專利名稱：像素電路、像素電路驅(qū)動方法、顯示裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及像素電路、像素電路驅(qū)動方法、顯示裝置和電子設(shè)備，更具體地，涉及 被設(shè)置成以恒電流脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation ;PWM)驅(qū)動方式來驅(qū)動發(fā)光器 件的像素電路、像素電路驅(qū)動方法、顯示裝置和電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
針對基于諸如有機電致發(fā)光器件(下文中簡稱為有機EL器件)或發(fā)光二極管 (LED)器件等自發(fā)光型發(fā)光器件的顯示器，必須要根據(jù)所使用的發(fā)光器件的特性來選擇 作為背板(back plane)的驅(qū)動電路。例如，在發(fā)光器件的發(fā)光波長具有電流密度依賴 性的情況下使用被電流驅(qū)動的驅(qū)動電路時，該被電流驅(qū)動的驅(qū)動電路的使用會導(dǎo)致色度 (chromaticity)根據(jù)灰度(gray level)而變化。
為了解決上述問題，恒電流PWM (脈沖寬度調(diào)制)驅(qū)動是有效的，在這樣的驅(qū)動中， 與灰度無關(guān)地向發(fā)光器件供給恒電流，并且控制電流供給時間，從而通過控制發(fā)光器件的 發(fā)光期間來控制灰度(例如，參照日本專利特開第2006-215274號公報，下文中稱為專利文 獻I)。
然而，關(guān)于專利文獻I中所披露的恒電流PWM驅(qū)動電路，在停止向發(fā)光器件供給電 流時，電流未被瞬間切斷而是在一定的時間段內(nèi)逐漸減小。因此，存在著被供給至發(fā)光器件 的電流并不恒定的時間段，從而降低了圖像質(zhì)量。發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是針對與相關(guān)技術(shù)的方法及裝置相關(guān)聯(lián)的上述問題和其它問題而做 出的，并且為了解決這些問題，本發(fā)明提供了被設(shè)置成以恒電流PWM驅(qū)動方式來驅(qū)動發(fā)光 器件從而提高顯示裝置的圖像質(zhì)量的像素電路、像素電路驅(qū)動方法、顯示裝置和電子設(shè)備。
在實現(xiàn)本發(fā)明時，根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案，提供了一種像素電路。該像素電路 具有發(fā)光器件；恒電流驅(qū)動電路，所述恒電流驅(qū)動電路被設(shè)置成包括第一晶體管，所述第 一晶體管作為用于向所述發(fā)光器件供給預(yù)定電流的恒電流源；以及切換電路，所述切換電 路被設(shè)置成包括第二晶體管，所述第二晶體管用于接通或關(guān)斷所述第一晶體管的柵極與預(yù) 定電位之間的電連接，并且所述切換電路借助于所述第二晶體管將所述第一晶體管的柵極 連接至所述預(yù)定電位，由此關(guān)閉所述第一晶體管。
上述像素電路還可以具有信號輸入電路，所述信號輸入電路被設(shè)置用于將斜坡信 號(ramp signal)輸入至所述第二晶體管的柵極，所述斜坡信號從與像素的亮度對應(yīng)的初 始電壓以預(yù)定坡度增大或減小。
上述信號輸入電路可以以所述第二晶體管的閾值電壓為基準來設(shè)定所述初始電壓。
上述信號輸入電路可以在所述第二晶體管的柵極電壓被設(shè)定為所述閾值電壓的 狀態(tài)下，通過將與所述像素的亮度對應(yīng)的電壓經(jīng)由電容器施加至所述第二晶體管的柵極來設(shè)定所述初始電壓。
上述恒電流驅(qū)動電路可以將所述第一晶體管的柵極電壓設(shè)定為第一值，并且向所 述發(fā)光器件供給電流，所述第一值是通過將所述第一晶體管的閾值電壓加上預(yù)定的偏壓 (bias voltage)而獲得的。
上述恒電流驅(qū)動電路可以將所述第一晶體管的柵極電壓設(shè)定為第二值并向所述 發(fā)光器件供給電流，所述第二值是通過從所述第一值再減去與所述第一晶體管的遷移率對 應(yīng)的電壓而獲得的。
在實現(xiàn)本發(fā)明時，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案，提供了一種像素電路驅(qū)動方法。該 方法包括從包含作為恒電流源的第一晶體管的恒電流驅(qū)動電路向發(fā)光器件供給預(yù)定電 流，由此使所述發(fā)光器件發(fā)光；以及借助于用于接通或關(guān)斷所述第一晶體管的柵極與預(yù)定 電位之間的電連接的第二晶體管，將所述第一晶體管的柵極連接至所述預(yù)定電位，由此關(guān) 閉所述第一晶體管。
在實現(xiàn)本發(fā)明時，根據(jù)本發(fā)明的第三實施方案，提供了 一種顯示裝置。該顯示裝置 包括以矩陣的形式布置有像素電路的像素陣列和被設(shè)置用于控制所述像素電路的驅(qū)動的 驅(qū)動控制部。各所述像素電路具有發(fā)光器件；恒電流驅(qū)動電路，所述恒電流驅(qū)動電路具有 第一晶體管，所述第一晶體管是用于向所述發(fā)光器件供給預(yù)定電流的恒電流源；以及切換 電路，所述切換電路具有第二晶體管，所述第二晶體管用于接通或關(guān)斷所述第一晶體管的 柵極與預(yù)定電位之間的電連接，并且所述切換電路通過借助于所述第二晶體管將所述第一 晶體管的柵極連接至所述預(yù)定電位來關(guān)閉所述第一晶體管。
在實現(xiàn)本發(fā)明時，根據(jù)本發(fā)明的第四實施方案，提供了一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備 包括以矩陣的形式布置有像素電路的像素陣列和被設(shè)置用于控制所述像素電路的驅(qū)動的 驅(qū)動控制部。各所述像素電路具有發(fā)光器件；恒電流驅(qū)動電路，所述恒電流驅(qū)動電路具有 第一晶體管，所述第一晶體管是用于向所述發(fā)光器件供給預(yù)定電流的恒電流源；以及切換 電路，所述切換電路具有第二晶體管，所述第二晶體管用于接通或關(guān)斷所述第一晶體管的 柵極與預(yù)定電位之間的電連接，所述切換電路通過借助于所述第二晶體管將所述第一晶體 管的柵極連接至所述預(yù)定電位來關(guān)閉所述第一晶體管。
在本發(fā)明的第一實施方案至第四實施方案中，從具有作為恒電流源的第一晶體管 的恒電流驅(qū)動電路向發(fā)光器件供給預(yù)定電流，所述發(fā)光器件發(fā)光，并且借助于用于接通或 關(guān)斷所述第一晶體管的柵極與預(yù)定電位之間的電連接的第二晶體管，將所述第一晶體管的 柵極連接至所述預(yù)定電位，由此關(guān)閉所述第一晶體管。
根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案至第四實施方案，提高了基于恒電流PWM驅(qū)動方式來 驅(qū)動發(fā)光器件的顯示裝置的圖像質(zhì)量。
圖1是圖示了相關(guān)技術(shù)的恒電流PWM驅(qū)動電路的示例性結(jié)構(gòu)的電路圖2是示出了相關(guān)技術(shù)的恒電流PWM驅(qū)動電路的驅(qū)動方法的時序圖3是圖示了本發(fā)明一個實施方案的顯示裝置的示例性結(jié)構(gòu)的框圖4是圖示了像素電路的示例性基本結(jié)構(gòu)的電路圖5是圖示了本發(fā)明第一實施例的像素電路的電路
圖6是示出了本發(fā)明第一實施例的像素電路的驅(qū)動方法的時序圖；圖7是圖示了本發(fā)明第二實施例的像素電路的電路圖；圖8是示出了本發(fā)明第二實施例的像素電路的驅(qū)動方法的時序圖；圖9是圖示了本發(fā)明第三實施例的像素電路的電路圖；圖10是示出了本發(fā)明第三實施例的像素電路的驅(qū)動方法的時序圖；圖11是圖示了本發(fā)明第三實施例的像素電路的第一變形例的電路圖；圖12是示出了本發(fā)明第三實施例的像素電路的第一變形例的驅(qū)動方法的時序圖13是圖示了本發(fā)明第三實施例的像素電路的第二變形例的電路圖；圖14是示出了本發(fā)明第三實施例的像素電路的第二變形例的驅(qū)動方法的時序圖15是圖示了本發(fā)明第四實施例的像素電路的電路圖；圖16是示出了本發(fā)明第四實施例的像素電路的驅(qū)動方法的時序圖；圖17是圖示了本發(fā)明第四實施例的像素電路的第一變形例的電路圖；圖18是示出了本發(fā)明第四實施例的像素電路的第一變形例的驅(qū)動方法的時序圖19是圖示了本發(fā)明第四實施例的像素電路的第二變形例的電路圖；圖20是示出了本發(fā)明第四實施例的像素電路的第二變形例的驅(qū)動方法的時序圖21是圖示了本發(fā)明第五實施例的像素電路的電路圖；圖22是示出了本發(fā)明第五實施例的像素電路的驅(qū)動方法的時序圖；圖23是圖示了本發(fā)明第六實施例的像素電路的電路圖；圖24是示出了本發(fā)明第六實施例的像素電路的驅(qū)動方法的時序圖；圖25是圖示了電子設(shè)備的示例性功能結(jié)構(gòu)的示意圖；圖26是電子設(shè)備的一種示例性商品的立體圖；圖27A和圖27B是電子設(shè)備的另一種不例性商品的立體圖；圖28是電子設(shè)備的又一種示例性商品的立體圖；圖29A和圖29B是電子設(shè)備的再一種示例性商品的俯視圖；以及圖30是電子設(shè)備的另外一種示例性商品的立體圖。
具體實施方式
下面將參照附圖以實施例的方式進一步詳細說明本發(fā)明。應(yīng)當注意，將按照如下順序進行說明
1、相關(guān)技術(shù)的恒電流PWM驅(qū)動電路；
2、顯示裝置的實施方案；
3、像素電路的示例性基本結(jié)構(gòu)；
4、像素電路的第一實施例；
5、像素電路的第二實施例(修正開關(guān)晶體管的閾值電壓的示例)；
6、像素電路的第三實施例(修正驅(qū)動晶體管的閾值電壓的示例)；
7、第三實施例的像素電路的第一變形例；
8、第三實施例的像素電路的第二變形例；
9、像素電路的第四實施例(修正驅(qū)動晶體管及開關(guān)晶體管的閾值電壓的示例)
10、第四實施例的像素電路的第一變形例；
11、第四實施例的像素電路的第二變形例；
12、像素電路的第五實施例(修正驅(qū)動晶體管的閾值電壓和遷移率的示例)；
13、像素電路的第六實施例(修正驅(qū)動晶體管的閾值電壓和遷移率以及開關(guān)晶體 管的閾值電壓的示例)；
14、應(yīng)用了本文中所公開的技術(shù)的產(chǎn)品(電子設(shè)備)的示例；以及
15、其他變形方案
1、相關(guān)技術(shù)的恒電流PWM驅(qū)動電路
電路結(jié)構(gòu)
現(xiàn)在，參照圖1，示出了相關(guān)技術(shù)的恒電流PWM驅(qū)動電路的示例性結(jié)構(gòu)。
恒電流PWM驅(qū)動電路I具有用于電流源的驅(qū)動晶體管Drv、用于開關(guān)的開關(guān)晶體管 SW、用于寫入信號的寫入晶體管Tws和電容器Cs。驅(qū)動晶體管Drv和開關(guān)晶體管SW均由P 溝道型晶體管構(gòu)成，而寫入晶體管Tws由N溝道型晶體管構(gòu)成。
驅(qū)動晶體管Drv的漏極與電源VDD連接，從而把固定的電壓VDD供給至該驅(qū)動晶 體管Drv的漏極。驅(qū)動晶體管Drv的柵極與偏壓電源連接，從而把偏壓Vb供給至該驅(qū)動晶 體管Drv的柵極。驅(qū)動晶體管Drv的源極連接至開關(guān)晶體管SW的漏極。通過將偏壓Vb固 定為預(yù)定值，驅(qū)動晶體管Drv作為恒流源進行操作。
開關(guān)晶體管SW的柵極與點A相連接，并且開關(guān)晶體管SW的源極與發(fā)光器件11的 陽極相連接。
寫入晶體管Tws的漏極被施加有視頻信號SIG，其柵極被施加有柵極信號WS，并且 其源極與點A連接。
電容器Cs的一端與點A相連,其另一端被施加有斜坡信號Ramp。
發(fā)光器件11的陰極被施加有電壓Vcath。
驅(qū)動方法
下面將參照圖2中所示的時序圖來說明恒電流PWM驅(qū)動電路I的驅(qū)動方法。
在11時刻，視頻信號SIG被設(shè)定為與將要被恒電流PWM驅(qū)動電路I驅(qū)動的像素的 亮度對應(yīng)的信號電壓Vsig。
在t2時刻，柵極信號WS上升為高(High)從而讓寫入晶體管Tws導(dǎo)通。因此，點 A處的電位降低至信號電壓Vsig。然后，開關(guān)晶體管SW的柵極與源極之間的柵極電壓Vgs 的絕對值超過閾值電壓Vth，從而使開關(guān)晶體管SW導(dǎo)通。因此，電流Iled開始流向發(fā)光器 件11，這使得發(fā)光器件11開始發(fā)光。
在t3時刻，柵極信號WS下降為低(Low)，使得寫入晶體管Tws關(guān)閉，點A變?yōu)楦咦?抗，此時斜坡信號Ramp開始輸入。斜坡信號Ramp是電壓以預(yù)定坡度增大的信號。隨著斜 坡信號Ramp的電壓上升，點A處的電位通過電容器Cs而上升。
在t4時刻，視頻信號SIG被設(shè)定為復(fù)位電平。
接著，隨著斜坡信號Ramp的電壓上升，點A處的電位上升。當在t6時刻開關(guān)晶體管SW的柵極電壓Vgs的絕對值到達閾值電壓Vth時，開關(guān)晶體管SW關(guān)閉。于是，停止向發(fā)光器件11供給電流Iled,從而停止發(fā)光器件11的發(fā)光。
然而，當仔細觀察停止發(fā)光時恒電流PWM驅(qū)動電路I的狀態(tài)時，在點A處的電位即將上升從而使開關(guān)晶體管SW關(guān)閉之前的t5時刻，開關(guān)晶體管SW的操作區(qū)域從線性區(qū)域向飽和區(qū)域過渡。因此，在t5時刻與t6時刻之間，開關(guān)晶體管SW表現(xiàn)為電流源。
于是，如圖2中示出的虛線圓圈圍住的區(qū)域所示，隨著點A處的電位(開關(guān)晶體管 Sff的柵極電壓Vgs)上升，電流Iled隨著時間的推移而逐漸減小，在t6時刻最終減為O。因此，對于恒電流PWM驅(qū)動電路1，存在著電流Iled未被瞬間切斷并且變得不恒定的時間段， 從而阻礙了理想的恒電流PWM驅(qū)動操作的實現(xiàn)。該問題導(dǎo)致了圖像質(zhì)量的降低。
為了解決上述問題，本文中所公開的本發(fā)明通過瞬間切斷發(fā)光器件的電流來實現(xiàn)理想的恒電流PWM驅(qū)動操作。
2、顯示裝置的實施方案
參照圖3，示出了采用了本文中所公開的技術(shù)的實施方案的顯示裝置的框圖。
圖3中示出的顯示裝置101具有像素陣列111、視頻信號供給部112、掃描控制部 113、晶體管控制部114和電源控制部115。
在像素陣列111中，以m行Xn列的矩陣形式布置有像素單元121(1，1)至 121(m, n)。
像素單元121(i，j) (1≤i≤m，l≤j≤n)具有用于R (紅色)的像素電路 131r(i，j)、用于G (綠色)的像素電路131g(i，j)和用于B (藍色)的像素電路131b (i，j)。
應(yīng)當注意的是，如果不需要單獨區(qū)分像素單元121 (1, 1)至121 (m, n)，那么可以將像素單元籠統(tǒng)地簡稱為像素單元121。如果不需要單獨區(qū)分像素電路131r(l，l)至 131b (m，n)，那么可以將像素電路籠統(tǒng)地簡稱為像素電路131。
視頻信號供給部112經(jīng)由視頻信號線向像素電路131提供與各像素的亮度對應(yīng)的信號電壓Vsig的視頻信號SIG。
掃描控制部113經(jīng)由掃描線向像素電路131提供預(yù)定的控制信號，從而控制對像素陣列111的各行的掃描。
晶體管控制部114經(jīng)由控制線向各像素電路131提供預(yù)定的控制信號，從而控制各像素電路131中所含的晶體管的操作。
電源控制部115經(jīng)由電源線提供各像素電路131進行操作時所必需的電力，并且提供規(guī)定了該操作的基準的電壓。
像素陣列111的各像素電路131的驅(qū)動是由視頻信號供給部112、掃描控制部 113、晶體管控制部114和電源控制部115來控制的。
應(yīng)當注意的是，各像素電路131的視頻信號線的數(shù)量、掃描線的數(shù)量、控制線的數(shù)量和電源線的數(shù)量不一定是一條；在需要時可以布置兩條以上。
3、像素電路的示例性基本結(jié)構(gòu)
參照圖4，示出了顯示裝置101的像素電路131的示例性基本結(jié)構(gòu)。
像素電路131具有恒電流驅(qū)動電路151、初始化電路152、信號輸入電路153、切換電路154和發(fā)光器件155。發(fā)光器件155的恒電流PWM驅(qū)動是由恒電流驅(qū)動電路151、初始化電路152、信號輸入電路153和切換電路154來執(zhí)行的。
恒電流驅(qū)動電路151是被設(shè)置用于使恒電流Iled流向發(fā)光器件155的電路。從 布置于電源控制部115中的電源向恒電流驅(qū)動電路151供給具有固定的或可變的電壓的操 作電力。另外，從布置于電源控制部115中的偏壓電源向恒電流驅(qū)動電路151施加用于規(guī) 定電流Iled的值的偏壓Vb。
應(yīng)當注意的是，如稍后所述，某些恒電流驅(qū)動電路151執(zhí)行對作為用于供給電流 Iled的恒電流源而進行操作的驅(qū)動晶體管的閾值電壓和遷移率的修正，而其它恒電流驅(qū)動 電路151不執(zhí)行該修正操作。
初始化電路152是被設(shè)置用于將恒電流驅(qū)動電路151的驅(qū)動晶體管的柵極電壓初 始化為復(fù)位電壓Vreset的電路。
應(yīng)當注意的是，可以布置有或也可以不布置有初始化電路152。
信號輸入電路153是被設(shè)置用于將從視頻信號供給部112提供的視頻信號SIG和 從掃描控制部113提供的斜坡信號Ramp輸入至切換電路154中的電路。
切換電路154是被設(shè)置用于控制恒電流驅(qū)動電路151的驅(qū)動晶體管的柵極電壓從 而實現(xiàn)該驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)與關(guān)閉狀態(tài)之間的切換的電路。
應(yīng)當注意的是，如稍后所述，某些切換電路154執(zhí)行對開關(guān)晶體管的閾值電壓的 修正從而在驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)與關(guān)閉狀態(tài)之間進行切換，而其它切換電路154不執(zhí)行 該修正操作。
發(fā)光器件155例如是由諸如有機EL器件、發(fā)光二極管或無機EL器件等自發(fā)光型 發(fā)光器件構(gòu)成的。
4、像素電路的第一實施例
電路結(jié)構(gòu)
參照圖5，示出了作為像素電路131的第一實施例的像素電路131A的示例性結(jié)構(gòu)。
像素電路131A具有恒電流驅(qū)動電路151A、信號輸入電路153A、切換電路154A和 發(fā)光器件155。
恒電流驅(qū)動電路151A是由N溝道型驅(qū)動晶體管Drv、N溝道型寫入晶體管Twsl和 電容器Csl構(gòu)成的。
驅(qū)動晶體管Drv的漏極與電源控制部115中所含有的電源VDD連接從而被供給有 固定的電壓VDD。驅(qū)動晶體管Drv的柵極與點A相連。驅(qū)動晶體管Drv的源極與發(fā)光器件 155的陽極相連。
寫入晶體管Twsl的漏極與電源控制部115中所含有的偏壓電源相連從而被供給 有固定的偏壓Vb。寫入晶體管Twsl的柵極被供給有來自晶體管控制部114的柵極信號 WSl0寫入晶體管Twsl的源極與點A相連。
電容器Csl的一端與點A相連。
信號輸入電路153A是由N溝道型寫入晶體管Tws2和電容器Cs2構(gòu)成的。
寫入晶體管Tws2的漏極被供給有來自視頻信號供給部112的視頻信號SIG。寫入 晶體管Tws2的柵極被供給有來自晶體管控制部114的柵極信號WS2。寫入晶體管Tws2的 源極與點B連接。
電容器Cs2的一端與點B相連，其另一端被供給有來自掃描控制部113的斜坡信 號 Ramp0
切換電路154A是由N溝道型開關(guān)晶體管SW構(gòu)成的。
開關(guān)晶體管SW的漏極與點A連接，且開關(guān)晶體管SW的柵極與點B連接。開關(guān)晶體管SW的源極與電源控制部115中所含有的電源Vss連接從而被供給有固定的電壓Vss。
發(fā)光器件155的陰極被供給有來自電源控制部115的固定的電壓Vcath。
如上所述，像素電路131A被設(shè)置成包括四個晶體管和兩個電容器。
需要注意的是，在下文中，將驅(qū)動晶體管Drv的柵極與源極之間的柵極電壓標記為Vgs(Drv)，且將閾值電壓標記為Vth(Drv)。此外，在下文中，將開關(guān)晶體管SW的柵極與源極之間的柵極電壓標記為Vgs (Sff)，且將閾值電壓標記為Vth (Sff)。另外，在下文中，將發(fā)光器件的閾值電壓標記為Vth(Ied)。
驅(qū)動方法
下面參照圖6中所示的流程圖來說明像素電路131A的驅(qū)動方法。
應(yīng)當注意的是，在即將到達tal時刻之前像素電路131A的狀態(tài)如下所述。
點A處的電位被設(shè)定為等于或低于電壓Vss。應(yīng)當注意的是，電壓Vss被設(shè)定為滿足下面的關(guān)系式(I)。
Vss ≤ Vth(Drv)+Vcath ... (I)
因此，驅(qū)動晶體管Drv關(guān)閉并且電流Iled不流過發(fā)光器件155，因而發(fā)光器件155 處于不發(fā)光狀態(tài)。
與入晶體管Twsl和與入晶體管Tws2關(guān)閉。
開關(guān)晶體管SW可以是關(guān)閉的或者是導(dǎo)通的。
在tal時刻，柵極信號WS2上升為高，使得寫入晶體管Tws2導(dǎo)通。在此刻，視頻信號SIG處于與像素的亮度對應(yīng)的信號電壓Vsig,并且點B處的電位被設(shè)定為信號電壓 Vsig。同時，隨著點B處的電位降低，開關(guān)晶體管SW至少在此時間點處被關(guān)閉。
在ta2時刻，柵極信號WS2下降為低，使得寫入晶體管Tws2關(guān)閉。
在ta3時刻，柵極信號WSl上升為高，使得寫入晶體管Twsl導(dǎo)通。因此，點A處的電位被設(shè)定為偏壓Vb。
應(yīng)當注意的是，偏壓Vb被設(shè)定為滿足下面的關(guān)系式(2)，因此驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs(Drv)超過閾值電壓Vth(Drv)從而使得驅(qū)動晶體管Drv導(dǎo)通。
Vb>Vth(Drv) +Vcath ... (2)
據(jù)此，使驅(qū)動晶體管Drv導(dǎo)通，以該驅(qū)動晶體管Drv作為恒電流源，由偏壓Vb規(guī)定的恒電流Iled開始流過發(fā)光器件155,從而致使發(fā)光器件155發(fā)光。
在ta4時刻，柵極信號WSl下降為低，使得寫入晶體管Twsl關(guān)閉。
同時,開始將斜坡信號Ramp輸入到電容器Cs2中。斜坡信號Ramp是電壓以預(yù)定坡度上升的信號。隨著斜坡信號Ramp的電壓上升，點B處的電位通過電容器Cs2從初始電壓(信號電壓Vsig)以坡度的方式上升。
接著，在ta5時刻，當點B處的電位超過Vth (SW)+Vss并且開關(guān)晶體管SW的柵極電壓Vgs(SW)超過閾值電壓Vth(SW)時，開關(guān)晶體管SW導(dǎo)通。
當開關(guān)晶體管SW導(dǎo)通時，點A與電壓Vss的電位線相互電連接從而將點A處的電位設(shè)定為電壓Vss,由此將驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs(Drv)設(shè)定為Vss-Vcath,其處于閾值電壓Vth (Drv)以下。因此，驅(qū)動晶體管Drv沒有在飽和區(qū)域中進行操作而是幾乎瞬間被關(guān)閉。
因此，向發(fā)光器件155供給的電流Iled瞬間停止，此時發(fā)光器件155瞬間從發(fā)光 狀態(tài)變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。因而，在發(fā)光器件155發(fā)光的ta4時刻與ta5時刻之間的期間內(nèi)，能 夠?qū)㈦娏鱅led大致保持在恒定水平，從而執(zhí)行理想的恒電流PWM驅(qū)動操作。因此，提高了 顯示裝置101的圖像質(zhì)量。
需要注意的是，因為斜坡信號Ramp的坡度是恒定的，所以從開始輸入斜坡信號 Ramp至點B處的電位達到Vth(SW)+Vss的期間是由開始輸入斜坡信號Ramp時點B處的電 位(初始電壓)來確定的。因為該初始電壓由信號電壓Vsig確定,所以發(fā)光器件155的發(fā)光 期間是由信號電壓Vs i g來確定的。
接著，在ta6時刻，停止輸入斜坡信號Ramp，并且點B處的電位改變了與在即將輸 入斜坡信號Ramp之前的ta4時刻處的電位實質(zhì)上相同的電位。因此，開關(guān)晶體管SW被關(guān) 閉。
5、像素電路的第二實施例(修正開關(guān)晶體管的閾值電壓的示例)
電路結(jié)構(gòu)
參照圖7，示出了作為像素電路131的第二實施例的像素電路131B的示例性結(jié)構(gòu)。
開關(guān)晶體管SW的閾值電壓Vth(SW)根據(jù)器件的不同而有所差異。該閾值電壓 Vth(Sff)的這種差異改變了對于同一信號電壓Vsig而言開關(guān)晶體管SW導(dǎo)通的時刻，從而導(dǎo) 致了不同像素間發(fā)光器件155的發(fā)光期間的差異。因此，在不同像素間出現(xiàn)了亮度特性差 異，這導(dǎo)致了圖像質(zhì)量的降低。
另一方面，像素電路131B修正了開關(guān)晶體管SW的閾值電壓Vth (SW)的差異，從而 消除了對于同一信號電壓Vsig而言不同像素間的發(fā)光期間差異。
像素電路131B與圖5中所示的像素電路131A的不同之處在于布置有恒電流 驅(qū)動電路151B、信號輸入電路153B和切換電路154B來替代恒電流驅(qū)動電路151A、信號輸 入電路153A和切換電路154A。另一個不同之處是在像素電路131B中添加了初始化電路 152B。
恒電流驅(qū)動電路151B具有與像素電路131A的恒電流驅(qū)動電路151A的功能實質(zhì) 上相同的功能。
初始化電路152B被設(shè)置成包括初始化晶體管Taz I。
初始化晶體管Tazl的漏極與電源控制部115中所含有的復(fù)位電源連接從而被供 給有復(fù)位電壓Vreset。初始化晶體管Tazl的柵極被供給有來自晶體管控制部114的柵極 信號AZ1。初始化晶體管Tazl的源極與點A連接。
信號輸入電路153B具有N溝道型寫入晶體管Tws2、N溝道型初始化晶體管Taz2 以及電容器Cs2和電容器Cs3。
寫入晶體管Tws2的漏極被供給有來自視頻信號供給部112的視頻信號SIG。寫入 晶體管Tws2的柵極被供給有來自晶體管控制部114的柵極信號WS2。寫入晶體管Tws2的 源極與點X連接。
初始化晶體管Taz2的漏極與電源控制部115中所含有的補償電源(offset power supply)連接從而被施加有補償電壓Vofs。初始化晶體管Taz2的柵極被施加有來自晶體 管控制部114的柵極信號AZ2。初始化晶體管Taz2的源極與點X相連。
電容器Cs2連接于點X與點B之間。
電容器Cs3的一端與點B相連，而另一端被供給有來自掃描控制部113的斜坡信號 Ramp0
切換電路154B是由N溝道型開關(guān)晶體管SW和N溝道型初始化晶體管Taz3構(gòu)成的。
開關(guān)晶體管SW的漏極與點A相連，其柵極與點B相連，其源極與電源控制部115 中所含有的電源Vss連接從而被供給有固定的電壓Vss。
初始化晶體管Taz3的漏極與點A相連,其源極與點B相連。初始化晶體管Taz3 的柵極被施加有來自晶體管控制部114的柵極信號AZ2。
如上所述，像素電路131B被設(shè)置成包括七個晶體管和三個電容器。
驅(qū)動方法
下面參照圖8中所示的時序圖來說明像素電路131B的驅(qū)動方法。
應(yīng)當注意的是，在即將到達tbl時刻之前像素電路131B的狀態(tài)如下所述。
驅(qū)動晶體管Drv處于關(guān)閉狀態(tài)。因此，由于電流Iled不流向發(fā)光器件155，所以發(fā)光器件155處于不發(fā)光狀態(tài)。
初始化晶體管Tazl至Taz3、寫入晶體管Tws和開關(guān)晶體管SW是關(guān)閉的。
在tbl時刻，柵極信號AZl上升為高，使得初始化晶體管Tazl導(dǎo)通。因此，點A處的電位被設(shè)定為復(fù)位電壓Vreset。
應(yīng)當注意的是，復(fù)位電壓Vreset被設(shè)定為滿足關(guān)系式(3)以防止驅(qū)動晶體管Drv 被導(dǎo)通。
Vreset ^ Vth(Drv)+Vcath ... (3)
柵極信號AZ2上升為高，因而使初始化晶體管Taz2和初始化晶體管Taz3導(dǎo)通。當初始化晶體管Taz2被導(dǎo)通時，點X處的電位被設(shè)定為補償電壓Vofs，由此點B處的電位通過電容器Cs2而上升。然后，開關(guān)晶體管SW被導(dǎo)通。當初始化晶體管Taz3被導(dǎo)通時，點A 與點B連接起來。
在tb2時刻，柵極信號AZl下降為低，使得初始化晶體管Tazl關(guān)閉。因此，點A變?yōu)樘幱诟訝顟B(tài)。同時，電流開始從點B經(jīng)由初始化晶體管Taz3流向開關(guān)晶體管SW的漏極(點A)。另外，因為開關(guān)晶體管SW處于導(dǎo)通狀態(tài)從而導(dǎo)致漏極電流流動，所以點A處的電位和點B處的電位開始降低。
接著，當點A處的電位和點B處的電位達到Vth(Sff) +Vss從而使得開關(guān)晶體管SW 的柵極電壓Vgs(SW)等于閾值電壓Vth(SW)時，開關(guān)晶體管SW被關(guān)閉。
在tb3時刻，柵極信號AZ2下降為低，因而使初始化晶體管Taz2和初始化晶體管 Taz3關(guān)閉。
應(yīng)當注意的是，對于tb2時刻與tb3時刻之間的間隔，分配有足夠讓點A處的電位和點B處的電位達到Vth (Sff) +Vss的時間。
在tb4時刻，柵極信號WS2上升為高，使得寫入晶體管Tws2導(dǎo)通。在此刻，視頻信號SIG被設(shè)定為與像素的亮度對應(yīng)的信號電壓Vsig，點X處的電位從補償電壓Vofs下降為信號電壓Vsig。
然后， 在開關(guān)晶體管SW的柵極電壓Vgs(SW)被設(shè)定為閾值電壓Vth(SW)的情況下，將信號電壓Vsig經(jīng)由電容器Cs2施加至開關(guān)晶體管SW的柵極(點B)。因此，以開關(guān)晶體管SW的閾值電壓Vth (Sff)為基準，把在發(fā)光器件155的發(fā)光期間的開始時刻點B處的電位(或初始電壓)設(shè)定為基于信號電壓Vsig的電位。更加準確地說，該初始電壓被設(shè)定為通過從Vth(SW) +Vss減去與信號電壓Vsig對應(yīng)的電壓而獲得的值。
接著，在tb5時刻及其后，執(zhí)行與在圖6中示出的ta2時刻及其后的操作實質(zhì)上相同的操作。然后，在與圖6中所示的ta4時刻對應(yīng)的tb7時刻，發(fā)光器件155開始發(fā)光。當點B處的電位在與圖6中所示的ta5時刻對應(yīng)的tb8時刻到達Vth (SW)+Vss時，發(fā)光器件 155的發(fā)光終止。
因此，發(fā)光器件155的發(fā)光期間不依賴于開關(guān)晶體管SW的閾值電壓Vth (SW)，而僅僅是由信號電壓Vsig確定的。這樣的安排防止了因開關(guān)晶體管SW的閾值電壓Vth(SW) 的差異而導(dǎo)致對于同一信號電壓Vsig而言不同像素的發(fā)光器件155的發(fā)光期間存在差異。 于是，使不同像素間的亮度特性差異最小化，從而提高了顯示裝置101的圖像質(zhì)量。
6、像素電路的第三實施例(修正驅(qū)動晶體管的閾值電壓的示例)
電路結(jié)構(gòu)
參照圖9，示出了作為像素電路131的第三實施例的像素電路131C的示例性結(jié)構(gòu)。
流過發(fā)光器件155的電流Iled大致等于驅(qū)動晶體管Drv的漏極電流Ids(Drv),漏極電流Ids(Drv)是通過下面的公式(4)至公式(6)而得到的。
Ids (Drv) =k · μ (Drv) · (Vgs (Drv) -Vth (Drv))2. . . (4)
k= (1/2) · (W/L) · Cox ... (5)
Cox=柵極絕緣層的具體介電常數(shù)X真空的介電常數(shù)/柵極絕緣層的厚度...(6)
應(yīng)當注意的是，上面公式(4)中的μ (Drv)表示的是驅(qū)動晶體管Drv的遷移率。上面公式(5)中的W表示的是驅(qū)動晶體管Drv的溝道寬度而L表示的是驅(qū)動晶體管Drv的溝道長度。
一方面，驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth(Drv)導(dǎo)致了各器件的差異。如上面公式 (4)中所示，驅(qū)動晶體管Drv的漏極電流Ids(Drv)依賴于閾值電壓Vth(Drv)，因而閾值電壓Vth(Drv)的差異導(dǎo)致了流過發(fā)光器件155的電流Iled的差異。于是，導(dǎo)致了不同像素間的亮度特性差異，從而引起圖像質(zhì)量的降低。
另一方面，像素電路131C被設(shè)置成對驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth(Drv)的差異進行修正，從而消除不同像素間的流過發(fā)光器件155的電流Iled的差異。
像素電路131C與圖5中所示的像素電路131Α的不同之處在于布置有恒電流驅(qū)動電路151C、信號輸入電路153C和切換電路154C來替代恒電流驅(qū)動電路151Α、信號輸入電路153Α和切換電路154Α。另一個不同之處是在像素電路131C中添加了電容器Csub。
在這些組成部件之中信號輸入電路153C和切換電路154C具有與像素電路131A 的信號輸入電路153A和切換電路154A的功能實質(zhì)上相同的功能。
恒電流驅(qū)動電路151C具有N溝道型電源控制晶體管Tds、N溝道型驅(qū)動晶體管 Drv、N溝道型寫入晶體管Twsl和電容器Cs I。
電源控制晶體管Tds的漏極與電源控制部115中所含有的電源VDS連接從而被施加有電壓VDD或電壓VSS。電源控制晶體管Tds的柵極被施加有來自晶體管控制部114的柵極信號DS。電源控制晶體管Tds的源極與驅(qū)動晶體管Drv的漏極連接。
驅(qū)動晶體管Drv的柵極與點A連接，并且其源極與點C連接。
寫入晶體管Twsl的漏極與電源控制部115中所含有的偏壓電源連接從而被施加 有偏壓Vb(高)或Vb(低)。寫入晶體管Twsl的柵極被施加有來自晶體管控制部114的柵 極信號WS1。寫入晶體管Twsl的源極與點A連接。
電容器Csl連接于點A與點C之間。
發(fā)光器件155的陽極與點C連接。發(fā)光器件155的陰極被施加有來自電源控制部 115的電壓Vcath0
電容器Csub連接于發(fā)光器件155的陽極與陰極之間。
如上所述，像素電路131C被設(shè)置成包括五個晶體管和三個電容器。
驅(qū)動方法
下面參照圖10中所示的時序圖來說明像素電路131C的驅(qū)動方法。
應(yīng)當注意的是，在即將到達tcl時刻之前像素電路131C的狀態(tài)如下所述。
驅(qū)動晶體管Drv和電源控制晶體管Tds處于導(dǎo)通狀態(tài)并且電源VDS的電壓被設(shè)定 為電壓VSS。因此，點C處的電位被設(shè)定為電壓VSS。
應(yīng)當注意的是，電壓VSS被設(shè)定為滿足下面的關(guān)系式(7)從而防止發(fā)光器件155 發(fā)光。
VSS<Vth(led) +Vcath . . . (7)
開關(guān)晶體管SW、電源控制晶體管Tds以及與入晶體管Twsl和與入晶體管Tws2是 關(guān)閉的。
在tcl時刻，當偏壓被設(shè)定為Vb (低)時柵極信號WSl上升為高，從而使得寫入晶 體管Twsl導(dǎo)通。因此，點A處的電位被設(shè)定至偏壓Vb (低)。
應(yīng)當注意的是，偏壓Vb(低)被設(shè)定為滿足下面的關(guān)系式(8)以防止驅(qū)動晶體管 Drv被關(guān)閉。
Vb (低)>Vth (Drv) +VSS ... (8)
同時，將電源VDS的電壓從電壓VSS切換成電壓VDD。因此，在點A處的電位被保持 為偏壓Vb (低)的狀態(tài)下，點C處的電位上升。然后，當點C處的電位達到Vb (低)-Vth (Drv) 從而導(dǎo)致驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs (Drv)達到閾值電壓Vth (Drv)時,驅(qū)動晶體管Drv 被關(guān)閉。
應(yīng)當注意的是，在此時，偏壓Vb (低)被設(shè)定為滿足下面的關(guān)系式(9)以防止發(fā)光 器件155發(fā)光。
Vb (低)-Vth (Drv)〈Vth (led) +Vcath ... (9)
此外，柵極信號WS2上升為高，使得寫入晶體管Tws2導(dǎo)通。在此刻，視頻信號SIG 已經(jīng)被設(shè)定為與像素的亮度對應(yīng)的信號電壓Vsig并且點B處的電位被設(shè)定為信號電壓 Vsig0
在tc2時刻，柵極信號WS1、柵極信號WS2和柵極信號DS下降為低，使得寫入晶體 管Twsl和寫入晶體管Tws2以及電源控制晶體管Tds關(guān)閉。
應(yīng)當注意的是，對于tcl時刻與tc2時刻之間的間隔，分配有足夠讓點C處的電位 達到Vb (低)-Vth (Drv)的時間。
在tc3時刻，當偏壓已經(jīng)被設(shè)定為Vb(高)時，柵極信號WSl上升為高，由此使得寫入晶體管Twsl導(dǎo)通。于是，點A處的電位被設(shè)定為偏壓Vb(高)。因此，驅(qū)動晶體管Drv 的柵極電壓Vgs (Drv)被設(shè)定為由下面的公式(10)表示的值。
Vgs (Drv) =Vb (高)-(Vb (低)-Vth (Drv))
=Vth (Drv) + (Vb (高)-Vb (低))· · · (10)
更加具體地，驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs(Drv)被設(shè)定為通過將閾值電壓 Vth(Drv)加上預(yù)定的偏壓(Vb(高)-Vb(低))而得到的值。于是，驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs (Drv)超過閾值電壓Vth(Drv)從而使得驅(qū)動晶體管Drv導(dǎo)通。
在tc4時刻，柵極信號WSl下降為低，使得寫入晶體管Twsl關(guān)閉。因此，驅(qū)動晶體管Drv的柵極(點A)變?yōu)樘幱诟訝顟B(tài)。
同時，柵極信號DS上升為高，使得電源控制晶體管Tds導(dǎo)通。因此，在驅(qū)動晶體管 Drv被保持為導(dǎo)通狀態(tài)的狀態(tài)下將電壓VDD施加至驅(qū)動晶體管Drv的漏極，因而點C處的電位上升而超過Vth (led) +Vcath。
由于驅(qū)動晶體管Drv的柵極(點A)處于浮動狀態(tài)，因此按照與所謂的自舉電路 (bootstrap circuit)實質(zhì)上相同的現(xiàn)象，點A處的電位通過電容器Csl而上升。于是,驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs (Drv)保持由上面的公式(10)表示的值。
然后，在驅(qū)動晶體管Drv作為恒電流源的情況下，電流Iled開始流過發(fā)光器件 155,這使得發(fā)光器件155就開始發(fā)光。
應(yīng)當注意的是,驅(qū)動晶體管Drv的漏極電流Ids(Drv)在此時間點處的值是由下面的公式(11)表示的，公式(11)是通過將公式(10)中的柵極電壓Vgs(Drv)代入到上面的公式(4)中而得到的。
Ids (Drv) =k · μ (Drv) · (Vb (高)-Vb (低))2. . . (11)
如上所述，在將柵極電壓Vgs (Drv)設(shè)定至由公式(10)表示的值時，這使得漏極電流Ids (Drv)如上面的公式(11)中所示那樣與驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth (Drv)無關(guān)。
因此，流過發(fā)光器件155的電流Iled不會被驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth (Drv) 改變，因而不同像素間的亮度特性差異 被最小化，這使得提高了顯示裝置101的圖像質(zhì)量。
同時,開始向電容器Cs2輸入斜坡信號Ramp,并且隨著斜坡信號Ramp的電壓上升， 點B處的電位通過電容器Cs2以坡度的方式上升。
然后，在tc5時刻處，與圖6中所示的ta5時刻一樣，當點B處的電位超過 Vth (Sff)+Vss時，開關(guān)晶體管SW被導(dǎo)通，使得驅(qū)動晶體管Drv瞬間關(guān)閉。因此，向發(fā)光器件 155供給的電流Iled被瞬間停止，這使得發(fā)光器件155從發(fā)光狀態(tài)變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。
7、第三實施例的像素電路的第一變形例
電路結(jié)構(gòu)
參照圖11，示出了像素電路131D的示例性結(jié)構(gòu)，像素電路131D是圖9中所示的像素電路131C的第一變形例。
像素電路131D與圖9中所示的像素電路131C的不同之處在于布置有恒電流驅(qū)動電路151D來替代恒電流驅(qū)動電路151C。
恒電流驅(qū)動電路151D具有這樣的結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu)中，在圖9中所示的恒電流驅(qū)動電路151C中加入了 N溝道型初始化晶體管Tazl。
初始化晶體管Tazl的漏極與電源控制部115中所含有的電源VSS連接從而被施加有固定的電壓VSS。初始化晶體管Tazl的柵極被施加有來自晶體管控制部114的柵極信 號AZl。初始化晶體管Tazl的源極與點C連接。
如上所述，像素電路131D被設(shè)置成包括六個晶體管和三個電容器。
驅(qū)動方法
下面參照圖12中所示的時序圖來說明像素電路131D的驅(qū)動方法。
圖12中示出的時序圖與圖10中示出的時序圖的不同之處僅在于在tdl時刻與 td3時刻之間對點C處的電位進行設(shè)定的操作。
更加具體地，在像素電路131C中，點C處的電位是通過控制電源VDS的電壓和柵 極信號DS來設(shè)定的，而在像素電路131D中，點C處的電位是通過控制柵極信號DS和柵極 信號AZl來設(shè)定的。
更具體地，在tdl時刻，柵極信號AZl上升為高，使得初始化晶體管Tazl導(dǎo)通。因 此，點C處的電位被設(shè)定為電壓VSS。由于點A處于浮動狀態(tài)，所以當點C處的電位被設(shè)定 為電壓VSS時，點A處的電位也通過電容器Csl而改變。
然后，在td2時刻，柵極信號AZl下降為低，使得初始化晶體管Tazl關(guān)閉。
在td3時刻，柵極信號DS上升為高，使得電源控制晶體管Tds導(dǎo)通。因此，與圖10 中所示的tcl時刻的情況一樣，在點A處的電位被保持為偏壓Vb (低)的狀態(tài)下，點C處的 電位上升。然后，當點C處的電位達到Vb(低)-Vth (Drv)并且驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓 Vgs (Drv)變得等于閾值電壓Vth (Drv)時,驅(qū)動晶體管Drv被關(guān)閉。
其它的操作與像素電路131C的操作實質(zhì)上相同。
8、第三實施例的像素電路的第二變形例
電路結(jié)構(gòu)
參照圖13，示出了像素電路131E的示例性結(jié)構(gòu)，像素電路131E是像素電路131C 的第二變形例。
像素電路131E與圖11中所示的像素電路131D的不同之處在于布置有恒電流驅(qū) 動電路15IE來替代恒電流驅(qū)動電路151D。
恒電流驅(qū)動電路151E具有這樣的結(jié)構(gòu)其中，在圖11中所示的恒電流驅(qū)動電路 151D中加入了 N溝道型初始化晶體管Taz2。
初始化晶體管Taz2的漏極與電源控制部115中所含有的偏壓電源連接從而被施 加有固定的偏壓Vb (低)。初始化晶體管Taz2的柵極被施加有來自晶體管控制部114的柵 極信號AZ2。初始化晶體管Taz2的源極與點A連接。
寫入晶體管Twsl的漏極與電源控制部115中所含有的偏壓電源連接從而被施加 有固定的偏壓Vb (高)。
如上所述，像素電路131E被設(shè)置成包括七個晶體管和三個電容器。
驅(qū)動方法
下面參照圖14中所示的時序圖來說明像素電路131E的驅(qū)動方法。
圖14中示出的時序圖與圖12中示出的時序圖的不同之處僅在于在tel時刻至 te6時刻對點A處的電位進行設(shè)定的操作。
更加具體地，在像素電路131D中，點A處的電位是通過控制偏壓電源的電壓和柵 極信號WSl來設(shè)定的，而在像素電路131E中，點A處的電位是通過控制柵極信號WSl和柵極信號AZ2來設(shè)定的。
更具體地，在tel時刻，柵極信號AZ2上升為高，使得初始化晶體管Taz2導(dǎo)通。因 此，點A處的電位被設(shè)定至偏壓Vb (低)。
然后，在te4時刻，柵極信號AZ2下降為低，使得初始化晶體管Taz2關(guān)閉。
在te5時刻，柵極信號WSl上升為高，使得寫入晶體管Twsl導(dǎo)通。因此，點A處的 電位被設(shè)定為偏壓Vb (高)。
然后，在te6時刻，柵極信號WSl下降為低，使得寫入晶體管Twsl關(guān)閉。因此，驅(qū) 動晶體管Drv的柵極(點A)變?yōu)樘幱诟訝顟B(tài)。
其它的操作與像素電路13ID的操作實質(zhì)上相同。
9、像素電路的第四實施例(修正驅(qū)動晶體管和開關(guān)晶體管的閾值電壓的示例)
電路結(jié)構(gòu)
參照圖15，示出了作為像素電路131的第四實施例的像素電路131F的示例性結(jié) 構(gòu)。
像素電路131F被設(shè)置成修正了驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth (Drv)的差異和開 關(guān)晶體管SW的閾值電壓Vth(SW)的差異。
像素電路13IF具有將圖7中所示的像素電路13IB與圖9中所示的像素電路13IC組合在一起的結(jié)構(gòu)。
更加具體地，像素電路131F具有恒電流驅(qū)動電路151F、初始化電路152F、信號輸 入電路153F、切換電路154F、發(fā)光器件155和電容器Csub。
在上述這些組成部件之中，恒電流驅(qū)動電路151F具有與圖9中所示的像素電路 131C的恒電流驅(qū)動電路151C的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。初始化電路152F、信號輸入電路 153F和切換電路154F分別具有與圖7中所示的像素電路131B的初始化電路152B、信號輸 入電路153B和切換電路154B的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
如上所述，像素電路131F被設(shè)置成包括八個晶體管和四個電容器。
驅(qū)動方法
下面參照圖16中所示的時序圖來說明像素電路131F的驅(qū)動方法。
應(yīng)當注意的是，圖16中所不的時序圖基本上是圖8中所不的時序圖與圖10中所 示的時序圖的組合。
更加具體地，在tfl時刻與tf3時刻之間的間隔中，初始化電路152F、信號輸入電 路153F和切換電路154F執(zhí)行與在圖8所示的tbl時刻與tb3時刻之間的間隔中由圖7中 所示的初始化電路152B、信號輸入電路153B和切換電路154B執(zhí)行的操作實質(zhì)上相同的操 作。也就是說，修正了開關(guān)晶體管SW的閾值電壓Vth(SW)的差異。
另外，在tf4時刻與tf5時刻之間的間隔中，恒電流驅(qū)動電路151F執(zhí)行與在圖10 所示的tcl時刻與tc2時刻之間的間隔中由圖9中所示的恒電流驅(qū)動電路151C執(zhí)行的操 作實質(zhì)上相同的操作。也就是說，修正了驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth(Drv)的差異。
然后，在tf6時刻及其后，執(zhí)行與在圖10中所示的tc3時刻及其后的操作實質(zhì)上 相同的操作。
10、第四實施例的像素電路的第一變形例
電路結(jié)構(gòu)
參照圖17，示出了像素電路131G的示例性結(jié)構(gòu)，像素電路131G是像素電路131F的第一變形例。
像素電路131G與像素電路131F的不同之處在于布置有恒電流驅(qū)動電路151G來 代替恒電流驅(qū)動電路151F。
恒電流驅(qū)動電路151G具有與圖11中所示的像素電路131D的恒電流驅(qū)動電路 15ID的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
應(yīng)當注意的是，恒電流驅(qū)動電路151G的各組成部件的一些附圖標記與恒電流驅(qū) 動電路151D中的附圖標記不同。更加具體地,初始化晶體管Tazl變?yōu)槌跏蓟w管Taz4 而柵極信號AZl變?yōu)闁艠O信號AZ3。
如上所述，像素電路131G被設(shè)置成包括九個晶體管和四個電容器。
驅(qū)動方法
下面參照圖18中所示的時序圖來說明像素電路131G的驅(qū)動方法。
圖18中示出的時序圖與圖16中示出的時序圖的不同之處僅在于在tgl時刻與 tg4時刻之間的間隔中對點C處的電位進行設(shè)定的操作。
更加具體地，在像素電路131F中，點C處的電位是通過控制電源VDS的電壓和柵 極信號DS來設(shè)定的，而在像素電路131G中，點C處的電位是通過控制柵極信號DS和柵極 信號AZ3來設(shè)定的。
更具體地，在tgl時刻，柵極信號AZ3上升為高，使得初始化晶體管Taz4導(dǎo)通。因 此，點C處的電位被設(shè)定為電壓VSS。由于點A處于浮動狀態(tài)，所以當點C處的電位被設(shè)定 為電壓VSS時，點A處的電位也通過電容器Csl而改變。
然后，在tg2時刻，柵極信號AZ3下降為低，使得初始化晶體管Taz4關(guān)閉。
在tg4時刻，柵極信號DS上升為高，使得電源控制晶體管Tds導(dǎo)通。因此，與圖10 中所示的tcl時刻的情況一樣，在點A處的電位被保持為偏壓Vb (低)的狀態(tài)下點C處的 電位上升。然后，當點C處的電位達到Vb(低)-Vth (Drv)并且驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓 Vgs (Drv)變得等于閾值電壓Vth (Drv)時,驅(qū)動晶體管Drv被關(guān)閉。
其它的操作與像素電路13IF的操作實質(zhì)上相同。
11、第四實施例的像素電路的第二變形例
電路結(jié)構(gòu)
參照圖19，示出了像素電路131H的示例性結(jié)構(gòu)，像素電路131H是像素電路131F的第二變形例。
像素電路131H與圖17中所示的像素電路131G的不同之處在于布置有恒電流驅(qū) 動電路151H來替代恒電流驅(qū)動電路151G。
恒電流驅(qū)動電路151H具有與圖13中所示的像素電路131E的恒電流驅(qū)動電路 15IE的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
應(yīng)當注意的是，恒電流驅(qū)動電路151H的各組成部件的一些附圖標記與恒電流驅(qū) 動電路151E中的附圖標記不同。更加具體地，初始化晶體管Tazl和初始化晶體管Taz2分 別變?yōu)槌跏蓟w管Taz4和初始化晶體管Taz5，并且柵極信號AZl和柵極信號AZ2分別變 為柵極信號AZ3和柵極信號AZ4。
如上所述，像素電路131H被設(shè)置成包括十個晶體管和四個電容器。
驅(qū)動方法
下面參照圖20中所示的時序圖來說明像素電路131H的驅(qū)動方法。
圖20中示出的時序圖與圖18中示出的時序圖的不同之處僅在于在從thl時刻到th7時刻的間隔中對點A處的電位進行設(shè)定的操作。
也就是說，在像素電路13IG中，點A處的電位是通過控制偏壓電源的電壓、柵極信號WSl和柵極信號AZl來設(shè)定的，而在像素電路131H中，點A處的電位是通過控制柵極信號WSl、柵極信號AZl和柵極信號AZ4來設(shè)定的。
更加具體地，在thl時刻，柵極信號AZl上升為高，使得初始化晶體管Tazl導(dǎo)通。 因此，點A處的電位被設(shè)定至復(fù)位電壓Vreset。
然后，在th2時刻，柵極信號AZ I下降為低，使得初始化晶體管Tazl關(guān)閉。
在th3時刻，柵極信號AZ4上升為高，使得初始化晶體管Taz5導(dǎo)通。因此，點A處的電位被設(shè)定至偏壓Vb (低)。
然后，在th7時刻，柵極信號AZ4下降為低，使得初始化晶體管Taz5關(guān)閉。
進一步地，在th8時刻，柵極信號WSl上升為高，使得寫入晶體管Twsl導(dǎo)通。因此， 點A處的電位被設(shè)定為偏壓Vb (高)。
然后，在th9時刻，柵極信號WSl下降為低，使得寫入晶體管Twsl關(guān)閉。因此，驅(qū)動晶體管Drv的柵極(點A)變得處于浮動狀態(tài)。
其它的操作與像素電路13IG的操作實質(zhì)上相同。
12、像素電路的第五實施例(修正驅(qū)動晶體管的閾值電壓和遷移率的示例)
電路結(jié)構(gòu)
參照圖21，示出了作為像素電路131的第五實施例的像素電路1311的示例性結(jié)構(gòu)。
根據(jù)前面提到的公式(4)，驅(qū)動晶體管Drv的漏極電流Ids (Drv)不僅依賴于閾值電壓Vth (Drv)還依賴于遷移率μ (Drv)。
另一方面，驅(qū)動晶體管Drv的遷移率μ (Drv)對于不同器件而言有所差異。遷移率μ (Drv)的這種差異導(dǎo)致了流過發(fā)光器件155的電流Iled的差異。因此，不同像素間出現(xiàn)了亮度特性差異，從而導(dǎo)致了圖像質(zhì)量的降低。
相比之下，像素電路1311被設(shè)置成在修正了驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth (Drv) 的差異之外還修正了驅(qū)動晶體管Drv的遷移率μ (Drv)的差異。
像素電路1311與圖9中所示的像素電路131C的不同之處在于布置有恒電流驅(qū)動電路1511、信號輸入電路1531和切換電路1541來替代恒電流驅(qū)動電路151C、信號輸入電路153C和切換電路154C。
在這些組成部件之中，信號輸入電路1531和切換電路1541具有與像素電路131C 的信號輸入電路153C和切換電路154C的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
恒電流驅(qū)動電路1511被設(shè)置成包括N溝道型驅(qū)動晶體管Drv、N溝道型寫入晶體管Twsl和電容器Csl。
驅(qū)動晶體管Drv的漏極與電源控制部115中所含有的電源VDS連接從而被供給有電壓VDD或電壓VSS。驅(qū)動晶體管Drv的柵極與點A連接并且源極與點C連接。
寫入晶體管Twsl的漏極與電源控制部115中所含有的偏壓電源連接從而被施加有偏壓Vb (高)或Vb (低)。寫入晶體管Twsl的柵極被施加有來自晶體管控制部114的柵極信號WS1。寫入晶體管Twsl的源極與點A連接。
電容器Csl連接于點A與點C之間。
如上所述，像素電路1311被設(shè)置成包括四個晶體管和三個電容器。
驅(qū)動方法
下面參照圖22中所示的時序圖來說明像素電路1311的驅(qū)動方法。
應(yīng)當注意的是，在即將到達til時刻之前像素電路1311的狀態(tài)如下所述。
驅(qū)動晶體管Drv處于導(dǎo)通狀態(tài)并且電源VDS的電壓被設(shè)定為電壓VSS。因此，點C 處的電位被設(shè)定為電壓vss。
應(yīng)當注意的是，電壓VSS被設(shè)定為滿足上面提到的關(guān)系式(7)，從而防止發(fā)光器件 155發(fā)光。
開關(guān)晶體管SW以及與入晶體管Twsl和與入晶體管Tws2是關(guān)閉的。
在til時刻，當偏壓被設(shè)定為Vb (低)時柵極信號WSl上升為高，從而使得寫入晶體管Twsl導(dǎo)通。因此，點A處的電位被設(shè)定為偏壓Vb (低)。
應(yīng)當注意的是，偏壓Vb(低)被·設(shè)定為滿足上面提到的關(guān)系式(8)從而使得驅(qū)動晶體管Drv不被關(guān)閉。
同時，將電源VDS的電壓從電壓VSS切換至電壓VDD。因此，在點A處的電位被保持為偏壓Vb (低)的狀態(tài)下，點C處的電位上升。然后，當點C處的電位達到Vb (低)-vth (Drv) 并且驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs (Drv)變得等于閾值電壓Vth (Drv)時,驅(qū)動晶體管Drv 被關(guān)閉。
應(yīng)當注意的是，偏壓Vb (低)被設(shè)定為滿足上面提到的關(guān)系式(9)，從而防止發(fā)光器件155在此時間點處發(fā)光。
進一步地，柵極信號WS2上升為高，使得寫入晶體管Tws2導(dǎo)通。在此刻，視頻信號SIG被設(shè)定為與像素的亮度對應(yīng)的信號電壓Vsig并且點B處的電位被設(shè)定為信號電壓 Vsig0
在ti2時刻，柵極信號WSl和柵極信號WS2下降為低，使得寫入晶體管Twsl和寫入晶體管Tws2關(guān)閉。
應(yīng)當注意的是，在til時刻與ti2時刻之間的間隔中，分配有足夠讓點C處的電位達到Vb (低)-Vth (Drv)的時間段。
在ti3時刻，當偏壓被設(shè)定為Vb (高)時柵極信號WSl上升為高，從而使得寫入晶體管Twsl導(dǎo)通。因此，點A處的電位被設(shè)定為偏壓Vb (高)。于是，驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs(Drv)超過閾值電壓Vth(Drv),從而使得驅(qū)動晶體管Drv導(dǎo)通。
然后，當從ti3時刻已經(jīng)經(jīng)過了預(yù)定時間Λ t時，點C處的電位上升至 Vb (低)-Vth (Drv) + AV0該電壓修正值Λ V依賴于驅(qū)動晶體管Drv的遷移率。也就是說， 隨著遷移率μ (Drv)增大，電壓修正值Λ V增大;隨著遷移率μ (Drv)減小，電壓修正值A(chǔ)V 減小。
那么，驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs (Drv)變成由下面的公式(12)所示。
Vgs (Drv) =Vb (高)-(Vb (低)-Vth (Drv) + AV)
=Vth (Drv) + (Yb (高)-Vb (低)-Δ V) · · · (12)
更加具體地，柵極電壓Vgs(Drv)被設(shè)定為通過如下方式而獲得的值將閾值電壓 Vth(Drv)加上預(yù)定的偏壓(Vb(高)-Vb(低))，再從由此得到的值中減去電壓修正值A(chǔ)V。
應(yīng)當注意的是，在此時，通過將時間Λ t設(shè)定成滿足下面的關(guān)系式(13)，使發(fā)光器件155保持不發(fā)光狀態(tài)。
Vb (低)-Vth (Drv) + Δ V〈Vth (led)+Vcath . . . (13)
然后，在從ti3時刻已經(jīng)經(jīng)過了預(yù)定時間At的ti4時刻，柵極信號WSl下降為低。 因此，寫入晶體管Twsl被關(guān)閉，并且驅(qū)動晶體管Drv的柵極(點A)變?yōu)樘幱诟訝顟B(tài)。
另一方面，因為驅(qū)動晶體管Drv被保持為導(dǎo)通狀態(tài)并且驅(qū)動晶體管Drv的漏極被施加有電壓VDD，所以點C處的電位上升而超過Vth(Ied) +Vcath。
同時，由于驅(qū)動晶體管Drv的柵極(點A)處于浮動狀態(tài)，因此按照與所謂的自舉電路的現(xiàn)象一樣的現(xiàn)象，點A處的電位通過電容器Csl而上升。于是，驅(qū)動晶體管Drv的柵極電壓Vgs (Drv)保持著上面提到的公式(12)的值。
應(yīng)當注意的是，在此刻驅(qū)動晶體管Drv的漏極電流Ids(Drv)的值是由下面的公式(14)表示的，公式(14)是通過將公式(12)中的柵極電壓Vgs (Drv)代入到上面提到的公式(4)中而得到的。
Ids (Drv) =k · μ (Drv) · (Vb (高)-Vb (低)-Δ V) 2· · · (14)
如上所述，在將柵極電壓Vgs (Drv)設(shè)定為由公式(12)表示的值時，這能夠使得漏極電流Ids(Drv)如公式(14)中所示那樣與驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth (Drv)無關(guān)。
另外，如上所述，隨著遷移率μ (Drv)增大，電壓修正值Λ V增大，因而漏極電流 Ids(Drv)相應(yīng)地減小。反之，隨著遷移率μ (Drv)減小，電壓修正值A(chǔ)V減小，因而漏極電流Ids(Drv)相應(yīng)地增大。因此，通過電壓修正值A(chǔ)V消除了遷移率μ (Drv)的差異，從而使得漏極電流Ids(Drv)變得幾乎與遷移率μ (Drv)無關(guān)。
因此，流過發(fā)光器件155的電流Iled不因為驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth (Drv) 和遷移率μ (Drv)而出現(xiàn)差異，從而使得各像素的亮度特性差異最小化，由此提高了顯示裝置101的圖像質(zhì)量。
而且，在此刻，開始向電容器Cs2輸入斜坡信號Ramp。隨著斜坡信號Ramp的電壓上升，點B處的電位通過電容器Cs2以坡度的方式上升。
然后，在ti5時刻處，以與圖6中所示的ta5時刻相同的方式，當點B處的電位超過Vth (Sff) +Vss時，開關(guān)晶體管SW被導(dǎo)通，從而驅(qū)動晶體管Drv瞬間被關(guān)閉。因此，瞬間停止了向發(fā)光器件155供給的電流Iled，由此發(fā)光器件155從發(fā)光狀態(tài)變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。
13、像素電路的 第六實施例(修正驅(qū)動晶體管的閾值電壓和遷移率以及開關(guān)晶體管的閾值電壓的示例)
電路結(jié)構(gòu)
參照圖23，示出了作為像素電路131的第六實施例的像素電路131J的示例性結(jié)構(gòu)。
像素電路131J被設(shè)置成修正了驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth(Drv)和遷移率 μ (Drv)的差異以及開關(guān)晶體管SW的閾值電壓Vth(SW)的差異。
更加具體地，像素電路131J具有將圖7中所示的像素電路131Β與圖21中所示的像素電路1311組合在一起的結(jié)構(gòu)。
像素電路131J被設(shè)置成包括恒電流驅(qū)動電路151J、初始化電路152J、信號輸入電路153J、切換電路154J、發(fā)光器件155和電容器Csub。
在這些組成部件之中，恒電流驅(qū)動電路151J具有與圖21中所示的像素電路1311 的恒電流驅(qū)動電路1511的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。初始化電路152J、信號輸入電路153J和切換電路154J具有與圖7中所示的像素電路131B的初始化電路152B、信號輸入電路153B 和切換電路154B的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
如上所述，像素電路131J被設(shè)置成包括七個晶體管和四個電容器。
驅(qū)動方法
下面參照圖24中所示的時序圖來說明像素電路131J的驅(qū)動方法。
應(yīng)當注意的是，圖24中所示的時序圖基本上是圖8中所示的時序圖與圖22中所示的時序圖的組合。
更加具體地，在tjl時刻與tj3時刻之間的間隔中，初始化電路152J、信號輸入電路153J和切換電路154J執(zhí)行與在圖8所示的tbl時刻與tb3時刻之間的間隔中由圖7中所示的初始化電路152B、信號輸入電路153B和切換電路154B執(zhí)行的操作實質(zhì)上相同的操作。也就是說，修正了開關(guān)晶體管SW的閾值電壓Vth(SW)的差異。
在tj4與tj7之間的間隔中，恒電流驅(qū)動電路151J執(zhí)行與在圖22所示的til時刻與ti4時刻之間的間隔中由圖21中所示的恒電流驅(qū)動電路1511執(zhí)行的操作實質(zhì)上相同的操作。也就是說，修正了驅(qū)動晶體管Drv的閾值電壓Vth(Drv)的差異和遷移率μ (Drv)的差異。
然后，在ti8時亥IJ，與圖6中所示的ta5時刻一樣，當點B處的電位超過 Vth (Sff)+Vss時，開關(guān)晶體管SW被導(dǎo)通，此時驅(qū)動晶體管Drv瞬間被關(guān)閉。因此，瞬間停止了向發(fā)光器件155供給的電流Iled，此時發(fā)光器件155從發(fā)光狀態(tài)變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。
14、應(yīng)用了本文中所公開的技術(shù)的產(chǎn)品(電子設(shè)備)的示例
應(yīng)用了本文中所公開的技術(shù)的顯示裝置101可以被安裝在各種各樣的電子設(shè)備中。
參照圖25，示出了電子設(shè)備201的示例性概念結(jié)構(gòu)。電子設(shè)備201是由上面說明的顯示裝置101、系統(tǒng)控制部211和操作輸入部212構(gòu)成的。系統(tǒng)控制部211所要執(zhí)行的處理根據(jù)電子設(shè)備201的模式的不同而有所不同。操作輸入部212是接收由用戶輸入的操作輸入信號從而控制系統(tǒng)控制部211的部件。操作輸入部212例如具有圖形界面以及基于諸如開關(guān)和按鈕等的機械界面。
應(yīng)當注意的是，只要電子設(shè)備201具有對在該設(shè)備內(nèi)部生成的或者從外部提供的圖像或視頻信號進行顯示的功能，電子設(shè)備201不限于特定領(lǐng)域中的那些電子設(shè)備。
參照圖26，示出 了例如是電視接收機的電子設(shè)備201的外觀視圖。
在電視接收機221的外殼的前側(cè)，布置有例如由前面板231和濾色玻璃232構(gòu)成的顯示屏233。顯示屏233相當于顯示裝置101。
此外，此類型的電子設(shè)備201例如可以是數(shù)碼相機。參照圖27A和圖27B，示出了數(shù)碼相機241的立體圖。圖27A示出了正視圖(被拍攝對象側(cè))，而圖27B示出了后視圖(攝像者側(cè))。
數(shù)碼相機241例如是由保護蓋251、攝像鏡頭部252、顯示屏253、控制開關(guān)254和快門按鈕255構(gòu)成的。在這些組成部件之中，顯示屏253相當于顯示裝置101。
另外，還可以假設(shè)此類型的電子設(shè)備201例如是攝像機。圖28示出了攝像機261 的示例性外觀視圖。
攝像機261例如是由主體271、布置在主體271前面的用于拍攝被拍攝對象的攝像 鏡頭部272、攝像開始/停止開關(guān)273和顯示屏274構(gòu)成的。在這些組成部件之中，顯示屏 274相當于顯示裝置101。
此外，還可以假設(shè)此類型的電子設(shè)備201例如是便攜式終端設(shè)備。圖29A和圖29B 示出了作為便攜式終端設(shè)備的手機281的示例性外觀視圖。圖29A和圖29B中所示的手機 281是翻蓋型的。圖29A示出了手機281的當其殼體翻開時的示例性外觀視圖。圖29B示 出了手機281的當其殼體未翻開時的示例性外觀視圖。
手機281例如是由上部殼體監(jiān)視裝置291、下部殼體292、連接部(在本例中為鉸鏈 部)293、顯示屏294、副顯示屏295、圖片燈296和攝像頭297構(gòu)成的。在這些組成部件之 中，顯示屏294和副顯示屏295相當于顯示裝置101。
另外，還可以假設(shè)此類型的電子設(shè)備201例如是電腦。圖30示出了筆記本電腦 301的示例性外觀視圖。
筆記本電腦301例如是由下部殼體311、上部殼體312、鍵盤313和顯示屏314構(gòu) 成的。在這些組成部件之中，顯示屏314相當于顯示裝置101。
另外，電子設(shè)備201例如可以是語音復(fù)制機、游戲機、電子書和電子詞典等。
15、其他變形方案
下面說明本文中所描述的技術(shù)的各實施例的其他變形方案。
用于構(gòu)成像素電路131的各晶體管的結(jié)構(gòu)(P溝道型和N溝道型)不限于上面提到 的那些結(jié)構(gòu)，而是也可以根據(jù)需要替換這些結(jié)構(gòu)。如果晶體管的這些結(jié)構(gòu)被替換，那么還會 有如下改變例如，根據(jù)需要，改變電源(偏壓等)和控制信號(柵極信號等)的極性并且斜坡 信號Ramp的波形以坡度的方式減小。
在上面的描述中，開關(guān)晶體管SW的源極的電位和發(fā)光器件155的陰極的電位被設(shè) 定為彼此不同；然而，這兩個電位可以被設(shè)定為相同的值。
此外，雖然已經(jīng)用具體的實例說明了本發(fā)明的各優(yōu)選實施例，但是這樣的說明僅 是為了解釋的目的，還需要理解的是，在不脫離隨附權(quán)利要求的精神或范圍的情況下可以 進行各種改變和變化。
例如，這里所描述的本發(fā)明可以采用如下的實施方案。
( I) 一種像素電路，所述像素電路包括
發(fā)光器件；
恒電流驅(qū)動電路，所述恒電流驅(qū)動電路被設(shè)置成包括第一晶體管，所述第一晶體 管作為用于向所述發(fā)光器件供給預(yù)定電流的恒電流源；以及
切換電路，所述切換電路被設(shè)置成包括第二晶體管，所述第二晶體管用于接通或 關(guān)斷所述第一晶體管的柵極與預(yù)定電位之間的電連接，并且所述切換電路借助于所述第二 晶體管將所述第一晶體管的柵極連接至所述預(yù)定電位，由此關(guān)閉所述第一晶體管。
(2)根據(jù)上面(I)所述的像素電路，還包括信號輸入電路，所述信號輸入電路被 設(shè)置用于將斜坡信號輸入至所述第二晶體管的柵極，所述斜坡信號從與像素的亮度對應(yīng)的初始電壓以預(yù)定坡度增大或減小。
(3)根據(jù)上面(2)所述的像素電路，其中，所述信號輸入電路以所述第二晶體管的 閾值電壓為基準來設(shè)定所述初始電壓。
(4)根據(jù)上面(3)所述的像素電路，其中，在所述第二晶體管的柵極電壓被設(shè)定為 所述閾值電壓的狀態(tài)下，所述信號輸入電路通過將與所述像素的亮度對應(yīng)的電壓經(jīng)由電容 器施加至所述第二晶體管的柵極來設(shè)定所述初始電壓。
( 5)根據(jù)上面(I)至(4)中任一者所述的像素電路，其中，所述恒電流驅(qū)動電路將 所述第一晶體管的柵極電壓設(shè)定為第一值，并且向所述發(fā)光器件供給電流，所述第一值是 通過將所述第一晶體管的閾值電壓加上預(yù)定的偏壓而獲得的。
(6)根據(jù)上面(5)所述的像素電路，其中，所述恒電流驅(qū)動電路將所述第一晶體管 的柵極電壓設(shè)定為第二值，并且向所述發(fā)光器件供給電流，所述第二值是通過從所述第一 值再減去與所述第一晶體管的遷移率對應(yīng)的電壓而獲得的。
(7) 一種像素電路驅(qū)動方法，所述驅(qū)動方法包括如下步驟
從包括作為恒電流源的第一晶體管的恒電流驅(qū)動電路向發(fā)光器件供給預(yù)定電流， 由此使所述發(fā)光器件發(fā)光；以及
借助于用于接通或關(guān)斷所述第一晶體管的柵極與預(yù)定電位之間的電連接的第二 晶體管，將所述第一晶體管的柵極連接至所述預(yù)定電位，由此關(guān)閉所述第一晶體管。
(8)—種顯示裝置，所述顯示裝置包括像素陣列和驅(qū)動控制部，在所述像素陣列中 以矩陣的形式布置有像素電路，各所述像素電路是如上面(I)至(6)中任一者所述的像素 電路，并且所述驅(qū)動控制部被設(shè)置用于控制所述像素電路的驅(qū)動。
( 9 ) 一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括如上面(8 )所述的顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種像素電路，所述像素電路包括 發(fā)光器件； 恒電流驅(qū)動電路，所述恒電流驅(qū)動電路被設(shè)置成包括第一晶體管，所述第一晶體管作為用于向所述發(fā)光器件供給預(yù)定電流的恒電流源；以及 切換電路，所述切換電路被設(shè)置成包括第二晶體管，所述第二晶體管用于接通或關(guān)斷所述第一晶體管的柵極與預(yù)定電位之間的電連接，并且所述切換電路借助于所述第二晶體管將所述第一晶體管的柵極連接至所述預(yù)定電位，由此關(guān)閉所述第一晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，還包括信號輸入電路，所述信號輸入電路被設(shè)置用于將斜坡信號輸入至所述第二晶體管的柵極，所述斜坡信號從與像素的亮度對應(yīng)的初始電壓以預(yù)定坡度增大或減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其中，所述信號輸入電路以所述第二晶體管的閾值電壓為基準來設(shè)定所述初始電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其中，在所述第二晶體管的柵極電壓被設(shè)定為所 述閾值電壓的狀態(tài)下，所述信號輸入電路通過將與所述像素的亮度對應(yīng)的電壓經(jīng)由電容器施加至所述第二晶體管的柵極來設(shè)定所述初始電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的像素電路，其中，所述恒電流驅(qū)動電路將所述第一晶體管的柵極電壓設(shè)定為第一值，并且向所述發(fā)光器件供給電流，所述第一值是通過將所述第一晶體管的閾值電壓加上預(yù)定的偏壓而獲得的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，其中，所述恒電流驅(qū)動電路將所述第一晶體管的柵極電壓設(shè)定為第二值，并且向所述發(fā)光器件供給電流，所述第二值是通過從所述第一值再減去與所述第一晶體管的遷移率對應(yīng)的電壓而獲得的。
7.一種像素電路驅(qū)動方法，所述方法包括如下步驟 從包括作為恒電流源的第一晶體管的恒電流驅(qū)動電路向發(fā)光器件供給預(yù)定電流，由此使所述發(fā)光器件發(fā)光；以及 借助于用于接通或關(guān)斷所述第一晶體管的柵極與預(yù)定電位之間的電連接的第二晶體管，將所述第一晶體管的柵極連接至所述預(yù)定電位，由此關(guān)閉所述第一晶體管。
8.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括像素陣列和驅(qū)動控制部， 在所述像素陣列中以矩陣的形式布置有像素電路，各所述像素電路是如權(quán)利要求1至6中任一項所述的像素電路，并且 所述驅(qū)動控制部被設(shè)置用于控制所述像素電路的驅(qū)動。
9.一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求8所述的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開了像素電路、像素電路驅(qū)動方法、顯示裝置和電子設(shè)備。所述像素電路包括發(fā)光器件；恒電流驅(qū)動電路，其被設(shè)置成包括第一晶體管，所述第一晶體管作為用于向所述發(fā)光器件供給預(yù)定電流的恒電流源；以及切換電路，其被設(shè)置成包括第二晶體管，所述第二晶體管用于接通或關(guān)斷所述第一晶體管的柵極與預(yù)定電位之間的電連接，并且所述切換電路借助于所述第二晶體管將所述第一晶體管的柵極連接至所述預(yù)定電位，由此關(guān)閉所述第一晶體管。所述顯示裝置包含像素陣列和驅(qū)動控制部，在所述像素陣列中以矩陣的形式布置有上述像素電路，所述驅(qū)動控制部用于控制所述像素電路的驅(qū)動。所述電子設(shè)備包含上述顯示裝置。本發(fā)明能夠提高圖像質(zhì)量。
文檔編號G09G3/20GK103035189SQ201210356959
公開日2013年4月10日 申請日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者豐村直史, 內(nèi)野勝秀 申請人:索尼公司