專利名稱：用于發(fā)光元件的像素電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光元件的像素電路的技術(shù)。
作為有機(jī)EL器件的像素電路，有根據(jù)電壓值設(shè)定發(fā)光輝度的電壓編程方式的像素電路，和根據(jù)電流值設(shè)定發(fā)光輝度的電流編程方式的像素電路。在此，“編程”是指進(jìn)行設(shè)定像素電路的發(fā)光輝度的處理。電壓編程方式，雖然速度較快但有時(shí)發(fā)光輝度的設(shè)定精度不高。而電流編程方式，雖然發(fā)光輝度的設(shè)定精度較高，但有時(shí)用于設(shè)定的時(shí)間比較長(zhǎng)。
于是，希望有和現(xiàn)有技術(shù)不同方式的像素電路。這樣的要求，并不僅僅限定于采用有機(jī)EL器件的顯示裝置，對(duì)于采用有機(jī)EL器件之外的電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光元件的顯示裝置和電光學(xué)裝置，是共同存在的問題。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的電光學(xué)裝置，是采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)法所驅(qū)動(dòng)的電光學(xué)裝置，包括將包含發(fā)光元件的多個(gè)像素電路配置成矩陣狀的像素電路矩陣、分別與沿上述像素電路矩陣的行方向配置的像素電路群連接的多條掃描線、分別與沿上述像素電路矩陣的列方向配置的像素電路群連接的多條數(shù)據(jù)線、與上述多條掃描線連接的選擇上述像素電路矩陣的一行的掃描線驅(qū)動(dòng)電路、生成與上述發(fā)光元件的發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)并可以在上述多條數(shù)據(jù)線中的至少一條數(shù)據(jù)線上輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)生成電路。上述數(shù)據(jù)信號(hào)生成電路包括為產(chǎn)生作為在上述數(shù)據(jù)線上輸出的第1數(shù)據(jù)信號(hào)的電流信號(hào)的電流生成電路、為產(chǎn)生作為在上述數(shù)據(jù)線上輸出的第2數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓信號(hào)的電壓生成電路。上述像素電路包括由(i)電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件、(ii)設(shè)置在流經(jīng)上述發(fā)光元件的電流的路徑上的驅(qū)動(dòng)晶體管、(iii)連接在上述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極上、通過(guò)給定的電流信號(hào)線保持與從外部電流生成電路供給的電流信號(hào)的電流值對(duì)應(yīng)的電荷量、為設(shè)定流經(jīng)上述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流值的保持電容、(iv)連接在上述保持電容和上述電流信號(hào)線之間、根據(jù)上述電流信號(hào)控制是否向上述保持電容供給電荷的第1開關(guān)晶體管、所構(gòu)成的、根據(jù)上述電流信號(hào)的電流值調(diào)節(jié)上述發(fā)光元件的發(fā)光輝度的電流編程電路、以及連接上述保持電容上、通過(guò)給定的電壓信號(hào)線根據(jù)從外部電壓生成電路供給的電壓信號(hào)控制是否向上述保持電容供給電荷的第2開關(guān)晶體管。
在這樣的電光學(xué)裝置中，通過(guò)第2開關(guān)晶體管向保持電容供給電壓信號(hào)進(jìn)行電壓編程，然后，通過(guò)第1開關(guān)晶體管向保持電容供給電流信號(hào)進(jìn)行電流編程。其結(jié)果，可以進(jìn)行比較高速并且高精度地設(shè)定發(fā)光輝度。
也可以使1列的像素電路群的數(shù)據(jù)線包括為傳送上述電流信號(hào)的電流信號(hào)線、為傳送上述電壓信號(hào)的電壓信號(hào)線。
依據(jù)這樣的構(gòu)成，電壓信號(hào)和電流信號(hào)通過(guò)不同的信號(hào)線供給，容易調(diào)節(jié)這2個(gè)信號(hào)的供給時(shí)序。
此外，上述電光學(xué)裝置還包括在上述保持電容和上述第1開關(guān)晶體管之間串聯(lián)連接的第3開關(guān)晶體管。
依據(jù)這樣的構(gòu)成，電壓編程時(shí)和電流編程時(shí)，通過(guò)適當(dāng)切換第3開關(guān)晶體管的導(dǎo)通/截止，可以進(jìn)行更高速并且更高精度地設(shè)定發(fā)光輝度。
此外，優(yōu)選向上述保持電容供給電荷，是在由上述電壓信號(hào)供給電荷結(jié)束后由上述電流信號(hào)供給電荷結(jié)束后實(shí)施。
依據(jù)該構(gòu)成，最終是由電流編程設(shè)定流經(jīng)發(fā)光元件的電流，可以更高精度地設(shè)定發(fā)光輝度。
此外，也可以由上述電流信號(hào)向上述保持電容供給電荷是在由上述電壓信號(hào)供給電荷結(jié)束后開始。
本發(fā)明的電光學(xué)裝置的第1驅(qū)動(dòng)方法，是具有包括電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件、設(shè)置在流經(jīng)上述發(fā)光元件的電流的路徑上的驅(qū)動(dòng)晶體管、連接在上述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極上并設(shè)定上述驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)的保持電容的像素電路的電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法、其特征在于，包括(a)通過(guò)向上述保持電容供給電壓信號(hào)、向上述保持電容供給電荷的步驟、(b)至少在由上述電壓信號(hào)供給電荷結(jié)束后的期間、利用具有與上述發(fā)光元件的發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的電流值的電流信號(hào)、在上述保持電容上保持與上述發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的電荷的步驟。
依據(jù)該方法，由電壓信號(hào)向保持電容供給電荷后，利用電流信號(hào)最終設(shè)定發(fā)光輝度，可以高速并且正確設(shè)定發(fā)光輝度。
本發(fā)明的電光學(xué)裝置的第2驅(qū)動(dòng)方法，是包括由電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件、設(shè)置在流經(jīng)上述發(fā)光元件的電流的路徑上的驅(qū)動(dòng)晶體管、連接在上述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極上并設(shè)定上述驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)的保持電容澳所構(gòu)成的像素電路、連接在上述像素電路上的數(shù)據(jù)線的電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法、其特征在于，包括(a)通過(guò)經(jīng)由上述數(shù)據(jù)線向上述保持電容供給電壓信號(hào)、使向上述保持電容和上述數(shù)據(jù)線雙方充電或者放電的步驟、(b)至少在由上述電壓信號(hào)供給電荷結(jié)束后的期間、利用具有與上述發(fā)光元件的發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的電流值的電流信號(hào)、在上述保持電容上保持與上述發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的電荷的步驟。
依據(jù)該方法，由電壓信號(hào)向保持電容和數(shù)據(jù)線雙方進(jìn)行充電和放電后，利用電流信號(hào)最終設(shè)定發(fā)光輝度，可以進(jìn)一步高速并且正確設(shè)定發(fā)光輝度。
此外，本發(fā)明，可以采用各種方案實(shí)現(xiàn)，例如，可以采用像素電路、采用該像素電路的電光學(xué)裝置或者顯示裝置、包括該電光學(xué)裝置或者顯示裝置的電子裝置或者電器儀器、這些裝置或者儀器的驅(qū)動(dòng)方法、為實(shí)現(xiàn)該方法的功能的計(jì)算機(jī)程序、存儲(chǔ)該計(jì)算機(jī)程序的存儲(chǔ)介質(zhì)、包含這些計(jì)算機(jī)程序的在傳送波內(nèi)具體化的數(shù)據(jù)信號(hào)、等各種方式。
圖2是顯示矩陣部200和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器400的內(nèi)部構(gòu)成的方框圖。
圖3是實(shí)施例1的像素電路210和單一線驅(qū)動(dòng)器410的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。
圖4是晶體管251處于導(dǎo)通狀態(tài)而另一晶體管252處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)的像素電路210的等效電路的電路圖。
圖5是實(shí)施例1的像素電路210的通常動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖6是實(shí)施例2的像素電路210a和單一線驅(qū)動(dòng)器410的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。
圖7是實(shí)施例2的像素電路210a的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖8是實(shí)施例3的像素電路210b和單一線驅(qū)動(dòng)器410b的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。
圖9是實(shí)施例3的像素電路210b的動(dòng)作的時(shí)序圖。


圖10是實(shí)施例4的像素電路210c和單一線驅(qū)動(dòng)器410c的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。
圖11是實(shí)施例4的像素電路210c的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖12是實(shí)施例5的像素電路210d和單一線驅(qū)動(dòng)器410d的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。
圖13是實(shí)施例5的像素電路210d的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖14是實(shí)施例4的變形例的構(gòu)成圖。
A.實(shí)施例1
B.實(shí)施例2C.實(shí)施例3D.實(shí)施例4E.實(shí)施例5F.其他變形例A.實(shí)施例1圖1表示本發(fā)明實(shí)施例1的顯示裝置的簡(jiǎn)要構(gòu)成的方框圖。該顯示裝置包括控制器100、顯示矩陣部200(也稱為“像素區(qū)域”)、柵極驅(qū)動(dòng)器300、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器400。控制器100，生成用于在顯示矩陣部200上進(jìn)行顯示的柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并分別提供到柵極驅(qū)動(dòng)器300和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器400。
圖2表示顯示矩陣部200和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器400的內(nèi)部構(gòu)成。顯示矩陣部200包括配置成矩陣狀的多個(gè)像素電路210，各像素電路210分別包括有機(jī)EL器件220。在像素電路210的矩陣上，分別連接有沿其列方向延伸的多條數(shù)據(jù)線Xm(m＝1～M)、和沿行方向延伸的多條柵極線Yn(n＝1～N)。在此，數(shù)據(jù)線也稱為“源極線”，而柵極線也稱為“掃描線”。另外，在本說(shuō)明書中，像素電路210也稱為“單位電路”或者僅僅稱為“像素”。像素電路210內(nèi)的晶體管通常由TFT(薄膜晶體管)構(gòu)成。
柵極驅(qū)動(dòng)器300，選擇多條柵極線Yn中的一條進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，從而選擇1行的像素電路群。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器400，包括分別驅(qū)動(dòng)各數(shù)據(jù)線Xm的多個(gè)單一線驅(qū)動(dòng)器410。這些單一線驅(qū)動(dòng)器410，通過(guò)各數(shù)據(jù)線Xm向像素電路210提供數(shù)據(jù)信號(hào)。當(dāng)根據(jù)該數(shù)據(jù)信號(hào)設(shè)定像素電路210的內(nèi)部狀態(tài)(將在后面說(shuō)明)時(shí)，則流過(guò)有機(jī)EL器件220中的電流值就受到相應(yīng)的控制，其結(jié)果可以控制有機(jī)EL器件220的發(fā)光輝度。
圖3表示實(shí)施例1的像素電路210和單一線驅(qū)動(dòng)器410的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。該像素電路210是配置在第m條數(shù)據(jù)線和第n條柵極線Yn的交叉點(diǎn)上的電路。此外，一組數(shù)據(jù)線Xm包括2條子數(shù)據(jù)線U1、U2，一組柵極線Yn包括3條子?xùn)艠O線V1～V3。
單一線驅(qū)動(dòng)器410包括電壓生成電路411和電流生成電路412。電壓生成電路411通過(guò)第1條子數(shù)據(jù)線U1向像素電路210提供電壓信號(hào)Vout。電流生成電路412通過(guò)第2條子數(shù)據(jù)線U2向像素電路210提供電流信號(hào)Iout。
像素電路210，具有在電流編程電路240中追加了2個(gè)開關(guān)晶體管251、252的構(gòu)成。電流編程電路240是根據(jù)在第2條子數(shù)據(jù)線U2中流動(dòng)的電流值來(lái)調(diào)節(jié)有機(jī)EL器件220的輝度的電路。
圖4是晶體管251處于導(dǎo)通狀態(tài)而另一晶體管252處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)的像素電路210的等效電路(即電流編程電路240的等效電路)。該電流編程電路240，除了有機(jī)EL器件220之外，還包括4個(gè)晶體管211～214，和保持電容230(也稱為“儲(chǔ)存電容”)。保持電容230，根據(jù)由第2條子數(shù)據(jù)線U2供給的電流信號(hào)Iout的電流值儲(chǔ)存電荷，這樣，可以調(diào)節(jié)有機(jī)EL器件220的發(fā)光輝度。在該例中，第1～第3晶體管211～213為n溝道FET，第4晶體管214為P溝道FET。有機(jī)EL器件220，由于是和發(fā)光二極管相同的電流注入型(電流驅(qū)動(dòng)型)發(fā)光元件，所以在此采用二極管的記號(hào)來(lái)表示。
第1晶體管211的漏極分別與第2晶體管212的源極、第3晶體管213的漏極、第4晶體管214的漏極連接。第2晶體管212的漏極與第4晶體管214的柵極連接。保持電容230連接在第4晶體管214的源極/柵極之間。另外，第4晶體管214的源極，也連接在電源電位Vdd上。第1晶體管212的源極通過(guò)第2條子數(shù)據(jù)線U2與電流生成電路412連接。有機(jī)EL器件220連接在第3晶體管213的源極和接地電位之間。第1和第2晶體管211、212的柵極共同連接在第2子?xùn)艠O線V2上。另外，第3晶體管213的柵極連接在第3子?xùn)艠O線V3上。
第1和第2晶體管211、212是通過(guò)第2條子數(shù)據(jù)線U2在保持電容230上積蓄電荷時(shí)所使用的開關(guān)晶體管。第3晶體管213在有機(jī)EL器件220的發(fā)光期間處于導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)晶體管。另外，第4晶體管214是為控制在有機(jī)EL器件220中流動(dòng)的電流值的驅(qū)動(dòng)晶體管。第4晶體管214的電流值，由積蓄在保持電容230的電荷量(積蓄電荷量)控制。
圖3所示的像素電路和圖4所示的等效電路之間具有以下的差異。
(1)在第2晶體管212的漏極和第4晶體管的柵極之間的連接點(diǎn)CP1(圖4)與保持電容230之間，追加了開關(guān)晶體管251。
(2)在保持電容230和開關(guān)晶體管251的連接點(diǎn)CP2與第1條子數(shù)據(jù)線U1之間追加了開關(guān)晶體管252。
(3)追加了所追加的2個(gè)晶體管251、252的柵極共同連接的子?xùn)艠O線V1。
(4)在保持電容230上通過(guò)第1條子數(shù)據(jù)線U1可以提供來(lái)自電壓生成電路411的電壓信號(hào)Vout，并且通過(guò)第2條子數(shù)據(jù)線U2可以提供來(lái)自電流生成電路412的電流信號(hào)Iout。
此外，在以后，所追加的晶體管251、252也稱為“電壓編程用晶體管251、252”。在圖3的例子中，第1電壓編程用晶體管251為p溝道FET，第2電壓編程用晶體管252為n溝道FET。
電壓編程電路240的第1和第2晶體管211、212，具有控制是否由電流信號(hào)Iout向保持電容230供給電荷的功能，相當(dāng)于在本發(fā)明中“第1開關(guān)晶體管”。另外，第2電壓編程用晶體管252具有控制是否由電壓流信號(hào)Vout向保持電容230供給電荷的功能，相當(dāng)于在本發(fā)明中“第2開關(guān)晶體管”。并且，第1電壓編程用晶體管251相當(dāng)于在本發(fā)明中“第3開關(guān)晶體管”。此外，也可以省略第1電壓編程用晶體管251。
圖5表示像素電路210的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖中示出了子?xùn)艠O線V1～V3的電壓值(以下也稱為“柵極信號(hào)V1～V3”)、和第2條子數(shù)據(jù)線U2的電流值Iout、以及流入有機(jī)EL器件220中的電流值IEL。
驅(qū)動(dòng)周期Tc分為編程期間Tpr和發(fā)光期間Tel。在此“驅(qū)動(dòng)周期Tc”是指顯示矩陣部200內(nèi)的所有有機(jī)EL器件220的發(fā)光輝度更新1次的周期，與所謂的1幀周期意思相同。輝度的更新，是按每一行的像素電路群進(jìn)行的，在驅(qū)動(dòng)周期Tc的期間依次更新N行的像素電路群的輝度。例如，以30Hz對(duì)所有像素電路的輝度進(jìn)行更新時(shí)，驅(qū)動(dòng)周期Tc為33ms。
編程期間Tpr是將有機(jī)EL器件220的發(fā)光輝度設(shè)定在像素電路210內(nèi)的期間。在本說(shuō)明書中，將對(duì)像素電路210的設(shè)定輝度稱為“編程”。例如，當(dāng)驅(qū)動(dòng)周期Tc為33ms，柵極線Yn的總數(shù)N(即像素電路矩陣的行數(shù))為480條時(shí)，編程期間Tpr約在69μs(＝33ms/480)以下。
在編程期間Tpr，首先將第2和第3柵極信號(hào)V2、V3設(shè)定成L電平，并使第1和第3晶體管211、213保持截止?fàn)顟B(tài)(關(guān)狀態(tài))。然后，將第1柵極信號(hào)V1設(shè)定成H電平，將第1電壓編程用晶體管25 1設(shè)定成截止?fàn)顟B(tài)(關(guān)狀態(tài))，同時(shí)將第2電壓編程用晶體管252設(shè)定成導(dǎo)通狀態(tài)(開狀態(tài))。這時(shí)，電壓生成電路411(圖3)，產(chǎn)生與發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的給定電壓值的電壓信號(hào)Vout。但是，作為電壓信號(hào)Vout，也可以利用與發(fā)光輝度無(wú)關(guān)的具有恒定電壓值的信號(hào)。當(dāng)該電壓信號(hào)Vout，經(jīng)第2電壓編程用晶體管252提供到保持電容230時(shí)，與電壓信號(hào)Vout的電壓值相對(duì)應(yīng)的電荷就被積蓄在保持電容230上。
這樣，當(dāng)利用電壓信號(hào)Vout編程結(jié)束后，通過(guò)使第1柵極信號(hào)V1下降到L電平，將第1電壓編程用晶體管251設(shè)定成導(dǎo)通狀態(tài)，同時(shí)將第2電壓編程用晶體管252設(shè)定成截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，像素電路210變成圖4所示的等效電路。在該狀態(tài)下，在第2條子數(shù)據(jù)線U2中流入與發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的電流Im，同時(shí)將第2柵極信號(hào)V2設(shè)定成H電平，使第1和第2晶體管211、212處于導(dǎo)通狀態(tài)(圖5(b)、(e))。這時(shí)，電流生成電路412(圖3)，起到了使與發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的恒定電流Im流動(dòng)的恒流源的作用。如圖5(e)所示，該電流值Im，在給定電流值范圍RI內(nèi)，設(shè)定成與有機(jī)EL器件220的發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的值。
由該電流值Im的編程結(jié)果，保持電容230成為將對(duì)應(yīng)流過(guò)第4晶體管214(驅(qū)動(dòng)晶體管)的電流值Im的電荷保持的狀態(tài)。這時(shí)，在第4晶體管214的源極/柵極之間，施加有在保持電容230上所儲(chǔ)存的電壓。此外，在本說(shuō)明書中，將用于編程的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流值Im稱為“編程電流值Im”。
當(dāng)由電流信號(hào)Iout編程結(jié)束后，柵極驅(qū)動(dòng)器300將第2柵極信號(hào)V2設(shè)定成L電平，使第1和第2晶體管211、212處于截止?fàn)顟B(tài)，并且電流生成電路412停止提供電流信號(hào)Iout。
在發(fā)光期間Tel，第1柵極信號(hào)V1維持在L電平，將像素電路210設(shè)定成圖4的等效電路的狀態(tài)。另外，第2柵極信號(hào)V2也維持在L電平，使第1和第2晶體管211、212保持截止?fàn)顟B(tài)，將第3柵極信號(hào)V3設(shè)定成H電平，使第3晶體管213處于導(dǎo)通狀態(tài)。由于在保持電容230上預(yù)先儲(chǔ)存了與編程電流值Im對(duì)應(yīng)的電壓，所以在第4晶體管214中流入和編程電流值Im大致相同的電流。因此，在有機(jī)EL器件220中也流入和編程電流值Im大致相同的電流，以與該電流值Im對(duì)應(yīng)的輝度發(fā)光。
如上所述，實(shí)施例1的像素電路210，由電壓信號(hào)Vout進(jìn)行編程后，由電流信號(hào)Iout進(jìn)行編程，這樣與只由電壓信號(hào)Vout進(jìn)行編程的情況比較，可以正確設(shè)定發(fā)光輝度。另外，與只由電流信號(hào)Iout進(jìn)行編程的情況比較，可以高速設(shè)定發(fā)光輝度。也就是說(shuō)，該像素電路210和現(xiàn)有技術(shù)比較可以實(shí)現(xiàn)高速、高精度設(shè)定發(fā)光輝度。B.實(shí)施例2圖6是實(shí)施例2的像素電路210a和單一線驅(qū)動(dòng)器410的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。該像素電路210a，是在和實(shí)施例1的像素電路210的基礎(chǔ)上追加了第2保持電容232，其他構(gòu)成和實(shí)施例1相同。該第2保持電容232，插入到第2晶體管212的漏極和第4晶體管的柵極的連接點(diǎn)CP1、和電源電位Vdd之間。
圖7是實(shí)施例2的像素電路210a的動(dòng)作的時(shí)序圖。在實(shí)施例2中，在編程期間Tpc，存在第1柵極信號(hào)V1和第2柵極信號(hào)V2均為H電平的期間。在第1柵極信號(hào)V1為H電平的期間，第2電壓編程晶體管252處于導(dǎo)通狀態(tài)，由電壓信號(hào)Vout進(jìn)行第1保持電容230的編程。另一方面，在第2柵極信號(hào)V2為H電平的期間，電流編程電路240a內(nèi)的第1和第2開關(guān)晶體管211、212處于導(dǎo)通狀態(tài)，由電流信號(hào)Iout進(jìn)行第2保持電容232的編程。此外，在第1和第2柵極信號(hào)V1、V2均為H電平的期間，由于第1電壓編程晶體管251保持截止?fàn)顟B(tài)，第1保持電容230的電壓編程和第2保持電容232的電流編程并行進(jìn)行。
然后，在第1柵極信號(hào)V1比第2柵極信號(hào)V2先下降到L電平后，電壓編程結(jié)束，2個(gè)保持電容230、232的編程(電流編程)繼續(xù)進(jìn)行。這時(shí)，由于第1保持電容230被預(yù)選電壓編程，可以縮短在2個(gè)保持電容230、232上積蓄到適當(dāng)?shù)碾姾闪克枰臅r(shí)間。
從該實(shí)施例2容易明白，也可以同時(shí)進(jìn)行由電壓信號(hào)Vout的編程和由電流信號(hào)Iout的編程。但是，這時(shí)，如圖7所示，如果在使電壓編程結(jié)束后再使電流編程結(jié)束，可以更高精度地設(shè)定發(fā)光輝度。換言之，優(yōu)選電流編程至少在電壓編程結(jié)束后的期間中進(jìn)行。C.實(shí)施例3圖8是實(shí)施例3的像素電路210b和單一線驅(qū)動(dòng)器410b的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。該單一線驅(qū)動(dòng)器410b的電壓生成電路411b和電流生成電路412b連接在電源電位Vdd上。
實(shí)施例3的像素電路210b包括所謂的沙阿諾夫(サ—ノフ)型電流編程電路240b、和2個(gè)電壓編程用晶體管251b、252b。電流編程電路240b包括有機(jī)EL器件220b、4個(gè)晶體管211b～214b、以及保持電容230b。在本實(shí)施例中的4個(gè)晶體管211b～214b，均為p溝道FET。
在第2子數(shù)據(jù)線U2上，依次串聯(lián)連接第2晶體管212b、保持電容230b、第1電壓編程用晶體管251b、有機(jī)EL器件220b。第1晶體管211b的漏極連接在有機(jī)EL器件220b上。在第1和第2晶體管211b、212b的柵極共通連接在第2子?xùn)艠O線V2上。
在電源電位Vdd和接地電位之間，串聯(lián)連接第3晶體管213b、第4晶體管214b、有機(jī)EL器件220b。第3晶體管213b的漏極和第4晶體管214b的源極也連接在第2晶體管212b的漏極上。在第32晶體管213b的柵極上連接第3柵極線V3。另外，第4晶體管214b的柵極連接在第1晶體管211b的源極上。
在第4晶體管214b的源極和柵極之間串聯(lián)插入連接保持電容230b和第1電壓編程用晶體管251b。有機(jī)EL器件220b發(fā)光時(shí)，第1電壓編程用晶體管251b的源極和柵極之間的電壓由保持電容230b的積蓄電荷量確定。
第1和第2晶體管211b、212b是為了在保持電容230b上積蓄所希望的電荷時(shí)所使用的開關(guān)晶體管。第3晶體管213b是在有機(jī)EL器件220b發(fā)光期間保持導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)晶體管。另外，第4晶體管214b是控制在有機(jī)EL器件220b中流動(dòng)的電流值的驅(qū)動(dòng)晶體管。
電壓編程電路240b的第1和第2晶體管211b、212b，具有控制是否由電流信號(hào)Iout向保持電容230b供給電荷的功能，相當(dāng)于在本發(fā)明中“第1開關(guān)晶體管”。另外，第2電壓編程用晶體管252b具有控制是否由電壓流信號(hào)Vout向保持電容230b供給電荷的功能，相當(dāng)于在本發(fā)明中”“第2開關(guān)晶體管。進(jìn)一步，第1電壓編程用晶體管251b相當(dāng)于在本發(fā)明中”“第3開關(guān)晶體管。此外，也可以省略第1電壓編程用晶體管251b。
圖9表示實(shí)施例3的像素電路210b的動(dòng)作的時(shí)序圖。在該時(shí)序圖中，第2和第3柵極信號(hào)V2、V3的邏輯與圖5所示的實(shí)施例1的動(dòng)作反相。另外，在實(shí)施例3中，根據(jù)圖8的電路構(gòu)成表明，在編程期間Tpr，經(jīng)過(guò)第2和第4晶體管212b、214b向有機(jī)EL器件220b流入編程電流Im。因此，在實(shí)施例3中，在編程期間Tpr，有機(jī)EL器件220b也發(fā)光。這樣，在編程期間Tpr，即可以使有機(jī)EL器件220b發(fā)光，也可以向?qū)嵤├?和實(shí)施例2那樣不發(fā)光。
該實(shí)施例3具有和第1、實(shí)施例2相同的效果。也就是說(shuō)，由于并用電壓編程和電流編程，與只有電壓編程的情況比較，可以正確設(shè)定發(fā)光輝度，另外，與只有電流編程的情況比較，可以高速設(shè)定發(fā)光輝度。D.實(shí)施例4圖10是實(shí)施例4的像素電路210c和單一線驅(qū)動(dòng)器410c的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。該單一線驅(qū)動(dòng)器410c的電壓生成電路411c和電流生成電路412c連接在負(fù)電源電位-Vee上。
實(shí)施例4的像素電路210c包括電流編程電路240c、2個(gè)電壓編程用晶體管251c、252c。電流編程電路240c包括有機(jī)EL器件220c、4個(gè)晶體管211c～214c、保持電容230c。在本實(shí)施例中第1和第2晶體管211c、212c為n溝道FET、第3和第4晶體管213c、214c為p溝道FET。
在第2子數(shù)據(jù)線U2上，依次串聯(lián)連接第1和第2晶體管211c、212c。第2晶體管212c的漏極連接在第3和第4晶體管213c、214c的柵極上。另外，第1晶體管211c和第2晶體管212c的源極共同連接在第3晶體管213c的漏極上。第4晶體管214c的漏極通過(guò)有機(jī)EL器件220c連接在電源電位-Vee上。第3和第4晶體管213c、214c的源極接地。在第3和第4晶體管213c、214c的柵極/源極之間，串聯(lián)插入連接第1電壓編程用晶體管251c和保持電容230c。第1電壓編程用晶體管251c處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，保持電容230c設(shè)定成有機(jī)EL器件220c的驅(qū)動(dòng)晶體管的第4晶體管214c的源極/柵極之間的電壓。因此，有機(jī)EL器件220c的發(fā)光輝度由積蓄在保持電容230c上的電荷量確定。在保持電容230c的一方端子和第1子數(shù)據(jù)線U1之間連接第2電壓編程用晶體管252c。
在2個(gè)電壓編程用晶體管251c、252c的柵極上共同連接第1子?xùn)艠O線V1上。另外，在第1和第2晶體管211c、212c的柵極分別連接第2和第3子?xùn)艠O線V2、V3。
第1和第2晶體管211c、212c是為了在保持電容230c上積蓄所希望的電荷時(shí)所使用的開關(guān)晶體管。第4晶體管214c是控制在有機(jī)EL器件220c中流動(dòng)的電流值的驅(qū)動(dòng)晶體管。此外，第3和第4晶體管213c、214c構(gòu)成所為的電流反射鏡電路，流入第3晶體管213c中的電流值和流入第4晶體管214c中的電流值具有給定的比例關(guān)系。因此，如果通過(guò)第2子數(shù)據(jù)線U2在第3晶體管213c中流入電流Im，則將在第4晶體管214c和有機(jī)EL器件220c中流入與其成比例的電流。這2個(gè)電流值之比，等于2個(gè)晶體管213c、214c的放大系數(shù)β。此外，放大系數(shù)β，由β＝(μC。W/L)確定。式中，μ表示載流子的遷移速度、C。表示柵極電容、W表示溝道寬度、L表示溝道長(zhǎng)度。
該電壓編程電路240c的第1和第2晶體管211c、212c，具有控制是否由電流信號(hào)Iout向保持電容230c供給電荷的功能，相當(dāng)于在本發(fā)明中“第1開關(guān)晶體管”。另外，第2電壓編程用晶體管252c具有控制是否由電壓流信號(hào)Vout向保持電容230c供給電荷的功能，相當(dāng)于在本發(fā)明中“第2開關(guān)晶體管”。進(jìn)一步，第1電壓編程用晶體管251c相當(dāng)于在本發(fā)明中“第3開關(guān)晶體管”。此外，也可以省略第1電壓編程用晶體管251c。
圖11表示實(shí)施例4的像素電路210c的動(dòng)作的時(shí)序圖。在編程期間Tpr，首先只將第1柵極信號(hào)V1設(shè)定成H電平，分別將第1和第2電壓編程用晶體管251c、252c設(shè)定成截止和導(dǎo)通狀態(tài)。這時(shí)，電壓生成電路411c通過(guò)第1子數(shù)據(jù)線U1向保持電容230c提供電壓信號(hào)Vout，進(jìn)行電壓編程。然后，使第1柵極信號(hào)V1下降到L電平，將第2和第3柵極信號(hào)V2、V3設(shè)定成H電平，在第2和第3柵極信號(hào)V2、V3為H電平的期間，電流編程電路240c內(nèi)的第1和第2開關(guān)晶體管211c、212c處于導(dǎo)通狀態(tài)，由電流信號(hào)Iout進(jìn)行保持電容230c的編程。這時(shí)，在第4晶體管214c和有機(jī)EL器件220c中流入與電流信號(hào)Iout的電流值Im(圖11(e))成比例的電流值Ima(圖11(f))。這時(shí)，在保持電容230c上積蓄與第3和第4晶體管213c、214c的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)對(duì)應(yīng)的電荷量。因此，即使在第2和第3柵極信號(hào)V2、V3下降到L電平之后，在第4晶體管214c和有機(jī)EL器件220c中也流入與保持電容230c的電荷量對(duì)應(yīng)的電流值Ima。
該實(shí)施例4具有和上述其他實(shí)施例相同的效果。也就是說(shuō)，由于并用電壓編程和電流編程，與只有電壓編程的情況比較，可以正確設(shè)定發(fā)光輝度，另外，與只有電流編程的情況比較，可以高速設(shè)定發(fā)光輝度。E.實(shí)施例5圖12是實(shí)施例5的像素電路210d和單一線驅(qū)動(dòng)器410d的內(nèi)部構(gòu)成的電路圖。該像素電路210d和圖4所示的電路相同。也就是說(shuō)，在實(shí)施例5中，沒有設(shè)置在實(shí)施例1(圖3)中所設(shè)置的2個(gè)開關(guān)晶體管251、252。另外，也省略了控制這些晶體管251、252的子?xùn)艠O線V1。該單一線驅(qū)動(dòng)器410d和其內(nèi)部電路411d、412d和圖3所示的實(shí)施例1中的電路相同。但是，在實(shí)施例5中，電壓生成電路411d和電流生成電路412d共同連接在1條數(shù)據(jù)信號(hào)線Xm上，這一點(diǎn)與實(shí)施例1不同。
圖13表示實(shí)施例5的像素電路210d的動(dòng)作時(shí)序圖。在編程期間Tpr的前半部分，從電壓生成電路411d向數(shù)據(jù)線Xm供給電壓信號(hào)Vout(圖13(c))，進(jìn)行電壓編程，這時(shí)，進(jìn)行數(shù)據(jù)線Xm充電或者放電、和保持電容230的充電或者放電。在后半部分，從電流生成電路412d供給電流信號(hào)Iout(圖13(d))，保持電容230進(jìn)行正確的編程。在實(shí)施例5中，電壓編程和電流編程的中，開關(guān)晶體管211均設(shè)定成導(dǎo)通狀態(tài)，這兩種情況下柵極信號(hào)V2均保持在H電平。
這樣，即使采用和現(xiàn)有技術(shù)相同的像素電路，如果并用電壓編程和電流編程，與只有電壓編程的情況比較，可以正確設(shè)定發(fā)光輝度，另外，與只有電流編程的情況比較，可以高速設(shè)定發(fā)光輝度。特別是，在實(shí)施例5中，采用1條數(shù)據(jù)線Xm進(jìn)行電壓編程后，采用同一數(shù)據(jù)線Xm實(shí)施電流編程。在電壓編程中，對(duì)數(shù)據(jù)線Xm和保持電容230同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電，然后，實(shí)施電流編程。因此，和現(xiàn)有技術(shù)相比，可以高速并且正確進(jìn)行發(fā)光輝度的設(shè)定。
圖14表示實(shí)施例5的變形例的電路圖。在該變形例中，電壓生成電路411d配置在電源電壓Vdd側(cè)，這一點(diǎn)與圖12的構(gòu)成不同。即使在這樣的電路中，也可以獲得和圖12的電路相同的效果。
此外，象實(shí)施例5那樣，采用同一數(shù)據(jù)線Xm進(jìn)行電壓編程和電流編程時(shí)，電壓編程的期間和電流編程的期間也可以部分重疊。為了正確設(shè)定發(fā)光輝度，優(yōu)選至少在電壓編程(供給電壓信號(hào))結(jié)束后的期間，進(jìn)行電流編程(供給電流信號(hào))，這樣調(diào)整電壓信號(hào)和電流信號(hào)的時(shí)序。F.其他變形例F1在上述各種實(shí)施例中，雖然是針對(duì)每1行的像素電路群(即逐行依次)進(jìn)行編程，也可以采用針對(duì)每個(gè)像素電路(即逐點(diǎn)依次)進(jìn)行編程。逐點(diǎn)依次進(jìn)行編程時(shí)，沒有必要針對(duì)每1組的數(shù)據(jù)線Xm(U1、U2)設(shè)置1個(gè)單一線驅(qū)動(dòng)器410(數(shù)據(jù)信號(hào)生成電路)，對(duì)于像素電路矩陣整體，只要設(shè)置1個(gè)單一線驅(qū)動(dòng)器410即可。這時(shí)，1個(gè)單一線驅(qū)動(dòng)器410，只要構(gòu)成為可以在包含作為編程對(duì)象的像素電路的1組數(shù)據(jù)線上輸出數(shù)據(jù)信號(hào)(電壓信號(hào)Vout和電流信號(hào)Iout)即可。其具體實(shí)現(xiàn)，例如可以設(shè)置切換開關(guān)電路，切換單一線驅(qū)動(dòng)器410和多組數(shù)據(jù)線之間的連接關(guān)系即可。F2在上述各種實(shí)施例中，雖然所有的晶體管均由FET構(gòu)成，其中一部分或者全部也可以用雙極型晶體管或者其他種類的開關(guān)元件置換。FET的柵極、和雙極型晶體管的基極，相當(dāng)于本發(fā)明中的”“控制電極。作為這樣的晶體管，除了薄膜晶體管(TFT)之外，也可以采用硅晶體管。F3在上述各種實(shí)施例所采用的像素電路中，雖然是將編程期間Tpr和發(fā)光期間Tel分開了，也可以采用編程期間Tpr和發(fā)光期間Tel的一部分重疊的像素電路。例如，在圖9和圖11的動(dòng)作中，在編程期間Tpr也在有機(jī)EL器件中流入電流IEL，進(jìn)行發(fā)光。因此，在這樣的動(dòng)作中，可以認(rèn)為編程期間Tpr和發(fā)光期間Tel的一部分是重疊的。F4在上述各種實(shí)施例中，雖然采用的是有源矩陣驅(qū)動(dòng)法，本發(fā)明也可以在采用無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)法驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件的情況中適用。但是，對(duì)于需要多級(jí)輝度調(diào)節(jié)的顯示裝置、或者采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)法的顯示裝置，由于更加強(qiáng)烈要求驅(qū)動(dòng)的高速化，本發(fā)明的效果會(huì)更加顯著。進(jìn)一步，本發(fā)明，并不限定于將像素電路配置成矩陣狀的顯示裝置，也可以適用于采用其他配置的情況。F5在上述實(shí)施例和變形例中，雖然是以采用有機(jī)EL器件的顯示裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，本發(fā)明也可以適用于采用有機(jī)EL器件以外的發(fā)光元件的顯示裝置或者電子裝置。例如，也可以適用于具有根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流可以調(diào)節(jié)發(fā)光輝度的其他種類的發(fā)光元件(LED和FED(Field EmissionDisplay)等)的裝置。F6在上述各種實(shí)施例中所說(shuō)明的動(dòng)作只不過(guò)是一個(gè)例子，在像素電路中也可以進(jìn)行不同的動(dòng)作。例如，也可以將柵極信號(hào)V1～V3的變化模式設(shè)定成和上述例子不同的模式。另外，也可以執(zhí)行是否有必要進(jìn)行電壓編程的判斷，只是在有必要時(shí)才進(jìn)行電壓編程。例如，作為電壓信號(hào)供給的數(shù)據(jù)信號(hào)，也可以在發(fā)光元件所有輝度所對(duì)應(yīng)的電壓值范圍內(nèi)取值。另外，數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓值的數(shù)量，也可以比發(fā)光元件的輝度的數(shù)量少。對(duì)于后者，是使發(fā)光元件輝度的某一范圍，與數(shù)據(jù)信號(hào)的1個(gè)電壓值對(duì)應(yīng)。F7上述各實(shí)施例的像素電路，可以適用各種電子儀器的顯示裝置中，例如，也可以適用于微機(jī)、手機(jī)電話、數(shù)碼相機(jī)、電視機(jī)、取景器型或者監(jiān)視器直視型攝像機(jī)、定位裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、計(jì)算器、字處理機(jī)、工作站、可視電話、POS終端、包含觸摸屏的儀器等中。
權(quán)利要求
1.一種像素電路，是用于發(fā)光元件的像素電路，其特征在于，包括具有(i)電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件、(ii)設(shè)置在流經(jīng)所述發(fā)光元件的電流的路徑上的驅(qū)動(dòng)晶體管、(iii)連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極上、并通過(guò)經(jīng)給定的電流信號(hào)線保持與由外部的電流生成電路供給的電流信號(hào)的電流值所對(duì)應(yīng)的電荷量，從而設(shè)定流經(jīng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流值的保持電容、以及(iv)連接在所述保持電容和所述電流信號(hào)線之間、并根據(jù)所述電流信號(hào)控制是否向所述保持電容供給電荷的第1開關(guān)晶體管，并根據(jù)所述電流信號(hào)的電流值調(diào)節(jié)所述發(fā)光元件的發(fā)光輝度的電流編程電路；和連接在所述保持電容上、并根據(jù)經(jīng)給定的電壓信號(hào)線而由外部的電壓生成電路供給的電壓信號(hào)、控制是否向所述保持電容供給電荷的第2開關(guān)晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，還包括在所述保持電容和所述第1開關(guān)晶體管之間串聯(lián)連接的第3開關(guān)晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，向所述保持電容的電荷供給的實(shí)施，是使由所述電壓信號(hào)的電荷供給結(jié)束后再使由所述電流信號(hào)的電荷供給結(jié)束。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，由所述電流信號(hào)向所述保持電容的電荷供給，是在由所述電壓信號(hào)的電荷供給結(jié)束后開始的。
5.一種電光學(xué)裝置，是采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)法所驅(qū)動(dòng)的電光學(xué)裝置，其特征在于，包括將包含發(fā)光元件的多個(gè)像素電路配置成矩陣狀的像素電路矩陣；分別與沿所述像素電路矩陣的行方向配置的像素電路群連接的多條掃描線；分別與沿所述像素電路矩陣的列方向配置的像素電路群連接的多條數(shù)據(jù)線；與所述多條掃描線連接、用于選擇所述像素電路矩陣的一行的掃描線驅(qū)動(dòng)電路；以及生成與所述發(fā)光元件的發(fā)光輝度所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)、并可以輸出到所述多條數(shù)據(jù)線中的至少一條數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)生成電路，其中所述數(shù)據(jù)信號(hào)生成電路，包括用于生成作為輸出到所述數(shù)據(jù)線上的第1數(shù)據(jù)信號(hào)即電流信號(hào)的電流生成電路；和用于生成作為輸出到所述數(shù)據(jù)線上的第2數(shù)據(jù)信號(hào)即電壓信號(hào)的電壓生成電路，所述像素電路，包括具有(i)電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件、(ii)設(shè)置在流經(jīng)所述發(fā)光元件的電流的路徑上的驅(qū)動(dòng)晶體管、(iii)連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極上、并通過(guò)保持與由所述電流生成電路供給的電流信號(hào)的電流值所對(duì)應(yīng)的電荷量，從而設(shè)定流經(jīng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流值的保持電容、以及(iv)連接在所述保持電容和所述數(shù)據(jù)線之間、并根據(jù)所述電流信號(hào)控制是否向所述保持電容供給電荷的第1開關(guān)晶體管，并根據(jù)所述電流信號(hào)的電流值調(diào)節(jié)所述發(fā)光元件的發(fā)光輝度的電流編程電路；以及連接在所述保持電容上、并根據(jù)由所述電壓生成電路供給的電壓信號(hào)控制是否向所述保持電容供給電荷的第2開關(guān)晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，用于1列的像素電路群的數(shù)據(jù)線，包括用于傳送所述電流信號(hào)的電流信號(hào)線、和用于傳送所述電壓信號(hào)的電壓信號(hào)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，還包括在所述保持電容和所述第1開關(guān)晶體管之間串聯(lián)連接的第3開關(guān)晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，向所述保持電容的電荷供給的實(shí)施，是使由所述電壓信號(hào)的電荷供給結(jié)束后再使由所述電流信號(hào)的電荷供給結(jié)束。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，由所述電流信號(hào)向所述保持電容的電荷供給，是在由所述電壓信號(hào)的電荷供給結(jié)束后開始的。
10.一種電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法，是具有像素電路的電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述像素電路包括電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件、設(shè)置在流經(jīng)所述發(fā)光元件的電流的路徑上的驅(qū)動(dòng)晶體管、以及連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極上并設(shè)定所述驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)的保持電容，其特征在于，包括(a)通過(guò)向所述保持電容供給電壓信號(hào)、將電荷供給到所述保持電容的步驟；和(b)至少在由所述電壓信號(hào)的電荷供給結(jié)束后的期間、利用具有與所述發(fā)光元件的發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的電流值的電流信號(hào)、在所述保持電容上保持與所述發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的電荷的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，由所述電流信號(hào)向所述保持電容的電荷供給，是在由所述電壓信號(hào)的電荷供給結(jié)束后開始的。
12.一種電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法，是具有像素電路、和與所述像素電路連接的數(shù)據(jù)線的電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述像素電路包括電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件、設(shè)置在流經(jīng)所述發(fā)光元件的電流的路徑上的驅(qū)動(dòng)晶體管、以及連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極上并設(shè)定所述驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)的保持電容，其特征在于，包括(a)通過(guò)經(jīng)由所述數(shù)據(jù)線向所述保持電容供給電壓信號(hào)、使向所述保持電容和所述數(shù)據(jù)線雙方充電或者放電的步驟、(b)至少在由所述電壓信號(hào)的電荷供給結(jié)束后的期間、利用具有與所述發(fā)光元件的發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的電流值的電流信號(hào)、在所述保持電容上保持與所述發(fā)光輝度對(duì)應(yīng)的電荷的步驟。
全文摘要
一種用于發(fā)光元件的像素電路，它(210)包括電流編程電路(240)、電壓編程用晶體管(251、252)。在設(shè)定有機(jī)EL器件(220)的發(fā)光輝度時(shí)，分別將第1和第2電壓編程用晶體管(251、252)設(shè)定成截止?fàn)顟B(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)，利用電壓信號(hào)(Vout)進(jìn)行電壓編程。然后，切換第1和第2電壓編程用晶體管(251、252)的狀態(tài)，利用電流信號(hào)(Iout)進(jìn)行電流編程。
文檔編號(hào)G09G3/22GK1426041SQ021561
公開日2003年6月25日 申請(qǐng)日期2002年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月13日
發(fā)明者宮澤貴士 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社