專利名稱：非接觸id卡及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非接觸ID(識(shí)別信息)卡類及其制造方法。
背景技術(shù)：
以往，在天線電路基板上安裝有IC芯片的、所謂非接觸ID卡或非接觸標(biāo)簽等(以下，將這樣的部件統(tǒng)稱為非接觸ID卡)眾所周知有各種各樣的形式。
作為其一例，可列舉以下非接觸ID卡包括在基材上形成了天線的天線電路基板、和在搭載了IC芯片的基材上形成了與前述IC芯片電極相連接的放大電極的內(nèi)插基板，將兩基板層疊以導(dǎo)通前述天線的電極和前述放大電極(例如，參照下述專利文獻(xiàn)1)。在所述非接觸ID卡中，用導(dǎo)電性粘接材料或?qū)щ娦哉掣讲牧蟻?lái)接合(以下稱為粘接接合)天線的電極和放大電極從而使其導(dǎo)通，或者，不粘接天線的電極和放大電極而是使其緊貼(以下稱為非粘接接合)從而使其導(dǎo)通。
可是，如果進(jìn)行上述的粘接接合，則因?yàn)槭菍⒑齽罨蛘弑∧畹膶?dǎo)電性粘接材料或?qū)щ娦哉掣讲牧贤糠蠡蛘迟N在某一個(gè)微小的電極上，所以該操作麻煩且難以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行，并容易產(chǎn)生接合位置的偏離。因此，需要進(jìn)一步改善生產(chǎn)性或電氣特性等。此外，如果進(jìn)行上述的非粘接接合，則因?yàn)椴皇褂脤?dǎo)電性粘接材料或?qū)щ娦哉掣讲牧隙辰觾苫?，保持兩電極的緊貼狀態(tài)，所以雖然與上述的粘接接合相比生產(chǎn)性優(yōu)異，但另一方面，兩電極的導(dǎo)通狀態(tài)不穩(wěn)定，導(dǎo)致電氣特性變差。
于是，進(jìn)行了以下嘗試粘接接合天線的電極和放大電極并且將兩基材彼此粘接；或者，兩電極不作成一般的金屬電極，而是將至少某一個(gè)電極作成由導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極等；但進(jìn)行了以上嘗試的結(jié)果是仍然不能完全消除上述問(wèn)題。
專利文獻(xiàn)1國(guó)際公開第01/62517號(hào)小冊(cè)子(參照?qǐng)D1)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而提出，其目的在于提供一種生產(chǎn)性及電氣特性優(yōu)異的非接觸ID卡以及可制造這樣的非接觸ID卡的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明涉及的非接觸ID卡，包括在基材上形成了天線的天線電路基板、和在搭載有IC芯片的基材上形成了與前述IC芯片的電極相連接的放大電極的內(nèi)插基板，層疊兩基板使得前述天線的電極與前述放大電極接合而成，其中，兩電極利用填充在分散存在于前述天線電極和/或前述放大電極的接合面上的微細(xì)凹部中的絕緣性粘接材料粘接接合從而導(dǎo)通。
此外，在本發(fā)明的非接觸ID卡的制造方法中，將在基材上形成了天線的天線電路基板、和在搭載有IC芯片的基材上形成了與前述IC芯片的電極相連接的放大電極的內(nèi)插基板層疊成前述天線電極與前述放大電極位置對(duì)合的姿勢(shì)之前，在前述天線電極與前述放大電極的至少一方上涂敷絕緣性粘接材料，將前述絕緣性粘接材料填充到分散存在于電極接合面上的微細(xì)凹部中，接著，在前述層疊后，通過(guò)加壓使兩電極彼此緊貼，由此利用填充在前述微細(xì)凹部中的前述絕緣性粘接材料，使兩電極彼此粘接接合從而導(dǎo)通。
或者，在本發(fā)明的非接觸ID卡的制造方法中，將在基材上形成了天線的天線電路基板、和在搭載有IC芯片的基材上形成了與前述IC芯片的電極相連接的放大電極的內(nèi)插基板層疊成前述天線電極與前述放大電極位置對(duì)合的姿勢(shì)之前，在前述天線電極與前述放大電極的至少一方上涂敷絕緣性粘接材料，接著，在前述層疊后，通過(guò)加壓加熱使兩電極彼此緊貼，將前述絕緣性粘接材料填充到分散存在于兩電極的至少一方的接合面上的微細(xì)凹部中，并且將前述絕緣性粘接材料的剩余部分從前述緊貼部向電極側(cè)周部壓出，利用填充在前述微細(xì)凹部中的前述絕緣性粘接材料，使兩電極彼此粘接接合從而導(dǎo)通。
這樣，因?yàn)槔锰畛湓诜稚⒋嬖谟谔炀€電極和/或放大電極的接合面上的微細(xì)凹部中的絕緣性粘接材料，使兩電極粘接接合，所以可以將兩電極在彼此導(dǎo)通的狀態(tài)下牢固地接合。
根據(jù)本發(fā)明，在分散存在于天線電極和/或前述放大電極的接合面上的微細(xì)凹部中填充絕緣性粘接材料，且，利用所述填充的絕緣性粘接材料對(duì)兩電極彼此進(jìn)行粘接接合，所以即使使用絕緣性粘接材料，也可以使兩電極的接合面上未形成微細(xì)凹部的部分彼此緊貼，從而使兩電極彼此導(dǎo)通，另一方面，可以如上所述，利用絕緣性粘接材料使兩電極的接合面上形成微細(xì)凹部的部分牢固地粘接接合。因此，可以提供生產(chǎn)性及電氣特性優(yōu)異的非接觸ID卡以及可制造這樣的非接觸ID卡的方法。


圖1是非接觸ID卡的俯視圖。
圖2是圖1的X-X向剖視圖。
圖3是天線電路基板的俯視圖。
圖4是圖3的主視圖。
圖5是內(nèi)插基板的俯視圖。
圖6是圖5的縱剖視圖。
圖7是圖2的電極接合部的放大圖。
圖8是表示接合開始時(shí)天線電路基板與圖6的內(nèi)插基板兩者的位置關(guān)系的縱剖視圖。
圖9是表示使涂敷在天線電路基板的電極(天線電極)上的絕緣性粘接材料與圖6的內(nèi)插基板的放大電極接觸的姿勢(shì)的縱剖視圖。
圖10是表示天線電路基板的電極(天線電極)與圖6的內(nèi)插基板的放大電極接合在一起的姿勢(shì)的縱剖視圖。
圖11是表示內(nèi)插基板的其他例子的縱剖視圖。
圖12是表示內(nèi)插基板的其他例子的縱剖視圖。
圖13是表示內(nèi)插基板的其他例子的縱剖視圖。
圖14是表示天線電路基板的電極(天線電極)與圖12的內(nèi)插基板的放大電極接合在一起的姿勢(shì)的縱剖視圖。
圖15是圖14的電極接合部的放大圖。
圖16是表示接合開始時(shí)天線電路基板與圖12的內(nèi)插基板兩者的位置關(guān)系的縱剖視圖。
圖17是表示使涂敷在天線電路基板的電極(天線電極)上的絕緣性粘接材料與圖12的內(nèi)插基板的放大電極接觸的姿勢(shì)的縱剖視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的非接觸ID卡通過(guò)層疊天線電路基板和內(nèi)插基板而構(gòu)成，其一例示于俯視圖的圖1和作為圖1的X-X向剖視圖的圖2中。
在圖1、圖2中，在下側(cè)的天線電路基板2上層疊有內(nèi)插(interposer)基板7。所述天線電路基板2，如俯視圖的圖3和作為圖3的主視圖的圖4所示，構(gòu)成為在由絕緣材料即樹脂薄膜構(gòu)成的矩形基材9上形成了天線6以及與其連接的電極3a、3b(以下稱為天線電極)。
該天線6以及天線電極3a、3b由以下方法形成將混合導(dǎo)電性粒子和樹脂粘合劑而成的導(dǎo)電性粘接材料印刷在樹脂薄膜上并使其干燥或固化。即、天線電極3a、3b如圖所示是單層的樹脂電極。
此外，上述的天線6以及天線電極3a、3b也可以通過(guò)對(duì)粘貼在樹脂薄膜上的鋁箔或銅箔進(jìn)行蝕刻加工而形成。此時(shí)，電極是金屬電極。
另一方面，內(nèi)插基板7，如俯視圖的圖5和作為圖5的縱剖視圖的圖6所示，構(gòu)成為在由絕緣材料即樹脂薄膜構(gòu)成的矩形基材10上埋設(shè)IC芯片4、即、以IC芯片4的電路面與基材10的上表面形成同一平面的方式將IC芯片4埋設(shè)在基材10中，而且，形成與IC芯片4的電極12a、12b相連接的放大電極11a、11b。
另外，放大電極11a、11b形成在于基材10上形成的絕緣樹脂層8上，經(jīng)由其連接端子21a、21b(例如將混合導(dǎo)電性粒子和樹脂粘合劑而成的導(dǎo)電性粘接材料填充在貫通絕緣樹脂層的通孔中并使之固化而形成)連接在IC芯片4的電極12a、12b上。
該放大電極11a、11b以及連接端子21a、21b利用以下方法形成在絕緣樹脂層上形成通孔后，將混合導(dǎo)電性粒子和樹脂粘合劑而成的導(dǎo)電性粘接材料印刷填充在通孔中，并使之干燥或固化。
該放大電極11a、11b也與上述天線電極3a、3b同樣地是由混合導(dǎo)電性粒子和樹脂粘合劑而成的導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂單層電極。
天線電極3a、3b及放大電極11a、11b如圖1和圖2所示，都形成為平面狀。如果是平面狀的電極，則在進(jìn)行兩電極的粘接接合時(shí)可以以層壓網(wǎng)狀物的方式接合，所以容易實(shí)現(xiàn)接合的高速化。此外，上述的天線電極3a、3b及放大電極11a、11b以成為其各自的接合面彼此緊貼的姿勢(shì)的方式局部地粘接接合在一起。在圖7中放大地示出了一個(gè)天線電極3a與放大電極11a的接合姿勢(shì)。未圖示的另一個(gè)天線電極3b與放大電極11b的接合姿勢(shì)也與之相同。
另外，天線電路基板2和內(nèi)插基板7都是膜狀或片狀的實(shí)質(zhì)上平面狀的基板。因此，天線電路基板2和內(nèi)插基板7的粘接接合可以通過(guò)層疊并貼合膜狀物或者網(wǎng)狀物來(lái)進(jìn)行，所以可以高效地進(jìn)行粘接接合。
如圖所示，天線電極3a和放大電極11a利用填充在形成于各自接合面上的微細(xì)凹部31、32中的絕緣性粘接材料33進(jìn)行粘接接合。所述凹部31、32不是人為地對(duì)天線電極3a和放大電極11a的接合面進(jìn)行表面粗糙化處理而形成的，而是伴隨著電極的形成而原始地形成的，其分散存在于接合面上。在圖7中，為了容易理解，凹部31、32比實(shí)際上更大地繪出。
在半導(dǎo)體芯片的倒裝片式接合中，公知的有所謂NCP接合加工方法在形成于半導(dǎo)體芯片的電極上的電極突起(凸塊)與電路基板的電極接合時(shí)，將絕緣性樹脂涂敷到基板的電極上，接著使半導(dǎo)體芯片的凸塊與基板電極抵接并加壓加熱，利用絕緣性樹脂固化時(shí)的收縮應(yīng)力進(jìn)行接合。但是，在NCP接合加工方法中，利用經(jīng)過(guò)光刻或提離法等的復(fù)雜的凸塊形成工序以規(guī)則排列凸塊，與之相對(duì)，本發(fā)明的電極通過(guò)印刷混合導(dǎo)電性粒子和樹脂粘合劑而成的導(dǎo)電性粘接材料并使之干燥或固化而原始地形成。由此，可以簡(jiǎn)便且廉價(jià)地形成接合用的電極突起(在本發(fā)明中為微細(xì)凸部)。
在使用絕緣性粘接材料33來(lái)接合上述的天線電極3a、3b及放大電極11a、11b時(shí)，可以使未形成凹部31、32的部分(接合面的一部分)彼此緊貼以使兩電極彼此導(dǎo)通，且可以利用填充在凹部31、32中的微量的絕緣性粘接材料33來(lái)更牢固地粘接接合兩電極。凹部31、32的大小為0.1μm～100μm，優(yōu)選地為0.5μm～50μm。更優(yōu)選地為5μm～50μm。
另外，上述的微細(xì)凹部31、32不限于在樹脂電極中形成，也可以在金屬電極中形成。因此，天線電極3a、3b及放大電極11a、11b可以是金屬電極、樹脂電極或者層疊了金屬電極和樹脂電極而成的電極中的任一種。
但是，優(yōu)選地，至少某一方是樹脂電極。因?yàn)樯鲜龅臉渲姌O比金屬電極更易形成較大的凹部31、32。在金屬電極中，如果使用將原材料的銅箔進(jìn)行表面粗糙化處理而得的銅箔，則可以形成較大的凹部。
作為上述導(dǎo)電性粒子的例子，可以例舉銀粒子、在銅粒子上鍍銀的粒子、混合了碳與銀粒子的混合物等，樹脂粘合劑可以是熱塑性或熱固化性粘合劑中的任一種。根據(jù)所述粘合劑的選擇來(lái)決定導(dǎo)電性粘接材料的熱塑性或者熱固化性。
另外，也可以是混合了熱塑性樹脂和熱固化性樹脂的樹脂粘合劑。作為熱塑性樹脂的例子，例舉聚酯類樹脂、丙烯酸類樹脂等，作為熱固化性樹脂，例舉環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺類樹脂等。
上述組成的導(dǎo)電性粘接材料是糊劑體，將其涂敷(例如滴下或者印刷)而形成樹脂電極的天線電極3a、3b或者放大電極11a、11b或者兩電極。與熱固化性導(dǎo)電性粘接材料相比，熱塑性導(dǎo)電性粘接材料可以縮短涂敷后的后處理時(shí)間，所以是優(yōu)選的。
在熱塑性樹脂粘合劑、混合了熱塑性樹脂與熱固化性樹脂而成的樹脂粘合劑、或者與熱塑性樹脂粘合劑同樣地在加熱時(shí)顯出緊貼性或粘接性的其他樹脂粘合劑中混入了導(dǎo)電性粒子所得的導(dǎo)電性粘接材料也是優(yōu)選的。
在將熱塑性導(dǎo)電性粘接材料稀釋在溶劑中，對(duì)其進(jìn)行印刷(例如絲網(wǎng)印刷)而形成天線電極3a、3b或者放大電極11a、11b或者兩電極時(shí)，在印刷后使該電極干燥后進(jìn)行接合。在使用熱固化性導(dǎo)電性粘接材料的情況下與上述情況相同。熱固化性導(dǎo)電性粘接材料的緊貼強(qiáng)度較大，但是印刷后的后處理時(shí)間(熱固化時(shí)間)比較長(zhǎng)(一般為數(shù)秒以上)。因此，根據(jù)非接觸ID卡所要求的電氣特性等的可靠性而將兩者區(qū)分使用為宜。
兩電極的粘接接合以下述方式進(jìn)行在天線電極3a、3b與放大電極11a、11b位置對(duì)合的姿勢(shì)下層疊天線電路基板2與內(nèi)插基板7，但在此之前，在天線電極3a、3b與放大電極11a、11b的某一方或者雙方上涂敷絕緣性粘接材料33，將前述絕緣性粘接材料填充到分散存在于電極接合面上的微細(xì)凹部中，接著，在前述層疊后，進(jìn)行加壓以使兩電極彼此緊貼，利用填充在微細(xì)凹部31、32中的絕緣性粘接材料33將兩電極彼此接合。
此外，兩電極的另一種粘接接合以下述方式進(jìn)行在天線電極3a、3b與放大電極11a、11b位置對(duì)合的姿勢(shì)下層疊天線電路基板2與內(nèi)插基板7，但在此之前，在天線電極3a、3b與放大電極11a、11b的某一方或者雙方上涂敷絕緣性粘接材料33，接著，在前述層疊后，進(jìn)行加壓加熱以使兩電極彼此緊貼，將絕緣性粘接材料33填充到分散存在于兩電極各自的接合面上的微細(xì)凹部31、32中，并且絕緣性粘接材料33的剩余部分從前述緊貼部向電極側(cè)周部壓出，利用填充在微細(xì)凹部31、32中的絕緣性粘接材料33將兩電極彼此接合。
通過(guò)加壓加熱可以將絕緣性粘接材料33填充到微細(xì)凹部的微細(xì)部分中，但是如果在層疊接合之前將絕緣性粘接材料33涂敷到電極上并填充于微細(xì)凹部中，則可僅利用前述加壓使兩電極彼此接合，所以不需要加熱裝置，裝置變得簡(jiǎn)潔化，而且層疊接合也實(shí)現(xiàn)高速化，所以生產(chǎn)性得到提高。
此外，為了保護(hù)電極部且提高接合的可靠性，可以使用具有密封作用(例如防水性等)的絕緣性粘接材料33。在該情況下，在使兩電極彼此接合時(shí)，如果通過(guò)加壓加熱將絕緣性粘接材料33向電極側(cè)周部壓出并配置在電極周圍，則可以密封電極部，從而提高接合部的電氣接合的可靠性。
絕緣性粘接材料33不限于除了具有絕緣性之外還具有粘接性的材料，比較理想的是除了絕緣性之外還具有粘附性的、包含所謂絕緣性粘附材料從而即使冷卻也具有粘附性的材料。作為代表例，可以例舉EVA類、聚烯烴類、合成橡膠類、粘接性聚合體類、聚氨酯類反應(yīng)類等的熱熔性粘接材料，該熱熔性粘接材料具有以下特性通過(guò)加熱加壓而容易擴(kuò)展開從而形成較薄的層。
其中，合成橡膠類熱熔性粘接材料具有即使在低加壓力下也容易擴(kuò)展開從而形成較薄的層的特性，所以是最理想的。絕緣性粘接材料33相對(duì)于天線電極3a、3b以及放大電極11a、11b中某一方的涂敷可以使用現(xiàn)有公知的方法，例如使用噴嘴的滴下方法、或者使用銷或輥的轉(zhuǎn)印方法等。
將絕緣性粘接材料33預(yù)先涂敷在電極上時(shí)，通過(guò)加熱而使其易于流動(dòng)，利用滴下或轉(zhuǎn)印等方法進(jìn)行涂敷，則可以充分地填充到微細(xì)凹部的微細(xì)部分中。因此，如果預(yù)先加熱絕緣性粘接材料33并涂敷到微細(xì)凹部中，則如上述例子所述僅對(duì)兩電極加壓就可使其接合。
關(guān)于上述的粘接接合，基于圖8～圖10更具體地進(jìn)行說(shuō)明，圖8表示要層疊下側(cè)的天線電路基板2和上側(cè)的內(nèi)插基板7的姿勢(shì)，在下側(cè)的天線電極3a、3b上涂敷有絕緣性粘接材料33。另一方面，上側(cè)的放大電極11a、11b相對(duì)于天線電極3a、3b進(jìn)行位置對(duì)合以成為適于接合的狀態(tài)。
然后，圖9表示內(nèi)插基板7下降而使放大電極11a、11b與天線電極3a、3b上的絕緣性粘接材料33接觸的狀態(tài)的層疊姿勢(shì)。進(jìn)而，圖10表示相對(duì)于天線電路基板2對(duì)內(nèi)插基板7加熱加壓使兩電極彼此緊貼的姿勢(shì)，即、示出了使放大電極11a、11b與天線電極3a、3b緊貼的姿勢(shì)。
所述加熱加壓雖然未圖示，但是使用加熱工具來(lái)進(jìn)行。利用加熱工具進(jìn)行加熱加壓以使兩電極彼此緊貼，由此如上所述，將絕緣性粘接材料33填充到分散存在于兩電極各自的接合面上的微細(xì)凹部31、32(參照?qǐng)D7)中，并且將絕緣性粘接材料33的剩余部分從前述緊貼部向電極側(cè)周部壓出，利用填充在微細(xì)凹部31、32中的絕緣性粘接材料33將兩電極彼此粘接接合。另外，在選擇上述的熱熔性粘接材料作為絕緣性粘接材料33時(shí)，可以以0.05秒～0.2秒左右的極短的時(shí)間進(jìn)行兩基板的層疊接合。
在本發(fā)明中，內(nèi)插基板7也可以取代上述的圖6的基板而采用圖11的基板。其中，雖然將IC芯片4埋設(shè)在基材10中，但不埋設(shè)而是搭載于其上也可以。出于使基板薄型化的考慮，優(yōu)選地將IC芯片4埋設(shè)在基材10中。
如果使用在樹脂膜中埋設(shè)IC芯片4的網(wǎng)狀的內(nèi)插基板、和同樣由樹脂膜薄膜等形成的網(wǎng)狀的天線電路基板，則可以像通常處理網(wǎng)狀物那樣用多輥法層疊接合兩電極從而制造非接觸ID卡。
此外，如上所述，對(duì)于放大電極11a、11b與天線電極3a、3b的至少某一方，可以取代是單層電極且為樹脂電極這一點(diǎn)，而使其為層疊電極、且是由組成不同的多種導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極。例如，可以是在由熱固化性的導(dǎo)電性粘接材料形成的下層電極上形成了由熱塑性的導(dǎo)電性粘接材料形成的上層電極而成的層疊電極。
進(jìn)而，如圖12和圖13所示，放大電極11a、11b可以是層疊電極，包括在基材10上形成的金屬電極35、和在該金屬電極35上由導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極36。圖12的內(nèi)插基板7備有絕緣性樹脂層8，但圖13的內(nèi)插基板7沒有絕緣性樹脂層8。
如圖14所示，可以接合圖12的內(nèi)插基板7和天線電路基板2。其中，天線電極3a、3b及放大電極11a、11b也以各自的接合面彼此緊貼的姿勢(shì)粘接接合在一起。在圖15中放大地示出了一個(gè)天線電極3a與放大電極11a的接合姿勢(shì)。未圖示的另一個(gè)天線電極3b與放大電極11b的接合姿勢(shì)也與之相同。
如圖所示，天線電極3a和放大電極11a利用填充在形成于各自接合面上的微細(xì)凹部31、32中的絕緣性粘接材料33進(jìn)行粘接接合。另外，放大電極11a的接合面由上述的樹脂電極36形成，但絕緣性粘接材料33填充在分散存在于其上的微細(xì)凹部32中。在圖15中，為了容易理解，凹部31、32比實(shí)際上更大地繪出。
由此，即使使用絕緣性粘接材料33，也可以使未形成凹部31、32的部分(接合面的一部分)彼此緊貼以使兩電極彼此導(dǎo)通，且可以利用填充在凹部31、32中的絕緣性粘接材料33來(lái)牢固地粘接接合兩電極。
在進(jìn)行所述接合時(shí)，如圖16所示，在下側(cè)的天線電極3a、3b上涂敷絕緣性粘接材料33。另一方面，上側(cè)的放大電極11a、11b相對(duì)于天線電極3a、3b進(jìn)行位置對(duì)合以處于適于接合的狀態(tài)。然后，如圖17所示，內(nèi)插基板7下降而使放大電極11a、11b在與天線電極3a、3b上的絕緣性粘接材料33接觸的狀態(tài)下層疊，相對(duì)于天線電路基板2對(duì)內(nèi)插基板7加熱加壓使兩電極彼此緊貼。因此，如上所述，可以牢固地粘接接合兩電極。
圖16示出了在天線電極3a、3b上涂敷絕緣性粘接材料33的例子，但是在接合之前，若預(yù)先將絕緣性粘接材料33涂敷在放大電極11a、11b上并填充于微細(xì)凹部中，則可以使放大電極相對(duì)于天線電極進(jìn)行位置對(duì)合，通過(guò)加壓來(lái)進(jìn)行電氣導(dǎo)通的接合。
另外，可以取代放大電極11a、11b是層疊電極并且包括在基材10上形成的金屬電極35、和在該金屬電極35上由導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極36這一點(diǎn)，僅僅天線電極3a、3b、或者放大電極11a、11b與天線電極3a、3b是層疊電極，包括金屬電極35和樹脂電極36?？傊梢詫⒎糯箅姌O11a、11b與天線電極3a、3b的至少某一方作成這樣的層疊電極。
在放大電極11a、11b與金屬電極的天線電極3a、3b接合時(shí)，可以以0.05秒～0.2秒進(jìn)行接合，此時(shí)的接合部的電阻值為0.1Ω～1Ω，緊貼強(qiáng)度為10N/cm～50N/cm，所述天線電極3a、3b包括金屬電極35、和由熱塑性的導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極36。
當(dāng)使用在混合了熱塑性樹脂與熱固化性樹脂而成的樹脂粘合劑、或者與熱塑性樹脂粘合劑同樣地在加熱時(shí)顯出緊貼性或粘接性的其他樹脂粘合劑中混入了導(dǎo)電性粒子所得的導(dǎo)電性粘接材料時(shí)，接合時(shí)間與電阻值大致相同。作為接合時(shí)使用的加熱加壓機(jī)構(gòu)的加熱工具，優(yōu)選地為由備有熱源的壓軋輥構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)型機(jī)構(gòu)。特別是，串聯(lián)地配置多個(gè)旋轉(zhuǎn)型加熱工具，通過(guò)這些加熱工具對(duì)天線電路基板與內(nèi)插基板的層疊體進(jìn)行加熱加壓為宜。這是因?yàn)槭褂蒙鲜鰴C(jī)構(gòu)可以縮短接合時(shí)間以高速地進(jìn)行接合。
用于粘接接合的絕緣性粘接材料優(yōu)選地具有以下性質(zhì)在較低的溫度以及較小的加壓力下，可以在短時(shí)間內(nèi)延伸并擴(kuò)展得較薄。因此，絕緣性粘接材料的拉伸強(qiáng)度與延伸率之間的關(guān)系是很重要的。拉伸強(qiáng)度在3MPa以下，優(yōu)選地在1MPa以下，延伸率在300％以上，優(yōu)選地在500％以上。
實(shí)施例使用株式會(huì)社フジクラ制的熱塑性銀糊劑FA-333，利用印刷方法在聚酯薄膜上作成天線樹脂電極。天線樹脂電極的大小為2.0mm×2.0mm、厚度為12μm。另一方面，使用東亞合成株式會(huì)社制的熱塑性銀糊劑PES-E91，同樣利用印刷方法在聚碳酸酯薄膜上形成放大樹脂電極。放大樹脂電極的大小為2.5mm×2.5mm、厚度為30μm。
在樹脂放大電極與天線樹脂電極進(jìn)行粘接接合時(shí)，使用轉(zhuǎn)印銷在天線電極上涂敷每電極0.5mg的東亞合成株式會(huì)社制的合成橡膠類熱熔性材料PPET。接著，用加壓工具的真空吸附口來(lái)吸附內(nèi)插基板，在天線樹脂電極與放大電極位置對(duì)合后，使加壓工具下降對(duì)兩電極部進(jìn)行加壓加熱，從而將其粘接接合在一起。
此時(shí)的加熱溫度為180℃、加壓壓力為0.8MPa、粘接接合時(shí)間為0.2秒。此時(shí)的接合電阻為0.3～0.4Ω。關(guān)于電阻值，即使經(jīng)過(guò)了60℃、93％RH的高溫高濕試驗(yàn)以及-40℃～80℃的冷熱循環(huán)試驗(yàn)，其上升也在容許范圍內(nèi)。
用于粘接接合的PPET的拉伸強(qiáng)度為0.3MPa、延伸率為1400％，是具有非常容易延伸(延展)的特性的絕緣性粘接材料。
權(quán)利要求
1.一種非接觸ID卡，包括在基材上形成了天線的天線電路基板、和在搭載有IC芯片的基材上形成了與前述IC芯片的電極相連接的放大電極的內(nèi)插基板，層疊兩基板使得前述天線的電極與前述放大電極接合而成，其特征在于，兩電極利用填充在分散存在于前述天線的電極和/或前述放大電極的接合面上的微細(xì)凹部中的絕緣性粘接材料而粘接接合。
2.如權(quán)利要求1所述的非接觸ID卡，其特征在于，前述天線的電極以及前述放大電極的至少一方是單層電極，而且是由導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極。
3.如權(quán)利要求1所述的非接觸ID卡，其特征在于，前述天線的電極以及前述放大電極的至少一方是層疊電極，而且是由組成不同的多種導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極。
4.如權(quán)利要求1所述的非接觸ID卡，其特征在于，前述天線的電極以及前述放大電極的至少一方是層疊電極，而且包括形成在前述基材上的金屬電極和在前述金屬電極上由導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極。
5.如權(quán)利要求2、3或4所述的非接觸ID卡，其特征在于，前述導(dǎo)電性粘接材料具有熱塑性。
6.如權(quán)利要求2、3或4所述的非接觸ID卡，其特征在于，前述導(dǎo)電性粘接材料具有熱固化性。
7.如權(quán)利要求1～6的任一項(xiàng)所述的非接觸ID卡，其特征在于，前述IC芯片埋設(shè)在前述基材中。
8.一種非接觸ID卡的制造方法，其特征在于，將在基材上形成了天線的天線電路基板、和在搭載有IC芯片的基材上形成了與前述IC芯片的電極相連接的放大電極的內(nèi)插基板層疊成前述天線的電極與前述放大電極位置對(duì)合的姿勢(shì)之前，在前述天線的電極與前述放大電極的至少一方上涂敷絕緣性粘接材料，將前述絕緣性粘接材料填充到分散存在于電極接合面上的微細(xì)凹部中，接著，在前述層疊后，通過(guò)加壓使兩電極彼此緊貼，由此利用填充在前述微細(xì)凹部中的前述絕緣性粘接材料使兩電極彼此粘接接合。
9.一種非接觸ID卡的制造方法，其特征在于，將在基材上形成了天線的天線電路基板、和在搭載有IC芯片的基材上形成了與前述IC芯片的電極相連接的放大電極的內(nèi)插基板層疊成前述天線的電極與前述放大電極位置對(duì)合的姿勢(shì)之前，在前述天線的電極與前述放大電極的至少一方上涂敷絕緣性粘接材料，接著，在前述層疊后，通過(guò)加壓加熱使兩電極彼此緊貼，將前述絕緣性粘接材料填充到分散存在于兩電極的至少一方的接合面上的微細(xì)凹部中，并且將前述絕緣性粘接材料的剩余部分從前述緊貼部向電極側(cè)周部壓出，利用填充在前述微細(xì)凹部中的前述絕緣性粘接材料，使兩電極彼此粘接接合。
10.如權(quán)利要求9所述的非接觸ID卡的制造方法，其特征在于，利用加熱工具來(lái)進(jìn)行前述加壓加熱。
11.如權(quán)利要求8、9或10所述的非接觸ID卡的制造方法，其特征在于，前述天線的電極以及前述放大電極的至少一方是單層電極，而且是由導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極。
12.如權(quán)利要求8、9或10所述的非接觸ID卡的制造方法，其特征在于，前述天線的電極以及前述放大電極的至少一方是層疊電極，而且是由組成不同的多種導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極。
13.如權(quán)利要求8、9或10所述的非接觸ID卡的制造方法，其特征在于，前述天線的電極以及前述放大電極的至少一方是層疊電極，而且包括形成在前述基材上的金屬電極和在前述金屬電極上由導(dǎo)電性粘接材料形成的樹脂電極。
14.如權(quán)利要求8～13的任一項(xiàng)所述的非接觸ID卡的制造方法，其特征在于，前述IC芯片埋設(shè)在前述基材中。
全文摘要
本發(fā)明提供生產(chǎn)性及電氣特性優(yōu)異的非接觸ID卡以及可制造這樣的非接觸ID卡的方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明涉及的非接觸ID卡，包括在基材上形成了天線的天線電路基板、和在搭載有IC芯片的基材上形成了與前述IC芯片的電極相連接的放大電極的內(nèi)插基板，層疊兩基板使得前述天線的電極與前述放大電極接合而成，其中，利用填充在分散存在于前述天線的電極和/或前述放大電極的接合面上的微細(xì)凹部中的絕緣性粘接材料，使兩電極粘接接合。
文檔編號(hào)B42D15/10GK1784776SQ200480012470
公開日2006年6月7日 申請(qǐng)日期2004年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月11日
發(fā)明者秋田雅典, 佐脅吉記 申請(qǐng)人:東麗工程株式會(huì)社