一種用于驅(qū)動(dòng)amoled像素的電路及方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動(dòng)AMOLED像素的電路及方法，該電路包括第一晶體管，其源極連接數(shù)據(jù)線(xiàn)，柵極連接掃描線(xiàn)；第二晶體管，其柵極連接第一晶體管的漏極，源極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)線(xiàn)，漏極連接OLED；灰階存儲(chǔ)電容，其一端連接第一晶體管的漏極，另一端連接第二晶體管的漏極，用于存儲(chǔ)灰階電壓，其中，該電路還包括第三晶體管，其源極連接第一晶體管的漏極，漏極連接地，柵極用于輸入關(guān)機(jī)控制信號(hào)，在關(guān)機(jī)控制信號(hào)和電路各部分電壓的預(yù)定關(guān)閉順序下，第三晶體管打開(kāi)。本發(fā)明可以減輕甚至消除AMOLED關(guān)機(jī)殘影問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種用于驅(qū)動(dòng)AMOLED像素的電路及方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明屬于有機(jī)顯示控制技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，尤其涉及一種用于驅(qū)動(dòng)AMOLED像素的電路及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中一種AMOLED顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖。該驅(qū)動(dòng)電路為2T1C結(jié)構(gòu)，其中，Tl為開(kāi)關(guān)晶體管，T2為驅(qū)動(dòng)晶體管，Cst為灰階存儲(chǔ)電容，OLED為有機(jī)發(fā)光二極管，ELVDD為驅(qū)動(dòng)信號(hào)，ELVSS為參考信號(hào)。在掃描線(xiàn)G輸出掃描信號(hào)，晶體管Tl打開(kāi)時(shí)，灰階數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata經(jīng)晶體管Tl向灰階存儲(chǔ)電容Cst充電。當(dāng)灰階存儲(chǔ)電容Cst充電至預(yù)定值時(shí)，晶體管T2打開(kāi)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)ELVDD通過(guò)晶體管T2點(diǎn)亮有機(jī)發(fā)光二極管0LED。
[0003]該AMOLED顯示器關(guān)機(jī)后，源極驅(qū)動(dòng)芯片輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata自然放電過(guò)程慢，影響A點(diǎn)放電速度。并且，關(guān)機(jī)時(shí)掃描驅(qū)動(dòng)芯片無(wú)法保證持續(xù)的有效開(kāi)啟電壓，導(dǎo)致在A點(diǎn)數(shù)據(jù)電壓Vdata電壓完全放電之前晶體管Tl關(guān)閉，阻斷了 A點(diǎn)電壓的放電路徑，進(jìn)一步影響A點(diǎn)放電過(guò)程，導(dǎo)致出現(xiàn)關(guān)機(jī)殘影。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決以上問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動(dòng)AMOLED像素的電路及方法，用于減輕甚至消除AMOLED關(guān)機(jī)殘影問(wèn)題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于驅(qū)動(dòng)AMOLED像素的電路，包括:
[0006]第一晶體管，其源極連接數(shù)據(jù)線(xiàn)，柵極連接掃描線(xiàn)；
[0007]第二晶體管，其柵極連接第一晶體管的漏極，源極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)線(xiàn)，漏極連接OLED ；
[0008]灰階存儲(chǔ)電容，其一端連接第一晶體管的漏極，另一端連接第二晶體管的漏極，用于存儲(chǔ)灰階電壓，
[0009]其中，所述電路還包括第三晶體管，其源極連接第一晶體管的漏極，漏極連接地，柵極用于輸入關(guān)機(jī)控制信號(hào)，在關(guān)機(jī)控制信號(hào)和所述電路各部分電壓的預(yù)定關(guān)閉順序下，第三晶體管打開(kāi)。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電路還包括電壓比較器，其輸出端連接第三晶體管的柵極，用于根據(jù)伽馬電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生所述關(guān)機(jī)控制信號(hào)。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電壓比較器根據(jù)伽馬電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生所述關(guān)機(jī)控制信號(hào)進(jìn)一步包括:
[0012]當(dāng)伽馬電壓大于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，判斷為未進(jìn)入關(guān)機(jī)狀態(tài)，輸出低電平；
[0013]當(dāng)伽馬電壓小于等于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，判斷為進(jìn)入關(guān)機(jī)狀態(tài)，輸出高電平，并作為關(guān)機(jī)控制信號(hào)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電壓比較器的正電源端輸入掃描信號(hào)高電壓，負(fù)電源端連接地。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述伽馬電壓為一組伽馬電壓中大于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓的任一伽馬電壓值。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述伽馬電壓為一組伽馬電壓中的最大伽馬電壓值。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電路還包括關(guān)機(jī)時(shí)序控制器，用于控制所述電路各部分電壓按照預(yù)定順序關(guān)閉。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述關(guān)機(jī)時(shí)序控制器按照以下順序關(guān)閉各部分電壓:伽馬電壓、芯片工作電壓、掃描信號(hào)高電壓、掃描信號(hào)低電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電壓比較器設(shè)置于AMOLED顯示器顯示面板的外部驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種用于驅(qū)動(dòng)以上所述電路的方法，包括:
[0021]判斷AMOLED顯示器是否處于關(guān)機(jī)狀態(tài)，如是則輸出關(guān)機(jī)控制信號(hào)，使得第三晶體管打開(kāi);否則，第三晶體管不打開(kāi)。
[0022]本發(fā)明的有益效果:
[0023]本發(fā)明通過(guò)設(shè)置對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管連接處的放電路徑，可以減輕甚至消除AMOLED關(guān)機(jī)殘影問(wèn)題。并且，本發(fā)明可以避免驅(qū)動(dòng)芯片重新設(shè)計(jì)，在現(xiàn)有的外部驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中即可以實(shí)現(xiàn)。
[0024]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說(shuō)明】
[0025]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹:
[0026]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種AMOLED顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的AMOLED顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；
[0028]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的AMOLED顯示器電壓關(guān)閉順序圖；
[0029]圖4是圖2所示電路在圖3中tl時(shí)間點(diǎn)之前的電路工作示意圖；
[0030]圖5是圖2所不電路在圖3中tl_t2時(shí)間段的電路工作不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0032]為解決AMOLED顯示器的關(guān)機(jī)殘影問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動(dòng)AMOLED像素的電路，如圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的AMOLED像素的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖，以下參考圖2來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0033]通常情況下，在AMOLED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，為保護(hù)源極及柵極等驅(qū)動(dòng)芯片，常會(huì)對(duì)各部分電壓的開(kāi)啟和關(guān)閉順序作嚴(yán)格要求。為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明要解決的顯示器關(guān)機(jī)殘影問(wèn)題，在本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置有關(guān)機(jī)電壓時(shí)序控制器，用以控制關(guān)機(jī)時(shí)驅(qū)動(dòng)電路各部分的電源關(guān)閉順序。具體的，將AMOLED顯示器的各部分電源關(guān)閉順序由先至后設(shè)置為:Vgamma-〉A(chǔ)VDD->VGH->VGL->DVDD，各電壓關(guān)閉順序如圖3所示。其中，Vgamma表示伽馬電壓(gamma電壓)，伽馬電壓為顯不器參數(shù)，AVDD表不芯片工作電壓，VGH表不掃描信號(hào)高電壓(輸出掃描信號(hào)時(shí)的掃描線(xiàn)電壓)，VGL表不掃描信號(hào)低電壓(不輸出掃描信號(hào)時(shí)的掃描線(xiàn)電壓),DVDD表示數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓。并且，為有利于實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示器關(guān)機(jī)殘影的控制，在本發(fā)明中，Vgamma可以設(shè)置為一組伽馬電壓中大于DVDD的任一伽馬電壓值。這是因?yàn)樾枰ゑR電壓和DVDD的大小關(guān)系作為判斷是否關(guān)機(jī)的臨界點(diǎn)，不能選擇等于或小于DVDD的伽馬電壓值，否則無(wú)法實(shí)現(xiàn)臨界值判斷。優(yōu)選的，Vgamma可以選擇一組伽馬電壓中的最大伽馬電壓值，此處標(biāo)記為Vgamma I，本發(fā)明以Vgammal為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0034]本發(fā)明的用于驅(qū)動(dòng)AMOLED像素的電路包括第一晶體管Tl、第二晶體管T2和灰階存儲(chǔ)電容Cst。其中，第一晶體管Tl的源極連接數(shù)據(jù)線(xiàn)，柵極連接掃描線(xiàn);第二晶體管T2的柵極連接第一晶體管Tl的漏極，源極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)線(xiàn)，漏極連接0LED;灰階存儲(chǔ)電容Cst的一端連接第一晶體管Tl的漏極，另一端連接第二晶體管的漏極，用于存儲(chǔ)灰階電壓。并且，該電路還包括第三晶體管T3，其源極連接第一晶體管Tl的漏極，漏極連接地，柵極連接外加控制信號(hào)，在外加控制信號(hào)和電路各部分電壓的預(yù)定關(guān)閉順序下，第三晶體管T3打開(kāi)以解決AMOLED顯示器的關(guān)機(jī)殘影問(wèn)題。
[0035]如圖2所示，在本發(fā)明中，通過(guò)在第一晶體管Tl與第二晶體管T2連接處和大地之間設(shè)置第三晶體管T3，該第三晶體管T3在顯示器關(guān)機(jī)時(shí)，由外加控制信號(hào)控制打開(kāi)，從而把殘存在第一晶體管Tl和第二晶體管T2連接處的電荷(即灰階存儲(chǔ)電容Cst殘存的電荷)導(dǎo)入大地，從而解決AMOLED顯示器的關(guān)機(jī)殘影問(wèn)題。
[0036]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該電路還包括電壓比較器，其輸出端連接第三晶體管T3的柵極，用于根據(jù)伽馬電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生關(guān)機(jī)控制信號(hào)，如圖2所示。
[0037]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，電壓比較器根據(jù)伽馬電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生關(guān)機(jī)控制信號(hào)進(jìn)一步包括:當(dāng)伽馬電壓大于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，判斷為未進(jìn)入關(guān)機(jī)狀態(tài)，輸出低電平；當(dāng)伽馬電壓小于等于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，判斷為進(jìn)入關(guān)機(jī)狀態(tài)，輸出高電平，并將該高電平作為關(guān)機(jī)控制信號(hào)。這樣，就可以通過(guò)伽馬電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓的大小關(guān)系來(lái)控制第三晶體管的打開(kāi)和關(guān)閉。
[0038]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該電壓比較器的正電源端輸入掃描信號(hào)高電壓VGH，負(fù)電源端連接地。此處的正電源端用于輸入電壓比較器的開(kāi)啟電壓，由于掃描信號(hào)高電壓VGH的起始值大于電壓比較器的開(kāi)啟電壓，可以使得電壓比較器正常工作。關(guān)機(jī)時(shí)，掃描信號(hào)高電壓VGH逐漸降低，當(dāng)小于電壓比較器的開(kāi)啟電壓時(shí)，電壓比較器停止工作。這樣通過(guò)掃描信號(hào)高電壓VGH的取值變化情況，可以控制電壓比較器的工作狀態(tài)。
[0039]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該電壓比較器設(shè)置于AMOLED顯示器顯示面板的外部驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，如圖2所示。將電壓比較器設(shè)置于AMOLED顯示器顯示面板的外部驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，不占用像素顯示區(qū)域，不會(huì)降低面板的開(kāi)口率。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種驅(qū)動(dòng)以上所述電路的方法，包括:判斷AMOLED顯示器是否處于關(guān)機(jī)狀態(tài)，如是則輸出關(guān)機(jī)控制信號(hào)，使得第三晶體管T3打開(kāi)；否貝IJ，第三晶體管T3不打開(kāi)。
[0041]具體的，該驅(qū)動(dòng)過(guò)程包括2個(gè)階段。第一階段如圖3所示的tl時(shí)間點(diǎn)之前，Vgammal大于DVDD的時(shí)間段。此處的11時(shí)間點(diǎn)為臨界值，對(duì)應(yīng)Vgamma I等于DVDD時(shí)的時(shí)間點(diǎn)。在該時(shí)間段內(nèi)，電壓比較器輸出低電平L，第三晶體管T3保持關(guān)閉，第一晶體管Tl由于掃描信號(hào)浮動(dòng)的影響關(guān)閉，如圖4所示。由于放電路徑的缺失，灰階存儲(chǔ)電容Cst存儲(chǔ)的電荷無(wú)法釋放，導(dǎo)致A點(diǎn)出現(xiàn)電荷殘留。
[0042]第二階段如圖3所示的tl-t2時(shí)間段，Vgammal小于DVDD的時(shí)間段，t2時(shí)間點(diǎn)表示VGH等于第三晶體管T3的開(kāi)啟電平。在該時(shí)間段內(nèi)，電壓比較器輸出高電平H，進(jìn)入關(guān)機(jī)殘影消除過(guò)程，第三晶體管T3打開(kāi)，為A點(diǎn)的殘留電荷提供放電路徑，如圖5所示。由于電壓比較器的正電源端的工作電壓由VGH提供，導(dǎo)致輸出的高電平幅值略小于VGH，但已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)打開(kāi)第三晶體管T3。由于VGH幅值在tl時(shí)間點(diǎn)之后某時(shí)刻開(kāi)始下降，因此，電壓比較器的輸出電平也隨之下降。t2時(shí)間點(diǎn)后，掃描線(xiàn)輸出電平低于第三晶體管T3的開(kāi)啟電壓，關(guān)機(jī)殘影消除功能停止。通過(guò)關(guān)機(jī)時(shí)序控制器對(duì)各電壓關(guān)閉時(shí)間的調(diào)整，增大tl和t2的時(shí)間間隔，可以延長(zhǎng)關(guān)機(jī)殘影消除階段的作用時(shí)間，優(yōu)化殘影消除效果。
[0043]本發(fā)明通過(guò)設(shè)置對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管連接處的放電路徑，可以減輕甚至消除AMOLED關(guān)機(jī)殘影問(wèn)題的出現(xiàn)。并且，本發(fā)明可以避免驅(qū)動(dòng)芯片重新設(shè)計(jì)，在現(xiàn)有的外部驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中可以實(shí)現(xiàn)。
[0044]雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于驅(qū)動(dòng)AMOLED像素的電路，包括: 第一晶體管，其源極連接數(shù)據(jù)線(xiàn)，柵極連接掃描線(xiàn)； 第二晶體管，其柵極連接第一晶體管的漏極，源極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)線(xiàn)，漏極連接OLED; 灰階存儲(chǔ)電容，其一端連接第一晶體管的漏極，另一端連接第二晶體管的漏極，用于存儲(chǔ)灰階電壓， 其中，所述電路還包括第三晶體管，其源極連接第一晶體管的漏極，漏極連接地，柵極用于輸入關(guān)機(jī)控制信號(hào)，在關(guān)機(jī)控制信號(hào)和所述電路各部分電壓的預(yù)定關(guān)閉順序下，第三晶體管打開(kāi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括電壓比較器，其輸出端連接第三晶體管的柵極，用于根據(jù)伽馬電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生所述關(guān)機(jī)控制信號(hào)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電壓比較器根據(jù)伽馬電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生所述關(guān)機(jī)控制信號(hào)進(jìn)一步包括: 當(dāng)伽馬電壓大于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，判斷為未進(jìn)入關(guān)機(jī)狀態(tài)，輸出低電平； 當(dāng)伽馬電壓小于等于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，判斷為進(jìn)入關(guān)機(jī)狀態(tài)，輸出高電平，并作為關(guān)機(jī)控制信號(hào)。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電路，其特征在于，所述電壓比較器的正電源端輸入掃描信號(hào)高電壓，負(fù)電源端連接地。5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的電路，其特征在于，所述伽馬電壓為一組伽馬電壓中大于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓的任一伽馬電壓值。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述伽馬電壓為一組伽馬電壓中的最大伽馬電壓值。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的電路，其特征在于，所述電路還包括關(guān)機(jī)時(shí)序控制器，用于控制所述電路各部分電壓按照預(yù)定順序關(guān)閉。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于，所述關(guān)機(jī)時(shí)序控制器按照以下順序關(guān)閉各部分電壓:伽馬電壓、芯片工作電壓、掃描信號(hào)高電壓、掃描信號(hào)低電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電壓比較器設(shè)置于AMOLED顯示器顯示面板的外部驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。10.—種用于驅(qū)動(dòng)如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述電路的方法，包括: 判斷AMOLED顯示器是否處于關(guān)機(jī)狀態(tài)，如是則輸出關(guān)機(jī)控制信號(hào)，使得第三晶體管打開(kāi);否則，第三晶體管不打開(kāi)。
【文檔編號(hào)】G09G3/3225GK106097974SQ201610719669
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月25日
【發(fā)明人】王利民, 黃泰鈞
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司