本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法。

背景技術(shù)：

作為新一代顯示技術(shù)，有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、寬視角、高響應(yīng)速度等優(yōu)點，因此備受市場的青睞。

oled顯示裝置按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型oled(passivematrixoled，pmoled)和有源矩陣型oled(activematrixoled，amoled)兩大類。其中，amoled具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。amoled是電流驅(qū)動器件，亮度由流過oled自身的電流決定，大部分已有芯片(ic)都只傳輸電壓信號，故amoled像素驅(qū)動電路要完成將電壓信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘柕娜蝿?wù)。

如圖1所示，其為現(xiàn)有oled(organiclightemittingdiode)的2t1c(2transistor1capacitance)像素驅(qū)動電路示意圖，2t1c指電路主要包括兩個薄膜晶體管(tft)和一個電容(c)，其中一個薄膜晶體管t2為開關(guān)tft，由掃描信號gate控制，用于控制數(shù)據(jù)信號data的進(jìn)入，是控制電容cst的充電開關(guān)，另一個薄膜晶體管t1為驅(qū)動tft，用于驅(qū)動oled，控制通過oled的電流，電容cst主要是用來存儲數(shù)據(jù)信號data進(jìn)而控制t1對oled的驅(qū)動電流。掃描信號gate可以來自于柵極驅(qū)動器，對應(yīng)于某一行掃描線，數(shù)據(jù)信號data可以來自于源極驅(qū)動器，對應(yīng)于某一列數(shù)據(jù)線。ovdd為電源高電位，ovss為電源低電位。根據(jù)晶體管i-v(電流-電壓)方程：

ids,sat＝k·(vgs-vth,t1)²＝k·(vg-vs-vth,t1)²(1)

其中k為本征導(dǎo)電因子，飽和電流ids，sat的大小與驅(qū)動tft(t1)的閾值電壓vth有關(guān)。

由于面板制程的不穩(wěn)定性等原因，使得面板內(nèi)每個子像素(sub-pixel)的驅(qū)動tft的閾值電壓vth會有差別。因此，即使數(shù)據(jù)電壓(vdata)相等的施加到各像素的驅(qū)動tft(drivingtft)，也會出現(xiàn)流入有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的電流不一致的情況，導(dǎo)致顯示圖像質(zhì)量的均一性難以實現(xiàn)。

另外，隨著驅(qū)動tft驅(qū)動時間的推移，會造成tft材料老化、變異，導(dǎo)致驅(qū)動tft的閾值電壓vth會漂移等問題。并且板內(nèi)tft材料的老化程度不同，導(dǎo)致面板內(nèi)各驅(qū)動tft的閾值電壓vth漂移量不同，也會造成面板顯示的不均勻現(xiàn)象，并且隨著驅(qū)動時間的推移，tft材料的老化變得更嚴(yán)重。即使驅(qū)動電壓相同，流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光電流也很可能不同，造成亮度不均勻。加之發(fā)光晶體管器件的老化，會使發(fā)光晶體管的開啟電壓上升，流入有機(jī)發(fā)光二極管的電流逐漸減小，導(dǎo)致面板亮度降低、發(fā)光效率下降等問題。

如圖1所示現(xiàn)有的oled的2t1c驅(qū)動電路中ids，sat的大小與驅(qū)動tft的閾值電壓vth有關(guān)，此驅(qū)動電路會造成面板顯示的不均勻現(xiàn)象，且會受到oled退化的影響。因此，現(xiàn)有技術(shù)還提供了如圖2所示的oled的5t2c驅(qū)動電路，圖3為其時序圖，主要包括薄膜晶體管md，m1至m4，電容c1和c2，控制信號包括scan1，scan2，em，以及data。

圖2所示5t2c架構(gòu)雖然可以消除驅(qū)動tft的閾值電壓vth，但在數(shù)據(jù)寫入(datawriting)和發(fā)光(emission)階段節(jié)點(node)a的電位保持vdata+ovdd－vth－vref；由于面板oled的不均勻性導(dǎo)致各子像素的voled不一致，若參考電位vref過大會使oled在重置(reset)階段發(fā)光；若參考電位vref過小，會使上述數(shù)據(jù)寫入(datawriting)和發(fā)光(emission)階段節(jié)點a的電位過大，導(dǎo)致驅(qū)動tft處于截止?fàn)顟B(tài)，所以vref的大小難以把握。

為消除驅(qū)動tft的閾值電壓vth，現(xiàn)有技術(shù)還提供了6t2c像素驅(qū)動電路。參見圖4，其為現(xiàn)有oled的6t2c像素驅(qū)動電路及時序示意圖。上述6t2c架構(gòu)雖然可以消除驅(qū)動tft的vth，但所用tft數(shù)量較多(6個)，t1至t6，會導(dǎo)致面板像素布局(pixellayout)設(shè)計復(fù)雜、開口率下降等問題；且需要較多的時序控制信號(5條)，scan1，scan2，scan3，em1，以及em2，導(dǎo)致時序控制器(tcon)變得復(fù)雜。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種像素驅(qū)動電路，消除oled驅(qū)動電路中驅(qū)動tft的閾值電壓vth對發(fā)光二極管的影響。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，消除oled驅(qū)動電路中驅(qū)動tft的閾值電壓vth對發(fā)光二極管的影響。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動電路，包括：

第一薄膜晶體管，其柵極連接第一節(jié)點，源極和漏極分別連接第二節(jié)點和第三節(jié)點；

第二薄膜晶體管，其柵極連接掃描信號，源極和漏極分別連接第四節(jié)點和電壓輸入端；

第三薄膜晶體管，其柵極連接掃描信號，源極和漏極分別連接第一節(jié)點和第二參考電位；

第四薄膜晶體管，其柵極連接第一控制信號，源極和漏極分別連接第三節(jié)點和電源高電位；

第五薄膜晶體管，其柵極連接第二控制信號，源極和漏極分別連接第二節(jié)點和oled的陽極；

oled的陰極連接電源低電位；

第一電容，其兩端分別連接第一節(jié)點和第二節(jié)點；

第二電容，其兩端分別連接第二節(jié)點和第四節(jié)點。

其中，所述掃描信號，第一控制信號，以及第二控制信號的時序配置為包括數(shù)據(jù)電壓寫入及閾值電壓存儲階段，電荷分享階段，以及發(fā)光顯示階段。

其中，在數(shù)據(jù)電壓寫入及閾值電壓存儲階段，所述電壓輸入端輸入數(shù)據(jù)電壓。

其中，在電荷分享階段，所述電壓輸入端輸入第一參考電位。

其中，在數(shù)據(jù)電壓寫入及閾值電壓存儲階段，所述掃描信號為高電位，第一控制信號為高電位，第二控制信號為低電位。

其中，在電荷分享階段，所述掃描信號為高電位，第一控制信號為低電位，第二控制信號為低電位。

其中，在發(fā)光顯示階段，所述掃描信號為低電位，第一控制信號為高電位，第二控制信號為高電位。

本發(fā)明還提供了上述的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，包括：所述掃描信號，第一控制信號，以及第二控制信號的時序配置為包括數(shù)據(jù)電壓寫入及閾值電壓存儲階段，電荷分享階段，以及發(fā)光顯示階段。

其中，在數(shù)據(jù)電壓寫入及閾值電壓存儲階段，所述電壓輸入端輸入數(shù)據(jù)電壓。

其中，在電荷分享階段，所述電壓輸入端輸入第一參考電位。

綜上，本發(fā)明的像素驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法消除了閾值電壓vth對發(fā)光二極管的影響，可提高面板顯示的均勻性，提高發(fā)光效率。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有oled的2t1c像素驅(qū)動電路示意圖；

圖2為現(xiàn)有oled的5t2c像素驅(qū)動電路示意圖；

圖3為圖2的時序示意圖；

圖4為現(xiàn)有oled的6t2c像素驅(qū)動電路及時序示意圖；

圖5為本發(fā)明像素驅(qū)動電路一較佳實施例的電路示意圖；

圖6為本發(fā)明像素驅(qū)動電路一較佳實施例在數(shù)據(jù)電壓寫入及閾值電壓存儲階段電路狀態(tài)及時序示意圖；

圖7為本發(fā)明像素驅(qū)動電路一較佳實施例在電荷分享階段電路狀態(tài)及時序示意圖；

圖8為本發(fā)明像素驅(qū)動電路一較佳實施例在發(fā)光顯示階段電路狀態(tài)及時序示意圖。

具體實施方式

參見圖5，其為本發(fā)明像素驅(qū)動電路一較佳實施例的電路示意圖。本發(fā)明提出一種5t2c的oled像素驅(qū)動電路，用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管，具有較少的tft數(shù)量(5個)，較少的時序控制線(3條)。補(bǔ)償過程主要包括三個階段，分別為數(shù)據(jù)電壓寫入及閾值電壓vth存儲階段，電荷分享階段，二極管發(fā)光顯示階段。補(bǔ)償電路不會引入voled，當(dāng)oled老化(degradation)時,電流不會變小，消除了閾值電壓vth對發(fā)光二極管的影響，提高面板顯示均勻性，補(bǔ)償后的電流與ovdd/ovss無關(guān)，不受ir壓降(drop)影響。

該較佳實施例主要包括：薄膜晶體管t1，柵極連接第一節(jié)點g，源極和漏極分別連接節(jié)點s和節(jié)點p；薄膜晶體管t2，柵極連接掃描信號scan1，源極和漏極分別連接節(jié)點n和電壓輸入端vdata/vref1；薄膜晶體管t3，柵極連接掃描信號scan1，源極和漏極分別連接節(jié)點g和參考電位vref2；薄膜晶體管t4，柵極連接控制信號em1，源極和漏極分別連接節(jié)點p和電源高電位ovdd；薄膜晶體管t5，柵極連接控制信號em2，源極和漏極分別連接節(jié)點s和oled的陽極，oled的陰極連接電源低電位ovss；電容c1兩端分別連接節(jié)點g和節(jié)點s；電容c2兩端分別連接節(jié)點s和節(jié)點n。

參見圖6，顯示了數(shù)據(jù)電壓寫入及vth存儲階段電路狀態(tài)，以及相應(yīng)的電路驅(qū)動信號的時序。在數(shù)據(jù)電壓寫入及閾值電壓vth存儲階段，scan1、em1為高電位，em2為低電位，t5關(guān)閉。

t2打開，此時數(shù)據(jù)電壓vdata對n點充電至vn＝vdata。t3打開，參考電位vref2對g點充電至vg＝vref2。t4打開，ovdd對s點充電，直到g點和s點的壓差為vth為止，此時vg-vs＝vth，并將vth的電荷存儲于電容c1中，vs＝vg–vth＝vref2–vth；且t5關(guān)閉，保證發(fā)光二極管在此階段處于不發(fā)光狀態(tài)。

參見圖7，顯示了電荷分享階段電路狀態(tài)，以及相應(yīng)的電路驅(qū)動信號的時序。在電荷分享階段，scan1為高電位，em1、em2為低電位。

t3打開，g點電位保持vg＝vref2不變；t2打開，由參考電位vref1對節(jié)點n充電，n點電位由vdata變?yōu)関n＝vref1，t4、t5關(guān)閉，由電荷分享原理可得s點電位由vref2–vth變?yōu)関s＝vref2–vth+δv，其中δv＝(vref1–vdata)×c2/(c1+c2)；g點與s點的壓差vgs＝vref2–(vref2–vth+δv)＝vth–δv。且t5關(guān)閉，保證發(fā)光二極管在此階段也處于不發(fā)光狀態(tài)。

參見圖8，顯示了發(fā)光顯示階段電路狀態(tài)，以及相應(yīng)的電路驅(qū)動信號的時序。在發(fā)光顯示階段，em1、em2為高電位，scan1為低電位。

t3關(guān)閉，g點與s點的電位差與上一階段一樣，t4、t5打開，根據(jù)晶體管i-v曲線方程i＝k(vgs–vth)²＝k(vth–δv–vth)²＝k(–δv)²＝k[(vdata–vref1)×c2/(c1+c2)]²可知電流與驅(qū)動tft(t1)的閾值電壓vth無關(guān)，消除了閾值電壓vth對發(fā)光二極管的影響，可提高面板顯示的均勻性，提高發(fā)光效率。

本發(fā)明還相應(yīng)提供了上述像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，可以消除oled驅(qū)動電路中驅(qū)動tft的閾值電壓vth對發(fā)光二極管的影響，提高面板顯示均勻性，且使面板不會隨oled器件的老化而出現(xiàn)面板亮度降低、發(fā)光效率下降等問題，補(bǔ)償電路不會引入voled，當(dāng)oled老化時,電流不會變小，補(bǔ)償后的電流與ovdd/ovss無關(guān)，不受ir壓降影響。

綜上，本發(fā)明的像素驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法消除了閾值電壓vth對發(fā)光二極管的影響，可提高面板顯示的均勻性，提高發(fā)光效率。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。