專利名稱：抑制等離子顯示板垂直串?dāng)_的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示板(PDP)，特別是涉及一種將PDP中的垂直串?dāng)_降至最低的電子波形技術(shù)。
背景技術(shù)：
彩色PDP已被熟知，圖1示出了在Marcotte提出的美國(guó)專利US6118214(以下稱為Marcotte的214專利)中公開的一種彩色交流PDP的現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)施例，其內(nèi)容被引入本文作為參考。在一個(gè)前板上使用了透明電極11。前板(未示出)包括將透明電極11與維持總線12相連的多對(duì)水平維持(sustain)電極10。多對(duì)掃描電極14與成對(duì)的維持電極10并列，并且這兩組電極組被絕緣層(未示出)和氧化鎂層(未示出)覆蓋。一個(gè)背板(未示出)支撐垂直屏蔽肋(barrier rib)16和多個(gè)垂直列電極18(在剖視圖上顯示)。單個(gè)列電極18由紅、綠或藍(lán)(RGB)磷覆蓋，以實(shí)現(xiàn)全色彩顯示。上述前版和背板密封在一起，并且前版和背板之間的空間充滿可放電氣體。
電極對(duì)被限定為與(b)一掃描電極14相并列(及其相鄰的透明電極11)的(a)一維持電極10(及其相鄰的透明電極11)。一像素20被限定為一區(qū)域，該區(qū)域包括(i)前板上的維持電極10和掃描電極14的電極對(duì)，和(ii)背板上分別為紅、綠、藍(lán)的三列電極18相交叉的部分。一子像素相應(yīng)于紅、綠或藍(lán)列電極與一維持電極和掃描電極的電極對(duì)相交叉的部分。例如，子像素19對(duì)應(yīng)于紅色列電極18、與一維持電極10和掃描電極14的電極對(duì)相交叉的部分。
PDP的工作電壓和功率由放電間隙13和透明電極11的寬度控制。PDP的工作電壓由穿過放電間隙13的距離控制，因?yàn)樵摼嚯x控制著用于給定氣體混合物的擊穿電壓。而且，必須提供足夠的電壓，以便隨后的氣體放電等離子能夠充分淹沒掃描和維持電極對(duì)。放電所消耗的功率受電極對(duì)表面容量的影響。電極表面電容量與電極的面積成正比，且與介質(zhì)厚度成反比。
選取維持電極10的寬度和掃描電極的寬度，以產(chǎn)生一窄的放電間隙13和一寬的像素間的間隙15。當(dāng)跨過放電間隙13施加足夠的電壓時(shí)，氣體將會(huì)擊穿形成放電等離子。對(duì)于給定的施加電壓，正電荷充電的電極是陽極，而負(fù)電荷充電的電極是陰極。放電等離子有兩種不同的區(qū)域，陽極區(qū)和負(fù)向發(fā)光區(qū)。陽極區(qū)主要由在陽極表面快速移動(dòng)的尋找正電荷的電子組成。相反，負(fù)向發(fā)光包括慢速移動(dòng)的向帶負(fù)電的陰極漂移并穿過帶負(fù)電的陰極的離子組成。放電的持續(xù)時(shí)間受介電表面上的電荷數(shù)量限制。一旦電荷被中和，放電就自己會(huì)消失。在一維持時(shí)間期間內(nèi)，在每一放電過程完成后，通過改變電壓極性就可重復(fù)執(zhí)行這一過程。必須使像素間的間隙15足夠大，以阻止這些放電等離子中活躍的陽極區(qū)在像素間的間隙內(nèi)搭橋并破壞相鄰像素的ON和OFF狀態(tài)。電極上的透明電極11的寬度和介電玻璃的厚度(未示出)決定像素的放電容，像素的放電容控制放電功率，進(jìn)而控制亮度。對(duì)于給定的放電功率/亮度，在持續(xù)時(shí)間期間內(nèi)，選擇放電數(shù)量，可實(shí)現(xiàn)滿足面板所需的全部亮度的灰度級(jí)。
圖2示出了一種典型的現(xiàn)有技術(shù)的PDP系統(tǒng)200的方框圖。一個(gè)模擬視頻信號(hào)被輸入邏輯電路230，該信號(hào)在邏輯電路230中被數(shù)字化，被處理，并被暫時(shí)存儲(chǔ)起來。就象Shinoda提出的美國(guó)專利US5,724,054中所披露的那樣，一旦存儲(chǔ)了數(shù)據(jù)的幀值，邏輯電路230就開始通過通常為8到12的一系列子半幀(subfield)，顯示數(shù)據(jù)的處理過程。
圖3的曲線圖表示一個(gè)被分成8個(gè)子半幀(如SF1-SF8)的幀周期。在由行驅(qū)動(dòng)器210順序掃描每一個(gè)尋址周期線Y1至Y480期間，還同時(shí)通過列驅(qū)動(dòng)器225提供視頻輸入，以根據(jù)該視頻輸入的要求把每一個(gè)子像素設(shè)置為ON狀態(tài)。利用維持脈沖對(duì)每一個(gè)后序的維持期間進(jìn)行加權(quán)，以使每一子半幀實(shí)現(xiàn)加權(quán)的光強(qiáng)。
圖4示出了一個(gè)子半幀的典型劃分。每一個(gè)子幀都具有一建立(setup)周期、一尋址周期、以及一維持周期。該建立周期關(guān)閉任何一個(gè)ON像素，激勵(lì)氧化鎂層，并啟動(dòng)所有用于像尋址的像素。參見圖2和圖4，在尋址期間，掃描發(fā)生器205與行驅(qū)動(dòng)器210相結(jié)合，順序向下驅(qū)動(dòng)用于尋址的每一行。一旦啟動(dòng)了一給定行，邏輯電路230就會(huì)根據(jù)所收到的圖像數(shù)據(jù)，利用與需要照明的獨(dú)立的RGB子像素相對(duì)應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)對(duì)列驅(qū)動(dòng)器225進(jìn)行加載。列驅(qū)動(dòng)器225為所選擇的列電極施加電壓Vx。一個(gè)所選擇的行與一個(gè)所提供的列電壓相一致導(dǎo)致微弱放電，這樣的微弱放電可引起所選擇的掃描電極與其相鄰的維持電極之間的放電。一旦完成，放電將尋址子像素設(shè)置在ON狀態(tài)。所有沒有被驅(qū)動(dòng)的列保持在OFF狀態(tài)。雖然尋址放電產(chǎn)生可見光，但該可見光的亮度不足以正確地代表圖像。因此，在最后一行被尋址后，維持周期緊接著尋址周期。在維持周期內(nèi)，掃描發(fā)生器205和維持發(fā)生器220提供交替的維持脈沖，以使短暫的交流等離子放電發(fā)生在每一個(gè)應(yīng)用脈沖內(nèi)。每一維持放電產(chǎn)生紫外光，該紫外光激發(fā)周圍的磷產(chǎn)生可見光。一幀內(nèi)的每一子半幀包括足夠數(shù)目的維持脈沖，并依次放電，使每一子半幀達(dá)到所需的亮度。由于每一子像素可在每一子半幀內(nèi)獨(dú)立尋址，因此，可以獲得一個(gè)很大的彩色面板。
圖5a表示位于掃描和維持電極之間的現(xiàn)有技術(shù)中所述的合成波形。由于掃描和維持電極的電容關(guān)系，合成波形只是掃描發(fā)生器205(圖4所示的掃描波形)的輸出減去維持發(fā)生器220的輸出(圖4所示的維持波形)。應(yīng)注意，在圖5a中并不包括所施加的數(shù)據(jù)脈沖。
圖5b至5e表示用于每一個(gè)像素尋址序列的墻電壓波形。墻電壓是一出現(xiàn)在介電層的氣體一側(cè)的交流耦合電壓。可由氣體的擊穿電壓把墻電壓限定為正和負(fù)值，即Vbr和-Vbr。
當(dāng)擊穿電壓在兩個(gè)方向上溢出時(shí)，會(huì)發(fā)生兩種類型的放電，即熟知的負(fù)電阻放電及最近發(fā)現(xiàn)的正電阻放電。根據(jù)Weber提出的美國(guó)專利US5,745,086，參見圖4，如果所加的波形慢慢上升或下降，如同建立周期t12和t15斜線上升和下降時(shí)，氣體將會(huì)以正電阻特性放電，其動(dòng)作過程非常像齊納二極管，將跨過氣體的電壓限制在擊穿電壓Vbr。如果所加的電壓大大超出了擊穿電壓，就象在維持周期t23、t24那樣，會(huì)產(chǎn)生負(fù)電阻或雪崩放電，這樣會(huì)把墻電壓減小至零。一旦墻電壓達(dá)到零，放電就自動(dòng)消失。
尋址放電也是一種負(fù)電阻放電，正如Weber提出的美國(guó)專利US6,184,848所披露的(下文稱“Weber的848專利”)那樣，顯示出陽極區(qū)放電的特性。Weber的848專利將陽極區(qū)放電流定義為具有觸發(fā)小區(qū)(cell)和狀態(tài)小區(qū)。面板的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與圖1相似，但有更少的透明電極11，因此產(chǎn)生了很大的放電間隙。在出現(xiàn)高的墻電壓時(shí)，由于緊接著一尋址操作應(yīng)用維持脈沖，因此，在帶正電的背板電極和帶負(fù)電的前板電極之間形成微弱放電。交叉部分被稱為觸發(fā)小區(qū)。微弱放電與很高的墻電壓一起產(chǎn)生一個(gè)放電，其中等離子形成的兩個(gè)非常不同的區(qū)域，即負(fù)向發(fā)光區(qū)與陽極區(qū)區(qū)。負(fù)向發(fā)光由慢速移動(dòng)的帶正電荷的離子組成，而陽極區(qū)由慢速移動(dòng)的離子和快速移動(dòng)的電子組成。電子移向帶正電荷的陽極，而離子慢慢向帶負(fù)電的陰極漂移。當(dāng)微弱放電加強(qiáng)時(shí)，負(fù)向發(fā)光擴(kuò)散到觸發(fā)小區(qū)周圍，而陽極區(qū)沿著背板的磷層擴(kuò)散到帶正電荷的狀態(tài)小區(qū)。當(dāng)電荷在觸發(fā)小區(qū)和狀態(tài)小區(qū)之間中和時(shí)，放電完成。
對(duì)于尋址放電，列電極和所選擇的掃描電極的交叉部分形成觸發(fā)小區(qū)，并且與相同的列電極相對(duì)應(yīng)的維持電極的交叉部分形成狀態(tài)小區(qū)。在建立周期t16完成時(shí)，啟動(dòng)每一個(gè)像素，使墻電壓處于放電電位-Vbr。當(dāng)尋址像素時(shí)，在所選擇的掃描電極的交叉部分和每一被驅(qū)動(dòng)的背板列電極部分形成微弱放電。放電發(fā)展，產(chǎn)生陽極區(qū)，該陽極區(qū)沿著帶正電荷的背板電極擴(kuò)散到帶正電荷的維持電極。之后，放電消耗維持電極上的電荷，將墻電壓減小至零。
圖5b表示用于以前OFF像素的墻電壓，OFF像素是為尋址，而不是為被尋址而設(shè)立的，并且在后面的維持周期內(nèi)保持OFF。特別是，在設(shè)置周期中的上升斜線t12上升時(shí)，使墻電壓位于擊穿電壓之上，并將墻電壓鉗位在Vbr。如圖4所示，在t13加電壓Ve確保尋址放電足夠強(qiáng)，從而準(zhǔn)確發(fā)生第一次維持放電。增加電壓Ve有效地使第一次維持放電增強(qiáng)。過渡到下降斜線t13和t14會(huì)使墻電壓翻轉(zhuǎn)，而且下降斜線t15把墻電壓鉗位在-Vbr。建立周期結(jié)束時(shí)，墻電壓為-Vbr。在圖4所示的時(shí)間t17的行選擇脈沖由于Vrf和0伏間的差值而稍微超出擊穿電壓。由于時(shí)間t15期間下降斜線停止在0伏之上的Vrf，因此，當(dāng)在時(shí)間t17所加的行選擇脈沖超出了擊穿電壓Vbr時(shí)，可有效地施加一個(gè)很小的負(fù)電壓。因?yàn)橛蒝rf產(chǎn)生的這種有效負(fù)電壓很小，并且在時(shí)間t17行選擇脈沖的寬度很窄，因此，不會(huì)產(chǎn)生放電活動(dòng)，除非數(shù)據(jù)電極上的視頻輸入支配的數(shù)據(jù)脈沖與如圖4所示時(shí)間t17處的行選擇脈沖一致。在圖5b中，沒有加數(shù)據(jù)脈沖，所以在時(shí)間t17處，沒有放電活動(dòng)。由于沒有發(fā)生尋址放電，因此，在時(shí)間t21由第一維持脈沖產(chǎn)生的墻電壓不大于正向擊穿電壓Vbr，并且不會(huì)發(fā)生維持放電。
圖5c表示OFF像素的接通過程。如圖5b中所示的那樣，發(fā)生建立周期，在時(shí)間t17把數(shù)據(jù)脈沖(未示出)加到列，引發(fā)使墻電壓返回零的尋址放電。在后面的時(shí)間t21處，在余下的行被尋址之后，第一維持放電將發(fā)生在被尋址的任一像素上。對(duì)于第一維持脈沖，與隨后的維持脈沖不同，在降低維持電極之前驅(qū)動(dòng)掃描電極變高。這種產(chǎn)生第一放電的方法可防止過早放電，如果在掃描電極電壓上升到180伏的維持電壓Vs之前，220伏的維持電極電壓Ve下降，就會(huì)發(fā)生過早放電，這是因?yàn)樵趯ぶ菲陂g使用了如圖4所示的建立周期中的電壓Ve。以前已被尋址過，擊穿電壓Vbr被超過，就會(huì)發(fā)生負(fù)電阻放電，再次將墻電壓變?yōu)榱?。每一后續(xù)維持脈沖啟動(dòng)另一次放電，產(chǎn)生一個(gè)ON像素的光。
接著第一維持放電，掃描電極的下降沿將墻電壓降至負(fù)擊穿電壓-Vbr。其他掃描電極的后續(xù)上升在氣體上加上更大的電壓，并超過擊穿電壓-Vbr，產(chǎn)生下一次放電。這個(gè)過程在維持周期期間內(nèi)隨著放電的前后變化一直持續(xù)著。
圖5d表示ON像素的重新尋址過程。在時(shí)間t11加啟動(dòng)脈沖引起在前一個(gè)子半幀周期內(nèi)最后一次負(fù)電阻放電。由于放電使墻電壓回到零，t12處的上升斜線由于上升的墻電壓沒有超過Vbr而不會(huì)放電。下降斜線把墻電壓限制到-Vbr，正如在圖5b和圖5c中那樣。在時(shí)間t17處，用有行選擇加數(shù)據(jù)脈沖，發(fā)生放電，并且使像素返回到ON狀態(tài)。
圖5e表示被下降的斜線t15刪掉的ON像素，如圖5d那樣，然而，在后面的維持周期內(nèi)并不被重新尋址，而是維持OFF狀態(tài)。
如Marcotte的214專利所披露的，圖1中的前板電極的成對(duì)配置有減小電極間電容的優(yōu)點(diǎn)，這樣就減小了每一維持脈沖由于對(duì)電極間電容的充電和放電而引起的能量消耗。但是，加大了垂直串?dāng)_的可能性。當(dāng)位于一個(gè)放電位置的放電垂直擴(kuò)散到相鄰的放電位置時(shí)，就會(huì)發(fā)生垂直串?dāng)_。Marcotte的214專利使用一很大的像素間隙，來幫助增加垂直的像素與像素間的隔離。注意，背板屏蔽肋可提供水平像素隔離，但不能提供垂直像素隔離。在尋址放電期間，發(fā)生串?dāng)_的可能性最大，其中，在所選擇的掃描電極和數(shù)據(jù)電極之間形成等離子放電，并且陽極區(qū)擴(kuò)展到維持電極。
圖6為示出串?dāng)_放電的尋址放電的時(shí)間序列放電結(jié)構(gòu)。該圖案為圖1所示的PDP的截面圖，表示上部的前板電極和由磷層覆蓋的底部上的垂直取向的尋址電極。P1指圖1所示的紅色子像素19和垂直相鄰的紅色子像素P2，像素間間隙15將P1和P2分開。利用時(shí)間t17處的行選擇脈沖與施加在尋址電極上的數(shù)據(jù)脈沖結(jié)合，發(fā)生用于每一行的時(shí)間t0。由加到掃描電極的下降斜線建立子像素，同時(shí)把Ve加到維持電極。這樣就在t0之前，將負(fù)電荷加在掃描電極上，并將正電荷加在維持和背板電極上。Vrf允許行選脈沖稍微超過擊穿電壓，以有助于加快尋址放電。通過減小非選行上的負(fù)電荷，在圖4所示的時(shí)間t16處由行驅(qū)動(dòng)器210施加的掃描電壓V掃描，可將該掃描電壓V掃描用做一行去選擇電壓，從而減小掃描電極上的墻電壓。這樣，可防止某一行的尋址會(huì)影響顯示中的其他行。當(dāng)選擇行時(shí)，在時(shí)間t17墻電壓完全返回，并且擊穿電壓Vbr如圖5b所示被溢出。V掃描電壓是一個(gè)消除選擇(de-select)電壓，并必須足夠高，以確保存在列電壓時(shí)，行與行充分隔離。
如果在圖6所示的時(shí)間t0提供了數(shù)據(jù)脈沖，在背板尋址電極和有源掃描電極之間形成弱放電，并在時(shí)間t1，形成負(fù)電阻等離子放電。在時(shí)間t2，在維持電極上的正電荷的有效性允許陽極區(qū)快速吞沒維持電極，然后在時(shí)間t3，能很容易通過像素間間隙擴(kuò)展到臨近的維持電極，從而耗盡臨近像素P2的正電荷。當(dāng)選擇了P2的掃描電極而且驅(qū)動(dòng)列電極時(shí)，可能產(chǎn)生從背板到前板的弱放電，然而，在掃描電極上沒有正電荷，就不會(huì)形成等離子，掃描電極將會(huì)維持其上的負(fù)電荷，并且像素P2將保持OFF。
在由Vossen等人的名為“Symmetrically driven PDP，withminimizedcurret loops to reduce EMI”的文章中(以下稱“Vossen等人的論文”)，披露了使用交替尋址來減小PDP中的串?dāng)_。利用交替尋址，奇數(shù)行緊跟偶數(shù)行。這樣，由于尋址奇數(shù)行而激活的氣體將在尋址偶數(shù)行之前徹底消失。Vossen等人的論文也談到使用Marcotte的214專利所述的成對(duì)電極結(jié)構(gòu)的對(duì)稱維持的PDP，有助于減少垂直串?dāng)_。但是，Vossen等的人論文沒有描述或糾正這里所描述的垂直串?dāng)_的形式。特別是，Vossen等人的論文描述了利用作為不成對(duì)電極(如掃描，維持，掃描，維持)的電極結(jié)構(gòu)進(jìn)行尋址，它在尋址期間，在像素間間隙沒有公共電位。在不成對(duì)的情況下，串?dāng)_放電事實(shí)上將在錯(cuò)誤的方向上進(jìn)行，將放電到不正確的維持電極上。使用交替尋址減小出現(xiàn)這種假象的可能性。
發(fā)明概述本發(fā)明將等離子顯示面板中像素間的串?dāng)_放電的可能性降至最低，同時(shí)保持成對(duì)電極結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。還有，也可以減小像素間的間隙，以增大像素的尺寸，進(jìn)而增加亮度，并且，可增加像素密度，實(shí)現(xiàn)更高分辨率的顯示。
本發(fā)明通過在尋址期間減小非有源維持電極上的電壓，來減小成對(duì)電極結(jié)構(gòu)中的尋址放電串?dāng)_的可能性。通過減小非有源維持電極上的電壓，在尋址放電中形成的陽極區(qū)將不會(huì)跨過像素間的間隙而擴(kuò)散。維持電極被分為奇和偶行聯(lián)合體。不改變?cè)O(shè)置和維持周期的操作。在尋址期間，尋址奇數(shù)行，同時(shí)減小偶數(shù)維持電極上的電壓。一旦完成奇數(shù)行尋址，就把偶維持電極上的電壓恢復(fù)成高電壓，減小奇維持電極上的電壓，并且尋址偶數(shù)行。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，僅在尋址的前半部分期間減小非有源維持電極上的電壓。在這種情況下，在尋址的后半部分期間，繼續(xù)發(fā)生串?dāng)_。然而，因?yàn)榇當(dāng)_導(dǎo)致非有源小區(qū)在維持周期內(nèi)一直是OFF，因此，這種情況是可以接受的。
如果可在尋址期間維持電極高，而掃描電極很低，本發(fā)明可以用于任何成對(duì)的電極結(jié)構(gòu)，而與建立或者維持波形的變化無關(guān)，這樣，可允許在掃描電極上形成放電，放電隨后擴(kuò)展到維持電極，中和其間的電壓。
本發(fā)明提供一種用于控制PDP中的維持電極的方法。這種方法包括允許第一維持電極產(chǎn)生尋址放電，并且，當(dāng)?shù)谝痪S持電極產(chǎn)生尋址放電時(shí)，阻斷第二維持電極。第一維持電極與第二維持電極相鄰。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例是一用于控制PDP中維持電極的電路。該電路包括一個(gè)輸出，用于允許第一維持電極產(chǎn)生尋址放電，以及另一個(gè)輸出，用于當(dāng)?shù)谝痪S持電極產(chǎn)生尋址放電時(shí)，阻斷第二維持電極。第一維持電極與第二維持電極相鄰。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例是一個(gè)PDP系統(tǒng)，該系統(tǒng)設(shè)有第一維持電極和與該第一維持電極相鄰的第二維持電極；以及一個(gè)電路，該電路用于(a)允許第一維持電極產(chǎn)生尋址放電，以及(b)當(dāng)?shù)谝痪S持電極產(chǎn)生尋址放電時(shí)，阻斷第二維持電極。


圖1是常規(guī)的彩色PDP的示意圖；圖2是常規(guī)的彩色PDP系統(tǒng)的框圖；圖3的曲線圖表示一劃分為8個(gè)子幀的幀；圖4為常規(guī)的子幀的波形圖；圖5a是在掃描電極和維持電極之間的常規(guī)的合成波形圖；圖5b-圖5e是用于像素尋址序列的常規(guī)墻電壓的波形圖；圖6是尋址放電的放電結(jié)構(gòu)的示意圖，示出了圖1中PDP的串?dāng)_放電過程；圖7是根據(jù)本發(fā)明的彩色PDP的示意圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的PDP系統(tǒng)的框圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的PDP的奇偶維持電極的波形圖；圖10a和10b分別是根據(jù)本發(fā)明的偶數(shù)行電極的合成波形和墻電壓波形；圖11是根據(jù)本發(fā)明的奇數(shù)像素放電結(jié)構(gòu)的截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的偶數(shù)像素放電結(jié)構(gòu)的截面圖；圖13為本發(fā)明的一個(gè)使用序列尋址的實(shí)施例的曲線圖，其中與和其相鄰的掃描電極一起啟動(dòng)維持電極；圖14為PDP的奇偶維持電極的波形圖，其中維持電極被分成奇數(shù)和偶數(shù)維持總線；圖15為PDP的奇偶維持電極的波形圖，其中在成奇數(shù)或偶數(shù)維持總線上施加一增加的電壓Vf。
具體實(shí)施例方式
圖7的示意圖表示根據(jù)本發(fā)明的彩色PDP的一部分。PDP被設(shè)置成多個(gè)像素行，圖中示出了其中三個(gè)，即“n”行中的像素720n，“n+1”行中的像素720n+1，以及“n+2”行中的像素720n+2。這些行交替地被稱為奇數(shù)或偶數(shù)行，例如把“n”行定義為偶數(shù)行，把n+1定義為奇數(shù)行。
圖7所示的PDP部分包括一個(gè)與一組偶數(shù)維持電極710E相連的偶維持總線712E，一個(gè)與一組奇數(shù)掃描電極710O相連的奇維持總線712O，掃描電極714n、714n+1和714n+2以及列電極718R、718G和718B(分別為紅，綠，藍(lán))。每一偶數(shù)維持電極710E與奇數(shù)維持電極710O相鄰。例如，“n”行中的偶數(shù)維持電極710E與“n+1”行中的奇數(shù)維持電極710O相鄰。還有，透明電極711與每一維持電極710E和710O、掃描電極714n、714n+1、714n+2相連。
一個(gè)維持電極、一個(gè)掃描電極以及一個(gè)列電極的交互部分限定一子像素。例如，維持電極710E、掃描電極714n、列電極718R的交互部分限定一子像素719R。屏蔽肋716將子像素相互分開。每一像素被定義為一個(gè)維持電極、一個(gè)掃描電極、以及三個(gè)列電極的交互部分的區(qū)域。例如像素720n被限定在維持電極710E、掃描電極714n、列電極718R、718G、718B的互交部分的區(qū)域。像素間的間隙715被定義為相鄰像素間的區(qū)域。
每一像素包括一個(gè)形成維持放電的間隙。例如在像素720n，放電間隙713位于(a)與掃描電極714n相關(guān)的透明電極711和(b)與偶維持電極710E相關(guān)的透明電極之間。
奇/偶選擇器820通過一奇數(shù)維持驅(qū)動(dòng)線817O驅(qū)動(dòng)奇維持總線712O，并通過一偶數(shù)維持驅(qū)動(dòng)線817E驅(qū)動(dòng)偶維持總線712E。列驅(qū)動(dòng)器830分別通過列驅(qū)動(dòng)線840R、840G和840B驅(qū)動(dòng)列電極718R、718G、718B。行驅(qū)動(dòng)器810通過行驅(qū)動(dòng)線812n、812n+1、812n+2驅(qū)動(dòng)掃描電極714n、714n+1、714n+2。下面參照?qǐng)D8進(jìn)一步描述奇/偶選擇器820、列驅(qū)動(dòng)器830及行驅(qū)動(dòng)器810的操作過程。
如上所述，圖7僅僅示出了PDP的一部分。實(shí)際上，PDP將包括多個(gè)行和列。因此，列驅(qū)動(dòng)器830將驅(qū)動(dòng)比圖7所示多的列，而行驅(qū)動(dòng)器810將驅(qū)動(dòng)比圖所示7多的行。
圖8為根據(jù)本發(fā)明所配置的PDP系統(tǒng)800的框圖。系統(tǒng)800的主要部件包括掃描發(fā)生器805、行驅(qū)動(dòng)器810、PDP815、奇/偶選擇器820、一維持發(fā)生器825、列驅(qū)動(dòng)器830和邏輯電路835。
雖然維持發(fā)生器825以與維持發(fā)生器220相同的方式操作(圖2)，但在尋址期間，給奇/偶選擇器820提供電壓Ve。
奇/偶選擇器820為一采用根據(jù)本發(fā)明的控制PDP中維持電極方法的電路。這種方法包括(a)允許第一維持電極產(chǎn)生尋址放電，以及(b)當(dāng)?shù)谝痪S持電極產(chǎn)生尋址放電時(shí)，阻斷第二維持電極，其中第一維持電極與第二個(gè)維持電極相鄰。
奇/偶選擇器820控制偶維持電極710E和奇維持電極710o。它通過到維持驅(qū)動(dòng)線817E的輸出，為偶維持電極710E提供隔離電壓(Viso)，并通過到維持驅(qū)動(dòng)線817O的輸出，為奇數(shù)維持電極710O提供電壓Viso。Viso的用途將在下面進(jìn)一步解釋。
圖9為在時(shí)間t17，偶數(shù)行尋址期間(奇行在時(shí)間t17處是隔離的)，奇偶維持電極的波形圖。假設(shè)這是用于掃描電極714n、偶維持電極710E及奇維持電極710O的波形。X數(shù)據(jù)波形代表列驅(qū)動(dòng)器830到列驅(qū)動(dòng)線840R、840G和840B之一的輸出。利用圖9所示波形工作的圖7所示PDP的典型工作電壓應(yīng)當(dāng)是400v的啟動(dòng)電壓Vw、180v的維持電壓Vs、120v的掃描電壓Vscan、10v的斜偏置電壓Vrf、220v的啟動(dòng)/刪除電壓Ve、0-120伏(Viso一般至少比電壓Ve低60v)隔離電壓Viso、及65v的數(shù)據(jù)電壓Vx。
偶維持電極710E上的電壓參考掃描電極714n的電壓。奇維持電極710O的電壓參考掃描電極714n+1的電壓。在建立周期內(nèi)建立這些參考值。在建立周期內(nèi)，奇/偶選擇器820為偶維持電極710E和奇維持電極710O提供電壓Ve，并進(jìn)而啟動(dòng)這兩個(gè)電極。
在t25時(shí)，開始尋址周期，奇/偶選擇器820將提供給偶維持電極710E的電壓減小至Viso，并因此減小偶維持電極電壓710E和掃描電極714n之間的壓差，進(jìn)而減小其幅值。這樣會(huì)在尋址周期的前半部分阻斷偶組。注意，在尋址周期的前半部分，奇維持電極710O是被啟動(dòng)的。在時(shí)間t26時(shí)，奇/偶選擇器820重新把偶維持電極710E上的電壓設(shè)置為Ve，并將奇維持電極710O上的電壓減為Viso，因此減小奇維持電極710O和掃描電極714n+1電壓之間的壓差的幅值。因此，在時(shí)間t26，奇偶組在尋址周期后半部分轉(zhuǎn)換角色，使奇組被阻斷，而偶組被啟動(dòng)。在時(shí)間t17，在尋址周期的后半部分，偶維持電極710E對(duì)掃描電極714n尋址放電。在時(shí)間t17，通過奇維持電極710O上的低電勢(shì)(即Viso)將偶維持電極710E和奇維持電極710O之間的串?dāng)_降至最小。這是因?yàn)榕季S持電極710E上的啟動(dòng)電壓參考掃描電極714n的電壓，而奇維持電極710O的阻斷電壓Viso當(dāng)參考掃描電極714n的電壓時(shí)，其幅值將低于啟動(dòng)電壓Ve的幅值。同樣，行選擇和各自的列數(shù)據(jù)由邏輯電路835同步成奇行在先，隨后緊跟偶行的序列。
在圖9中，尋址周期內(nèi)的掃描電極714n上的負(fù)脈沖標(biāo)志著尋址特定像素的時(shí)刻。這樣的脈沖發(fā)生在t17。注意，也是在t17，偶維持電極710E的電壓為Ve(并因此被啟動(dòng))，而奇維持電極710O的電壓為Viso(并因此被阻斷)。因此，圖9所示的波形是用于尋址PDP815中的偶行，更具體地說，是“n”行。
在第一維持周期內(nèi)的時(shí)刻t20，掃描電極714n上的電壓有一上升沿，而在t21，偶維持電極710E的電壓有一下降沿。在t17由偶維持電極710E產(chǎn)生的尋址放電允許偶維持電極710E在t22期間產(chǎn)生第一維持放電。
圖10a為圖9所示掃描波形和偶維持波形的合成波形，圖10b為一墻電壓的波形，用于根據(jù)本發(fā)明的偶電極帶上的OFF子像素。由于此圖為OFF子像素，所以擊穿電壓只在兩個(gè)建立斜線期間溢出，其中墻電壓被限制在Vbr至-Vbr，大約為+-200伏。
合成波形是由掃描電極電壓減去維持電極電壓形成的。例如假設(shè)在偶維持電極710E和掃描電極714n的情況下。在尋址周期的前半部分的t25時(shí)，將偶維持電極710E的電壓從Ve減小至Viso，可引起復(fù)合電壓的增加，從而減小跨過氣體的電壓。當(dāng)偶維持電極710E的電壓在尋址周期的后半部分從Viso增加至Ve時(shí)，墻電壓恢復(fù)到接近擊穿電壓-Vbr，因此，在t17應(yīng)用的行選擇脈沖稍微超出了擊穿電壓-Vbr。
圖11和12表示像素尋址放電結(jié)構(gòu)的截面圖。特別是，圖11表示奇數(shù)像素P1的尋址放電結(jié)構(gòu)，而圖12表示相鄰的偶像素P2。在圖11中，P1的維持電極依賴于被啟動(dòng)的奇維持帶，因此其上有多于被阻斷的偶維持電極上的正電荷。P1尋址放電是利用所提供的數(shù)據(jù)脈沖開始的，但是，減少偶維持電極上的正電荷會(huì)減少陽極區(qū)向P2像素空間擴(kuò)散的傾向。施加在偶電極上的電壓Viso越低，隔離程度就越大。
P1上尋址放電中和跨過像素部位的電壓，因此，阻斷尋址后半部分的奇組，將會(huì)由于電壓的下降導(dǎo)致奇維持電極上有少量負(fù)電荷。因?yàn)榕c氣體的擊穿電壓相比，電壓變化很小，所以這種效果可以不計(jì)。啟動(dòng)偶維持電極將其恢復(fù)到全充滿正電荷，所以，當(dāng)選中P2并且形成放電時(shí)，在P2維持電極上有足夠的正電荷能有效地形成等離子去中和掃描電極的負(fù)電荷。
圖13為本發(fā)明一種變化的PDP的掃描和維持電極的波形圖，其中維持電極的電壓被減至Viso，提供小區(qū)與小區(qū)的隔離。由于在t17由負(fù)行選脈沖在掃描處順序地選擇每一行，一個(gè)相應(yīng)的維持電極返回到維持端的放電電壓Ve，因而，在維持端提供一正的行選。該實(shí)施例可以通過使用維持端的行驅(qū)動(dòng)器替代圖7所示的奇/偶選擇器820來實(shí)現(xiàn)。
圖14為本發(fā)明的另一不同的PDP的奇偶維持電極的波形圖，其中，維持電極被分成奇偶維持總線。行驅(qū)動(dòng)器810在尋址周期內(nèi)，提供順序的負(fù)向行選脈沖，而當(dāng)行選脈沖被提供給每一掃描電極時(shí)，維持電極電壓在Viso和Ve之間變化。圖14中，在時(shí)間t17，當(dāng)偶維持電極被驅(qū)動(dòng)到隔離電壓Viso，而奇維持電極被驅(qū)動(dòng)到維持側(cè)的尋址電壓Ve時(shí)，選中一奇行。
圖15為PDP的奇偶維持電極的波形圖，其中，把通常比電壓Ve高10v的正向增加電壓Vf提供給奇或偶維持電極總線。通過增加尋址放電傳送的電荷，這種設(shè)置方式可提供跨過像素的額外電壓，提高面板的尋址余度。正向電壓Vf也可應(yīng)用于圖13與圖14的波形。
應(yīng)該理解，上述描述僅僅是為了說明本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明精神的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以提出各種變化與修改。例如本發(fā)明可以應(yīng)用在其他的交流PDP和波形組態(tài)中，其中尋址放電跨過像素?cái)U(kuò)展，并可跨過像素間的間隙擴(kuò)散，在相鄰維持電極上尋找正電荷。本發(fā)明包括落入所附權(quán)利要求保護(hù)范圍內(nèi)的所有這些變動(dòng)、修改及變形。
權(quán)利要求
1.一種控制等離子顯示板(PDP)中維持電極的方法，其步驟包括允許第一維持電極產(chǎn)生尋址放電，并且當(dāng)所述第一維持電極正在產(chǎn)生所述尋址放電時(shí)，阻斷一第二維持電極，其中所述第一維持電極與所述第二維持電極相鄰。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一維持電極位于所述PDP的第一行，而所述第二維持電極位于所述PDP的第二行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述允許可使所述第一維持電極在維持周期內(nèi)產(chǎn)生維持放電，而所述阻斷防止所述第二維持電極在所述維持周期內(nèi)產(chǎn)生維持放電。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述允許將一允許電壓提供到所述第一維持電極，而所述阻斷可把一阻斷電壓提供到所述第二維持電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述允許電壓以掃描電極電壓為參考，而所述阻斷電壓當(dāng)以所述掃描電極電壓為參考電壓時(shí)其幅值低于所述允許電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一維持電極在尋址周期的第一部分內(nèi)被尋址，而所述第二維持電極在所述尋址周期的第二部分內(nèi)被尋址。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述尋址周期的第一部分為所述尋址周期的前半部分，而所述尋址周期的第二部分為所述尋址周期的后半部分。
8.一種用于控制等離子顯示板中維持電極的電路，包括一個(gè)輸出，用于允許一第一維持電極產(chǎn)生尋址放電；以及一個(gè)輸出，用于在所述第一維持電極正在產(chǎn)生所述尋址放電時(shí)阻斷一第二維持電極；其中所述第一維持電極與所述第二維持電極相鄰。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的電路，其中所述第一維持電極位于所述PDP的第一行，而所述第二維持電極位于所述PDP的第二行。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的電路，其中所述用于允許的輸出可使所述第一電極在維持周期內(nèi)產(chǎn)生維持放電，而所述用于阻斷的輸出阻止所述第二維持電極在一維持周期內(nèi)產(chǎn)生維持放電。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的電路，其中所述用于允許的輸出將一允許電壓提供到所述第一維持電極，而所述用于阻斷的輸出將一阻斷電壓提供到所述第二維持電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的電路，其中所述允許電壓以掃描電極電壓為參考電壓，而所述阻斷電壓當(dāng)以所述掃描電極電壓為參考電壓時(shí)其幅值低于所述允許電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的電路，其中所述的第一維持電極在尋址周期的第一部分內(nèi)被尋址，而所述的第二維持電極在所述的尋址周期的第二部分內(nèi)被尋址。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的電路，其中所述尋址周期的第一部分為所述尋址周期的前半部分，而所述尋址周期的第二部分為所述尋址周期的后半部分。
15.一個(gè)系統(tǒng)，包括一等離子顯示板，它具有一第一維持電極以及一與所述第一維持電極相鄰的第二維持電極；以及一個(gè)電路，用于(a)允許所述第一維持電極產(chǎn)生尋址放電；并(b)在所述第一維持電極產(chǎn)生所述尋址放電時(shí)阻斷所述第二維持電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的PDP系統(tǒng)，其中所述第一維持電極位于所述PDP的第一行，而所述第二維持電極位于所述PDP的第二行。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的PDP系統(tǒng)，其中所述允許可使所述第一電極在一維持周期內(nèi)產(chǎn)生維持放電，而所述阻斷可阻止所述第二維持電極在所述維持周期內(nèi)產(chǎn)生維持放電。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的PDP系統(tǒng)，其中所述允許將一允許電壓提供到所述第一維持電極，而所述阻斷將一阻斷電壓提供到所述第二維持電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的PDP系統(tǒng)，其中所述允許電壓以掃描電極電壓為參考電壓，而所述阻斷電壓當(dāng)以所述掃描電極電壓為參考電壓時(shí)其幅值低于所述允許電壓。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的PDP系統(tǒng)，其中所述第一維持電極在尋址周期的第一部分內(nèi)被尋址，而所述第二維持電極在所述的尋址周期的第二部分內(nèi)被尋址。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的PDP系統(tǒng)，其中所述尋址周期的第一部分為所述尋址周期的前半部分，而所述尋址周期的第二部分為所述的尋址周期的后半部分。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于控制等離子顯示板(PDP)中維持電極的方法。該方法包括允許第一維持電極產(chǎn)生尋址放電，并在第一個(gè)維持電極正在產(chǎn)生尋址放電時(shí)，阻斷第二維持電極。其中該第一維持電極與該第二維持電極相鄰。
文檔編號(hào)G09G3/28GK1489759SQ02804369
公開日2004年4月14日 申請(qǐng)日期2002年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月30日
發(fā)明者R·G·馬科特, 磯部憲房, R G 馬科特, 房 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社