Tft基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及TFT基板，特別是涉及適用于顯示裝置的TFT基板。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣型的液晶顯示裝置一般具備:按每個像素形成有薄膜晶體管(Thin FilmTransistor ;以下稱為“TFT”)作為開關(guān)元件的基板(以下稱為“TFT基板”)；形成有彩色濾光片等的相對基板；設(shè)置在TFT基板和相對基板之間的液晶層；以及用于對液晶層施加電壓的一對電極。
[0003]在有源矩陣型的液晶顯示裝置中，根據(jù)其用途提出、采用各種工作模式。作為工作模式，能列舉TN(Twisted Nematic:扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment:垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching:面內(nèi)開關(guān))模式、FFS (Fringe Field Switching:邊緣場開關(guān))t吳式等。
[0004]其中TN模式、VA模式是由夾著液晶層配置的一對電極對液晶分子施加電場的縱方向電場方式的模式。IPS模式、FFS模式是在一方基板上設(shè)置一對電極并在與基板面平行的方向(橫方向)上對液晶分子施加電場的橫方向電場方式的模式。在橫方向電場方式中，液晶分子不從基板立起，因此與縱方向電場方式相比具有能實現(xiàn)廣視野角的優(yōu)點。
[0005]FFS模式的液晶顯示裝置例如公開于專利文獻(xiàn)I等中。在其中使用的TFT基板中，在TFT的上方隔著絕緣膜設(shè)置有共用電極和像素電極。在這些電極中的典型地位于液晶層偵_電極(例如像素電極)中形成有狹縫狀的開口。由此，產(chǎn)生由從像素電極出來穿過液晶層進(jìn)而穿過狹縫狀的開口而從共用電極出來的電力線表示的電場。該電場相對于液晶層具有橫方向的成分，因此能使在水平方向上取向的液晶分子在面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
[0006]另外，提出了使用氧化物半導(dǎo)體代替硅半導(dǎo)體形成TFT的有源層的方案。將這種TFT稱為“氧化物半導(dǎo)體TFT”。例如，在專利文獻(xiàn)2中公開了使用氧化物半導(dǎo)體TFT作為開關(guān)元件的有源矩陣型的液晶顯示裝置。
[0007]氧化物半導(dǎo)體具有比非晶硅的迀移率高的迀移率。因此，氧化物半導(dǎo)體TFT與非晶硅TFT相比能高速地工作。另外，具有與多晶硅膜相比能以簡便的工藝形成氧化物半導(dǎo)體膜的優(yōu)點。
[0008]氧化物半導(dǎo)體TFT的尺寸較小，因此如果將其用于顯示裝置中，與使用以往的TFT的情況相比，能提高像素開口率。因此，能實現(xiàn)更明亮的顯示?；蛘?，也可以降低背光源的明亮度，能降低功耗。
[0009]而且，氧化物半導(dǎo)體TFT的截止漏電流非常小，因此通過將以往采用雙柵型的TFT改為采用單柵型就能實現(xiàn)小型化。另外，將截止期間中的保持電壓適當(dāng)?shù)鼐S持比較長的時間。因此，能采用根據(jù)使用狀況降低工作頻率的驅(qū)動方式，能不導(dǎo)致閃爍等顯示不良地實現(xiàn)功耗的降低。
[0010]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0011]專利文獻(xiàn)
[0012]專利文獻(xiàn)1:特開2008-32899號公報
[0013]專利文獻(xiàn)2:特開2012-134475號公報
[0014]專利文獻(xiàn)3:特開2011-100041號公報
[0015]專利文獻(xiàn)4:特開2011-113081號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]發(fā)明要解決的問題
[0017]然而，根據(jù)液晶顯示裝置的用途的擴(kuò)大、要求標(biāo)準(zhǔn)，在TFT基板中謀求進(jìn)一步的高清晰化和高透射率化。
[0018]在智能手機(jī)等便攜用設(shè)備中使用的小型、高清晰的顯示裝置中，根據(jù)工藝規(guī)則(或者設(shè)計規(guī)則)，再縮小配線圖案的線寬是困難的狀況。因此，在更小的像素中像素開口率必然降低，實現(xiàn)高透射率化是不容易的。顯示裝置的小型化、高清晰化的問題之一是如何能提尚像素開口率這一點。
[0019]這樣，在TFT基板中，有進(jìn)一步提高像素開口率的問題。本發(fā)明是鑒于上述問題完成的，主要目的是提供能適用于小型、高清晰的顯示裝置的開口率提高的TFT基板。
[0020]用于解決問題的方案
[0021]本發(fā)明的實施方式的TFT基板具備:基板；柵極配線和源極配線，其設(shè)置在上述基板上；TFT，其包含與上述柵極配線連接的柵極電極、與上述源極配線連接的源極電極、漏極電極以及半導(dǎo)體層；透明像素電極，其與上述TFT的上述漏極電極電連接；透明導(dǎo)電層，其包含與上述TFT的上述漏極電極和上述透明像素電極連接的透明連接部分，上述透明連接部分具有:第I連接部，其作為與上述漏極電極的連接部；以及第2連接部，其設(shè)置在與上述第I連接部不同的位置，作為與上述透明像素電極的連接部；以及透明絕緣層，其配置在上述透明像素電極和上述透明導(dǎo)電層之間，在與上述第2連接部對應(yīng)的位置具有開口部，上述第2連接部的至少一部分和上述開口部的至少一部分位于被上述柵極配線和上述源極配線包圍的區(qū)域內(nèi)，構(gòu)成為，在上述第2連接部中，至少從上述透明連接部分到上述透明像素電極的部分透射光。
[0022]在某實施方式中，上述透明連接部分形成為島狀，上述第I連接部形成在上述柵極配線上，上述第2連接部的至少一部分在上述第I連接部的附近形成在與上述柵極配線不重疊的位置。
[0023]在某實施方式中，上述透明像素電極和上述第I連接部在從基板法線方向看時至少有一部分不重疊。
[0024]在某實施方式中，上述透明像素電極在俯視時是矩形，上述透明像素電極的4邊中的與上述TFT接近的一側(cè)的I邊位于比上述柵極配線靠像素區(qū)域側(cè)。
[0025]在某實施方式中，上述TFT基板還具有設(shè)置在上述柵極電極上的柵極絕緣層，上述源極電極、上述漏極電極以及上述半導(dǎo)體層形成在上述柵極絕緣層上。
[0026]在某實施方式中，上述TFT基板還具有覆蓋上述TFT的平坦化層，上述透明連接部分的上述第I連接部位于設(shè)置于上述平坦化層的開口部內(nèi)，上述透明連接部分的上述第2連接部位于上述平坦化層上。
[0027]在某實施方式中，上述平坦化層的厚度為I ym以上3 μπι以下，上述透明絕緣層的厚度為1nm以上500nm以下。
[0028]在某實施方式中，上述平坦化層由感光性的有機(jī)絕緣材料形成，上述透明絕緣層由無機(jī)絕緣材料形成。
[0029]在某實施方式中，設(shè)置于上述平坦化層的開口部的尺寸為3 μ??以上10 μ m以下，設(shè)置于上述絕緣層的開口部的尺寸為2 μπ?以上9 μπ?以下，前者大于后者。
[0030]在某實施方式中，上述透明絕緣層還具有與上述透明連接部分絕緣的輔助電容形成部分，上述輔助電容形成部分隔著上述透明絕緣層在與上述透明像素電極之間形成輔助電容。
[0031]在某實施方式中，上述TFT基板具有:以與上述透明像素電極相對的方式配置的共用電極；以及設(shè)置在上述共用電極和上述透明像素電極之間的絕緣層，上述共用電極與上述透明像素電極和上述漏極電極電絕緣，上述透明像素電極和上述共用電極中的至少一方具有多個狹縫或者多個細(xì)長電極部分，使得在上述共用電極和上述透明像素電極之間產(chǎn)生傾斜電場。
[0032]在某實施方式中，上述共用電極具有多個狹縫或者多個細(xì)長電極部分，上述透明像素電極不具有多個狹縫或者多個細(xì)長電極部分，上述共用電極、上述透明像素電極、上述透明絕緣層以及上述透明導(dǎo)電層從上層起按該順序排列。
[0033]在某實施方式中，上述半導(dǎo)體層是氧化物半導(dǎo)體層。
[0034]發(fā)明效果
[0035]根據(jù)本發(fā)明的實施方式，能得到適用于顯示裝置的開口率提高的TFT基板。
【附圖說明】
[0036]圖1是示出比較例I的TFT基板的大致與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的俯視圖。
[0037]圖2(a)?(C)分別示出沿著圖1的C_D線、E_F線以及G_H線的截面。
[0038]圖3是示出比較例2的TFT基板的大致與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的俯視圖。
[0039]圖4是示出本發(fā)明的實施方式I的TFT基板的大致與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的俯視圖。
[0040]圖5(a)?(C)分別示出沿著圖4的C-D線、E-F線以及G-H線的截面。
[0041]圖6是示出實施方式I的變形例I的TFT基板的構(gòu)成的截面圖。
[0042]圖7 (a)?(C)是分別示出實施方式I的變形例2?4的TFT基板的構(gòu)成的截面圖。
[0043]圖8 (a)和(b)是示出實施方式I的變形例5和6的TFT基板的構(gòu)成的截面圖。
[0044]圖9 (a)和(b)是示出實施方式I的變形例7和8的TFT基板的構(gòu)成的截面圖。
[0045]圖10是示出實施方式I的變形例9的TFT基板的構(gòu)成的圖，(a)是示出大致與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的俯視圖，(b)?⑷是沿著(a)中示出的C-D線、E-F線以及G-H線的截面圖。
[0046]圖11是示出本發(fā)明的實施方式2的TFT基板的大致與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的圖，(a)是示出大致與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的俯視圖，(b)?⑷是沿著(a)中示出的C-D線、E-F線以及G-H線的截面圖。
[0047]圖12是示出實施方式2的變形例的TFT基板的構(gòu)成的圖，(a)是大致與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的俯視圖，(b)是沿著(a)中示出的G-H線的截面圖。
[0048]圖13是示出本發(fā)明的實施方式3的TFT基板的大致與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的圖，(a)是電路構(gòu)成圖，(b)示出俯視圖。
[0049]圖14是示出本發(fā)明的實施方式4的TFT基板的大致與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的圖，(a)是俯視圖，(b)是沿著(a)中示出的C-D線的截面圖。
【具體實施方式】
[0050]首先，說明本發(fā)明的實施方式的TFT基板的概要。
[0051]本申請人提出在柵極配線上設(shè)置TFT的構(gòu)成作為能提高像素開口率的構(gòu)成(例如，國際公開第2013/073619號)。圖1是示出在柵極配線2上設(shè)置有TFT6的TFT基板900 (比較例I)的俯視圖。另外，圖2(a)?(c)分別示出沿著圖1的C-D線、E-F線、G-H線的截面。
[0052]在此，首先，說明本說明書中的像素Px、像素區(qū)域和像素有效顯示區(qū)域TOR以及像素開口率。
[0053]如圖1所示，像素Px意味著用于進(jìn)行顯示的最小單位結(jié)構(gòu)，是指按像素數(shù)量將顯示區(qū)域均等地分割時的單位結(jié)構(gòu)。典型地，在此如例示那樣，I個像素Px的面積能由柵極配線2的間距和源極配線4的間距的乘積規(guī)定。另外，像素區(qū)域意味著由相鄰的2條柵極配線2和相鄰的2條源極配線2包圍的區(qū)域(配線的內(nèi)側(cè)的區(qū)域)。在圖1例示的方式中，在I個像素Px中包含有I個像素區(qū)域。
[0054]但是，像素Px能由各種方式規(guī)定，例如，有時在柵極配線延伸在各像素Px的中央部的情況等下，I個像素Px與上述定義的I個像素區(qū)域不對應(yīng)。但是，即使是這種方式，I個像素Px的面積也能由柵極配線2的間距和源極配線4的間距的乘積規(guī)定。
[0055]另外，像素開口率意味著像素有效顯示區(qū)域TOR(能用于顯示的區(qū)域)的面積與上述I個像素Px的面積的比