于上述粉狀體含有的氧化鎂的平均粒徑為0.1～0.5微米。
15．根據(jù)權(quán)利要求11至13任一項(xiàng)所述的熱敏打印頭的制造方法，其特征在于上述粉狀體含有0.01～5.0％重量的氧化鎂。
16．根據(jù)權(quán)利要求11至13任一項(xiàng)所述的熱敏打印頭的制造方法，其特征在于上述粉狀體含有0.1～0.5％重量的氧化鎂。
17．一種記錄裝置，其特征在于，它所備有的熱敏打印頭備有支撐基體；配置在上述支撐基體上的發(fā)熱電阻體；與上述發(fā)熱電阻體連接的電極；以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、通過濺射形成了被覆在上述發(fā)熱電阻體及上述電極上的保護(hù)層。
18．一種記錄裝置，其特征在于，它所備有的熱敏打印頭備有支撐基體；配置在上述支撐基體上的玻璃釉層；將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶，通過濺射而在上述玻璃釉層上形成的發(fā)熱電阻體底層；配置在上述支撐基體上的發(fā)熱電阻體；與上述發(fā)熱電阻體連接的電極；以及將含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體的燒結(jié)體作為靶、通過濺射形成了被覆在上述發(fā)熱電阻體及上述電極上的保護(hù)層。
19．根據(jù)權(quán)利要求17所述的記錄裝置，其特征在于上述熱敏打印頭在上述支撐基體和上述電極之間還備有玻璃釉層。
20．一種燒結(jié)體，其特征在于它是對(duì)含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體進(jìn)行燒結(jié)制造的。
21．根據(jù)權(quán)利要求20所述的燒結(jié)體，其特征在于上述粉狀體所含有的氧化鎂的平均粒徑為0.1～0.5微米。
22．根據(jù)權(quán)利要求20所述的燒結(jié)體，其特征在于上述粉狀體含有0.01～5.0％重量的氧化鎂。
23．根據(jù)權(quán)利要求20所述的燒結(jié)體，其特征在于上述粉狀體含有0.1～0.5％重量的氧化鎂。
24．一種燒結(jié)體，其特征在于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的組成。
25．一種靶，其特征在于它是對(duì)含有氮化硅、二氧化硅及平均粒徑在1.0微米以下的氧化鎂的粉狀體進(jìn)行燒結(jié)制造的。
26．一種靶，其特征在于具有可以用SiMgxNyOz(0.001≤x≤0.01、0.1≤y≤2.0、0.1≤z≤0.5)表示的組成。
全文摘要
在利用濺射法制造熱記錄頭的保護(hù)層和發(fā)熱電阻體底層的方法中,靶是氮化硅·二氧化硅·氧化鎂粉狀體的燒結(jié)體,通過調(diào)整該粉狀體的粒徑,防止濺射過程中靶的一部分剝離。
文檔編號(hào)B41J2/335GK1215370SQ97193604
公開日1999年4月28日 申請(qǐng)日期1997年2月10日 優(yōu)先權(quán)日1996年2月8日
發(fā)明者北澤祐介, 高村康久 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝