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      能量回收電路及其驅(qū)動方法

      文檔序號:2603492閱讀:242來源:國知局
      專利名稱:能量回收電路及其驅(qū)動方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明是有關(guān)使用加速驅(qū)動方式的能量回收電路及其驅(qū)動方法的它可以在不降低驅(qū)動效率的前提下,使維持脈沖電壓的上升和下降動作加速。
      背景技術(shù)
      等離子顯示器最大的缺點是電力消耗大。也就是說,應(yīng)該為了降低電力消耗而提高發(fā)光效率,并把發(fā)生在與放電沒有關(guān)聯(lián)的驅(qū)動過程中的非必要能量消耗降至最低。
      目前交流型PDP都在電極上涂布電介質(zhì)層,以便利用在電介質(zhì)層表面發(fā)生的表面放電。對于交流型PDP來說,要提供使數(shù)萬乃至數(shù)百萬個細(xì)胞體維持放電的驅(qū)動脈沖,就需要數(shù)十萬乃至數(shù)百萬伏特的高壓,其頻率在數(shù)百千赫以上,如果這種驅(qū)動脈沖在細(xì)胞體內(nèi)被認(rèn)可,就能引起高靜電容量的充/放電。
      這樣,在PDP中引起充/放電時,雖然基板的電容性負(fù)載上沒有能量消耗,但是由于驅(qū)動脈沖是利用直流電源進(jìn)行的,所以PDP中就產(chǎn)生了大量的能量流失。尤其是,如果放電時細(xì)胞體內(nèi)流動著過多的電流,那么能量流失就更大,這種能量的流失會引起開關(guān)元件的溫度上升,而這種溫度上升在嚴(yán)重時會導(dǎo)致開關(guān)元件的損壞。為了回收這些在基板內(nèi)非必要發(fā)生的能量,在PDP的驅(qū)動電路中包含了能量回收電路。
      圖1是原有能量回收電路的電路圖。
      參照圖1,根據(jù)韋伯USP-50811400而提出的能量回收電路包括以下元件并聯(lián)在外部電容Css和感應(yīng)器L之間的第1和第2開關(guān)SW1 SW2;向基板電容Cp提供維持電壓Vs的第3開關(guān)SW3;向基板電容Cp提供基礎(chǔ)電壓GND的第4開關(guān)SW4。
      第1和第2開關(guān)SW1、SW2之間串聯(lián)著用來限制逆電流的第1和第2二極管D1、D2、基板電容Cp等價體現(xiàn)了基板的靜電容量,圖中符號Re、R-Cp表示的是基板上設(shè)置的電極Re和細(xì)胞體的寄生阻抗開關(guān)SW1、SW2、SW3、SW4表示使用半導(dǎo)體開關(guān)的元件(例如金屬、氧化膜、半導(dǎo)體、電場效果、晶體管收音機(jī))。
      假定向外部電容Css充入相當(dāng)于維持電壓一半的電壓,將圖1所示的能量回收電路和圖2結(jié)合起來進(jìn)行如下說明圖2體現(xiàn)的是圖1所示能量回收電路中開關(guān)的工作計時以及基板電容Cp在充/放電時的電壓和電流。
      在T1區(qū)間,如果第1開關(guān)SW1開啟,第2、3、4開關(guān)SW2、SW3、SW4關(guān)閉,那么外部電容Css中儲存的電壓經(jīng)由第1開關(guān)SW1和第1二極管D1提供給感應(yīng)器L。這樣,由于感應(yīng)器L和基板電容Cp共同構(gòu)成了LC串聯(lián)的共振電路,所以基板電容Cp由于共振波形而被充入電壓,充入基板電容Cp的電壓上升至維持電壓Vs此時,流經(jīng)感應(yīng)器L的正(+)共振電流隨電壓的增加從0開始增加,在到達(dá)一定值后又減少到0。
      在T2區(qū)間,如果第1開關(guān)SW1關(guān)閉,第3開關(guān)SW3開啟,那么維持電壓Vs經(jīng)由第3開關(guān)SW3被提供給基板電容Cp。此時,被阻擋在基板電容Cp一側(cè)的電壓支持著維持電壓Vs。
      在T3區(qū)間,如果第3開關(guān)SW3關(guān)閉,第2開關(guān)SW2開啟,那么被阻擋在基板電容Cp兩端的電壓經(jīng)由感應(yīng)器L,第2二極管D2和第2開關(guān)SW2被基板電容Cp將能量回收。此時,被阻擋在基板電容Cp一側(cè)的電壓從維持電壓Vs降至0。另外,流經(jīng)感應(yīng)器的負(fù)(-)共振電流隨著被阻擋在基板電容Cp一側(cè)的電壓的下降,從0開始上升至一定值后又下降為0。
      在T4區(qū)間,如果第2開關(guān)SW2關(guān)閉,第4開關(guān)SW4開啟,那么基板電容Cp的電壓降至基礎(chǔ)電壓GND。
      如上所述,原有的能量回收電路中,由于基板電容Cp兩端的電壓受自然共振的作用而進(jìn)行充/放電,所以存在著充/放電時間變長的問題。

      發(fā)明內(nèi)容因此,本發(fā)明的目的在于利用給感應(yīng)器充電的加速方式來代替原來能量回收電路的LC共振電路,從而提高維持脈沖電壓的上升和下降速度。
      為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的能量回收電路由以下幾個部分組成外部電容;等價形成于基板放電細(xì)胞上的基板電容;連接在上述外部電容和上述基板電容之間的感應(yīng)器;連接在上述外部電容和上述感應(yīng)器的一側(cè)之間的第1開關(guān);設(shè)置在上述感應(yīng)器的另一側(cè)和上述基礎(chǔ)電壓源之間,由于外部電容內(nèi)被充入電壓而在上述感應(yīng)器被充電時,與第一開關(guān)同時開啟的第2開關(guān);設(shè)置在上述感應(yīng)器的一側(cè)和上述基礎(chǔ)電壓源之間借以形成電流通路的第1二極管,該電流通路能夠把上述第1和第2開關(guān)關(guān)閉時遺留在上述感應(yīng)器內(nèi)的第1逆電壓提供給上述基板電容。
      上述能量回收電路增設(shè)了以下幾個部分維持電壓源;設(shè)置在上述維持電壓源和基板電容之間,在上述感應(yīng)器內(nèi)遺留的第1逆電壓向基板電容充電后被開啟,以便將上述維持電壓源的電壓提供給基板電容的第3開關(guān);設(shè)置在上述感應(yīng)器的一側(cè)和上述外部電容之間,由于上述外部電容的電壓作用而在感應(yīng)器被充電時開啟的第4開關(guān);設(shè)置在上述感應(yīng)器的一側(cè)和上述維持電壓源之間,在由于第3和第4開關(guān)關(guān)閉造成上述感應(yīng)器內(nèi)遺留第2逆電壓時,為形成從基板電容經(jīng)感應(yīng)器至維持電壓源的電流通路而開啟的第2二極管。
      本發(fā)明能量回收電路的驅(qū)動方法包括以下幾個步驟依靠外部電容的電壓向感應(yīng)器充電的步驟;感應(yīng)器被充電后,內(nèi)部遺留第1逆電壓的步驟;感應(yīng)器內(nèi)遺留的第1逆電壓經(jīng)過設(shè)置在自身一側(cè)和基礎(chǔ)電位之間的包括第1二極管在內(nèi)的第1電流通路,向基板電容充電的步驟;向基板電容提供維持電壓的步驟;在將上述維持電壓向上述基板電容提供的過程中,上述感應(yīng)器利用維持電壓充電的步驟;上述感應(yīng)器內(nèi)遺留第2逆電壓的步驟;上述感應(yīng)器內(nèi)遺留第2逆電壓時,上述被充入基板電容的電壓經(jīng)過由感應(yīng)器和第2二極管形成的第2電流通路進(jìn)行放電的步驟。
      此外,還增加了一個當(dāng)利用第2二極管形成第2電流通路之后,基板電容依靠基礎(chǔ)電壓源來維持基礎(chǔ)電位的步驟。
      對于本發(fā)明除此之外的其他目的和特征,參照附圖通過對具體實施例的說明就可以明白了。
      如上所述,本發(fā)明的能量回收電路采用加速的方式向感應(yīng)器充電,以使維持脈沖的電壓的上升和下降速度加快。并且,沒有對原有能量回收電路進(jìn)行改動,只是通過調(diào)節(jié)開關(guān)的驅(qū)動脈沖就可以實現(xiàn)加速的上升和下降。
      通過上述的說明內(nèi)容,相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多樣的變更以及修改。因此,本項發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利范圍來確定其技術(shù)性范圍。

      圖1是原有能量回收電路的電路圖;圖2是圖1所示能量回收電路的驅(qū)動波形圖;圖3是本發(fā)明的能量回收電路的電路圖;圖4是圖3所示的能量回收電路的驅(qū)動波形圖;圖5是在感應(yīng)器充電區(qū)間,圖3所示能量回收電路的工作電路圖;圖6是在加速電壓上升區(qū)間,圖3所示能量回收電路的工作電路圖;圖7是在支持維持電壓區(qū)間,圖3所示的能量回收電路的工作電路圖;圖8是在感應(yīng)器充電區(qū)間,圖3所示的能量回收電路的工作電路圖;圖9是在加速電壓下降區(qū)間,圖3所示的能量回收電路的工作電路圖。
      具體實施方式

      下面將參照圖3至圖9對本發(fā)明的理想實施例進(jìn)行說明。
      圖3是本發(fā)明能量回收電路的示意圖。
      參照圖3,本發(fā)明具體實施例的能量回收電路由以下幾個部分組成并聯(lián)在外部電容Css和感應(yīng)器L之間的第1和第2開關(guān)SW1、SW2;向基板電容Cp提供維持電壓Vs的第3開關(guān)SW3;向基板電容Cp提供基礎(chǔ)電壓GND的第4開關(guān)SW4。
      并且,本發(fā)明的能量回收電路包括以下幾個部分在感應(yīng)器L向基板電容Cp提供電壓時,借以形成電流通路的第3開關(guān)D3;在充入基板電容的電壓進(jìn)行放電時,與感應(yīng)器L一起形成電流通路的第4二極管。
      為了限制第1和第2開關(guān)SW1、SW2之間的逆電流,而將第1和第2二極管D1、D2串聯(lián)連接,第3二極管D3連接在感應(yīng)器L和基礎(chǔ)電壓源GND之間,第4二極管D4連接在感應(yīng)器L和維持電壓源Vs之間基板電容Cp等價體現(xiàn)了基板的靜電容量值。圖中符號Re和R-Cp表示設(shè)置在基板上的電極和細(xì)胞體的寄生阻抗。開關(guān)SW1、SW2、SW3、SW4表示使用半導(dǎo)體開關(guān)的元件,例如晶體管收音機(jī)。
      假定向外部電容Css充入相當(dāng)于維持電壓Vs一半的電壓,將圖3所示的能量回收電路和圖4結(jié)合起來進(jìn)行如下說明圖4體現(xiàn)的是圖3所示的能量回收電路中開關(guān)的工作計時,充/放電時被阻擋在基板電容Cp的電壓和流經(jīng)感應(yīng)器L的電流IL。
      T1之前的區(qū)間表示初始狀態(tài),即呈現(xiàn)第1、2和第3開關(guān)SW1、SW2、SW3關(guān)閉,而第4開關(guān)SW4開啟的狀態(tài),是使基板電容Cp的一側(cè)電壓Vp保持基礎(chǔ)電壓GND狀態(tài)的區(qū)間。
      在T1區(qū)間,第4開關(guān)SW4保持開啟狀態(tài),第1開關(guān)SW1被開啟。如果第1開關(guān)SW1開啟,如圖5所示,則形成經(jīng)由外部電容Css、第1開關(guān)SW1、第1二極管D1、感應(yīng)器L和第4開關(guān)SW4連接基礎(chǔ)電壓源GND的通路。此時,外部電容Css放出電流(電壓)向感應(yīng)器L充電。因此,感應(yīng)器L在T1區(qū)間內(nèi)被充入規(guī)定的電流(電壓)。這里,T1區(qū)間被規(guī)定至感應(yīng)器L大致被充入相當(dāng)于維持電壓Vs的電壓(電流)時為止。
      在T2區(qū)間,第1和第4開關(guān)SW1、SW4關(guān)閉。如果第1和第4開關(guān)SW1、SW4關(guān)閉,如圖6所示,則感應(yīng)器內(nèi)被遺留下逆電壓。此時,由于形成了經(jīng)由第3二極管D3、感應(yīng)器L、設(shè)置在基板上的電極Re,基板電容Cp連接到基礎(chǔ)電壓源GND的通路,所以被遺留在感應(yīng)器L內(nèi)的逆電壓被提供給基板電容Cp。這里,基板電容Cp依靠感應(yīng)器L的反電動勢實現(xiàn)快速充電。此時,第3二極管D3通過感應(yīng)器L的電流通路進(jìn)行工作。
      在T3區(qū)間,第3開關(guān)SW3開啟,如果第3開關(guān)SW3開啟,如圖7所示,則形成經(jīng)由維持電壓Vs、第3開關(guān)SW3、設(shè)置在基板上的電極Re和基板電容Cp連接到基礎(chǔ)電壓源GND的通路。此時,維持電壓Vs經(jīng)由第3開關(guān)SW3被提供給基板電容Cp,基板電容Cp在保持維持電壓Vs的同時引起維持放電。
      在T4區(qū)間,第3開關(guān)SW3繼續(xù)保持開啟狀態(tài),第2開關(guān)SW2開啟如果第2開關(guān)SW2開啟,如圖8所示,則形成經(jīng)由維持電壓Vs、第3開關(guān)SW3、感應(yīng)器L、第2二極管D2、第2開關(guān)SW2和外部電容Css連接至基礎(chǔ)電壓源GND的通路。此時,外部電容Css被充入大致相當(dāng)于維持電壓Vs一半的電壓。
      在T5區(qū)間,第2和第3開關(guān)SW2、SW3關(guān)閉,如果第2和第3開關(guān)SW2 SW3關(guān)閉,如圖9所示,感應(yīng)器L內(nèi)被遺留下逆電壓,此時形成經(jīng)由基板電容Cp,設(shè)置在基板上的電極Re、感應(yīng)器L、第4二極管D4連接至維持電壓源Vs的通路。這里,由于感應(yīng)器的負(fù)極與基板電容Cp相連,所以儲存在基板電容Cp內(nèi)的電壓依靠感應(yīng)器L的反電動勢實現(xiàn)快速放電(電壓加速下降)。此時,第4二極管D4通過感應(yīng)器L的電流通路進(jìn)行工作。
      在T4之后的區(qū)間,第4開關(guān)SW4開啟,如果第4開關(guān)SW4開啟則形成經(jīng)由基板電容Cp,設(shè)置在基板上的電極Re、第4開關(guān)SW4與基礎(chǔ)電壓源GND相連的通路。此時,基板電容Cp一側(cè)的電壓Vp保持在基礎(chǔ)電壓GND狀態(tài)。
      即,在本發(fā)明中,利用被遺留在感應(yīng)器L內(nèi)的逆電壓來向基板電容Cp的一側(cè)電壓實施充電和放電,所以能夠得到具備加速上升和下降特性的維持脈沖。
      權(quán)利要求
      1.能量回收電路,由以下幾個部分組成外部電容;等價形成于基板放電細(xì)胞上的基板電容;連接在上述外部電容和上述基板電容之間的感應(yīng)器;連接在上述外部電容和上述感應(yīng)器一側(cè)之間的第1開關(guān);設(shè)置在上述感應(yīng)器的另一側(cè)和上述基礎(chǔ)電壓源之間,由于外部電容內(nèi)被充入電壓而在感應(yīng)器被充電時,與第一開關(guān)同時開啟的第2開關(guān);設(shè)置在上述感應(yīng)器的一側(cè)和上述基礎(chǔ)電壓源之間借以形成電流通路的第1二極管,該電流通路能夠把上述第1和第2開關(guān)關(guān)閉時遺留在上述感應(yīng)器內(nèi)的第1逆電壓提供給上述基板電容。
      2.如權(quán)利要求項1所述的能量回收電路,其特征在于,所述回收電路還包括維持電壓源;設(shè)置在上述維持電壓源和基板電容之間,在上述感應(yīng)器內(nèi)遺留的第1逆電壓向基板電容充電后被開啟,以便將上述維持電壓源的電壓提供給基板電容的第3開關(guān)。
      3.如權(quán)利要求項2所述的能量回收電路,其特征在于,所述回收電路還包括設(shè)置在上述感應(yīng)器的一側(cè)和上述外部電容之間,由于上述外部電容的電壓的作用而在感應(yīng)器被充電時開啟的第4開關(guān)。
      4.如權(quán)利要求項3所述的能量回收電路,其特征在于,所述回收電路還包括設(shè)置在上述感應(yīng)器的一側(cè)和上述維持電壓源之間,在由于第3和第4開關(guān)關(guān)閉造成上述感應(yīng)器內(nèi)遺留第2逆電壓時,為形成從基板電容經(jīng)感應(yīng)器至維持電壓源的電流通路而開啟的第2二極管。
      5.能量回收電路的驅(qū)動方法,包括依靠外部電容的電壓向感應(yīng)器充電的步驟;在感應(yīng)器充電后,在感應(yīng)器內(nèi)遺留第1逆電壓的步驟;感應(yīng)器內(nèi)遺留的第1逆電壓依靠設(shè)置在自身一側(cè)和基礎(chǔ)電位之間的包括第1二極管在內(nèi)的第1電流通路,向基板電容充電的步驟;向基板電容提供維持電壓的步驟;在將上述維持電壓向上述基板電容提供的過程中,上述感應(yīng)器依靠維持電壓充電的步驟;上述感應(yīng)器內(nèi)遺留第2逆電壓的步驟;上述感應(yīng)器內(nèi)遺留第2逆電壓時,上述被充入基板電容的電壓經(jīng)感應(yīng)器和第2二極管形成的第2電流通路進(jìn)行放電的步驟。
      6.如權(quán)利要求項5所述的能量回收電路的驅(qū)動方法,其特征在于,所述方法還包括當(dāng)利用第2二極管形成電流通路之后,上述基板電容依靠基礎(chǔ)電壓源來維持基礎(chǔ)電位的步驟。
      全文摘要
      本發(fā)明是有關(guān)使用加速驅(qū)動方式的能量回收電路及其驅(qū)動方法的它可以在不降低驅(qū)動效率的前提下,使維持脈沖電壓的上升和下降的動作加速。本發(fā)明的能量回收電路由以下幾個部分組成外部電容;等價形成于基板放電細(xì)胞上的基板電容;連接在上述外部電容和上述基板電容之間的感應(yīng)器; 連接在上述外部電容和上述感應(yīng)器的一側(cè)之間的第1開關(guān);設(shè)置在上述感應(yīng)器的另一側(cè)和上述基礎(chǔ)電壓源之間,由于外部電容內(nèi)被充入電壓而在上述感應(yīng)器被充電時,與第一開關(guān)同時開啟的第2開關(guān);設(shè)置在上述感應(yīng)器的一側(cè)和上述基礎(chǔ)電壓源之間借以形成電流通路的第1二極管,該電流通路能夠把上述第1和第2開關(guān)關(guān)閉時遺留在上述感應(yīng)器內(nèi)的第1逆電壓提供給上述基板電容。
      文檔編號G09F9/313GK1779756SQ2004100843
      公開日2006年5月31日 申請日期2004年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月19日
      發(fā)明者崔正泌 申請人:南京Lg同創(chuàng)彩色顯示系統(tǒng)有限責(zé)任公司
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