有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，其中，包括：掃描線，用于提供掃描電壓；反向掃描線，用于提供與所述掃描電壓反向的反向掃描電壓；數(shù)據(jù)線，用于提高數(shù)據(jù)電壓；存儲(chǔ)電容；CMOS傳輸門，通過所述掃描電壓及所述反向掃描電壓控制，用于將來自所述數(shù)據(jù)線的所述數(shù)據(jù)電壓耦合到所述存儲(chǔ)電容；驅(qū)動(dòng)晶體管，與電源電壓耦接，通過所述存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)的電壓控制來驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件。綜上所述，本發(fā)明通過用CMOS傳輸門與數(shù)據(jù)電壓相連，利用COMS傳輸門對(duì)于輸入電壓的串行電阻較小的性質(zhì)，大幅減小MOS管柵極的饋通效應(yīng)，并進(jìn)一步減少電壓導(dǎo)致的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流差異造成的色差效應(yīng)。
【專利說明】有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，尤其涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的顯示器是一種新型的顯示器，現(xiàn)有的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，一般整體的面板驅(qū)動(dòng)架構(gòu)仍與目前的LCD十分相似，像素?cái)?shù)據(jù)的更新以列為單位分時(shí)更新，像素的驅(qū)動(dòng)方式以電壓補(bǔ)償式為主流，在此電路架構(gòu)上仍然會(huì)有柵極電壓饋通效應(yīng)的產(chǎn)生。
[0003]圖1所示為現(xiàn)有的源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，如圖1所示，NMOS管M16的漏極耦接數(shù)據(jù)電壓Vdata，柵極耦接掃描電壓Scan，源極耦接儲(chǔ)存電容Cst的Vcl端。NMOS管M14的漏極耦接儲(chǔ)存電容Cst的Vcl端以及NMOS管M16的源極，NMOS管M14的柵極耦接放電電壓Discharge，NMOS管M14的源極耦接儲(chǔ)存電容Cst的Vc2端。NMOS管M13的漏極耦接NMOS管M14的源極以及儲(chǔ)存電容Cst的Vc2端，NMOS管M13的柵極耦接掃描電壓Scan。PMOS管MlI的漏極耦接電源電壓Vdd，PMOS管Mll的柵極耦接儲(chǔ)存電容Cst的Vc2端、NMOS管M14的源極以及NMOS管M13的漏極，PMOS管Mll的源極耦接NMOS管M13的源極。PMOS管M12的漏極耦接PMOS管Mll的源極以及NMOS管M13的源極，PMOS管M12的柵極耦接發(fā)射電壓Emit，PMOS管M12的源極耦接有機(jī)發(fā)光二極管EL。PMOS管M15漏極耦接參考電壓Vref，PMOS管M15的柵極耦接掃描電壓Scan，PMOS管M15的源極耦接儲(chǔ)存電容Cst的一端Vcl、NMOS管M16的源極以及NMOS管M14的漏極。
[0004]圖1的像素驅(qū)動(dòng)電路中，NMOS管M16主要用于將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入像素端Vcl。當(dāng)Vscan變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，這時(shí)候由于M16關(guān)閉時(shí)的饋通效應(yīng)，會(huì)讓寫入在端Vcl的電壓下降0.5?IV左右，實(shí)際中會(huì)根據(jù)寫入不同的數(shù)據(jù)電壓Vdata而得到不同的饋通電壓。在有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路當(dāng)中，由于有機(jī)發(fā)光二極管采用電流驅(qū)動(dòng)控制灰階變化，故寫入的數(shù)據(jù)電壓Vdata經(jīng)過一連串補(bǔ)償之后仍需通過PMOS管Mll來轉(zhuǎn)換成有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流。由于PMOS管Mll在驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管時(shí)保持在飽和區(qū)，由此可知有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流的變化會(huì)受到實(shí)際輸入的數(shù)據(jù)電壓Vdata的影響，導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流差異造成色差效應(yīng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，用以解決現(xiàn)有的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的柵極電壓饋通效應(yīng)，對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流的不良影響。
[0006]本發(fā)明提供了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，包括:掃描線，用于提供掃描電壓；反向掃描線，用于提供與所述掃描電壓反向的反向掃描電壓；數(shù)據(jù)線，用于提供數(shù)據(jù)電壓；存儲(chǔ)電容；CM0S傳輸門,通過所述掃描電壓及所述反向掃描電壓控制,用于將來自所述數(shù)據(jù)線的所述數(shù)據(jù)電壓耦合到所述存儲(chǔ)電容；以及驅(qū)動(dòng)晶體管，與一電源電壓耦接，通過所述存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)的電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件。
[0007]根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例，其中，還包括:第一MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管以及儲(chǔ)存電容；該CMOS傳輸門的控制端耦接該掃描線以及該反向掃描線，該CMOS傳輸門的輸入端耦接該數(shù)據(jù)線，該CMOS傳輸門的輸出端耦接該存儲(chǔ)電容的一端；該第四MOS管的漏極耦接該儲(chǔ)存電容的該一端以及該CMOS傳輸門的輸出端，柵極耦接一放電電壓，源極耦接該儲(chǔ)存電容的另一端；該第三MOS管的漏極耦接該第四MOS管的源極以及該儲(chǔ)存電容的該另一端，柵極耦接該掃描線；該第一MOS管的漏極耦接該電源電壓，柵極耦接該儲(chǔ)存電容的該另一端、該第四MOS管的源極以及該第三MOS管的漏極，源極耦接該第三MOS管的源極；該第二 MOS管的漏極耦接該第一 MOS管的源極以及該第三MOS管的源極，柵極耦接一發(fā)射電壓，源極耦接發(fā)光元件。
[0008]根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例，其中，該驅(qū)動(dòng)電路還包括第五MOS管，其漏極耦接一參考電壓，柵極耦接該掃描線，源極耦接該儲(chǔ)存電容的該一端、該CMOS傳輸門的輸出端以及該第四MOS管的漏極。
[0009]根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例，其中，該第一 MOS管、第二 MOS管以及第五MOS管均為PMOS管，第三MOS管以及第四MOS管均為NMOS管。
[0010]根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例，其中，該發(fā)光元件為有機(jī)發(fā)光二極管，其陽(yáng)極耦接該第二 MOS管的源極。
[0011]根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例，其中，該CMOS傳輸門包括PMOS管與NMOS管，該P(yáng)MOS管以及NMOS管的漏極耦接該數(shù)據(jù)線，該P(yáng)MOS管以及該NMOS管的源極耦接該存儲(chǔ)電容的該一端以及第四MOS管的漏極，該NMOS管的柵極耦接該掃描線，該P(yáng)MOS管的柵極耦接該反向掃描線。
[0012]根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例，其中，該反向掃描線包括:該掃描線通過一反向器連接該P(yáng)MOS管的柵極。
[0013]綜上所述，本發(fā)明通過將與數(shù)據(jù)電壓Vdata相連的NMOS管用CMOS傳輸門替代，利用CMOS傳輸柵特有的跟隨電壓補(bǔ)償效應(yīng)(feedthrough voltage)，即NMOS關(guān)閉與PMOS關(guān)閉跟隨電壓相反，可以減少因跟隨電壓的差異導(dǎo)致的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流差異造成的色差效應(yīng)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1所示為現(xiàn)有的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；
[0015]圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；
[0016]圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的另一電路示意圖；
[0017]圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的一信號(hào)時(shí)序示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，如圖2所示，本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，包括:CMOS傳輸門M9、PMOS管Ml、PMOS 管 M2、NMOS 管 M3、NMOS 管 M4、PMOS 管 M5 以及儲(chǔ)存電容 Cst。
[0019]參考圖2，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)包括:CM0S傳輸門M9的控制端率禹接掃描線的掃描電壓Scan以及反向掃描線的反向掃描電壓Nscan，CMOS傳輸門M9的輸入端耦接數(shù)據(jù)電壓Vdata，CM0S傳輸門M9的輸出端耦接存儲(chǔ)電容Cst的Cl端。NMOS管M4的漏極耦接儲(chǔ)存電容Cst的Cl端以及CMOS傳輸門M9的輸出端，NMOS管M4的柵極耦接放電電壓Discharge，源極耦接儲(chǔ)存電容Cst的C2端；NM0S管M3的漏極耦接NMOS管M4的源極以及儲(chǔ)存電容Cst的另一端，NMOS管M3柵極耦接掃描電壓Scan。PMOS管Ml的漏極耦接電源電壓Vdd，PM0S管Ml的柵極耦接儲(chǔ)存電容Cst的C2端、NMOS管M4的源極以及NMOS管M3的漏極，PMOS管Ml的源極耦接NMOS管M3的源極。PMOS管M2的漏極耦接PMOS管Ml的源極以及NMOS管M3的源極，PMOS管M2的柵極耦接發(fā)射電壓Emit，PMOS管M2的源極耦接發(fā)光元件EL。
[0020]對(duì)于另一實(shí)施例，參考圖2，驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括PMOS管M5漏極耦接參考電壓Vref, PMOS管M5的柵極耦接掃描電壓Scan，PMOS管M5的源極耦接儲(chǔ)存電容Cst的一端CUCMOS傳輸門M9的輸出端以及NMOS管M4的漏極。參考電壓Vref為數(shù)據(jù)電壓Vdata更新前的重置電壓，以大幅加快充電速度。
[0021]根據(jù)示例實(shí)施例，用CMOS傳輸門來取代NMOS開關(guān)晶體管，并適當(dāng)調(diào)控NMOS與PMOS的閾值電壓大小來使上拉與下拉的電位完全相等，從而減小饋通效應(yīng)的影響，提高影
像質(zhì)量。
[0022]雖然參照?qǐng)D2描述了本發(fā)明的示例實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然理解，本發(fā)明的構(gòu)思也可應(yīng)用于其他形式的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路。下面，描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的另一驅(qū)動(dòng)電路。
[0023]圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的另一電路示意圖，如圖3所示，本實(shí)施例中CMOS傳輸門M9包括PMOS管M8與NMOS管M7。NMOS管M7的漏極耦接數(shù)據(jù)電壓Vdata，NMOS管M7的源極耦接存儲(chǔ)電容Cst的Cl端以及NMOS管M4的漏極，NMOS管M7的柵極耦接掃描電壓Scan。PMOS管M8的漏極耦接數(shù)據(jù)電壓Vdata，PMOS管M8的源極耦接存儲(chǔ)電容Cst的Cl端以及NMOS管M4的漏極，PMOS管M8的柵極耦接掃描電壓Scan的反向電壓NScan。
[0024]其中，反向電壓Nscan可以為掃描電壓Scan通過一反向器(未圖示)得到，并連接PMOS管M8的柵極。
[0025]上述實(shí)施例中的發(fā)光元件EL可以為有機(jī)發(fā)光二極管EL，其陽(yáng)極耦接PMOS管M2的源極，陰極接地。
[0026]圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的一信號(hào)時(shí)序示意圖。下面結(jié)合圖2-4簡(jiǎn)述本發(fā)明的實(shí)際使用過程。在整個(gè)像素充能階段發(fā)射電壓Emit處于高電平，使得PMOS管M2始終處于截止?fàn)顟B(tài)；放電電壓Discharge輸入高電平，如此時(shí)存儲(chǔ)電容Cst具有剩余電量，則通過NMOS管M4放電；放電電壓Discharge恢復(fù)低電平后，掃描電壓Scan輸入高電平，且反向電壓NScan輸入反向電平,使得CMOS傳輸門M9導(dǎo)通,數(shù)據(jù)電壓Vdata通過CMOS傳輸門M9給儲(chǔ)存電容Cst充電；并在充電完成后，掃描電壓Scan重新恢復(fù)低電平。在充電完成后，發(fā)射電壓Emit變?yōu)榈碗娖?，此時(shí)PMOS管Ml連接儲(chǔ)存電容Cst的低電壓端，故PMOS管Ml導(dǎo)通，且PMOS管M2通過發(fā)射電壓Emit變?yōu)榈碗娖綄?dǎo)通，故有機(jī)發(fā)光二極管EL發(fā)光。
[0027]綜上所述，本發(fā)明通過將與數(shù)據(jù)電壓Vdata相連的NMOS管用CMOS傳輸門替代，利用CMOS傳輸柵特有的跟隨電壓補(bǔ)償效應(yīng)(feedthrough voltage)，即NMOS關(guān)閉與PMOS關(guān)閉跟隨電壓相反，可以減少因跟隨電壓的差異導(dǎo)致的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流差異造成的色差效應(yīng)。
[0028]雖然已參照幾個(gè)典型實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，所用的術(shù)語(yǔ)是說明和示例性、而非限制性的術(shù)語(yǔ)。由于本發(fā)明能夠以多種形式具體實(shí)施而不脫離本發(fā)明的精神或?qū)嵸|(zhì)，所以應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例不限于任何前述的細(xì)節(jié)，而應(yīng)在所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)廣泛地解釋，因此落入權(quán)利要求或其等效范圍內(nèi)的全部變化和改型都應(yīng)為所附權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括: 掃描線，用于提供掃描電壓； 反向掃描線，用于提供與所述掃描電壓反向的反向掃描電壓；數(shù)據(jù)線，用于提供數(shù)據(jù)電壓； 存儲(chǔ)電容； CMOS傳輸門，通過所述掃描電壓及所述反向掃描電壓控制，用于將來自所述數(shù)據(jù)線的所述數(shù)據(jù)電壓耦合到所述存儲(chǔ)電容；以及 驅(qū)動(dòng)晶體管，與一電源電壓耦接，通過所述存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)的電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件。
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括: 第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管以及儲(chǔ)存電容； 該CMOS傳輸門的控制端耦接該掃描線以及該反向掃描線，該CMOS傳輸門的輸入端耦接該數(shù)據(jù)線，該CMOS傳輸門的輸出端耦接該存儲(chǔ)電容的一端； 該第四MOS管的漏極耦接該儲(chǔ)存電容的該一端以及該CMOS傳輸門的輸出端，柵極耦接一放電電壓，源極耦接該儲(chǔ)存電容的另一端； 該第三MOS管的漏極耦接該第四MOS管的源極以及該儲(chǔ)存電容的該另一端，柵極耦接該掃描線； 該第一MOS管的漏極耦接該電源電壓，柵極耦接該儲(chǔ)存電容的該另一端、該第四MOS管的源極以及該第三MOS管的漏極，源極耦接該第三MOS管的源極； 該第二 MOS管的漏極耦接該第一 MOS管的源極以及該第三MOS管的源極，柵極耦接一發(fā)射電壓，源極耦接發(fā)光元件。
3.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，該驅(qū)動(dòng)電路還包括第五MOS管，其漏極耦接一參考電壓，柵極耦接該掃描線，源極耦接該儲(chǔ)存電容的該一端、該CMOS傳輸門的輸出端以及該第四MOS管的漏極。
4.如權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，該第一MOS管、第二MOS管以及第五MOS管均為PMOS管，第三MOS管以及第四MOS管均為NMOS管。
5.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，該發(fā)光元件為有機(jī)發(fā)光二極管，其陽(yáng)極耦接該第二 MOS管的源極。
6.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 該CMOS傳輸門包括PMOS管與NMOS管，該P(yáng)MOS管以及NMOS管的漏極耦接該數(shù)據(jù)線，該P(yáng)MOS管以及該NMOS管的源極耦接該存儲(chǔ)電容的該一端以及第四MOS管的漏極，該NMOS管的柵極耦接該掃描線，該P(yáng)MOS管的柵極耦接該反向掃描線。
7.如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，該反向掃描線包括:該掃描線通過一反向器連接該P(yáng)MOS管的柵極。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK103971636SQ201410162958
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】馮佑雄 申請(qǐng)人:上海和輝光電有限公司