像素驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]由于工藝偏差，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting D1de，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板)上的TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的閾值電壓Vth會(huì)發(fā)生偏移，導(dǎo)致不同的像素的電流出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象?，F(xiàn)有的具有閾值補(bǔ)償功能的像素驅(qū)動(dòng)電路大多是在預(yù)充電階段通過(guò)數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓Vdata對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，在補(bǔ)償階段通過(guò)存儲(chǔ)電容放電來(lái)達(dá)到閾值補(bǔ)償，之后在發(fā)光階段驅(qū)動(dòng)OLED (Organic LightEmitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)發(fā)光，這樣的設(shè)置會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，采用的控制信號(hào)多，從而使得像素間距小。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中采用較多的晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償從而使得像素間距小的問(wèn)題。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括預(yù)充電控制單元、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管和閾值補(bǔ)償單元，其中，
[0005]所述驅(qū)動(dòng)晶體管，柵極通過(guò)所述與預(yù)充電控制單元與數(shù)據(jù)線連接，第一極與發(fā)光元件連接，第二極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接；
[0006]所述預(yù)充電控制單元，分別接入第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)和電源電壓Vdd，分別與所述存儲(chǔ)電容的第一端、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和數(shù)據(jù)線連接，并通過(guò)所述閾值補(bǔ)償單元與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；
[0007]所述閾值補(bǔ)償單元，接入控制信號(hào)，分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極、所述存儲(chǔ)電容的第二端和地端連接，用于在預(yù)充電階段在所述控制信號(hào)的控制下導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接；
[0008]所述預(yù)充電控制單元，用于在預(yù)充電階段，在所述第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)的控制下通過(guò)所述電源電壓Vdd對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，使得所述存儲(chǔ)電容的第一端的電位為Vdd，在閾值補(bǔ)償階段在所述第二掃描信號(hào)的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極接入所述數(shù)據(jù)線在閾值補(bǔ)償階段輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)，在發(fā)光階段在所述第一掃描信號(hào)的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd;
[0009]所述閾值補(bǔ)償單元，進(jìn)一步用于在閾值補(bǔ)償階段，在所述控制信號(hào)的控制下與所述驅(qū)動(dòng)晶體管一起控制所述存儲(chǔ)電容放電直到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth，還用于在發(fā)光階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，從而控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth ;Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓。
[0010]實(shí)施時(shí)，所述預(yù)充電控制單元包括:
[0011]第一預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第一掃描信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，第二極接入所述電源電壓；
[0012]以及，第二預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第二掃描信號(hào)，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接。
[0013]實(shí)施時(shí)，所述閾值補(bǔ)償單元包括:
[0014]第一補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接；
[0015]以及，第二補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極接地，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接。
[0016]實(shí)施時(shí)，所述第一預(yù)充電晶體管、所述第二預(yù)充電晶體管、所述第二補(bǔ)償晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管都為NMOS管，所述第一補(bǔ)償晶體管為PMOS管。
[0017]實(shí)施時(shí)，所述第一預(yù)充電晶體管、所述第二預(yù)充電晶體管、所述第二補(bǔ)償晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管都為PMOS管，所述第一補(bǔ)償晶體管為NMOS管。
[0018]本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所述的像素驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置，在對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償時(shí)，采用數(shù)據(jù)信號(hào)直接控制驅(qū)動(dòng)晶體管，可以節(jié)省晶體管數(shù)目，從而能夠減小電路設(shè)計(jì)的空間，增加像素間距。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；
[0021]圖2是本實(shí)用新型另一實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；
[0022]圖3是本實(shí)用新型該實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)時(shí)序圖；
[0023]圖4A是本實(shí)用新型該實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路在預(yù)充電階段SI的工作示意圖；
[0024]圖4B是本實(shí)用新型該實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路在閾值補(bǔ)償階段S2的工作示意圖；
[0025]圖4C是本實(shí)用新型該實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路在發(fā)光階段S3的工作示意圖；
[0026]圖5是本實(shí)用新型又一實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0028]本實(shí)用新型所有實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性相同的器件。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，將晶體管除柵極之外的兩極分別稱為第一極和第二極。
[0029]如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，包括預(yù)充電控制單元11、存儲(chǔ)電容Cs、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和閾值補(bǔ)償單元12，其中，
[0030]所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，柵極通過(guò)所述預(yù)充電控制單元11與數(shù)據(jù)線Data連接，第一極與發(fā)光元件Dl的陽(yáng)極連接，第二極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端A連接；發(fā)光元件Dl的陰極與地端GND連接；
[0031]所述預(yù)充電控制單元11，分別接入第一掃描信號(hào)Scanl、第二掃描信號(hào)Scan2和電源電壓Vdd，還分別與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端A、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和數(shù)據(jù)線Data連接，并通過(guò)所述閾值補(bǔ)償單元與所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端B連接；
[0032]所述閾值補(bǔ)償單元12，接入控制信號(hào)EN，分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極、所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端B和地端GND連接，用于在預(yù)充電階段在所述控制信號(hào)EN的控制下導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端B的連接；
[0033]所述預(yù)充電單元，用于在預(yù)充電階段，在所述第一掃描信號(hào)Scanl和所述第二掃描信號(hào)Scan2的控制下通過(guò)所述電源電壓Vdd對(duì)所述存儲(chǔ)電容Cs充電，使得所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端的電位為Vdd，在閾值補(bǔ)償階段在所述第二掃描信號(hào)Scan2的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極接入所述數(shù)據(jù)線Data在閾值補(bǔ)償階段輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)，在發(fā)光階段在所述第一掃描信號(hào)Scanl的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極接入所述電源電壓Vdd;所述閾值補(bǔ)償單元12，用于在閾值補(bǔ)償階段，在所述控制信號(hào)EN的控制下與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT —起控制所述存儲(chǔ)電容Cs放電直到所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極的電位為Vdata+Vth，還用于在發(fā)光階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端B的連接，從而控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓補(bǔ)償Vth ;Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓。
[0034]本實(shí)用新型實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路采用數(shù)據(jù)線Data上的數(shù)據(jù)信號(hào)直接控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，可以在補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的同時(shí)，節(jié)省晶體管數(shù)目，從而能夠減小電路設(shè)計(jì)的空間，增加像素間距。
[0035]在具體實(shí)施時(shí)，所述預(yù)充電控制單元可以包括:
[0036]第一預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第一掃描信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，第二極接入所述電源電壓；
[0037]以及，第二預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第二掃描信號(hào)，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接。
[0038]在具體實(shí)施時(shí)，所述閾值補(bǔ)償單元可以包括:
[0039]第一補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接；
[0040]以及，第二補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極接地，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接。
[0041]下面通過(guò)具體實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0042]如圖2所示，在本實(shí)用新型一具體實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述發(fā)光元件為發(fā)光二極管OLED ；
[0043]所述預(yù)充電控制單元包括:
[0044]第一預(yù)充電晶體管T11，柵極接入所述