專利名稱：等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的方法和設(shè)備，更具體地涉及能提高整板亮度均勻性的等離子顯示板。
背景技術(shù)：
一般地，等離子顯示板(PDP)利用惰性混合氣體如He+Xe、Ne+Xe或He+Ne+Xe放電產(chǎn)生的波長147nm紫外線使熒光小體發(fā)光，從而顯示包括字符和圖形的圖像。這種PDP容易制成大尺寸的薄膜形狀。并且，由于最近技術(shù)的發(fā)展，PDP產(chǎn)生的圖像質(zhì)量得到很大改善。特別是，由于三電極交流電(AC)表面放電PDP具有放電在表面累積的壁電荷并且防止電極由于放電產(chǎn)生的濺射，因此具有低電壓驅(qū)動(dòng)和壽命長的優(yōu)點(diǎn)。
參看圖1，傳統(tǒng)三電極AC表面放電PDP的放電單元格包括在上基板11上的作為掃描電極的透明電極12Y和12Z，以及下基板16上的地址電極17X。
透明電極12Y和12Z通常由銦錫氧化物(ITO)制成。在每個(gè)透明電極12Y和12Z上形成金屬總線電極13，用以減小電阻。上基板11上沉積有上介電層14和保護(hù)膜15，透明電極12Y和12Z形成在上基板11上。
地址電極17X與透明電極12Y和12Z交叉。下基板上具有下介電層18和屏蔽筋19，地址電極17X形成在下基板上，并且熒光層20鋪展在下介電層18和屏蔽筋19的表面上。
惰性混合氣體如He+Xe或Ne+Xe注入到上基板11、下基板16和屏蔽筋19之間的放電空間中用于放電。
這種PDP驅(qū)動(dòng)一幀，幀分成不同放電頻率的各個(gè)子域，從而表現(xiàn)圖像的灰度等級(jí)。每個(gè)子域又分成使放電均勻產(chǎn)生的復(fù)位周期，用于選擇放電單元格單元格的地址周期和用于根據(jù)放電頻率實(shí)現(xiàn)灰度等級(jí)的維持周期。例如，當(dāng)想要顯示256灰度等級(jí)的圖像時(shí)，一個(gè)1/60秒(即16.67毫秒)的幀間隔分成8個(gè)子域。這8個(gè)子域中的每一個(gè)都分成復(fù)位周期、地址周期和維持周期，如上所述。這里，每個(gè)子域中的復(fù)位周期和地址周期在每個(gè)子域中都是相等的，而維持周期和放電頻率在每個(gè)子域中按2n(其中n＝0，1，2，3，4，5，6和7)比例增大。以這種方式，由于維持周期在每個(gè)子域中是不同的，因此可以實(shí)現(xiàn)圖像的灰度等級(jí)。
與其它平板顯示器FPD相比，PDP具有較大的尺寸如40”、50”、60”。相應(yīng)地，由于PDP的每個(gè)電極12Y、12Z、13和17長，所以由電極長度造成的在中心區(qū)出現(xiàn)的電壓降與外圍區(qū)中的電壓降相差非常大。并且，由于PDP中具有放電氣體，其壓力低于大氣壓，因此在上/下基板11和16僅由屏蔽筋支撐的中心區(qū)，與上/下基板11和16由密封劑結(jié)合(圖中未示出)的外圍區(qū)相比，基板11和16的強(qiáng)度是不同的。結(jié)果，傳統(tǒng)PDP，如圖2所示，中心區(qū)的亮度在水平和垂直方向均低于外圍區(qū)20％，此數(shù)值根據(jù)顯示板的尺寸大小有所差別。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供能改善整板亮度均勻性的等離子顯示板。
為了達(dá)到本發(fā)明的這些和其它目的，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的等離子顯示板包括一對(duì)產(chǎn)生持續(xù)放電的透明電極；以及多個(gè)金屬總線電極，形成在一對(duì)透明電極中的每一個(gè)上，并且，其寬度或者它們相互之間的間隙這二者中，至少一個(gè)在等離子顯示板的中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
這里，等離子顯示板中心區(qū)的金屬總線電極寬度比外圍區(qū)的窄。
這里，等離子顯示板中心區(qū)的金屬總線電極之間的間隙比外圍區(qū)的窄。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)方面的等離子顯示板包括多個(gè)成對(duì)的透明電極，其寬度或者它們相互之間的間隙這二者中，至少一個(gè)在等離子顯示板的中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
這里，等離子顯示板中心區(qū)的成對(duì)透明電極寬度比外圍區(qū)的寬。
這里，等離子顯示板中心區(qū)的成對(duì)透明電極之間的間隙比外圍區(qū)的寬。
該等離子顯示板還包括形成在一對(duì)透明電極中每一個(gè)上的多個(gè)金屬總線電極，其寬度或者它們相互之間的間隙二者中，至少一個(gè)在中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
該等離子顯示板還包括在一對(duì)透明電極中每一個(gè)上以孔的形狀并排形成的多個(gè)空白。
這里，空白的面積或者空白之間的間隙二者中至少一個(gè)在中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
這里，位于外圍區(qū)的空白面積比位于中心區(qū)的空白面積大。
這里，位于中心區(qū)空白之間的間隙比位于外圍區(qū)空白之間的間隙寬。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面的等離子顯示板包括多個(gè)地址電極，地址電壓施加在地址電極上用于選擇單元格，并且地址電極的寬度在等離子顯示板的中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
這里，等離子顯示板中心區(qū)的地址電極寬度比外圍區(qū)的寬。
該等離子顯示板還包括多個(gè)成對(duì)的透明電極，維持電壓施加在上面用于產(chǎn)生持續(xù)放電，并且其寬度或者它們相互之間的間隙二者中，至少一個(gè)在中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
該等離子顯示板還包括形成在一對(duì)透明電極中每一個(gè)上的多個(gè)金屬總線電極，其寬度或者它們相互之間的間隙二者中，至少一個(gè)在中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
該等離子顯示板還包括在一對(duì)透明電極中每一個(gè)上以孔的形狀并排形成的多個(gè)空白。
這里，空白的面積或者空白之間的間隙二者中，至少一個(gè)在中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
這里，位于外圍區(qū)的空白面積比位于中心區(qū)的空白面積大。
這里，位于中心區(qū)空白之間的間隙比位于外圍區(qū)空白之間的間隙寬。
根據(jù)本發(fā)明再一個(gè)方面的等離子顯示板包括多個(gè)屏蔽筋，其相互之間的間隙、其厚度或高度三者中，至少一個(gè)在等離子顯示板中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
這里，中心區(qū)屏蔽筋之間的間隙比外圍區(qū)的寬。
這里，中心區(qū)屏蔽筋的厚度比外圍區(qū)的薄。
這里，中心區(qū)屏蔽筋的高度比外圍區(qū)的高。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)特征的具有多個(gè)放電單元格的等離子顯示板包括形成在放電單元格之間的多個(gè)黑色矩陣，其寬度在等離子顯示板中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
這里，從中心區(qū)到外圍區(qū)，每個(gè)黑色矩陣的寬度變寬。
這里，每個(gè)黑色矩陣的寬度是均勻的并且黑色矩陣的寬度根據(jù)等離子顯示板中的位置不同。
黑色矩陣包括與等離子顯示板水平方向平行的水平黑色矩陣；與等離子顯示板垂直方向平行的垂直黑色矩陣。
該等離子顯示板還包括在水平黑色矩陣和垂直黑色矩陣之間形成的介電層。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)方面的等離子顯示板包括基板和介電層，介電層形成在基板上并且其厚度在等離子顯示板中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
這里，從外圍區(qū)到中心區(qū)，介電層的厚度變薄。
這里，從外圍區(qū)到中心區(qū)，介電層的厚度逐級(jí)地變薄。
這里，從外圍區(qū)到中心區(qū)，介電層的厚度線性地變薄。


參考附圖并結(jié)合下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的詳細(xì)描述，將清楚本發(fā)明的這些和其它目的，附圖中圖1表示傳統(tǒng)三電極AC表而放電等離子顯示板的放電單元格結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2表示圖1的傳統(tǒng)三電極AC表面放電等離子顯示板中產(chǎn)生的亮度不均勻性；圖3表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例等離子顯示板的一對(duì)維持電極；圖4表示位于圖3中PDP的中心區(qū)和外圍區(qū)的一對(duì)維持電極沿I-I’和II-II’線的剖視圖；圖5是表示PDP中亮度隨著金屬總線電極寬度的變化而變化的曲線圖；圖6表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖7表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖8表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖9A是圖8中PDP的一對(duì)維持電極沿線III-III’的剖視圖；圖9B是圖8中PDP的一對(duì)維持電極沿線IV-IV’的剖視圖；圖9C是圖8中PDP的一對(duì)維持電極沿線V-V’的剖視圖；圖9D是圖8中PDP的一對(duì)維持電極沿線VI-VI’的剖視圖；圖9E是圖8中PDP的一對(duì)維持電極沿線VII-VII’的剖視圖；圖10是表示PDP中亮度隨著金屬總線電極之間間隙的變化而變化的曲線圖；圖11表示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖12表示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖13表示根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；
圖14表示根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖15表示根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖16表示根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖17表示根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖18是表示亮度隨著PDP中透明電極寬度的變化而變化的曲線圖；圖19表示根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖20表示根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖21表示根據(jù)本發(fā)明第十四實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖22是表示亮度隨著PDP中透明電極之間間隙的變化而變化的曲線圖；圖23表示根據(jù)本發(fā)明第十五實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖24表示根據(jù)本發(fā)明第十六實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖25表示根據(jù)本發(fā)明第十七實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖26表示根據(jù)本發(fā)明第十八實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖27是表示亮度隨著PDP中空白面積的變化而變化的曲線圖；圖28表示根據(jù)本發(fā)明第十九實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖29表示根據(jù)本發(fā)明第二十實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖30表示根據(jù)本發(fā)明第二十一實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖31表示根據(jù)本發(fā)明第二十二實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖32表示根據(jù)本發(fā)明第二十三實(shí)施例PDP的一對(duì)維持電極；圖33是表示亮度隨著PDP中空白之間間隙的變化而變化的曲線圖；圖34表示根據(jù)本發(fā)明第二十四實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖35表示根據(jù)本發(fā)明第二十五實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖36表示根據(jù)本發(fā)明第二十六實(shí)施例PDP的成對(duì)維持電極；圖37表示根據(jù)本發(fā)明第二十七實(shí)施例PDP的地址電極；圖38是表示亮度隨著PDP中地址電極寬度的變化而變化的曲線圖；圖39表示根據(jù)本發(fā)明第二十八實(shí)施例PDP的地址電極；
圖40表示根據(jù)本發(fā)明第二十九實(shí)施例PDP的下板的透視圖；圖41表示圖40中屏蔽筋之間的間隙差別；圖42表示根據(jù)本發(fā)明第三十實(shí)施例PDP的屏蔽筋；圖43表示根據(jù)本發(fā)明第三十一實(shí)施例PDP的屏蔽筋；圖44表示根據(jù)本發(fā)明第三十二實(shí)施例PDP的屏蔽筋；圖45表示根據(jù)本發(fā)明第三十三實(shí)施例PDP的屏蔽筋；圖46表示根據(jù)本發(fā)明第三十四實(shí)施例PDP的屏蔽筋；圖47表示根據(jù)本發(fā)明第三十五實(shí)施例PDP的屏蔽筋；圖48是表示亮度隨著屏蔽筋高度的變化而變化的曲線圖；圖49表示根據(jù)本發(fā)明第三十六實(shí)施例PDP的上板的透視圖；圖50詳細(xì)表示圖49中所示的黑色矩陣；圖51表示圖49中所示的黑色矩陣的另一個(gè)實(shí)施例；圖52是表示黑色矩陣寬度和亮度之間關(guān)系的曲線圖；圖53是表示根據(jù)本發(fā)明第三十七實(shí)施例PDP的上板的剖視圖；圖54表示圖53中所示PDP的上板；圖55表示根據(jù)本發(fā)明第三十八實(shí)施例PDP的黑色矩陣；圖56表示根據(jù)本發(fā)明第三十九實(shí)施例PDP的黑色矩陣；圖57表示根據(jù)本發(fā)明第四十實(shí)施例PDP的介電層的透視圖；圖58是表示介電層厚度和亮度之間關(guān)系的曲線；圖59表示根據(jù)本發(fā)明第四十一實(shí)施例PDP的介電層的透視圖；圖60表示根據(jù)本發(fā)明第四十二實(shí)施例PDP的介電層的透視圖；圖61表示根據(jù)本發(fā)明第四十三實(shí)施例PDP的介電層的透視圖；圖62是表示根據(jù)本發(fā)明PDP的中心區(qū)和外圍區(qū)之間亮度偏差的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照?qǐng)D3到圖62解釋本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
參看圖3到圖4，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP具有金屬總線電極33，形成在一對(duì)透明電極32Y和32Z中的每一個(gè)上，并且其寬度從PDP的外圍區(qū)到中心區(qū)變窄。
在金屬總線電極33的寬度與亮度的關(guān)系中，如圖5所示，隨著金屬總線電極33的寬度變窄PDP的亮度增大。因此，由于金屬總線電極33的寬度在中心區(qū)比在外圍區(qū)窄，所以可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別?？紤]到板尺寸和外圍區(qū)亮度，需要將金屬總線電極33的中心寬度BUSW1設(shè)定為比外圍區(qū)的寬度BUSW2窄20％或少于20％。
上介電層34和保護(hù)膜35沉積在上基板31上，將透明電極32Y和32Z以及金屬總線電極33覆蓋。等離子放電產(chǎn)生的壁電荷積累在上介電層34上。保護(hù)膜35防止等離子放電產(chǎn)生的濺射損壞上介電層34，并增大二次發(fā)射的效率。一般使用氧化鎂MgO作為保護(hù)膜35。
地址電極37X垂直地與透明電極32Y和33Z交叉。下介電層38和屏蔽筋39形成在地址電極37X所在的下基板36上，熒光層40鋪展在屏蔽筋39和下介電層38的表面上。
屏蔽筋39平行地形成在地址電極37X上，防止放電產(chǎn)生的紫外線和可見光線泄露到鄰近的放電單元格中。
熒光層40由等離子放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)，產(chǎn)生紅、綠、藍(lán)三種可見光線中的一種。
用于放電的惰性混合氣體如He+Xe、Ne+Xe或He+Ne+Xe位于上/下基板31和36以及屏蔽筋39之間形成的放電單元格的放電空間中。
為了補(bǔ)償PDP中心區(qū)和外圍區(qū)之間在垂直方向上的亮度差別，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP具有寬度為BUSW1和BUSW2的金屬總線電極63，它們形成在一對(duì)透明電極62中的每一個(gè)上，并且從外圍區(qū)到中心區(qū)其寬度變窄。外圍區(qū)位于垂直方向的上/下側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP，它同時(shí)使用上述的第一和第二實(shí)施例，在一對(duì)透明電極72上形成的、寬度為BUSW1和BUSW2的金屬總線電極73，在水平方向和垂直方向、從外圍區(qū)到中心區(qū)變窄，從而同時(shí)在水平和垂直方向補(bǔ)償了中心區(qū)和外圍區(qū)之間的亮度差別。
參考圖8到10，表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP。除了PDP的一對(duì)維持電極外，其余部分與上述實(shí)施例的PDP相同，因此不對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)解釋。
參看圖8和9A到9E，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP在一對(duì)金屬總線電極83間存在間隙BUSG1和BUSG2，從外圍區(qū)到中心區(qū)變寬，而一對(duì)金屬總線電極83形成在一對(duì)透明電極82中的每一個(gè)上。
在亮度與金屬總線電極83之間間隙的關(guān)系中，PDP的亮度隨金屬總線電極83之間間隙BUSG1和BUSG2的變寬而增大，如圖10所示。并且PDP的效率隨金屬總線電極83之間間隙的變寬而增大。因此，由于金屬總線電極83在中心區(qū)的間隙BUSG1比中外圍區(qū)的寬，所以可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間亮度的差別。
在每個(gè)側(cè)面91和92的基礎(chǔ)上，與外圍區(qū)相比，中心區(qū)的金屬總線電極83之間的間隙向外寬大約20％或少于20％，而掃描/維持電極Y和通用維持電極Z在側(cè)面91和92上互相朝向?qū)Ψ健Ｃ總€(gè)金屬總線電極83的寬度在中心區(qū)和外圍區(qū)是相等的。
參看圖11，根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的PDP具有一對(duì)形成在一對(duì)透明電極112中每一個(gè)上的金屬總線電極113，金屬總線電極113之間的間隙從外圍區(qū)到中心區(qū)在一些像素區(qū)單元PD位置處變寬。這里像素區(qū)單元PD的長度包括幾個(gè)或幾十個(gè)像素。因此，金屬總線電極113之間的間隙越靠近中心區(qū)越寬，中心區(qū)的長度包括幾個(gè)或幾十個(gè)像素作為其單元。
參看圖12，為了補(bǔ)償PDP在垂直方向中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別，根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的PDP具有一對(duì)形成在一對(duì)透明電極122中每一個(gè)上的金屬總線電極123，金屬總線電極123之間的間隙從外圍區(qū)到中心區(qū)變寬。外圍區(qū)位于垂直方向的上/下邊緣。
參看圖13，根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP具有一對(duì)形成在一對(duì)透明電極132中每一個(gè)上的金屬總線電極133，金屬總線電極133之間的間隙同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)變寬，從而同時(shí)在PDP的水平和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)和外圍區(qū)之間的亮度差別。
參看圖14，根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的PDP具有一對(duì)形成在一對(duì)透明電極142中每一個(gè)上的金屬總線電極143，金屬總線電極143之間的間隙同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)變寬，并且每個(gè)金屬總線電極143的寬度從位于垂直方向上/下邊緣的外圍區(qū)到中心區(qū)變寬，從而同時(shí)在PDP的水平和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)和外圍區(qū)之間的亮度差別。
參看圖15，根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的PDP具有一對(duì)形成在一對(duì)透明電極152中每一個(gè)上的金屬總線電極153，金屬總線電極153之間的間隙同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)變寬，并且每個(gè)金屬總線電極143的寬度從位于垂直方向上/下邊緣的外圍區(qū)到中心區(qū)變窄，從而同時(shí)在PDP的水平和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)和外圍區(qū)之間的亮度差別。
圖16到圖23表示根據(jù)本發(fā)明第十到第十六實(shí)施例PDP的透明電極。
參看圖16和17，根據(jù)本發(fā)明第十和第十一實(shí)施例的PDP具有寬度為ITOW1和ITOW2的一對(duì)透明電極162和172，并且寬度從外圍區(qū)到中心區(qū)變寬。
如圖18所示，在成對(duì)的金屬總線電極162和172中亮度與寬度ITOW1和ITOW2之間的關(guān)系中，隨著成對(duì)金屬總線電極162和172的寬度增大，PDP的亮度提高。因此，由于金屬總線電極162和172的寬度在中心區(qū)比在外圍區(qū)寬，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間亮度的差別。成對(duì)透明電極162和172的中心區(qū)寬度ITOW1比外圍區(qū)寬度ITOW2寬約20％或少于20％。
圖16表示一對(duì)透明電極162的外側(cè)具有一定的坡度，另一側(cè)是水平的，從而越靠近中心區(qū)其寬度變寬。圖17表示一對(duì)透明電極172的外側(cè)是階梯形的，另一側(cè)是水平的，從而越靠近中心區(qū)其寬度變寬。
參看圖19，根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的PDP的一對(duì)透明電極192，其寬度同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)變寬，從而補(bǔ)償從中心區(qū)到外圍區(qū)之間的亮度差別。實(shí)施例也可以在與圖17的階梯形相同的方式下實(shí)施。
參看圖20和21，根據(jù)本發(fā)明第十三和十四實(shí)施例的PDP的一對(duì)透明電極202和212，當(dāng)從外圍區(qū)到中心區(qū)時(shí)其間隙為ITOG1和ITOG2。
在亮度與成對(duì)金屬總線電極202和212之間間隙ITOG1和ITOG2的關(guān)系中，隨著成對(duì)金屬總線電極202和212之間間隙ITOG1和ITOG2的增大，PDP的亮度提高，如圖22所示，但如果間隙超過一定值后亮度又下降。因此，由于成對(duì)金屬總線電極202和212的間隙在PDP中心區(qū)比在外圍區(qū)寬，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。這里，中心區(qū)的間隙ITOG1設(shè)定為等于或小于亮度上升后開始下降的數(shù)值。與外圍區(qū)的間隙ITOG2相比，中心區(qū)的成對(duì)透明電極202和212的間隙ITOG1寬約20％或少于20％。
圖20表示成對(duì)透明電極202以一定的坡度上升和下降并從圖形上看是對(duì)稱的，從而當(dāng)從外圍區(qū)到中心區(qū)時(shí)其間隙變寬。圖21表示成對(duì)透明電極212友階梯形狀對(duì)稱分布，從而當(dāng)從外圍區(qū)到中心區(qū)時(shí)其間隙變寬。
參看圖23，根據(jù)本發(fā)明第十五實(shí)施例的PDP，在一對(duì)透明電極232之間具有間隙，當(dāng)同時(shí)在水平方向和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)時(shí)間隙變寬，從而在PDP的水平方向和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
參看圖24，根據(jù)本發(fā)明第十六實(shí)施例的PDP，在一對(duì)透明電極242之間具有間隙，當(dāng)同時(shí)在水平方向和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)時(shí)間隙變寬，并且每個(gè)透明電極242的寬度同時(shí)在水平方向和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)時(shí)間隙變寬，從而在PDP的水平方向和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
參看圖25和26，根據(jù)本發(fā)明第十七和十八實(shí)施例的PDP包括一對(duì)透明電極252和262，其中具有多個(gè)空白255和265，用于增大效率和亮度，金屬總線電極253和263形成在成對(duì)透明電極中的每一個(gè)上。
由于空白255和265的存在，PDP每個(gè)透明電極252和262的寬度增大，成對(duì)透明電極252和262之間的間隙減小，從而使放電能以低電壓和短放電路程開始，從而增大效率和亮度。
空白255和265以孔的形狀形成在成對(duì)透明電極252和262中，當(dāng)從外圍區(qū)到中心區(qū)時(shí)垂直側(cè)邊的長度縮短，從而從外圍區(qū)到中心區(qū)面積BLA1和BLA2變小。
在亮度與空白245和255的面積BLA1和BLA2之間的關(guān)系中，如圖27所示，隨著空白245和255的面積BLA1和BLA2變小，PDP亮度增大。因此，由于空白245和255的面積從PDP外圍區(qū)到中心區(qū)變小，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。在外圍區(qū)空白255和265的面積BLA2比中心區(qū)空白255和265的面積BLA1大5-40％。
圖25表示垂直相對(duì)的空白255之間的間隙在中心區(qū)與在外圍區(qū)相同。圖26表示垂直相對(duì)的空白265之間的間隙從外圍區(qū)到中心區(qū)變寬，使垂直相對(duì)的空白265之間的間隙變大，從而增大中心區(qū)的亮度。
參看圖28，根據(jù)本發(fā)明第十九實(shí)施例的PDP，同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)的空白285面積減小，從而同時(shí)在水平和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。以相同的方式，可以同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)減小圖26中所示的空白265的面積。
參看圖29，根據(jù)本發(fā)明第二十實(shí)施例的PDP包括一對(duì)透明電極292，其中為了增大PDP的效率和亮度形成多個(gè)空白295，金屬總線電極293形成在成對(duì)透明電極292中的每一個(gè)上。
空白295水平側(cè)邊的長度從外圍區(qū)到中心區(qū)變短，從而從外圍區(qū)到中心區(qū)面積BLA1和BLA2變小。由此產(chǎn)生PDP中心區(qū)的亮度可以高于外圍區(qū)的亮度，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。在外圍區(qū)空白295的面積BLA2比中心區(qū)空白295的面積BLA1大5-40％。
參看圖30，根據(jù)本發(fā)明第二十一實(shí)施例的PDP，同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)空白305的面積變小，從而在PDP的水平方向和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
參看圖31，根據(jù)本發(fā)明第二十二實(shí)施例的PDP，由于從外圍區(qū)到中心區(qū)空白315的水平側(cè)邊和垂直側(cè)邊的長度都縮短，從而從外圍區(qū)到中心區(qū)空白315的面積BLA1和BLA2變小。盡管已經(jīng)示出，空白315應(yīng)用于水平和垂直方向，從而在PDP的水平方向和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
參看圖32，根據(jù)本發(fā)明第二十三實(shí)施例的PDP，外圍區(qū)空白325之間的間隙BLG1和BLG2與中心區(qū)的不同。
從外圍區(qū)到中心區(qū)空白325之間的間隙BLG1和BLG2變大，但空白325的面積相同。
在亮度與空白325之間的間隙BLG1和BLG2的關(guān)系中，隨著空白325之間的間隙變寬，PDP的亮度提高。因此，由于從外圍區(qū)到中心區(qū)空白325之間的間隙變寬，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。位于中心區(qū)空白325之間的間隙BLG1比外圍區(qū)的間隙BLG2寬140％或少于140％。
參看圖34，根據(jù)本發(fā)明第二十四實(shí)施例的PDP，雖然空白335的面積相同，但同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)空白335之間的間隙變寬，從而在PDP的水平和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
圖35和36表示根據(jù)本發(fā)明第二十五和第二十六實(shí)施例的PDP。
參看圖35和36，同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)，空白355和365的面積變小，空白355和365之間的間隙變寬。
以這種方式，在中心區(qū)與在外圍區(qū)寬度和間隙不同的金屬總線電極可以形成在PDP的透明電極上，其中成對(duì)的透明電極在外圍區(qū)與在中心區(qū)的寬度和間隙不同，或者空白的面積和間隙不同。
圖37表示根據(jù)本發(fā)明第二十七實(shí)施例的PDP的地址電極。
參看圖37，根據(jù)本發(fā)明第二十七實(shí)施例的PDP包括地址電極371，其寬度在外圍區(qū)與在中心區(qū)不同。
地址電極371在垂直方向從外圍區(qū)到中心區(qū)其寬度ADDW1和ADDW2增大。
在亮度與地址電極371的寬度ADDW1和ADDW2的關(guān)系中，隨著地址電極371的寬度ADDW1和ADDW2增大，PDP的亮度提高，如圖38所示。因此，由于地址電極371的寬度ADDW1和ADDW2在中心區(qū)大于在外圍區(qū)，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。地址電極371的中心區(qū)寬度ADDW1比外圍區(qū)寬度ADDW2寬約20％或少于20％。
圖39表示根據(jù)本發(fā)明第二十八實(shí)施例的PDP的地址電極。
參看圖39，根據(jù)本發(fā)明第二十八實(shí)施例的PDP，其地址電極391的寬度同時(shí)在水平和垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)變寬，從而在PDP的水平和垂直方向上補(bǔ)償中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
以這種方式，可以將在中心區(qū)與在外圍區(qū)具有不同透明電極寬度和間隙或具有不同空白面積和間隙的透明電極、具有不同寬度或間隙的金屬總線電極以及在中心區(qū)與在外圍區(qū)具有不同寬度的地址電極結(jié)合在一起。
圖40和43表示根據(jù)本發(fā)明第二十九和三十一實(shí)施例的PDP下板以及形成在下板上的屏蔽筋。
參看圖40和41，根據(jù)本發(fā)明第二十九實(shí)施例的PDP，屏蔽筋401之間的間隙和屏蔽筋401的間距BRP1和BRP2變窄。
這些屏蔽筋401以條帶的形狀平行地形成在地址電極37X上，并具有一定的高度用于防止相鄰放電單元格之間電和光的干涉。并且，屏蔽筋401在外圍區(qū)和在中心區(qū)形成放電單元格放電空間的差別，從而補(bǔ)償中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
為了更具體地描述，屏蔽筋之間的間隙越寬，放電空間越大。如果放電空間大，則熒光物質(zhì)的散布面積增大，放電單元格內(nèi)大規(guī)模地產(chǎn)生放電，紫外線的數(shù)量同樣增大。相反，如果屏蔽筋401之間間隙變窄造成放電空間減小，則放電單元格內(nèi)小規(guī)模地產(chǎn)生放電，紫外線的數(shù)量同樣減少。因此，在中心區(qū)屏蔽筋401之間的間隙比在外圍區(qū)的較寬，中心區(qū)的每個(gè)放電單元格亮度提高。結(jié)果，由于PDP外圍區(qū)的間隙與中心區(qū)的間隙不同，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
當(dāng)考慮板尺寸和外圍區(qū)的亮度后，需要設(shè)定PDP屏蔽筋401在外圍區(qū)與在中心區(qū)的間隙差別為約20％或少于20％。四邊形或墻壁形的屏蔽筋421和431，以及條帶形的屏蔽筋401，如圖42和43所示，排列成矩陣或三角形，其中屏蔽筋401在PDP中心區(qū)的間隙與在PDP外圍區(qū)的不同可以應(yīng)用于PDP中。
并且，在此情況下，如圖42和43所示的四邊形或墻壁形屏蔽筋421和431之間的間隙在PDP中心區(qū)比在外圍區(qū)寬。
圖44到46表示根據(jù)本發(fā)明第三十二到第三十四實(shí)施例的PDP屏蔽筋。
參看圖44，在根據(jù)本發(fā)明第三十二實(shí)施例的PDP中，在整個(gè)PDP表面上屏蔽筋441之間的間隙BRP是相等的，而厚度BRT1和BRT2從PDP的中心區(qū)到外圍區(qū)變厚。屏蔽筋越厚，放電單元格的亮度越低。反之，屏蔽筋越薄，放電單元格的亮度越高。
屏蔽筋441以條帶形狀平行地形成在地址電極上，并在下基板上具有一定高度用于防止相鄰放電單元格之間電和光和干涉。并且，屏蔽筋441的厚度在中心區(qū)與在外圍區(qū)的不同從而補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
當(dāng)考慮板尺寸和外圍區(qū)的亮度后，需要設(shè)定PDP屏蔽筋441在中心區(qū)與在外圍區(qū)的厚度BRT1和BRT2的差別為約20％或少于20％。四邊形或墻壁形的屏蔽筋451和461，以及條帶形的屏蔽筋441，如圖45和46所示，排列成矩陣或三角形，其中屏蔽筋441在中心區(qū)的厚度薄而在外圍區(qū)變厚可以應(yīng)用于PDP中。并且，在此情況下，如圖45和46所示的四邊形或墻壁形屏蔽筋451和461的厚度BRT1和BRT2在PDP中心區(qū)比在外圍區(qū)薄。
圖47表示根據(jù)本發(fā)明第三十五實(shí)施例的PDP。
參看圖47，在根據(jù)本發(fā)明第三十五實(shí)施例的PDP中，屏蔽筋471的厚度及其間隙是均勻的，然而，其高度BRH1和BRH2從PDP的外圍區(qū)到中心區(qū)變高。
屏蔽筋471以條帶形狀平行地形成在地址電極上，并具有一定高度用于防止相鄰放電單元格之間電和光和干涉。并且，屏蔽筋471的厚度在中心區(qū)與在外圍區(qū)的不同從而補(bǔ)償中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
為了更具體地描述，屏蔽筋471越高，放電空間越大。由此，熒光物質(zhì)的散布面積增大，放電單元格內(nèi)大規(guī)模地產(chǎn)生放電，紫外線的數(shù)量同樣增大。相反，如果屏蔽筋401之間間隙變窄造成放電空間減小，則放電單元格內(nèi)小規(guī)模地產(chǎn)生放電，紫外線的數(shù)量同樣減少。因此，屏蔽筋471的高度BRH1和BRH2在PDP中心區(qū)比在外圍區(qū)的較高，如圖48所示，中心區(qū)的每個(gè)放電單元格亮度提高。結(jié)果，由于屏蔽筋471的高度在PDP外圍區(qū)與中心區(qū)的不同，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
當(dāng)考慮板尺寸和外圍區(qū)的亮度后，需要設(shè)定屏蔽筋471的高度在PDP外圍區(qū)與在中心區(qū)的差別為約20％或少于20％。條帶形的、四邊形或墻壁形的屏蔽筋排列成矩陣或三角形，其中屏蔽筋471的高度BRH1和BRH2在PDP中心區(qū)低而在外圍區(qū)變高可以應(yīng)用于PDP中。
本發(fā)明第三十二和第三十五實(shí)施例可以結(jié)合在一起。也就是，屏蔽筋的厚度、屏蔽筋之間的間隙和屏蔽筋的高度在同一個(gè)PDP中的外圍區(qū)和中心區(qū)可以有差別，從而補(bǔ)償亮度的差別。這種屏蔽筋與驅(qū)動(dòng)電極結(jié)合在一起，例如上面實(shí)施例中所述的PDP的透明電極、金屬總線電極和地址電極，從而能補(bǔ)償PDP外圍區(qū)與中心區(qū)之間的亮度差別。
圖49到56表示根據(jù)本發(fā)明第三十六到三十九實(shí)施例的PDP的黑色矩陣。
參看圖49，根據(jù)本發(fā)明第三十六實(shí)施例的PDP包括黑色矩陣491，其在PDP中心區(qū)的寬度與外圍區(qū)的不同。黑色矩陣491形成在相鄰放電單元格的邊界上，防止相鄰放電單元格之間的光干涉。并且，黑色矩陣491的寬度在PDP的中心區(qū)比在外圍區(qū)窄，從而補(bǔ)償PDP外圍區(qū)與中心區(qū)之間的亮度差別。黑色矩陣491的兩側(cè)可以制成彎曲形狀，如圖50所示，或者制成直線形狀，如圖51所示。
在圖49中，參考數(shù)字492表示一對(duì)維持電極，其中包括透明電極和金屬總線電極。
如果黑色矩陣491的寬度寬，則增加同樣多的光吸收面積。相反，如果黑色矩陣的寬度窄，則光吸收的面積減小同樣多。因此，在黑色矩陣491與PDP亮度的關(guān)系中，PDP的亮度隨黑色矩陣491的寬度變窄而提高，如圖52所示。
當(dāng)考慮板尺寸和外圍區(qū)的亮度時(shí)，需要黑色矩陣491的寬度W1和W2之間的差別在20％或少于20％以內(nèi)。
參看圖53和54，根據(jù)本發(fā)明第三十七實(shí)施例的PDP的上板包括形成在下基板上的一對(duì)維持電極532，形成在相鄰放電單元格之間與成對(duì)維持電極532平行的水平黑色矩陣531A，以及與成對(duì)維持電極532垂直交叉并且其寬度在PDP的外圍區(qū)與在中心區(qū)不同的垂直黑色矩陣531B。在PDP的上板中，有第一介電層533A形成在上基板31上用于覆蓋成對(duì)的維持電極532和水平黑色矩陣531A，以及用于覆蓋垂直黑色矩陣531B的第二介電層533B。在第二介電層533B的整個(gè)表面上具有一層保護(hù)膜534。
垂直黑色矩陣531B形成在第一介電層5上，其方向與水平黑色矩陣531A交叉。每個(gè)垂直黑色矩陣531A的寬度在PDP的垂直方向上在中心區(qū)比在外圍區(qū)窄。因?yàn)榇怪焙谏仃?31B使中心區(qū)的亮度在垂直方向上比外圍區(qū)的較高，因此可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
在考慮PDP的尺寸和外圍區(qū)的亮度后，需要形成垂直黑色矩陣531B，使其中心區(qū)的寬度W3與外圍區(qū)的寬度W4相差在20％或少于20％以內(nèi)。
參看圖55和56，根據(jù)本發(fā)明第三十八實(shí)施例的PDP包括水平黑色矩陣551A，其寬度在PDP的垂直方向上在中心區(qū)與在外圍區(qū)的不同；以及垂直黑色矩陣551B，其寬度在PDP的水平方向上在中心區(qū)與在外圍區(qū)的不同。
每個(gè)水平黑色矩陣551A在PDP的水平方向上是寬度均勻的條帶形。水平黑色矩陣551A在垂直方向上在中心區(qū)的寬度W5比位于外圍區(qū)的其它水平黑色矩陣551A的寬度W6窄。隨著在PDP垂直方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)，由于水平黑色矩陣551A的寬度W5和W6的差別形成PDP亮度的提高。
每個(gè)垂直黑色矩陣551B在PDP的垂直方向上是寬度均勻的條帶形。垂直黑色矩陣551B在PDP水平方向上在中心區(qū)的寬度W7比位于外圍區(qū)的其它垂直黑色矩陣551B的寬度W8窄。隨著在PDP水平方向上從外圍區(qū)到中心區(qū)，由于垂直黑色矩陣551B的寬度W7和W8的差別形成PDP亮度的提高。
在考慮PDP的尺寸和外圍區(qū)的亮度后，需要形成水平黑色矩陣551A和垂直黑色矩陣551B，使其中心區(qū)的寬度與外圍區(qū)的寬度相差分別在20％或少于20％以內(nèi)。
因此，圖55和56所示的黑色矩陣551A和551B分別補(bǔ)償PDP在垂直和水平方向上外圍區(qū)和中心區(qū)之間的亮度差別。
如上面實(shí)施例所描述的，通過與屏蔽筋或驅(qū)動(dòng)電極結(jié)合，例如透明電極、金屬總線電極和地址電極，本發(fā)明第三十六到三十九實(shí)施例所示的黑色矩陣也可補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。
圖57到61表示根據(jù)本發(fā)明第四十到第四十三實(shí)施例的PDP。
參看圖57，在根據(jù)本發(fā)明第四十實(shí)施例的PDP中，形成在上基板31上的介電層571的厚度從PDP的外圍區(qū)到中心區(qū)變薄。MgO保護(hù)膜(未示出)沉積或印刷在介電層571的整個(gè)表面上將其覆蓋。
介電層571在PDP的中心區(qū)厚度最薄，從PDP的中心區(qū)到外圍區(qū)，其厚度臺(tái)階式逐漸變厚。因此，介電層571具有臺(tái)階形的截面。在PDP的中心區(qū)與外圍區(qū)之間存在厚度差的介電層571積累壁電荷并補(bǔ)償PDP中心區(qū)亮度的減弱。為了更具體地描述，如圖58所示，示出了亮度與形成在PDP上板上的介電層厚度之間的關(guān)系。
如圖58所示，介電層的厚度越厚，亮度越低。反之，介電層的厚度越薄，亮度越高。因此，由于介電層571在PDP的中心區(qū)薄而在外圍區(qū)較厚，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別。在考慮板尺寸和PDP的外圍亮度后，需要設(shè)定介電層571的厚度在中心區(qū)與在外圍區(qū)之間的差別為20％或少于20％。
參看圖59，根據(jù)本發(fā)明第四十一實(shí)施例的PDP包括介電層591，其具有臺(tái)階的截面，形成在PDP的垂直方向上或者水平方向上，從外圍區(qū)到中心區(qū)其厚度變薄。當(dāng)介電層591與圖57中所示的介電層571對(duì)比時(shí)，圖57中所示的介電層的厚度在PDP的垂直方向和水平方向上都不相同。另一方面，圖59中所示的介電層的厚度在PDP的垂直方向或者水平方向不同。
介電層591的最薄處在垂直方向或者水平方向上的中心區(qū)，并且其厚度從中心區(qū)到外圍區(qū)臺(tái)階式逐漸變厚。介電層591在中心區(qū)最薄并具有臺(tái)階形截面，其厚度從中心區(qū)到外圍區(qū)對(duì)稱性地變厚。介電層591厚度相等的區(qū)域是條帶形的平面結(jié)構(gòu)。因?yàn)榻殡妼?91積累壁電荷并且在PDP的中心區(qū)最薄，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)亮度的下降。MgO保護(hù)膜沉積或印刷在介電層591的整個(gè)表面上。在考慮板尺寸和PDP外圍區(qū)的亮度后，需要設(shè)定介電層591在PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別為20％或少于20％。
參看圖60，根據(jù)本發(fā)明第四十二實(shí)施例的PDP包括介電層601，其形成在上基板31上并且其厚度從PDP的外圍區(qū)到中心區(qū)線性地變薄。
介電層601在PDP的垂直方向和/或水平方向上在中心區(qū)最薄，并且其厚度從中心區(qū)到外圍區(qū)線性地變厚。因此，介電層601的表面相對(duì)于上基板31以一定的坡度傾斜。因?yàn)榻殡妼?01積累壁電荷并且在PDP的中心區(qū)最薄，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)亮度的下降。MgO保護(hù)膜沉積或印刷在介電層601的整個(gè)表面上。在考慮板尺寸和PDP外圍區(qū)的亮度后，需要設(shè)定介電層601在PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別為20％或少于20％。
參看圖61，根據(jù)本發(fā)明第四十三實(shí)施例的PDP包括介電層611，其形成在上基板31上，厚度從PDP的外圍區(qū)到中心區(qū)逐漸變薄，并且其表面制成彎曲形狀。
介電層611在PDP的垂直方向和/或水平方向上在中心區(qū)最薄，并且其厚度從PDP中心區(qū)到外圍區(qū)變厚。介電層611的表面相對(duì)于上基板31是傾斜的并彎曲成一定曲率。因?yàn)榻殡妼?11積累壁電荷并且在PDP的中心區(qū)最薄，就可以補(bǔ)償PDP中心區(qū)亮度的下降。MgO保護(hù)膜沉積或印刷在介電層611的整個(gè)表面上。在考慮板尺寸和PDP外圍區(qū)的亮度后，需要設(shè)定介電層61在PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別為20％或少于20％。
PDP的上板，在制作時(shí)使介電層571、591、601、611的厚度在中心區(qū)與在外圍區(qū)不同，可以與傳統(tǒng)的下板或上述實(shí)施例中的本發(fā)明PDP下板接合。
如上所述，與PDP中心區(qū)和外圍區(qū)之間亮度的差別對(duì)應(yīng)，本發(fā)明的PDP的屏蔽筋和驅(qū)動(dòng)電極如金屬總線電極、透明電極和地址電極等的寬度(或厚度)或間隙、黑色矩陣的厚度和介電層的厚度等等是不同的，如圖62所示，從而能將PDP中心區(qū)與外圍區(qū)之間的亮度差別限制在±1％以內(nèi)或者更小，從而使PDP的亮度在整個(gè)的屏幕上都是均勻的。
盡管本發(fā)明用上述附圖中所示的實(shí)施例解釋了本發(fā)明，但對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)普通熟知的人員應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并不受實(shí)施例的限制，而在不偏離本發(fā)明精神的情況下可以對(duì)其做出各種變化或修改。因此，本發(fā)明的范圍僅僅是由所附的權(quán)利要求及其等價(jià)條款確定。
權(quán)利要求
1.一種其中具有多個(gè)放電單元格的等離子顯示板，包括多個(gè)黑色矩陣，形成在放電單元格之間并且其寬度在等離子顯示板的中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于從中心區(qū)到外圍區(qū)每個(gè)黑色矩陣的寬度變寬。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于每個(gè)黑色矩陣的寬度是均勻的，并且根據(jù)其在等離子顯示板中的位置黑色矩陣具有不同的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于黑色矩陣包括與等離子顯示板水平方向平行的水平黑色矩陣；以及與等離子顯示板垂直方向平行的垂直黑色矩陣。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示板，還包括形成在水平黑色矩陣和垂直黑色矩陣之間的介電層。
全文摘要
一種適于提高整板亮度均勻性的等離子顯示板。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示板，其驅(qū)動(dòng)電極、屏蔽筋、黑色矩陣和介電層等的寬度和間隙在等離子顯示板的中心區(qū)與在外圍區(qū)不同。
文檔編號(hào)H01J17/49GK1783407SQ20051012887
公開日2006年6月7日 申請(qǐng)日期2002年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月15日
發(fā)明者樸憲建, 宋武剛 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社