30中并阻塞到室220的墨流之外，顆粒耐受涂底層延伸部228也用來涂覆薄膜層204的邊緣。如上所述，在打印頭114的制造期間，薄膜層204的處理可沿著薄膜層204的邊緣214 (圖3、圖5)留下鉭(Ta)或其它金屬長絲。Ta長絲可使薄膜層204的邊緣214斷裂，產(chǎn)生可阻塞墨流的長顆粒和短顆粒兩者。
[0035]圖10-13示出了根據(jù)本公開的一個實施例的若干基本處理步驟，這些步驟示出了顆粒耐受涂底層延伸部228如何涂覆薄膜層204的邊緣214。圖10示出了根據(jù)本公開的一個實施例的示例性流體噴射裝置114(即，打印頭114)的一部分的平面圖和橫截面圖(橫跨線C-C)。在初始處理步驟中，如圖10所示，在基底200(如，硅)上形成薄膜層204。薄膜層204通常包括多個不同的層(未單獨示出)，其包括例如氧化物層、限定熱電阻器210和導(dǎo)電跡線(未示出)的金屬(例如，鉭)層、以及鈍化層。薄膜層204可使用各種微細(xì)加工和集成電路制造技術(shù)來形成，例如，電鑄、激光燒蝕、各向異性蝕刻、濺射、旋涂、貼膜、干蝕亥I」、光亥I」、澆鑄、模制、燙印、機加工等。在薄膜層204在基底200上形成之后，通過移除薄膜層204的區(qū)域而形成潛在進(jìn)墨孔(IFH) 212。薄膜層204的區(qū)域的移除通常通過蝕刻實現(xiàn)。蝕刻薄膜層204導(dǎo)致可具有由蝕刻過程留下的金屬長絲(例如，Ta長絲)的邊緣214。這些長絲可使邊緣214斷裂并且阻塞到墨發(fā)射室220的墨流。
[0036]圖11示出了根據(jù)本公開的一個實施例的示例性流體噴射裝置114( S卩，打印頭114)的一部分的平面圖和橫截面圖(橫跨線D-D)。在下一個處理步驟中，如圖11所示，在薄膜層204上方形成涂底層205。涂底層205可以是通過例如旋涂或?qū)雍闲纬傻闹T如SU-8的可光成像的環(huán)氧樹脂。涂底層205可被限定以形成上文詳述的顆粒耐受涂底層延伸部228。此外，涂底層205形成于薄膜層204的邊緣上方以涂覆邊緣214。形成于薄膜層204的邊緣214上方的涂底層205涂層保持住由蝕刻過程留下的任何金屬長絲(例如，Ta長絲)，并且防止長絲使邊緣214斷裂并阻塞到墨發(fā)射室220的墨流。
[0037]圖12示出了根據(jù)本公開的一個實施例的示例性流體噴射裝置114(S卩，打印頭114)的一部分的平面圖和橫截面圖(橫跨線E-E)。在下一個處理步驟中，如圖12所示，在涂底層205上方形成室層206。室層206可以是通過例如旋涂或?qū)雍闲纬傻闹T如SU-8的可光成像的環(huán)氧樹脂。室層206可被限定以包括多個流體特征，例如，流體/墨發(fā)射室220、以及通往室220的通道入口 216和流體通道218。流體發(fā)射室220形成于對應(yīng)的熱電阻器210 (噴射元件)周圍和上方。
[0038]圖13示出了根據(jù)本公開的一個實施例的示例性流體噴射裝置114(S卩，打印頭114)的一部分的平面圖和橫截面圖(橫跨線F-F)。在下一個處理步驟中，如圖13所示，在室層206上方形成噴嘴層208。噴嘴層208可以是通過例如旋涂或?qū)雍闲纬傻闹T如SU-8的可光成像的環(huán)氧樹脂。噴嘴層208可被限定以包括諸如噴嘴116的多個流體特征。每個噴嘴116與相應(yīng)的室220和熱電阻器210相對應(yīng)。
[0039]雖然顆粒耐受構(gòu)造在本文中已描述為由涂底層延伸部228形成，但在其它實施中，類似地設(shè)計的顆粒耐受構(gòu)造(例如，如圖2、圖6、圖7、圖8、圖9所示)可由薄膜層204形成。即，薄膜層204可被圖案化以在諸如圖2、圖6、圖7、圖8和圖9中所示那些的設(shè)計中形成顆粒耐受構(gòu)造。在其中薄膜層204形成這樣的顆粒耐受構(gòu)造的這樣的實施中，涂底層延伸部228保持在薄膜層204的邊緣214上方延伸以涂覆邊緣214并防止金屬長絲(例如，Ta長絲)使邊緣214斷裂并阻塞到墨發(fā)射室220的墨流的目的。
【主權(quán)項】
1.一種流體噴射裝置，包括: 薄膜層，其形成于基底上方； 涂底層，其形成于所述薄膜層上方； 室層，其形成于所述涂底層上方且限定通往發(fā)射室的流體通道； 狹槽，其延伸穿過所述基底并且通過所述薄膜層中的進(jìn)墨孔進(jìn)入所述室層；以及 所述涂底層的顆粒耐受延伸部，其突出到所述狹槽中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置，還包括由所述涂底層形成的涂層以涂覆所述薄膜層的邊緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置，還包括在所述室層上方的噴嘴層，所述噴嘴層形成在所述發(fā)射室、所述流體通道和所述狹槽上方的頂部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的流體噴射裝置，還包括吊柱，所述吊柱限定在所述室層中且粘附到所述頂部，使得所述吊柱延伸進(jìn)入所述狹槽中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的流體噴射裝置，其中，所述顆粒耐受延伸部包括部分地交錯在所述吊柱之間的多個涂底層突起。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置，還包括擱架柱，所述擱架柱限定在所述室層中且位于到所述流體通道的入口處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置，其中，所述顆粒耐受延伸部橫跨所述狹槽的整個寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的流體噴射裝置，其中，所述顆粒耐受延伸部包括多個進(jìn)墨孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的流體噴射裝置，其中，所述涂底層突起包括具有變化的長度的涂底層突起。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置，其中，所述流體通道包括再循環(huán)通道，所述再循環(huán)通道從與所述狹槽流體連通的第一和第二通道入口通往所述發(fā)射室。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置，其中，所述顆粒耐受延伸部是突出到所述狹槽中的所述薄膜層的延伸部，所述流體噴射裝置還包括由所述涂底層形成以涂覆所述薄膜層的邊緣的涂層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置，其中，所述顆粒耐受延伸部由可光限定的環(huán)氧樹脂形成。
13.一種流體噴射裝置，包括: 薄膜層，其形成于基底上方； 室層，其形成于所述薄膜層上方； 進(jìn)墨孔，其穿過所述薄膜層形成并且流體地聯(lián)接在所述基底和室層之間的狹槽；以及在所述薄膜層上方的顆粒耐受SU-8涂底層，其延伸進(jìn)入所述狹槽并經(jīng)過所述進(jìn)墨孔的邊緣以涂覆所述進(jìn)墨孔的所述邊緣。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的流體噴射裝置，還包括: 噴嘴層，其形成于所述室層上方； 柱，其形成于所述室層中且從所述噴嘴層懸掛； 其中，所述延伸的SU-8涂底層形成與所述柱交織的指狀物突起。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的流體噴射裝置，其中，所述延伸的SU-8涂底層形成延伸橫跨所述狹槽的整個寬度的顆粒耐受構(gòu)造。
【專利摘要】在一個實施例中，流體噴射裝置包括形成于基底上方的薄膜層。涂底層形成于薄膜層上方，并且室層形成于涂底層上方，涂底層限定通往發(fā)射室的流體通道。所述流體噴射裝置包括狹槽，該狹槽延伸穿過基底并且通過薄膜層中的進(jìn)墨孔進(jìn)入室層。所述流體噴射裝置也包括涂底層的顆粒耐受延伸部，其突出到狹槽中。在一些實施中，顆粒耐受涂底層延伸部延伸橫跨狹槽的整個寬度。
【IPC分類】B41J2-145, B41J2-045, B41J2-14
【公開號】CN104853923
【申請?zhí)枴緾N201280077864
【發(fā)明人】R.里瓦斯
【申請人】惠普發(fā)展公司，有限責(zé)任合伙企業(yè)
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2012年12月20日
【公告號】DE112012007239T5, WO2014098855A1