專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置。
背景技術(shù)：
在顯示裝置中存在亮度提高、視場角的改善、圖像質(zhì)量提高、成品率提高、可靠性提高、生產(chǎn)性提高、成本降低等各種永遠需要改善的課題。而且，例如關(guān)于視場角的改善，已知有在1像素內(nèi)使電極的方向為多個方向(US6,256,081)的方案，和在橫方向相鄰的3個像素中改變電極的方向的方案(US6,456,351)。

發(fā)明內(nèi)容
如作為背景技術(shù)所描述的那樣，在顯示裝置中存在永遠需要改善的各種課題。其中，例如關(guān)于視場角，在專利文獻1(US6,256,081)的構(gòu)造中，發(fā)現(xiàn)存在在像素中央部產(chǎn)生無效區(qū)，亮度下降的課題。此外，在專利文獻2(US6,456,351)的配置中，發(fā)現(xiàn)存在顯示紅、綠、藍等與濾色器對應的單色時的視場角不充分的問題。
本發(fā)明的一個例子是鑒于所述事實而提出的，其優(yōu)點之一在于提供一種提高白色顯示和單色顯示兩者的視場角，并且實現(xiàn)了亮度提高的顯示裝置。
在本申請中還存在其他多個成為要解決的對象的課題和優(yōu)點，這些通過本申請說明書和附圖的描述將變得清楚。
如果簡單說明本申請中描述的發(fā)明中的幾個概要，則如下所述。
(1)在具有顯示元件的顯示裝置中，例如顯示元件的結(jié)構(gòu)為在上下左右的像素間，電極的延伸方向不同。
(2)以(1)為前提，在各像素中，電極的延伸方向為一個方向。
(3)以(1)或(2)為前提，在像素中，存在相對于柵極信號線延伸方向或圖像信號線延伸方向，電極的延伸方向?qū)ΨQ的2種像素，該像素在上下左右交替配置。
(4)以(1)～(3)的任意一個為前提，所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
(5)在具有顯示元件的顯示裝置中，例如顯示元件包含形成在同一基板上的下層的平面狀的電極、和具有多個線狀部或狹縫部的上層的電極，該多個線狀部或狹縫部的延伸方向在上下左右的像素間不同。
(6)以(5)為前提，在各像素中，所述線狀部或狹縫部的延伸方向為一個方向。
(7)以(5)或(6)為前提，在像素中，存在相對于柵極信號線延伸方向或圖像信號線延伸方向，所述線狀部或狹縫部的延伸方向?qū)ΨQ的2種像素，該像素在上下左右交替配置。
(8)以(5)～(7)的任意一個為前提，所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
這樣構(gòu)成的顯示裝置能提高白色顯示和單色顯示兩者的視場角，并且能實現(xiàn)亮度的提高。
根據(jù)本申請說明書和附圖的描述，由本申請所公開的顯示裝置的其他結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的其他效果變得清楚。


圖1是說明本發(fā)明的顯示裝置的像素組配置例的平面圖。
圖2A-2B是說明本發(fā)明的顯示裝置的像素圖案例的圖。
圖3是本發(fā)明的顯示裝置的濾色器和像素組的對應例的說明圖。
圖4是本發(fā)明的顯示裝置的濾色器和像素組的對應例的說明圖。
圖5是說明本發(fā)明的顯示裝置的像素組的例子的平面圖。
圖6A-6B是說明本發(fā)明的顯示裝置的像素組的例子的平面圖。
圖7是說明本發(fā)明的顯示裝置的像素組的例子的平面圖。
圖8A-8B是偏振板的配置和取向方向的實施例的說明圖。
圖9是本發(fā)明的顯示裝置的像素的詳細構(gòu)造的一例的說明圖。
圖10是本發(fā)明的顯示裝置的像素的詳細構(gòu)造的一例的說明圖。
圖11是圖9或圖10的A-A’部的示意剖視圖。
圖12A-12B是說明電極和布線的重疊部的跨越的圖。
圖13是圖9或圖10的B-B’部的示意剖視圖。
圖14是圖9或圖10的C-C’部的示意剖視圖。
圖15是圖9或圖10的D-D’部的示意剖視圖。
圖16A-16B是顯示區(qū)和虛設(shè)像素區(qū)的說明圖。
圖17是說明角部的像素配置的示意說明圖。
圖18A-18D是用于說明角部的像素的電極配置的說明圖。
圖19是虛設(shè)像素區(qū)的例子的說明圖。
圖20A-20B是圖19的A-A’部和B-B’部的示意剖視圖。
圖21是虛設(shè)像素區(qū)的虛設(shè)圖案配置例的說明圖。
圖22是虛設(shè)像素區(qū)的虛設(shè)圖案配置例的平面圖。
圖23A-23B是說明虛設(shè)像素區(qū)的例子的剖視圖。
圖24A-24B是說明虛設(shè)像素區(qū)的例子的剖視圖。
圖25A-25B是說明虛設(shè)像素區(qū)的例子的剖視圖。
圖26是說明顯示裝置的系統(tǒng)概略例的圖。
圖27是表示顯示裝置的模塊構(gòu)造的一例的分解立體圖。
圖28A-28E從正面和上下左右的各側(cè)面觀察具有上框架的狀態(tài)下的顯示裝置的模塊的圖。
圖29是從背面觀察顯示裝置的模塊的圖。
圖30A-30E是從背面、上下左右的各側(cè)面觀察取下TCON蓋子、逆變器(inverter)蓋子和上框架的狀態(tài)下的顯示裝置的模塊的圖。
圖31是正面觀察取下上框架后的狀態(tài)的顯示裝置的模塊的圖。
圖32是取下上框架的狀態(tài)下的顯示裝置的模塊的立體圖。
圖33是說明上框架、中框架、下框架的裝配的立體圖。
圖34是說明上框架、中框架、下框架的裝配的立體圖。
圖35A-35E是更詳細地說明圖34的A部的裝配的圖。
圖36A-36B是更詳細地說明圖34的B部的對位的圖。
圖37是表示中框架的零件結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
圖38A-38B是取下上框架的狀態(tài)下的漏極電極基板附近的主視圖和側(cè)視圖。
圖39A-39C是取下上框架的狀態(tài)下的模塊的一個角部的主視圖和側(cè)視圖。
圖40是說明電纜的保持構(gòu)造的圖。
圖41A-41B是說明被分割后的漏極電極基板的說明圖。
圖42A-42D是表示顯示裝置的模塊的示意剖面構(gòu)造的說明圖。
圖43A-43C是表示顯示裝置的蓋子的固定方法的說明圖。
圖44A-44D是背光部的結(jié)構(gòu)例的圖。
圖45是公共間隔塊(spacer)的配置位置的說明圖。
圖46是說明顯示裝置的系統(tǒng)的概略例的圖。
圖47是表示數(shù)據(jù)集(data set)的設(shè)定值的例子的說明圖。
圖48是表示數(shù)據(jù)集和灰階-亮度特性的關(guān)系例的說明圖。
圖49是驅(qū)動器電源和灰階基準電源的上升時序的說明圖。
圖50A-50F是表示信息顯示模式下的各種畫面顯示例的說明圖。
圖51A-51B是表示向信息顯示模式的切換手法例的說明圖。
圖52是表示顯示元件CEL、帶載(tape carrier)TCP、印刷基板PCB的連接的說明圖。
圖53A-53C是關(guān)于帶載TCP和印刷基板PCB的連接電阻的測定的說明圖。
圖54A-54B是關(guān)于帶載TCP和顯示元件CEL的連接電阻的測定的說明圖。
圖55A-55B是關(guān)于經(jīng)由多個帶載TCP的、帶載TCP和顯示元件CEL的連接電阻的測定的說明圖。
圖56A-56B是帶有連接電阻測定圖案的印刷基板PCB、帶載TCP和顯示元件CEL的示意連接圖。
圖57A-57C是帶載TCP和印刷基板PCB的連接電阻的測定例的說明圖。
圖58A-58C是帶載TCP和顯示元件CEL的連接電阻的測定例的說明圖。
圖59是表示TCON和存儲器的信號傳送的系統(tǒng)圖。
圖60是模式變更的流程圖。
圖61是表示模式切換定時(timing)的說明圖。
圖62是本發(fā)明的顯示裝置的像素的詳細構(gòu)造一的例的說明圖。
圖63是本發(fā)明的顯示裝置的像素的詳細構(gòu)造的一例的說明圖。
圖64是本發(fā)明的顯示裝置的像素的詳細構(gòu)造的一例的說明圖。
具體實施例方式
下面，參照

本發(fā)明的顯示裝置的實施例。
<整體概略結(jié)構(gòu)>
本發(fā)明的顯示裝置中，作為構(gòu)成要素，具有顯示元件。圖27表示作為顯示裝置的模塊構(gòu)造的一例的分解立體圖。顯示元件CEL位于上框架UFM和下框架LFM之間。上框架UFL具有開口部，顯示元件CEL的顯示區(qū)DR從該開口部露出，能看到該顯示區(qū)DR。作為一個例子，當顯示元件CEL為液晶顯示元件時，在其背面配置成為透過顯示元件CEL的光的光源的背光單元BL。在該背光單元BL的周圍部配置有中框架MFM，顯示元件CEL的周圍部位于其上，從而確定了顯示裝置中的顯示元件CEL的位置。在顯示裝置中有控制器TCON，生成用于在顯示元件CEL上實現(xiàn)圖像顯示的各種信號。
圖26是表示基于來自控制器TCON的信號，生成往顯示元件CEL的顯示信號的路徑的系統(tǒng)概略圖。來自顯示裝置外部的信號例如TV的信號、PC的信號、其他各種控制信號，作為外部輸入OI，輸入到控制器TCON。控制器TCON把該信號加工成用于在顯示元件CEL上進行圖像顯示的信號。該信號根據(jù)顯示元件CEL的不同而不同，例如當顯示元件CEL為液晶顯示裝置時、為EL顯示裝置時、為FED顯示裝置時等，分別按照顯示裝置，加工成需要的信號。作為一個例子，當顯示裝置CEL為液晶顯示裝置時，從控制器TCON向圖像信號線驅(qū)動電路DD提供圖像信號線驅(qū)動電路用信號DS，向柵極信號線驅(qū)動電路GD提供柵極信號線驅(qū)動電路用信號GS。從電源電路PS向圖像信號線驅(qū)動電路DD提供包含電路自身的驅(qū)動電壓和多個灰階基準電壓的圖像信號線驅(qū)動電路用各種電壓Vd，向柵極信號線驅(qū)動電路GD提供柵極信號線驅(qū)動電路自身的驅(qū)動電壓和成為柵極電壓的基準等的柵極信號線驅(qū)動電路用各種電壓Vg。此外，作為顯示元件CEL的公共電位，提供公共信號線電壓Vc。從圖像信號線驅(qū)動電路DD向圖像信號線DL提供圖像信號，從柵極信號線驅(qū)動電路GD向柵極信號線GL提供柵極信號，通過設(shè)置在像素中的開關(guān)元件TFT，根據(jù)柵極信號線GL的控制信號，把圖像信號線DL的電位提供給像素電極PX(后面描述)。通過用該像素電極PX和公共電位Vc之間的電場或電壓差驅(qū)動液晶分子，而使液晶層的狀態(tài)變化，實現(xiàn)圖像顯示。
<顯示元件>
<<像素組的排列例>>
圖1表示顯示元件CEL的像素組的一個例子。圖像信號線DL的圖像信號通過由柵極信號線GL控制的開關(guān)元件TFT，被提供給像素電極PX。公共電位通過公共信號線CL被提供給公共電極CT。在該像素電極PX和公共電極CT之間形成電場，驅(qū)動液晶層，從而進行顯示。
圖1的特征在于相鄰的上下左右的像素之間電極的延伸方向不同。因此，在上下左右的像素之間電極的延伸方向不同的配置本身是特征所在。圖2A-2B表示實現(xiàn)此的像素圖案劃分的一例。UE是上層的上側(cè)電極，具有多個線狀的部分或狹縫。LE為下層的下側(cè)電極，形成平面狀。通過上層電極UE的例如狹縫的朝向，能夠改變電極的延伸方向，控制電場的方向。
圖2A是狹縫向右上方向延伸的像素圖案，圖2B是狹縫向右下方向延伸的像素圖案。通過把這2個像素圖案作為相鄰的像素，在上下左右方向交替配置，能在上下左右的像素間實現(xiàn)電極的延伸方向不同的結(jié)構(gòu)。只要在上下左右的像素間電極的延伸方向不同，像素結(jié)構(gòu)可以是任意的，可以應用于例如垂直取向方式(VA方式)的顯示裝置中的狹縫或突起的方向的配置。
圖3表示圖1的像素組配置的濾色器配置的一例。作為濾色器，例如配置紅(R)、綠(G)、藍(B)的3原色，該3原色在縱方向的像素組中為相同的顏色。通過本配置，從圖2可知，當以各單色單位觀察時，成為在上下左右的像素間電極的延伸方向不同的結(jié)構(gòu)。更優(yōu)選采用電極的延伸方向相對于圖像信號線DL的延伸方向或柵極信號線GL的延伸方向，在相鄰的像素中成為對稱的結(jié)構(gòu)。據(jù)此，不僅是使用R、G、B的全部來進行顯示的白色顯示時，在只使用R、G、B中的任意一個進行顯示的原色顯示時，也實現(xiàn)了視場角的改善。這意味著在組合多個顏色實現(xiàn)的白色以外的顏色的顯示時，也能實現(xiàn)視場角的改善效果。
根據(jù)圖4說明本結(jié)構(gòu)的視場角的改善的效果。這是擴展了圖3的配置后的結(jié)果。(A)、(B)例如分別對應于圖2A的像素、圖2B的像素，即，表示是電極的延伸方向不同的像素。圖中的RGB表示與R、G、B中的哪個顏色的顯示相對應。
例如在白色顯示時，使用全部像素顯示。因此，除(A)的G外，(B)的像素均等地被配置。據(jù)此，(A)的像素的視場角依賴性(或者帶顏色的方向依賴性)和(B)的像素的視場角依賴性抵消，能減少視場角依賴性。特別地，當(A)的像素的電極排列方向和(B)的像素的電極排列方向相對于柵極信號線GL或圖像信號線DL對稱時，能使抵消的效果最大化，能實現(xiàn)幾乎消除視場角依賴性的寬闊視場角。
下面考慮紅色(R)顯示時的情形。在圖中的R(B)的像素的上下左右相鄰的R的像素一定為R(A)。此外，在R(A)的像素的上下左右相鄰的R的像素一定為R(B)。即，在紅的單色顯示中只使用R的像素，所以可知在紅色的單色顯示時，同樣能改善視場角。同樣在藍色B、綠色G的單色顯示時，也實現(xiàn)視場角的改善。
在單色以外的其他顏色的顯示時，因為用R、G、B的組合進行顯示，所以能實現(xiàn)視場角的改善。即，無論何種顏色，都取得能實現(xiàn)寬視場角的顯示裝置的顯著效果。
這樣的寬視場角在面向大型TV的用途中特別適合。此外，面向數(shù)字廣播的大型TV中，畫面的縱橫比大于以往的NTSC方式的4∶3(例如是16∶9)，所以在畫面的中心和角部，來自觀眾的觀察角較大，基于本發(fā)明的概念所表示的像素組排列的廣視場角化非常有效。
此外，與在單一像素內(nèi)設(shè)置多個電極方向時相比，一個像素內(nèi)電極排列方向能夠統(tǒng)一，所以能減少無效區(qū)和疇(domain)發(fā)生區(qū)，實現(xiàn)開口率的提高，實現(xiàn)亮度的提高和作為顯示裝置整體的耗電的降低。此外，由于像素內(nèi)的圖案被簡略化，所以例如在像素內(nèi)的細線狀或狹縫狀的電極的濕式蝕刻時的蝕刻溶液的流動統(tǒng)一，能減少與蝕刻相關(guān)的殘渣和斷線這種不良情況，實現(xiàn)成品率的提高。
<<偏振透過軸和初始取向方向的配置例>>
在使用上述液晶顯示元件作為顯示元件CEL時，為了將液晶層的光的調(diào)制最終變換為能看到的狀態(tài)，在例如透射型的液晶顯示元件中，在2個偏振板之間配置液晶層。液晶層例如通過由上述電極形成的電場，變更液晶的排列。在不外加電壓的狀態(tài)下，作為一例，進行在一個方向上排列該液晶層的液晶分子的處理。把它稱作初始取向處理，通過對取向膜進行摩擦或基于偏振光紫外線的照射進行的取向處理，設(shè)定初始取向方向ORI。
圖8A-8B表示具有圖2A-2B所示那樣的線狀或狹縫狀圖案的像素的偏振板的偏振光透射軸和初始取向方向的關(guān)系的一例。GL表示柵極線的延伸方向，PL1、PL2表示一方和另一方偏振板的偏振光透射軸，正交地配置。當液晶分子具有正的介電常數(shù)各向異性時，初始取向方向ORI如圖8A那樣配置，當具有負的介電常數(shù)各向異性時，初始取向方向ORI如圖8B那樣配置。據(jù)此，當在像素電極PX和公共電極CT之間產(chǎn)生電場時，液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向能在圖2A的像素和圖2B的像素中成為反方向，所以與圖1、圖3～圖7中的任意一個配置組合時，能構(gòu)成不論顯示的顏色如何，都具有寬闊視場角的顯示元件CEL。此外，當初始取向方向大致垂直于基板的顯示模式即所謂的垂直取向方式時，初始取向方向ORI成為垂直方向。這時，在外加電壓時，液晶分子的傾斜方向具有不同的多個方向。可是這時，為了實現(xiàn)高對比度和寬的視場角，優(yōu)選采用兩個偏振板正交的配置。
<<像素組的公共電壓的提供例>>
在對像素組提供公共電壓時，如圖1的1例所示，通過公共信號線CL，例如能對橫方向延伸的像素組公共地提供?？墒牵瑥膱D1可知，各公共信號線CL彼此分開。通過使公共電位更穩(wěn)定化，顯示圖像質(zhì)量穩(wěn)定。此外公共信號線CL的線寬度的減少也成為可能，能進一步提高開口率。
圖5是用橋布線BR電連接在上下方向相鄰的像素的各公共電極CT的例子。各像素的公共電極CT連接在公共信號線CL上，所以公共電位從上下左右以矩陣狀提供給各像素，實現(xiàn)公共電位的大幅度的穩(wěn)定化。
圖6A是使橋布線BR為多個像素單位的例子，在圖中，是3像素中為1個對應的例子。基于橋布線BR的公共電位穩(wěn)定化的效果與沒有橋時相比，具有能消除相鄰行間的亮度不均勻的特征，通過電連接相鄰平行延伸的公共信號線CL之間，來實現(xiàn)該特征。由于連接距離短，且頻率多，所以不需要公共信號線CL那樣的低電阻。因此，橋布線BR在多個像素單位的配置中也能實現(xiàn)效果。
通過這樣采用多個像素單位，產(chǎn)生沒有橋布線BR的像素，在該像素中，與有橋布線BR的像素相比，柵極信號線GL上的空間寬。因此，作為配置支撐顯示元件CEL的兩個基板間的距離的支柱SOC等的像素，優(yōu)選如圖6B那樣的。
圖7是配置橋布線BR的像素在縱方向不成為直線狀的例子。橋布線BR與圖像信號線DL相鄰配置，所以在橋布線BR和圖像信號線DL之間產(chǎn)生寄生電容。當在全部像素中均等地存在橋布線BR時，該寄生電容的產(chǎn)生也均等，所以不對圖像質(zhì)量產(chǎn)生影響?？墒?，如果只在特定的縱方向延伸的像素組中存在橋布線BR，則只有該像素組產(chǎn)生寄生電容，在圖像信號線DL的寄生電容中產(chǎn)生差。雖然能設(shè)計成不影響到圖像質(zhì)量的水平，但是當然希望從原理上解決該問題。因此，通過如圖7那樣配置，使寄生電容的產(chǎn)生擴散，解決對圖像質(zhì)量的影響。
<<像素的詳細例>>
圖9表示適合于顯示元件CEL的像素的詳細構(gòu)造的一例。下面按順序說明本像素包含的多個特征。
說明圖9所示的TFT部的特征。圖像信號線DL與開關(guān)元件TFT的漏極電極D連接。該漏極電極D形成包圍源極電極S的周圍的半圓狀。而且，有使端部位于漏極電極D的更外側(cè)，作為半圓狀而形成的半導體層a-Si。通過柵極信號線GL控制該半導體層a-Si的導通/截止，來控制漏極電極D和源極電極S之間的導通/截止。通過使漏極電極D為包圍源極電極S的半圓狀，而使溝道寬度增大，謀求TFT的寫入特性的改善。此外，通過使源極電極S的頂端部為半圓狀，既避免溝道長度的不均勻，又避免電場集中所引起的可靠性惡化。
圖像信號線DL通過與漏極電極D一體形成的連接構(gòu)件而連接。這時，連接構(gòu)件在與圖像信號線DL的連接部變粗，在與漏極電極D的連接部變細。而且，在連接部附近的柵極信號線GL上開孔，在連接部附近，與柵極信號線GL不重疊。據(jù)此，謀求防止連接部的斷線和交叉電容的降低，由此謀求圖像信號線DL的寄生電容的降低。此外，連接構(gòu)件具有角度地跨在柵極信號線GL上，即以非直角跨在柵極信號線GL上，所以能減少斷線的可能性。
<<<像素電極連接部>>>
圖9所示的像素中的開關(guān)元件TFT的源極電極S在跨過柵極信號線GL地延伸后，向與柵極信號線GL平行的方向彎曲延伸，接著向柵極信號線GL方向彎曲，形成連接區(qū)。柵極信號線GL在該連接區(qū)部凹陷，換言之，線寬度變細，確保連接區(qū)。通過形成在該連接區(qū)中的通孔TH1，源極電極S和像素電極PX電連接。陷入柵極信號線GL側(cè)地配置連接區(qū)的理由是為了確保開口率。此外，布線的電阻在該布線的最細部分成為支配性的。在圖9的結(jié)構(gòu)中，柵極信號線GL在與圖像信號線DL的交叉部有孔，分為線寬較細的2個部分，其再度合流，變?yōu)榇值牟季€。向該兩個部分的分支能夠在柵極信號線GL和圖像信號線DL發(fā)生短路時，斷開相應的分支部，修復短路。由于柵極信號線GL在該部分已成為比總線寬窄的線寬，所以作為柵極信號線GL的電阻，該寬度成為支配性的。因此，通過陷入柵極信號線GL側(cè)地形成與像素電極PX的連接部，能實現(xiàn)開口率的提高，并且能使它引起的柵極信號線GL的實質(zhì)電阻值增大得很小。此外，柵極信號線GL在TFT的形成部比與圖像信號線DL的交叉部以及與像素電極PX的連接部附近粗。由此，能確保TFT的溝道寬度較大，能以高成品率實現(xiàn)高質(zhì)量的顯示裝置。
<<<公共信號線和公共電極>>>
在圖9所示的像素中，公共信號線CL與柵極信號線GL平行延伸。該公共信號線CL例如由與柵極信號線GL同層的金屬材料形成。公共信號線CL與公共電極CT連接。這時，例如在作為反射型的顯示裝置的用途時，公共電極CT能用與公共信號線CL相同的材料一體形成?？墒牵鐖D9所示，在公共電極CT為平板狀的結(jié)構(gòu)中，作為透射顯示，使用顯示元件CEL時，公共電極CT必須是透明電極。因此，公共電極CT和公共信號線CL的電連接變?yōu)椴煌瑢颖舜诉B接。因為是不同的層，所以在連接時，發(fā)生一個層跨越另一層，會產(chǎn)生在該跨越部的斷線。
因此，避免該斷線在確保成品率上是重要的。
圖12A-12B表示公共信號線CL比公共電極CT更上層，公共信號線CL直接跨越公共電極CT時的例子。在圖12B的結(jié)構(gòu)中，在公共信號線CL跨越公共電極CT時，在公共電極CT的兩側(cè)產(chǎn)生跨越部OH。從圖可知，該跨越部OH是與公共信號線CL相同寬度的非常細的結(jié)構(gòu)。而且，如果在任意一方的跨越部OH中產(chǎn)生斷線，則公共電極CT變?yōu)榫€缺陷。因此，是對于成品率影響較大的構(gòu)造。
圖12A表示改善后的構(gòu)造。配置成公共電極CT的端部或端邊收斂在公共信號線CL的寬度內(nèi)。換言之，公共電極CT被配置成端部位于公共信號線CL的寬度方向的中部。據(jù)此，能確保公共信號線CL與公共電極CT不重疊地延伸的區(qū)域，所以能使完全斷線的可能性非常低。由于能使公共電極CT的端邊在公共信號線CL上的延伸長度較長，所以即使在一部分產(chǎn)生斷線，也能用其他部分從公共信號線CL向公共電極CT提供公共電位。因此，能實現(xiàn)有寬裕性的高可靠性的連接，能以高成品率實現(xiàn)高質(zhì)量的顯示裝置。
<<<上下的像素的公共電位的連接>>>
通過電連接相鄰的上下像素間的公共電位，公共電位穩(wěn)定化。在圖9中，通過橋布線BR進行電連接。
在圖9中，公共信號線CL在其一部分具有突出部或?qū)挾容^寬部。它成為上下像素中的公共電位連接部CC，從公共信號線CL提供公共電位CL。在該公共電位連接部CC上，通過通孔TH2連接橋布線BR。橋布線BR在柵極信號線GL上至少通過柵極絕緣膜GI分開，橫跨柵極信號線GL地向相鄰的其他像素延伸。在上下方向相鄰的其他像素中，另外地形成有島狀的公共電位連接部CC。該公共電位連接部CC例如以與公共信號線CL相同的金屬形成，與公共電極CT的至少一部分重疊地形成。橋布線BR通過通孔TH2與該另外的島狀的公共電位連接部CC連接。據(jù)此，使在上下方向相鄰的公共電位彼此之間電連接。
在該另外的島狀的公共電位連接部CC在該部分形成公共信號線CL的構(gòu)造中，可以成為一體?？墒?，通過利用橋布線BR提供矩陣狀的公共電位，對于公共信號線CL的布線電阻的要求降低，所以通過使公共信號線CL僅為像素的一端側(cè)，實現(xiàn)該部分開口率的增大。
此外，即使橋布線BR不通過公共電位連接部CC而直接與公共電極CT連接，關(guān)于電連接，也能實現(xiàn)矩陣供電化。可是，如果考慮成品率和圖像質(zhì)量，則優(yōu)選通過公共電位連接部CC連接。
即因為通過通孔進行連接，所以在通孔附近，液晶層的厚度不同，由于無法充分進行取向處理等理由，成為產(chǎn)生光泄漏的區(qū)域，圖像質(zhì)量容易下降。因此，通過用遮光性一般的金屬材料形成公共電位連接部CC，實現(xiàn)通孔部的遮光。當然，在公共電極CT為金屬材料的反射型構(gòu)造等時，能用公共電極CT兼任公共電位連接部CC。
此外，通過把橋布線BR連接在通孔上，來形成公共電位連接部CC的連接。即通過蝕刻對橋布線BR進行構(gòu)圖。在正常制造時，橋布線BR和公共電極CT的材料和連接構(gòu)造不影響成品率?？墒牵诎褬虿季€BR曝光進行構(gòu)圖時，存在把光致抗蝕劑形成與橋布線BR相同的形狀，把它作為掩模進行蝕刻，除去橋布線BR周圍的多余的部分的步驟。由于作為孤立的細圖案而形成橋布線BR，所以成為蝕刻時的掩模的光致抗蝕劑成為非常容易被剝離掉的圖案。而且，在該光致抗蝕劑被剝離掉時，蝕刻除去通孔部的橋布線BR，進而通孔部的下層的布線或電極就此暴露在蝕刻中。這時，假如通孔部的下層的布線或圖案是與橋布線BR相同的材料，則通孔部下層的圖案被蝕刻掉。例如當橋布線BR為ITO或SnO等透明電極，公共電位連接部CC也為相同的材料時，公共電位連接部CC的透明電極在水平方向顯著地被蝕刻，在像素內(nèi)的圖像顯示區(qū)中產(chǎn)生缺損。即使公共信號線CL也是相同的材料，也可能導致公共信號線CL的斷線。這成為成品率下降的原因。因此，通過設(shè)置用與橋布線BR不同的材料形成的公共電位連接部CC，即使橋布線BR的形成步驟中產(chǎn)生不良，也能避免像素的顯示不良。如果只是橋布線BR的缺損，在多個像素中如果有一個左右的連接，則橋連接的效果依然能維持，能產(chǎn)生基于橋布線BR的圖像質(zhì)量提高的效果。
而且，通過配置為用公共電位連接部CC的下層接觸公共電極CT，即使公共電極CT和橋布線BR為同種材料，也以較寬的范圍提供作為其他材料的公共電位連接部CC的蝕刻時的保護區(qū)，所以能在根本上解決對成品率的擔心。
此外，橋布線BR橫跨柵極信號線GL，所以與柵極信號線GL形成寄生電容。為了減少該寄生電容，橋布線BR優(yōu)選使用離柵極信號線GL最遠的導電層。
總而言之，優(yōu)選橋布線BR由保護膜PAS上的ITO、SnO、ITZO、IZO、或ZnO等透明電極形成，公共電位連接部CC由與公共信號線CL相同的金屬材料形成。
此外，在圖9的例子中，公共電極CT是平面狀的電極，由ITO、SnO、ITZO、IZO、或ZnO等透明電極形成。因此，如上所述，優(yōu)選從公共電位連接部CC的下層與公共電位連接部CC連接。須指出的是，當公共電極CT和橋布線BR都是透明電極時，從制造步驟中的成膜裝置和蝕刻裝置公共化的觀點出發(fā)，優(yōu)選為相同的透明電極材料例如ITO。
此外，在圖9的結(jié)構(gòu)中，像素電極PX位于公共電極CT上，具有多個細線狀部或狹縫狀的部分。當作為透射顯示用的元件使用時，該像素電極PX也希望是相同的透明電極材料。如果與橋布線BR同層形成，則能避免層構(gòu)造的增加，所以能避免步驟數(shù)的增加。
在圖9中，像素電極PX的一端配置為與公共電位連接部CC重疊。在公共電位連接部CC中，公共電位所施加的橋布線BR與像素電極PX同層，對于用像素電極PX的電位和公共電位之間的電場進行顯示的顯示裝置，成為特異點。由于電場的方向與本來意想的方向不同，所以成為圖像質(zhì)量下降的原因。因此，通過把該區(qū)域與遮光性的公共電位連接部CC重疊，來排除該影響。并且因此，公共電位連接部CC的端邊的形狀和像素電極PX的端邊的形狀在與公共電位連接部CC重疊的區(qū)域中變?yōu)轭愃频男螤睢?br> 這時，公共電位連接部CC成為像素電極PX一側(cè)的角部被切去的形狀。這是為了排除不必要的遮光區(qū)，謀求開口率的提高。這時，如圖9所示，像素電極PX和公共電位連接部CC在彼此不平行的3個邊重疊，在各邊上像素電極PX和公共電位連接部CC、也就是遮光層具有平行延伸的形狀。
須指出的是，橋布線BR的連接部附近也以同樣的形狀形成，由此謀求必要的遮光區(qū)的最小化。
在該區(qū)域中，平行觀察像素電極PX和橋布線BR的距離，比平行觀察橋布線BR和公共電極CT的距離要長。避免像素電極PX和橋布線BR為同層引起的短路，并且充分確保公共電極CT和公共電位連接部CC的接觸面積。
<<<像素組的排列>>>
圖9的像素電極PX成為多個狹縫在一個方向延伸的形狀，其方向在相鄰的上下左右像素中不同。據(jù)此，無論顏色的種類如何，都實現(xiàn)視場角的擴大。須指出的是，該像素組的排列是關(guān)于視場角擴大的效果的，在一個像素內(nèi)具有多個方向時，或在全部像素中為相同方向時，也能產(chǎn)生基于本申請的其他描述的結(jié)構(gòu)的其他效果。
此外，濾色器CF作為一例，如圖3所示，在相鄰的上下方向相同、在相鄰的左右方向順次排列R、G、B的濾色器CF。這時，優(yōu)選形成濾色器CF間的隔板和用于提高不需要區(qū)域的遮光所引起的對比度提高的作為遮光層的BM。圖10表示對于圖9的圖案，形成黑矩陣BM時的一例。原則上形成為，在像素電極PX的形成區(qū)域內(nèi)能露出黑矩陣BM的端部。可是，在公共電位連接部CC的部分中，該公共電位連接部CC作為遮光層起作用，所以能在超出像素電極PX的區(qū)域設(shè)置邊界。
<<<截面構(gòu)造>>>
依次說明圖9或圖10的像素的主要部分的截面構(gòu)造。
圖11是圖9或圖10的A-A’部的截面構(gòu)造。在第一基板SUB1上，公共電極CT形成在最下層。作為一例，由透明電極例如ITO形成。柵極信號線GL和公共信號線CL由金屬形成。柵極信號線GL在公共電極CT的形成區(qū)域間延伸。形成公共信號線CL，使得其一部分跨在公共電極CT上，通過在對公共電極CT提供公共電位，并不完全跨過地配置，成為避免公共信號線CL的斷線的構(gòu)造。覆蓋公共電極CT、公共信號線CL、柵極信號線GL地形成柵極絕緣膜GI。在柵極絕緣膜上配置從開關(guān)元件TFT的源極電極S延伸的金屬層S，形成與像素電極PX的連接部。為了該目的，A-A’截面中的柵極信號線GL變?yōu)榫€寬較細的結(jié)構(gòu)。在源極電極S上形成保護膜PAS。像素電極PX例如由與公共電極CT相同的透明電極例如ITO形成，配置在保護膜PAS上。用形成在該保護膜上的通孔TH1連接像素電極PX和源極電極S，通過開關(guān)元件TFT從圖像信號線DL提供的圖像信號被提供給像素電極PX。在像素電極PX上形成取向膜AL，根據(jù)需要進行初始取向處理。在基板SUB1的背面形成有第一偏振板PL1。
與第一基板SUB1相對地配置有第二基板SUB2。在第二基板SUB2上形成有遮擋不需要的光泄漏的黑矩陣BM。把黑矩陣BM和端部重疊，形成濾色器CF。雖然兩個濾色器CF分開地進行圖示，但是在A-A’截面方向中，濾色器CF的顏色相同，所以可以成為一體。覆蓋濾色器CF和黑矩陣BM地形成有外涂層OC。在外涂層OC上形成有取向膜AL。在第二基板SUB2的背面?zhèn)刃纬捎械诙癜錚L2。此外，在基板SUB2和偏振板PL2之間，根據(jù)需要，可以形成ITO那樣的導電層。這是因為有屏蔽泄漏電場，減少EMI的效果。此外，也能避免不需要的靜電對液晶層的顯示產(chǎn)生影響。
在基板SUB1和基板SUB2之間形成有液晶層LC。通過對像素電極PX和公共電極CT之間提供電壓差，形成電場，通過該電場，從初始取向方向改變該液晶層LC的液晶分子的方向，由此控制所觀察到的顯示圖像。
基于基板SUB1和基板SUB2的取向膜AL的初始取向方向ORI在基板SUB1和基板SUB2中平行，與偏振板PL1、PL2的偏振光透射軸所成的關(guān)系例如變?yōu)閷D8說明的關(guān)系。據(jù)此，在不外加電壓時，實現(xiàn)在黑電壓外加的同時，亮度增大的所謂常黑特性。
圖13是圖9或者圖10的B-B’部的截面構(gòu)造。在保護膜PAS上，與像素電極PX同層地形成有透明電極，例如形成有利用ITO的橋布線BR。橋布線BR將上下相鄰的像素的公共電極CT彼此間電連接。相當于圖9或圖10的下方的像素的像素，相當于圖13的左側(cè)的像素區(qū)。該區(qū)域中的公共電位連接部CC從公共電極CT的上方與公共電極CT重疊，并電連接。該公共電位連接部CC由與柵極信號線GL相同的金屬層形成。公共電位連接部CC用通孔TH2連接橋布線BR。這時，橋布線BR和公共電極CT不直接連接，通過經(jīng)由金屬材料的公共電位連接部CC，實現(xiàn)所述的成品率的提高。橋布線BR隔著柵極絕緣膜GI和保護膜PAS橫跨柵極信號線GL。通過極力分開這樣橫跨的布線，抑制寄生電容。橫跨柵極信號線GL的橋布線BR通過通孔TH3與其它的公共電位連接部CC連接。該公共電位連接部CC與公共信號線CL一體形成。而且，通過使公共電極CT為下層進行連接，實現(xiàn)像素間的電連接。
圖14是圖9或圖10的C-C’部的截面構(gòu)造。本圖特別涉及開關(guān)元件TFT部的構(gòu)造的說明。在該區(qū)域中，開關(guān)元件TFT的遮光是必要的，所以在基板SUB2的全部區(qū)域形成作為遮光層的黑矩陣BM。基板SUB1上的柵極信號線GL為了對應于上述修復而具有孔部，在圖14中分開配置著。圖像信號線DL在該孔部延伸，但是為了減少柵極信號線GL在孔部的前后跨越時的圖像信號線DL的斷線的可能性，在圖像信號線DL之下形成半導體層a-Si。連接部從圖像信號線DL向柵極信號線GL延伸，連接到開關(guān)元件TFT的漏極電極D上。源極S由漏極電極D從兩側(cè)夾著，在這兩個漏極電極D之間形成半導體層a-Si，形成開關(guān)元件TFT的溝道區(qū)。須指出的是，通常在半導體層的上表面形成高濃度摻雜層n+，該高濃度層在漏極電極D、源極S和a-Si層之間殘存，通過在漏極電極D和源極S之間的溝道區(qū)中除去，來提高TFT的特性，但是在圖中省略記載。
圖15是圖9或圖10的D-D’部的截面構(gòu)造。在橫方向相鄰的像素間配置黑矩陣BM，遮斷不需要的光泄漏。濾色器CF在橫方向相鄰的像素彼此間是不同顏色的，所以成為不同的顏色。在各像素中，公共電極CT形成平板狀，在用于透射顯示的元件中，例如以ITO那樣的透明電極形成。在反射用途時，使用金屬層。像素電極PX形成在保護膜PAS上，在用于透射顯示的元件中，例如以ITO那樣的透明電極形成。該像素電極PX直接形成在取向膜下，所以在反射用途的顯示元件CEL時，從提高可靠性的觀點出發(fā)，希望為透明電極。
像素電極PX具有多個線狀部分，其間成為在像素電極PX之間露出公共電極CT的區(qū)域。據(jù)此，形成來自像素電極PX的電場在公共電極CT結(jié)束的路線，通過該電場驅(qū)動液晶層LC的液晶分子，由此實現(xiàn)圖像的顯示。為了透射顯示，用透明電極形成像素電極PX和公共電極CT兩者時，顯示區(qū)的大致全部區(qū)域變?yōu)橥该?，所以實現(xiàn)光透射率的高亮度的顯示裝置。
此外，由于能用像素電極PX那樣的上層的電極的線狀部或狹縫部的方向來控制電極的方向，所以在正交配置柵極信號線GL和圖像信號線DL時，對開口率幾乎不產(chǎn)生影響，能自由設(shè)定電極的方向。
<<像素的詳細例的其他例子>>
在圖9中，表示顯示元件CEL優(yōu)選的像素的詳細構(gòu)造的一例。能用其他各種平面結(jié)構(gòu)的像素享受這時的<<<TFT部>>>中說明的結(jié)構(gòu)和效果、<<<像素電極連接部>>>中說明的結(jié)構(gòu)和效果、<<<公共信號線和公共電極>>>中說明的結(jié)構(gòu)和效果、<<<上下的像素的公共電位的連接>>>中說明的結(jié)構(gòu)和效果。
圖62是相當于圖9的圖，表示像素的平面結(jié)構(gòu)。與圖9的最大不同點是像素電極PX的狹縫的配置在各像素中變?yōu)楣餐Ｔ趫D62中，像素電極PX的狹縫的方向在像素的上方的區(qū)域和下方的區(qū)域中不同，在上方的區(qū)域中，狹縫往像素的一側(cè)面朝向下方，在下方的區(qū)域中，狹縫往像素的相同一側(cè)面朝向上方，也就是說配置在向著中央收斂的方向。據(jù)此，成為在1像素內(nèi)進行視場角的修正的結(jié)構(gòu)。
與圖9不同，在圖62中，在1像素內(nèi)存在狹縫的朝向不同的區(qū)域、即上方的區(qū)域和下方的區(qū)域，所以在成為其邊界的中央?yún)^(qū)域中，像素的使用效率下降。因此，開口率產(chǎn)生若干的下降。可是，在PC用監(jiān)視器和有時顯示因特網(wǎng)的畫面那樣的顯示裝置中，有時無論對于怎樣的圖像，總實現(xiàn)視場角的修正的圖62的結(jié)構(gòu)會比較適合。
把圖9的亮度最大化，按照其用途，可選擇任意一個適合于TV那樣的自然畫面的顯示的結(jié)構(gòu)，根據(jù)情況，有時圖62的結(jié)構(gòu)比較適合。這時，在PC用監(jiān)視器或因特網(wǎng)的圖像中，由于在像素間的信息中沒有自然畫面那樣的連續(xù)性，所以像素間的公共電位的穩(wěn)定化的重要性比圖9的結(jié)構(gòu)時進一步增大。這時，像素電極PX的狹縫的方向在像素的上方區(qū)域和下方的區(qū)域中為不同的結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置橋布線BR，連接相鄰的上下像素間的公共電極CT，從而能實現(xiàn)公共電位的穩(wěn)定化，能實現(xiàn)穩(wěn)定的圖像顯示。
此外，在像素電極PX的狹縫方向在像素的上方區(qū)域和下方區(qū)域中不同的結(jié)構(gòu)中，設(shè)置橋布線時，根據(jù)怎樣設(shè)置橋布線，對開口率的影響不同。在圖62中，為了提高開口率，在狹縫的收斂側(cè)的邊上設(shè)置橋布線。而且，在狹縫的收斂側(cè)的邊的上下端部分別對應設(shè)置公共電位連接部CC。據(jù)此，與在狹縫發(fā)散的一側(cè)的邊上設(shè)置時相比，實現(xiàn)開口率的提高。
此外，在圖62的結(jié)構(gòu)中，作為一例，在像素電極PX的中央的區(qū)域中，設(shè)置像素電極PX至少反復有3次寬度的擴大和縮小的圖案。據(jù)此，作為難以觀看像素電極PX的上方的區(qū)域和下方的區(qū)域的邊界的結(jié)構(gòu)，能提高像素的一體感。此外，在該像素電極PX的中央的區(qū)域中，像素電極PX至少反復有3次寬度的擴大和縮小的圖案，適合于避免像素電極PX的電位急劇變動。該結(jié)構(gòu)在要求顯示的過渡特性的顯示圖像和顯示方式，例如定期對畫面寫入黑圖像的情形特別有效。
圖63是與圖10對應的圖，是表示在圖62中設(shè)置了遮光層BM的狀態(tài)下的像素的平面構(gòu)造的一例的圖。
圖64是圖62和像素的中央部的結(jié)構(gòu)有若干不同的例子。
在圖64中，像素電極PX的狹縫配置成在像素中央的區(qū)域中，向上的狹縫和向下的狹縫交互咬合。在圖64中該結(jié)構(gòu)同時具有所述像素電極PX寬度的擴大和縮小至少反復3次的圖案。通過采用像素電極PX的狹縫在像素的中央?yún)^(qū)域中向上的狹縫和向下的狹縫交互咬合的結(jié)構(gòu)，能提高中央?yún)^(qū)域中的像素的利用效率，能提高亮度。
<<虛設(shè)像素區(qū)>>
<<<角部的像素配置>>>
如圖16A所示，在顯示元件CEL的顯示區(qū)DR的周圍配置了虛設(shè)像素區(qū)DMY。它用于在顯示區(qū)的最外圍的像素和這之外的像素中盡力接近寄生電容等的條件。
這時，虛設(shè)像素區(qū)DMY如圖16B所示，可劃分為多個區(qū)域。是顯示區(qū)DR的上方的虛設(shè)像素區(qū)D(D)、下方的L(D)、左方的D(G)、右方的D(LG)。通過使這些虛設(shè)像素與像素內(nèi)相同地進行圖案的反復，而能夠與條件一致。此外，若要對于任何顯示，都使影響中立，可采用只露出公共電位的構(gòu)造。因為在顯示中使用的像素中，也在黑顯示時對像素電極PX和公共電極CT兩者施加公共電位。
這時，在并列在橫方向上的顯示區(qū)DR的最外圍的像素群、例如在圖16B的D(LD)排列的最外圍的像素群中，在相鄰的像素彼此之間，來自D(LD)的影響的程度幾乎相等。此外在縱方向排列的顯示區(qū)DR的最外圍的像素群、例如在圖16B的D(G)中排列的最外圍的像素群中，在相鄰的像素彼此之間，來自D(G)的影響的程度幾乎相等?？墒?，在D(LD)和D(G)交叉的位置的角部的虛設(shè)像素C1，對于與C1最相鄰的有效顯示區(qū)DR的角部的像素，特異地產(chǎn)生影響。而且，在如該角部的像素那樣，在特別的地方特異地產(chǎn)生的亮度變動，會有成為產(chǎn)品共同的整體不良的危險，所以有必要排除該可能性。
因此，在本申請中，將角部的像素的電極方向配置成難于受到最相鄰的角部的虛設(shè)像素影響。
圖17表示示意說明圖。示意地表示分別與虛設(shè)像素區(qū)DMY的4個角部的虛設(shè)像素C1、C2、C3、C4最相鄰的有效顯示區(qū)DR內(nèi)的角部的像素的電極配置。本配置的特征在于顯示區(qū)內(nèi)的角部的各像素成為難以受到來自角部的虛設(shè)像素的影響的電極配置。
用圖18A-18D更容易理解地進行說明。圖18A表示考慮顯示區(qū)DR的中心，虛設(shè)像素C1、C2、C3、C4分別位于顯示區(qū)DR的角部。這時，考慮在有效顯示區(qū)的像素群中存在與圖2A、圖2B分別對應的圖18B、圖18C所示的兩個電極方向的像素群的情形。這時，在圖18D中，考慮由虛線表示的圖18A中的連接C1和C2的線段，即從C1或C2的虛設(shè)像素向著有效顯示區(qū)的電場的假想方向，以及圖18B、圖18C的電極形狀的電場所引起的影響的接受方。在圖18B的狹縫方向時，虛線和狹縫所成銳角的角度θ1比圖18C的狹縫方向時的角度θ2小。圖18B的狹縫方向時，狹縫的開口部被配置成接近虛設(shè)像素，所以成為容易受到來自虛設(shè)像素的電場的影響的配置。相反，在圖18C的狹縫方向下，成為難以受到影響的配置。因此，與C1、C3對應的角部的像素，作為電極圖案，優(yōu)選圖18C的情形。相反，在C2和C4的附近的像素中，優(yōu)選圖18B的像素。
現(xiàn)在如圖18B、18C所示，在下層的下方電極LE為平面狀，上層的上方電極UE為狹縫狀的情況下，進行了說明，但是當在一方的基板上只有上方電極UE時，在有狹縫時，在垂直取向方式下，也可以說是一樣的。
雖然根據(jù)角部的虛設(shè)像素的電壓和形狀，有時有可能關(guān)系顛倒，但是這時返回圖17，作為優(yōu)選的結(jié)構(gòu)，(1)具有線狀電極或狹縫，在該線狀電極或狹縫的方向相對的角部的像素彼此間，至少在角部附近必須相同。更優(yōu)選的是，在(1)的基礎(chǔ)上，(2)具有線狀電極或狹縫，在同一邊的像素的最遠離的像素彼此間，該線狀電極或狹縫的方向至少在角部附近不同。
如果從該目的定義，則有效顯示區(qū)的各角部的像素的電極排列可以是成為抑制來自角部的虛設(shè)像素的影響的配置。
如果在與圖18A-18D中的說明對應的情況下定義，(3)在具有線狀電極或狹縫的方向不同的2種像素時，也可以說，配置這樣的像素，即，角部的像素的線狀電極或狹縫的方向，相對于連接顯示區(qū)的角部和中央的線，比較線狀電極或狹縫的方向所成銳角的交叉角，該銳角的交叉角以更大的角度交叉。
<<<利用虛設(shè)像素區(qū)的公共電位的供電>>>
圖19是說明利用角部附近的虛設(shè)像素區(qū)的公共電位的供電的圖，成為圖16A-16B或圖17的C1附近的區(qū)域。
在最下邊的顯示區(qū)的像素之下配置虛設(shè)柵極線DMYG，配置為與其他像素條件接近。在其下方，相當于虛設(shè)像素區(qū)圖16A-16B或圖17的D(LD)的虛設(shè)像素區(qū)延伸。參照圖19的A-A’線部的截面構(gòu)造的圖20(a)，說明虛設(shè)像素區(qū)D(LD)的構(gòu)造。
在與公共信號線CL同層中，供給公共電位的虛設(shè)公共信號線DMYC寬度較寬地延伸。據(jù)此，成為低電阻的公共電位供電用的總線。在該虛設(shè)公共信號線DMYC上形成柵極絕緣膜GI，圖像信號線DL在該柵極絕緣膜GI上延伸。覆蓋該圖像信號線DL地形成有保護膜PAS。在該保護膜PAS和柵極絕緣膜GI上，在圖像信號線DL之間的區(qū)域中形成有PAS孔HL。覆蓋該PAS孔HL地、用透明電極與橋布線BR一體地形成上層屏蔽電極US。據(jù)此，在虛設(shè)區(qū)域的各像素中，基準電位出現(xiàn)在最上層，從而使電位穩(wěn)定化。此外，從作為低電阻的總線工作的虛設(shè)公共電位線DMYC通過橋布線BR對縱方向的各像素供給公共電位，由此謀求公共電位的供電電阻的減少。
在圖19的左側(cè)連接虛設(shè)公共電位線DMYC和虛設(shè)柵極信號線DMYG，避免虛設(shè)柵極信號線DMYG的電位變動。
沿著圖16A-16B或圖17的D(G)的虛設(shè)像素區(qū)在左端的縱方向的最外圍像素群的外側(cè)延伸。在各虛設(shè)像素中，公共信號線CL的端部形成寬度較寬部。此外，相鄰地存在公共電位連接金屬線CMC，其端部同樣寬度較寬。這些寬度較寬部相互鄰接，通過上層屏蔽電極US電連接。用圖19的B-B’線部的剖視圖即圖20B進行說明。在基板SUB1上，在柵極絕緣膜GI的下層形成公共信號線CL端部的寬度較寬部。在柵極絕緣膜GI上相鄰地形成公共電位連接金屬線CMC的寬度較寬部。在這些寬度較寬部形成絕緣膜GI的PAS孔HL，覆蓋該孔部地形成上層屏蔽電極US，從而電導通公共電位連接金屬線CMC和公共信號線CL。此外，上層公共連接線UC還在其他孔部與DMYC電連接，實現(xiàn)對DMYC的公共電位的供給。
公共電位連接金屬線CMC和柵極信號線GL成為不同層。這是因為在圖19的左側(cè)，從外部向顯示區(qū)，按柵極信號線GL，用公共電位連接金屬線CMC供給公共電位，所以按照像素數(shù)相鄰配置多個這種布線，為了避免短路和電蝕，隔著柵極絕緣膜GI，成為不同層。
在其他C2、C3、C4附近的區(qū)域中，在虛設(shè)像素部，通過PAS孔HL，連接下層的金屬的虛設(shè)電極層和上層的屏蔽電極US，使公共電位露出，從而謀求虛設(shè)像素區(qū)的電位的穩(wěn)定化。
<<<虛設(shè)圖案>>>
虛設(shè)像素區(qū)DMY還適合于配置各種目的的虛設(shè)圖案。特別適合于配置用于進行質(zhì)量管理的圖案。圖21的特征在于在虛設(shè)像素區(qū)DMY中配置多個測定用虛設(shè)圖案TEG-A、TEG-B、TEG-C。這些虛設(shè)圖案可以分散到不同的邊上，可以集中在一個邊上，或分別形成在多條邊上。關(guān)鍵是配置在與像素最相鄰的虛設(shè)像素區(qū)中。
以虛設(shè)圖案為測定柵極絕緣膜GI、半導體層a-Si、保護膜PAS等的膜厚的圖案時的情形進行說明。
通過CVD形成絕緣膜和半導體層。因此，由周圍的圖案形成的膜厚受到影響。用虛設(shè)圖案測定膜厚的目的是知道顯示區(qū)內(nèi)的膜厚，例如把它反饋給制造步驟的成膜條件。因此，配置在遠離顯示區(qū)的地方，即便取得不同的膜厚信息，也沒有任何意義。因此，重要的是配置在與像素最相鄰的虛設(shè)像素區(qū)中。
圖22是在圖19的虛設(shè)像素區(qū)中配置了一個測定用虛設(shè)圖案TEG的例子。當配置多個測定用虛設(shè)圖案TEG時，在最相鄰的虛設(shè)像素區(qū)的其他虛設(shè)像素中，按與以下的說明同樣的思想配置即可。
在配置測定用虛設(shè)圖案TEG的虛設(shè)像素中，減少保護膜PAS的PAS孔HL的大小地構(gòu)成。并且在由這樣取得的保護膜PAS覆蓋的區(qū)域中配置測定用虛設(shè)圖案TEG。
使用圖22的A-A’線部的截面構(gòu)造，針對各種測定用虛設(shè)圖案TEG的例子，說明關(guān)于各種膜厚測定的測定用虛設(shè)圖案TEG的構(gòu)造及其使用方法。
圖23A-23B是圖22的A-A’線部的截面構(gòu)造，圖23A表示完成時，圖23B表示測定時。該測定用虛設(shè)圖案TEG-A以柵極絕緣膜GI的膜厚的測定為目的。形成柵極絕緣膜GI，并在形成保護膜PAS之前的階段，如圖23B所示那樣，以使用光Light的光學手法檢測柵極絕緣膜GI的膜厚。公共信號線CL是金屬層，所以反射光，通過使用偏振光橢圓計，能從光學角度知道作為透明膜的柵極絕緣膜GI的膜厚。在完成狀態(tài)的圖23A中，可知測定用虛設(shè)圖案TEG-A的區(qū)域為保護膜PAS的孔較小的虛設(shè)像素。
圖24A-24B是圖22的A-A’線部的截面構(gòu)造，圖24A表示完成時，圖24B表示測定時。該測定用虛設(shè)圖案TEG-B以柵極絕緣膜GI和半導體層a-Si的合計膜厚的測定為目的。形成柵極絕緣膜GI，形成半導體層a-Si，并在形成保護膜PAS之前的階段，如圖24B所示，以使用光Light的光學手法檢測柵極絕緣膜GI和半導體層a-Si的合計膜厚。如果用圖23A-23B的手法測定柵極絕緣膜GI單獨的膜厚，則通過減法，也能知道半導體層a-Si單獨的膜厚。在完成狀態(tài)的圖24A中可知，測定用虛設(shè)圖案TEG-B的區(qū)域為孤立的a-Si圖案殘存的虛設(shè)像素。
圖25A-25B是圖22的A-A’線部的截面構(gòu)造，圖25A表示完成時，圖25B表示測定時。該測定用虛設(shè)圖案TEG-C以保護膜PAS的膜厚的測定為目的。在柵極絕緣膜GI上形成基于圖像信號線DL的虛設(shè)圖像圖案DDL。在其上形成保護膜PAS。如果以與圖像信號線DL同層的金屬形成虛設(shè)圖像圖案DDL，則如圖25B那樣，能用偏振光橢圓計光學地測定保護膜PAS的膜厚。
另外，通過如圖25A那樣形成基于透明電極的上層屏蔽電極US后進行測定，通過減去由圖25B判定的保護膜PAS的膜厚，就能知道透明電極的膜厚。
在完成狀態(tài)的圖25A中可知，測定用虛設(shè)圖案TEG-C的區(qū)域為與孤立的圖像信號線DL同層的圖案殘存的虛設(shè)像素。
<模塊構(gòu)造>
進一步詳細說明圖27所示的模塊構(gòu)造的例子。
<<概略>>
圖28A是在有上框架UFM的狀態(tài)下，從正面觀察顯示裝置的圖。上框架UFM由金屬材料形成。上框架UFM和下框架LFM的連接部ULC例如形成在各邊。此外，能觀察到定位部PDP的孔。
圖28B、圖28C、圖28D、圖28E分別表示與圖28A的下側(cè)面、上側(cè)面、左側(cè)面、右側(cè)面對應的圖。上框架UFM彎曲，形成到各邊的側(cè)面。
在圖28B和圖28C中不能觀察到上下框架連接部ULC，但是在圖28D和圖28E中能觀察到一部分。這是為了縮小顯示裝置的顯示區(qū)外的外形尺寸。據(jù)此，上下框架連接部ULC的外側(cè)的上框架強度，在比上框架的長邊短的邊上減弱，但是在短邊，框架本身距離短，所以能抑制對整體的剛性的影響，據(jù)此，能同時實現(xiàn)外形尺寸的縮小和強度的維持。
此外，為了維持連接的強度，以比在短邊更多的數(shù)量在長邊形成上下框架連接部ULC。
圖29是從背面觀察顯示裝置的圖。與從上框架觀察時的上下框架連接部ULC對應，在下框架LFM上也存在上下框架連接部ULC。在圖中左側(cè)存在逆變器蓋子(高電壓側(cè))INCH，在其下配置有逆變器基板(高電壓側(cè))。通過該逆變器蓋子(高電壓側(cè))INCH，屏蔽來自逆變器的泄漏電場。在圖的上方有控制器(基板)、TCON的蓋子(TCON蓋子)TCV。在圖中右側(cè)有逆變器蓋子(低電壓側(cè))INCL，在其下配置逆變器基板(低電壓側(cè))。通過該逆變器蓋子(低電壓側(cè))INCL，屏蔽來自低電壓側(cè)的逆變器基板的泄漏電場。
逆變器蓋子(高電壓側(cè))INCH和TCON蓋子TCV為了屏蔽，都由金屬形成，形成多個用于散熱的孔。該孔的結(jié)構(gòu)為在TCON蓋子TCV比逆變器蓋子(高電壓側(cè))INCH小。因為泄漏的電場的頻率中，從控制器基板泄漏的電場的頻率比從逆變器基板泄漏的電場頻率要高，所以通過在TCON蓋子TCV中減小孔，防止來自孔的泄漏電場的漏出，并謀求散熱。另一方面，來自逆變器基板的頻率相對較低，但是因為對光源CFL供給電流，所以變?yōu)榘l(fā)熱大的。因此，通過形成比TCON蓋子TCV大的孔，謀求同時實現(xiàn)散熱和泄漏電場的屏蔽。而且，通過改變這些孔的尺寸，分散金屬的屏蔽板的共振頻率，在各種使用條件時，防止共振音的發(fā)生。
圖30A-30E是表示取下逆變器蓋子(高電壓側(cè))INCH、逆變器蓋子(低電壓側(cè))INCL、TCON蓋子TCV的各蓋子的狀態(tài)的圖，圖30A是從背面?zhèn)扔^察的圖。
在圖中左側(cè)存在逆變器基板(高電壓側(cè))INPH。在逆變器基板(高電壓側(cè))INPH上配置有多個逆變器變壓器。而且，高電壓側(cè)的輸出通過連接器提供給光源。
在圖中右側(cè)存在逆變器基板(低電壓側(cè))INPL。在該逆變器基板(低電壓一側(cè))INPL的連接器上配置有光源的低電壓側(cè)的端部。逆變器基板(低電壓側(cè))INPL被分割為2個，作為逆變器基板(低電壓側(cè))INPL1、逆變器基板(低電壓側(cè))INPL2配置。
逆變器基板(低電壓側(cè))INPL和逆變器基板(高電壓側(cè))INPH通過逆變器基板連接電纜INCC連接。據(jù)此，光源的低電壓側(cè)由連接器通過逆變器基板(高電壓側(cè))INPH上的部線，連接在與逆變器基板連接電纜INCC的連接器上，逆變器基板連接電纜INCC用連接器與逆變器基板(高電壓側(cè))INPH連接，由此，可進行低電壓側(cè)的供電。
在下框架LFM上形成有用于連接逆變器基板的逆變器基板公共連接部CCFI。該逆變器基板公共連接部CCFI在下框架LFM的左右對稱地形成。即，當左右相反配置逆變器基板(高電壓側(cè))INPH和逆變器基板(低電壓側(cè))INPL時，也能在同一顯示裝置中相適應。這是由于來自逆變器基板的發(fā)熱比較多，所以在液晶TV等裝置(set)內(nèi)，通過調(diào)整與其它發(fā)熱部件的配置關(guān)系，謀求發(fā)熱的均勻化，避免局部的高熱化。
因為逆變器基板(低電壓側(cè))INPL能比逆變器基板(高電壓側(cè))INPH小，所以逆變器基板公共連接部CCFI在任意一側(cè)部形成剩余的部分。在逆變器基板(高電壓側(cè))INPH中，逆變器基板公共連接部CCFI使用位于基板的兩側(cè)的部分固定在下框架LFM上。在逆變器基板(低電壓側(cè))INPL中，逆變器基板公共連接部CCFI使用位于基板的單側(cè)的部分固定在下框架LFM上。為此，逆變器基板(低電壓側(cè))INPL為逆變器基板(高電壓側(cè))INPH的寬度的1/2以下，優(yōu)選為1/3以下。這是因為用只在基板單側(cè)的固定來確保固定的強度。
在圖中上方配置有控制器基板。在該控制器基板上配置有控制器TCON。來自控制器TCON的輸出通過連接器CN1，由接合器(joiner)(A)JNA、接合器(B)JNB等提供給顯示元件CEL。
圖30B、30C、30D、30E分別表示與圖30A的下側(cè)面、上側(cè)面、左側(cè)面、右側(cè)面對應的圖。在圖30C中表示在顯示裝置的側(cè)面配置對顯示元件CEL的圖像信號驅(qū)動電路供給信號的印刷基板PCB。該漏極基板DPCB和控制器TCON通過用連接器CN2連接接合器(A)JNA和接合器(B)JNB，而供給各種信號和電壓。漏極基板DPCB由漏極基板DPCB1和漏極基板DPCB2的兩個構(gòu)成。這將在后面描述。
圖30D、圖30E表示排列多個來自逆變器基板的電纜的樣子。
圖31表示取下圖28A的上框架UFM后的狀態(tài)。配置中框架MFM，在其上配置顯示元件CEL。在顯示元件CEL的上方例如通過帶載TCP形成圖像信號驅(qū)動電路，它與漏極基板DPCB1、2中的任意一個連接。在顯示元件CEL的左側(cè)形成有柵極基板GPCB。該柵極基板GPCB由帶載TCP連接在顯示元件CEL上。
圖32是以圖31的左上角部為中心的立體圖。來自漏極基板DPCB的信號被施加在DTCP上，圖像信號被施加在顯示元件CEL上。來自柵極基板GPCB的信號被施加在柵極基板GPCB上，柵極信號被施加在顯示元件CEL上。漏極基板DPCB和柵極基板GPCB由接合器JNC連接。據(jù)此，與從控制器TCON直接連接柵極基板GPCB時相比，能縮短接合器JNC的距離，成為抗噪聲的結(jié)構(gòu)。
<<上下框架的固定>>
下面說明上下框架連接部ULC和定位部PDP。圖33是表示上框架UFM、中框架MFM、下框架LCM的分解狀態(tài)的立體圖。在上下框架連接部ULC中，上框架UFM在下方具有突出部，下框架LCM在上方具有突出部，在中框架MFM形成有孔部。在定位部PDP，中框架MFM在上框架或下框架具有突出部，在突出側(cè)的框架上形成有孔部。進一步詳細說明。在顯示裝置的裝配狀態(tài)下，分別根據(jù)圖35A-35E、圖36A-36B說明成為圖34的A線部的上下框架連接部ULC、成為B線部的定位部PDP。
圖35A是上下框架連接部ULC的平面概略圖。MH是中框架的孔部，SC是固定用螺絲。
圖35B是圖35A的B-B’線的剖視圖。在上下框架連接部ULC，上框架UFM向下方突出，下框架LFM向上方突出。在中框架MFM上形成有孔MH，在該孔部，上框架UFM和下框架LFM直接接觸。據(jù)此，上下框架對于螺絲SC能具有大面積地接觸。通過螺絲SC直接固定該上框架UFM和下框架LFM，由此實現(xiàn)牢固的固定。此外，上框架UFM和下框架LFM在螺絲SC周圍以寬的面積直接接觸，由此連接變得更牢固。
圖35C是圖35A的C-C’線部的剖視圖，表示上框架UFM向下方突出，下框架LFM向上方突出。圖35D是圖35A的D-D’線部的剖視圖，是上框架UFM和下框架LFM分開的區(qū)域。圖35E是圖35A的E-E’線部的剖視圖，表示在中框架MFM上配置上框架UFM，在中框架MFM之下配置下框架LFM。
圖36A-36B是關(guān)于定位部PDP的說明圖。圖36A表示平面透視圖，圖36B表示圖36A的B-B’線部的剖視圖。在中框架MFM上一體地形成有上方突出部UP。通過上方突出部UP和形成在上框架UFM上的孔UH，實現(xiàn)上框架UFM相對于中框架MFM的對位。此外中框架MFM一體地形有成下方突出部LP。通過該下方突出部LP和形成在下框架LFM上的孔LH，實現(xiàn)下框架LFM相對于中框架MFM的對位。
如圖36A所示，上框架的孔UH和下框架的孔LH形成在平面上不同的位置。上框架UFM和下框架LFM由上下框架連接部ULC牢固連接，所以通過錯開上框架的孔UH和下框架的孔LH的位置，設(shè)置連接時的退路。此外，也具有在上框架UFM和下框架LFM分散共振點，防止共振音的發(fā)生的效果。
<<中框架>>
中框架MFM由樹脂制的構(gòu)件構(gòu)成。而且如圖37所示，分割為右側(cè)的中框架MFMR、左側(cè)的中框架MFML、上方的中框架MFMT、下方的中框架MFMB的四個構(gòu)件。這四個構(gòu)件彼此獨立。而且，各構(gòu)件單獨地與下框架LFM固定。中框架MFM彼此不進行直接的固定。
在大型的模塊中，難以高精度地制造樹脂構(gòu)件。此外，即使在初始狀態(tài)下是理想的形狀，由于溫度變化引起的膨脹收縮，變?yōu)閺南胍男螤钇x的形狀。該偏離作用于顯示元件CEL，成為使顯示元件CEL的顯示質(zhì)量下降的原因。此外由于應力的原因，成為使模塊的對振動特性惡化的原因。
因此，把樹脂制的中框架MFM分割為4個，并且不直接固定它們，使一個構(gòu)件周圍的尺寸較小，精度高，能減小熱引起的膨脹和收縮的影響。此外，各中框架MFM從中框架MFM側(cè)直接用螺絲固定在金屬制的下框架LFM上。下框架LFM是金屬，所以能以高精度制造，此外溫度變化引起的形狀變化也小。因此能以高精度維持中框架MFM的位置。用所述上下框架連接部ULC，將上框架UFM在中框架MFM的孔部直接從上框架UFM側(cè)用螺絲固定在下框架LFM上，中框架MFM和上框架UFM也不具有直接的牢固的固定。即中框架MFM和上框架UFM都直接固定在下框架LFM上，能使位置的基準與下框架一元化，能使模塊成為高精度并且牢固的構(gòu)造。本構(gòu)造是非常適合于大型TV等尺寸大的顯示裝置的構(gòu)造。
分割為4個的中框架MFM中，中框架MFMT和中框架MFMU在顯示裝置的長邊方向一方向延伸，形成距離比較長的結(jié)構(gòu)。而中框架MFML和中框架MFMR成為遍及顯示裝置的短邊方向和長邊方向兩者而形成的形狀，但是顯示裝置的長邊方向部分的長度比短邊方向部分的長度短。據(jù)此，中框架MFMT和中框架MFMB能確保顯示元件CEL的短邊方向的位置精度、即顯示元件CEL的上下方向的位置精度為高精度。而且，中框架MFML和中框架MFMR能確保顯示元件CEL的長邊方向的位置精度、即顯示元件CEL的左右方向的位置精度為高精度。通過這樣按各構(gòu)件明確分離實現(xiàn)位置精度的方向，在把樹脂制的構(gòu)件應用于大型的顯示裝置時，也能提高精度，能縮小不需要的外形尺寸。
此外，中框架MFML和中框架MFMR也有在長邊方向延伸的部分。為了提高上下方向的位置精度，在該區(qū)域中，優(yōu)選中框架MFML、中框架MFMR和顯示元件CEL的基板端部不接觸。因此，優(yōu)選這兩個中框架的基板上下方向的與顯示元件CEL端部的相同高度的水平距離，比中框架MFMT和中框架MFMB與顯示元件CEL端部的相同高度的水平距離長。
相鄰的中框架MFM如圖33所示，具有彼此錯開的突起部。在安裝狀態(tài)下，從上方觀察中框架MFM的圖是圖38A。中框架MFMR和中框架MFMT水平方向的突出部相互咬合。據(jù)此，容易進行中框架MFM的安裝。而且在該裝配部附近，中框架MFMR和中框架MFMT分別單獨地由螺絲SC直接固定在下框架LFM。據(jù)此，實現(xiàn)各中框架端部的精度的提高。各中框架在其他多個地方，也通過螺絲SC直接從中框架一側(cè)固定在下框架LFM上，由此使連接牢固，并使上下框架連接部ULC的螺絲連接同樣統(tǒng)一到來自上方的螺緊，從而提高模塊安裝時的作業(yè)性。同樣的形狀在圖39A的中框架MFMB和中框架MFMR裝配部也能看到。
中框架MFM只在必要的部分使樹脂厚度加厚，在此外的部分，減小厚度。據(jù)此，實現(xiàn)輕量化。通過使用金屬模具的樹脂的射出成形，可按照需要自由地設(shè)定形狀。
<<向漏極基板的信號傳送>>
圖38B是觀察圖38A的下側(cè)面的圖。配置有漏極基板DPCB1。來自漏極基板DPCB1的信號被提供給帶載TCP上的驅(qū)動電路(驅(qū)動器元件)DRV，生成圖像信號。該圖像信號從帶載TCP的輸出端子提供給顯示元件CEL的圖像信號端子。當然可以把驅(qū)動電路直接安裝在顯示元件CEL上，或用TFT把驅(qū)動電路直接形成在顯示元件CEL上。
漏極基板DPCB1由螺絲SC固定在下框架LFM上。同時通過該固定，電連接漏極基板DPCB1的GND和下框架LFM時，能實現(xiàn)穩(wěn)定的GND電位。
在漏極基板DPCB1上從控制器基板連接2個接合器。接合器(A)JNA不再是寬度粗的，而是層數(shù)少、例如導電層為1層的接合器，JNB不再是寬度窄的，而是層數(shù)多、例如導電層為2層的接合器。接合器(A)JNA適合于供給灰階電源和圖像信號驅(qū)動電路的電源。而JNB通過增加導電層，而能夠進行高頻信號的傳送，適合于傳送時鐘或顯示數(shù)據(jù)等各種信號。通過這樣用信號電壓和電源電壓劃分接合器，能應用最適合于各自的接合器，同時實現(xiàn)高性能和低成本。此外能避免信號和電源的干涉，能謀求信號傳送的噪聲的降低和電源的穩(wěn)定化。
圖41A表示漏極基板DPCB1和漏極基板DPCB2的關(guān)系。兩個漏極基板相互獨立，單獨地固定在下框架LFM上。由于漏極基板DPCB由印刷基板構(gòu)成，所以在大型顯示裝置中，印刷基板自身的精度和變形作為對顯示元件CEL的應力，成為圖像質(zhì)量上的問題的原因，另外，在帶載TCP上作用應力，成為斷線的原因等可靠性上的問題。通過把漏極基板DPCB分割為多個，與用大的一個基板形成時相比，能減少這種可能性。在圖41A所示的構(gòu)造中，兩個漏極基板DPCB分別通過螺絲SC直接固定在下框架LFM上。據(jù)此，漏極基板DPCB維持為高精度。
接合器(A)JNA、接合器(B)JNB形成在漏極基板DPCB1和漏極基板DPCB兩者上。這里，兩者的接合器(A)JNA配置在兩者的接合器(B)JNB的內(nèi)側(cè)。這是因為通過使包含時鐘等高頻信號的JNB的各漏極基板DPCB上的延伸距離在兩個漏極基板上一致，使信號的波形鈍化和噪聲的影響相同，使定時控制容易。
圖41B是表示向下框架LFM固定前的顯示元件CEL的狀態(tài)的圖。漏極基板DPCB因為傳送的電壓的種類多，且信號復雜，所以比柵極基板GPCB寬度寬。因此，從顯示區(qū)外的外形尺寸縮小的觀點出發(fā)，與漏極基板DPCB如圖41A那樣彎曲配置在側(cè)面或背面的情況不同，柵極基板GPCB能夠不彎曲地就此配置在顯示元件CEL的一端部。須指出的是，與漏極基板DPCB彎曲到背面相比，優(yōu)選彎曲到側(cè)面，固定在下框架LFM上。因為在安裝狀態(tài)下，用配置在漏極基板DPCB的更外側(cè)的金屬制的上框架UFM能屏蔽來自漏極基板的泄漏電場。
<<逆變器電纜>>
圖39B是從圖39A的下方觀察的側(cè)視圖。在逆變器基板(高電壓側(cè))設(shè)置有逆變器(變壓器)INV。從連接器CNI通過電纜把高電壓側(cè)的輸出提供給光源。
圖39C是從圖39A的右側(cè)觀察的側(cè)視圖。來自逆變器的輸出通過電纜CABLE提供給光源。這時，按照光源數(shù)配置多個電纜CABLE，所以通過簡單并且可靠地進行該固定，有助于生產(chǎn)性的提高。此外，如果該電纜沒被固定，則在各電纜中寄生電容不同，所以成為各光源的亮度不均勻的主要原因，并且成為電纜自身斷線的原因。
在圖39C中，電纜CABLE固定在專用的保持部上。圖40表示該保持部。該保持部與側(cè)(side)模SM(后面描述)一體形成，由樹脂形成。來自連接器CN的電纜CABLE配置在由側(cè)模SM的側(cè)面和保持構(gòu)件HOLD夾著的區(qū)域中，限制圖40中的前后方向的移動。而且，沿著形成在保持構(gòu)件的上方的圓弧狀的R部配置，從該R部向下方再返回后連接到光源上。通過該構(gòu)造，也限制在圖的上下方向的移動。
通過這樣把電纜簡單地嵌入簡單的位置中，實現(xiàn)固定。
<<模塊整體的截面構(gòu)造>>
圖42B是模塊的圖42A的B-B’線部的剖視圖。在顯示元件CEL上隔著間隔塊SP2配置上框架UFM。該間隔塊SP2例如是由橡膠那樣的具有彈性的構(gòu)件形成。上框架UFM在顯示元件CEL的周圍延伸，然后彎曲到側(cè)面。在圖的左側(cè)配置有圖像信號線驅(qū)動電路DD。在顯示元件CEL的基板SUB1的端子上連接帶載TCP，該帶載TCP連接在漏極基板DPCB上。在漏極基板DPCB上的連接器CN1上連接接合器FPC，它與控制器TCON(基板)的連接器CN2連接，從而供給電源電壓和各種信號。在顯示元件CEL的下方隔著間隔塊SP1配置有中框架MFM。在該中框架之下配置下框架LFM。下框架LFM在顯示元件CEL之下的區(qū)域中大致為平板，它在顯示元件CEL的周圍部向上立起，再度變?yōu)樗?，?gòu)成與中框架MFM的接觸面。然后再度向下方彎曲，形成漏極基板DPCB的固定部，并且確保模塊整體的剛性。
在顯示元件CEL和下框架LFM之間配置有光源CFL。在該光源CFL和下框架LFM之間配置有反射來自光源的光的反射板RS。該反射板RS例如可適用白色的塑料板。該反射板RS在周圍部斜向彎曲，朝向上方，然后變?yōu)樗剑膳c板RS層疊的散射板DFP壓著。散射板DFP例如是白色的所料板，把來自光源的光散射，把有光源的區(qū)域和沒有的區(qū)域中的亮度差均勻化。在該散射板DFP和顯示元件CEL之間，根據(jù)需要，再配置棱鏡板那樣的聚光板、散射板等。
圖42C是圖42A的C-C’線部的剖視圖，是與圖42B相同的邊的截面，說明錯開的位置的部分。與圖42B的不同在于在中框架MFM之下的下框架LFM的一部分形成有孔，反射板RS的端部進入那里。據(jù)此，能非常簡略并且可靠地進行反射板的定位。
圖42D是圖42A的D-D’線部的剖視圖。在本方向，必需要引出來自光源CFL的多個電纜。因此，配置樹脂制的側(cè)模SM。該側(cè)模SM分別從上方用螺絲SC固定在下框架LFM上。這里，徹底貫徹下框架LFM為基準的原則，實現(xiàn)高精度。這里，通過用下框架LFM和側(cè)模SM夾著反射板RS的端部，在側(cè)模SM向下框架LFM的固定時，同時實現(xiàn)反射板RS的固定。在圖中左側(cè)表示了用顯示元件CEL和帶載TCP連接的柵極基板GPCB。
圖43A-43C是表示進行控制器基板TCON的屏蔽的TCON蓋子TCV與下框架LFM的固定的圖。圖43A是固定前，是TCB的端部向下框架LFM一側(cè)彎曲的構(gòu)造。把它按在圖43B所示的框架LFM上，在該狀態(tài)下，用螺絲SC固定下框架LFM和TCON蓋子TCV。據(jù)此，不僅是螺絲，TCON蓋子TCV和下框架LFM以TCON蓋子TCV的寬闊面積接觸、導通，能提高基于TCON蓋子TCV的來自控制器TCON(基板)的泄漏電場的屏蔽效果。在取下TCON蓋子TCV和下框架LFM的螺絲SC，分離TCON蓋子TCV時，也能判別在TCON蓋子TCV的端部是否存在向下框架彎曲的邊。
同樣的結(jié)構(gòu)也能應用于逆變器蓋子，有助于提高屏蔽的效果。
<光源>
圖44A表示光源中具有多個熒光管時的熒光管的配置例。當這樣配置多個熒光管時，實現(xiàn)該熒光管的亮度的均勻性是重要的。由于對熒光管施加高頻高電壓，所以根據(jù)該熒光管和金屬的下框架LFM之間的距離，寄生電容不同，對熒光管的發(fā)光強度產(chǎn)生影響。因此，盡可能維持熒光管和下框架之間距離的均勻是重要的。
圖44B是以該圖的縱穿多個熒光管地配置公共間隔塊CSP的例子。例如用橡膠形成，從而形狀能自由加工，此外設(shè)置作業(yè)也變得容易。此外，由于在多個光源中用同一構(gòu)件統(tǒng)一配置，所以能使與下框架之間的距離容易地大于等于按公共間隔塊CSP的厚度設(shè)定的值。須指出的是，與下框架的距離越遠離，距離的不同引起的影響的程度急劇下降，所以重要的是不過分接近下框架。
通過用橡膠或海綿那樣的彈性構(gòu)件形成該公共間隔塊CSP，在施加振動和沖擊時，也能具有防止光源的破損的效果。
圖44D是在公共間隔塊CSP和光源之間配置了反射板RS的情形。據(jù)此，能改善公共間隔塊CSP引起的光源CFL延伸方向上的亮度均勻性。
公共間隔塊CSP能設(shè)置在任意的位置，但是當光源中存在高電壓側(cè)和低電壓側(cè)時，優(yōu)選至少配置在高電壓側(cè)。這是因為，高電壓側(cè)的光源和下框架LFM之間的距離的變動與低電壓側(cè)相比，對亮度的影響大。圖44C、D是在來自逆變器INV的輸出中存在高電壓側(cè)和低電壓側(cè)，從高電壓側(cè)用電纜CABLE(HV)與光源CFL連接，從低電壓側(cè)用CABLD(LV)連接時，至少在高電壓側(cè)配置了公共間隔塊CSP的例子。
圖45是表示實際的模塊中的公共間隔塊CSP的配置位置例的從背面看的透視圖。是接近高電壓側(cè)，在全部光源中配置了公共的統(tǒng)一的公共間隔塊CSP的例子。
<系統(tǒng)>
<<γ特性的可變化>>
圖46是用于使表示灰階和亮度的關(guān)系的γ特性可變的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)例。
來自顯示裝置的外部的信號、例如TV的信號、PC的信號、其他各種控制信號作為外部輸入OI輸入到控制器TCON中?？刂破鱐CON把該信號加工成用于在顯示元件CEL中進行圖像顯示的信號。該信號根據(jù)顯示元件CEL而不同，例如當顯示元件CEL為液晶顯示裝置時、為EL顯示裝置時、為FED顯示裝置時，分別按照顯示裝置加工為需要的信號。顯示裝置CEL例如為液晶顯示裝置時，從控制器TCON向圖像信號線驅(qū)動電路DD供給圖像信號線驅(qū)動電路用信號DS，向柵極信號線驅(qū)動電路GD供給柵極信號線驅(qū)動電路用信號GS。從電源電路PS向圖像信號線驅(qū)動電路DD供給包含電路自身的驅(qū)動電壓和多個灰階基準電壓的圖像信號線驅(qū)動電路用各種電壓Vd，向柵極信號線驅(qū)動電路GD供給包含柵極信號線驅(qū)動電路自身的驅(qū)動電壓和成為柵極電壓的基準等的柵極信號線驅(qū)動電路用各種電壓Vg。此外，作為顯示元件CEL的公共電位，供給公共信號線電壓Vc。從圖像信號線驅(qū)動電路DD向圖像信號線DL供給圖像信號，從柵極信號線驅(qū)動電路GD向柵極信號線GL供給柵極信號，通過設(shè)置在像素中的開關(guān)元件TFT，按照柵極信號線GL的控制信號，把圖像信號線DL的電位提供給像素電極PX。通過用該像素電極PX和公共電位Vc之間的電場或電壓差來驅(qū)動液晶分子，使液晶層的狀態(tài)變化，實現(xiàn)圖像的顯示。
在圖46的結(jié)構(gòu)中，與圖26的結(jié)構(gòu)的不同點在于，在圖26中，灰階基準電壓Vref也由電源電路生成，與此不同，在圖46中，根據(jù)來自控制器TCON的信號，由D/A轉(zhuǎn)換器D/A生成。因此，能夠通過來自控制器TCON的信號使Vref可變。由于圖像信號線驅(qū)動電路DD根據(jù)Vref生成各灰階的電壓，所以通過改變Vref，γ特性成為可變。
在圖46的系統(tǒng)例中，配置有能對控制器TCON供給信息的存儲器MEM。該存儲器MEM例如能保持與多個γ特性對應的數(shù)據(jù)。表1是把與3種γ特性對應的數(shù)據(jù)作為數(shù)據(jù)集A、B、C存儲在存儲器MEM中的例子。根據(jù)圖47、48說明能通過這樣的多個γ數(shù)據(jù)來變更實際的亮度-灰階特性的情況。
表1

在圖47中，是假設(shè)作為灰階基準電壓Vref，有4種電壓時的例子。與數(shù)據(jù)集A、B、C對應地，分別把電壓值記錄在存儲器MEM中?？刂破鱐CON在這些數(shù)據(jù)集中選擇一個所使用的數(shù)據(jù)集，通過D/A轉(zhuǎn)換器D/A，與該數(shù)據(jù)集對應地生成實際的灰階基準電壓Vref。因此，圖48所示的灰階-亮度特性具有與每個數(shù)據(jù)集的灰階基準電壓數(shù)據(jù)對應的曲線。即，實現(xiàn)γ特性的可變。
在把來自D/A轉(zhuǎn)換器D/A的灰階基準電壓Vref提供給圖像信號線驅(qū)動電路DD時，優(yōu)選按圖49所示的時序使灰階基準電壓上升。橫軸是時間，縱軸是電壓。在時間t1，圖像信號線驅(qū)動電路的電源電壓Vd先上升，在它達到定值狀態(tài)前，從t3開始，從D/A轉(zhuǎn)換器D/A進行灰階基準電壓Vref的供給。然后在t2，當Vdv達到定值狀態(tài)后，在t4，使灰階基準電壓Vref成為定值狀態(tài)。在用D/A轉(zhuǎn)換器D/A生成灰階基準電壓Vref時，成為對圖像信號線驅(qū)動電路DD施加各種灰階基準電壓。這時，是為了防止圖像信號線驅(qū)動電路DD的破壞和耐壓惡化。
<<產(chǎn)品信息的顯示>>
在使γ特性可變等能進行各種設(shè)定的顯示裝置中，重要的是采用能確認是實際進行了怎樣的設(shè)定的顯示裝置的手段。因此，使其能顯示設(shè)定信息。具體而言，具有顯示元件CEL，從而實現(xiàn)直接在顯示元件CEL上顯示信息。圖51A-51B表示簡便地切換該信息顯示模式和通常的顯示模式的方法的一例。在控制器TCON(基板)上，用第一管腳把來自控制器TCON的輸出引出。然后相鄰地準備與GND電位連接的第二管腳。如圖51A所示，在這2個管腳開放的狀態(tài)下，TCON進行通常的顯示。而如圖51B所示，當用短路條把這2個管腳短路時，控制器TCON能識別信息顯示模式的請求，能把動作切換到信息顯示模式。
圖50A-50F表示各種信息顯示畫面的例子。圖50A是顯示按通常的文字信息存儲的數(shù)據(jù)的例子。圖50B是顯示版本信息和客戶方信息的例子。圖50A、B直接用文字顯示，但是如果考慮到行中的步驟管理，則與文字相比，顯示為圖案時，基于機械的自動識別的管理變得容易。因此，圖50C是顯示條形碼圖案的例子。同樣也可以象圖50D那樣，顯示二維條形碼。
此外在顯示的信息的種類可以較少時，可以如圖50E所示那樣，單純地改變條的個數(shù)來進行顯示。這對于機械、人雙方都易于判別。當想再增加信息量時，如圖50F所示，除了增加條的個數(shù)，還可以增加R、G、B的顏色信息。能顯示的信息量增加到條數(shù)×使用的顏色數(shù)，并且具有對于人來說，判別變得更容易的優(yōu)點。
<<顯示頻率的切換>>
在顯示裝置中存在想按照顯示的圖像信息的種類，改變圖像顯示的頻率的希望。例如是以靜止畫面為中心的顯示時和以動圖像為中心的顯示時。圖59表示實現(xiàn)頻率切換的結(jié)構(gòu)例。除了由外部輸入OI輸入的通常信號以外，還輸入模式變更信號?？刂破鱐CON把所輸入的信號中的圖像信號暫時存儲在存儲器MEM中。然后，與按照由模式信號指定的工作模式而設(shè)定的頻率對應地，從存儲器MEM讀出圖像信號，將信號輸出到圖像信號線驅(qū)動電路DD。
在該結(jié)構(gòu)中成為問題的是從顯示裝置的外部輸入模式變更信號這一點。例如位于TV中的圖像處理器判斷圖像的內(nèi)容，通過模式變更信號對顯示裝置指示工作模式。這時，外部的處理裝置在判斷為需要的時刻，模式變更信號被輸入到顯示裝置?？墒?，如果按照該模式變更信號立刻切換畫面的顯示頻率，則從畫面的途中改變寫入頻率，存在一瞬間產(chǎn)生亮度不均勻，或存儲器中的數(shù)據(jù)的過量或不足，顯示瞬間紊亂的問題。
圖60是用于消除該問題的流程圖。控制器TCON收到模式變更信號后，控制器TCON就研究頻率不同的多個顯示模式的切換定時。這時如果定時同步，就執(zhí)行模式的變更，如果定時偏差，則直到同步，再進行模式的變更。
圖61是表示來自外部的圖像數(shù)據(jù)和頻率不同的模式1、模式2的定時關(guān)系的圖。
從外部作為OI，輸入圖像數(shù)據(jù)，以幀單位按照1、2、3的順序表示它。按照圖中向右，意味著時間經(jīng)過。該數(shù)據(jù)暫時存儲在存儲器中，從該存儲器按順序被讀出，顯示。假設(shè)模式1為頻率高的模式。從存儲器讀出的數(shù)據(jù)依次顯示為1、2、3、4。而且，因為頻率高，所以追上來自外部的圖像信息的輸入。這時，使用該幀在畫面上寫入黑畫面等，從而能使液晶顯示裝置那樣的保持型的顯示裝置實現(xiàn)接近脈沖型顯示裝置的顯示，能使動圖像的顯示看起來高速。模式2是用與輸入信息相同的頻率顯示畫面的模式，按照來自外部的圖像信息，依次顯示1、2、3。
從圖61可知，在模式1和模式2中，定時同步是限定于圖中記載為切換定時的定時。在這之外的定時，顯示圖像不可避免地產(chǎn)生一瞬間的紊亂。因此，在圖60所示的流程圖等中，必須在同步的定時進行顯示模式的切換，由此，觀看圖像的使用者在模式的變更時，能實現(xiàn)沒有圖像紊亂的狀態(tài)。
<連接部的電阻測定>
圖52表示在顯示元件CEL中，印刷基板PCB的信號傳送給顯示元件CEL的路徑。印刷基板PCB上的信號布線SL3用連接部ACF2與帶載TCP的信號布線SL2電連接。信號布線SL2和顯示元件CEL上的信號布線SL1通過連接部ACF1電連接。據(jù)此，信號從印刷基板PCB傳送到顯示元件CEL。這時，希望能在實際的產(chǎn)品中測定連接部ACF的連接電阻。因為對于制造步驟中的質(zhì)量管理是有用的。特別地，當連接部是各向異性導電膜時，連接電阻容易變化，所以管理的必要性增大。因此，考慮以可靠的精度測定該連接電阻的方法、以及使其成為可能的中線圖案。
圖53A是作為后面的說明的基礎(chǔ)的示意圖。顯示元件CEL和帶載TCP的連接部的連接電阻是R(TC)，帶載TCP和印刷基板PCB的連接部的連接電阻是R(TP)。圖53B是用于使R(TP)的測定在產(chǎn)品階段成為可能的配置。在顯示元件CEL中配置公共電位布線總線CSL。這意味著在2處，分別連接帶載TCP和顯示元件CEL。設(shè)置分別連接在該公共電位布線總線CSL上并形成R(TC)的2條連接。其中1條中，在帶載TCP上，布線分支，R(TP)變?yōu)?個。這意味著在3處，分別連接帶載TCP和印刷基板PCB。然后，在帶載TCP上分支了的布線在印刷基板PCB上進一步分支。在該階段，布線變?yōu)?條，分別對應的測定端子為A1～A4，在印刷基板PCB上形成測定端子。這里如圖53C所示，通過對A1和A3之間供給恒定電流，測定A2和A4間的電壓差，能按照電壓/電流容易地算出R(TP)。該測定概念本身作為4端子法，作為高精度的電阻測定方法，廣為人知。具有以下特征通過在帶載TCP和印刷基板PCB上設(shè)置分支的布線配置，能在實際的顯示裝置中進行測定。
圖54A-54B是用于使R(TC)的測定成為可能的結(jié)構(gòu)。如圖54A所示，3條線與公共電位布線連接，其中1條在TCO上分支，構(gòu)成B1和A1～A3的端子。這里如圖54B所示，對B1和A2端子供給恒定電流，通過測定A1和A3之間的電壓，還是按照電壓/電流，能計算出R(TC)。
圖55A-55B是圖54的結(jié)構(gòu)的變形例。用經(jīng)由其他帶載TCP的路線形成連接在B1端子上的布線，如圖55B所示，能用與圖54A相同的測定來計算R(TC)。
圖56A-56B表示與R(TC)和R(TP)兩者的測定對應，適合于實際的應用的配置。顯示元件CEL上的公共電位布線總線CSL兼做公共電位VC的供給用總線。各帶載TC在中央部配置驅(qū)動器元件DRV，在該驅(qū)動器上，從印刷基板PCB接收輸入信號INPUT，生成顯示元件CEL的顯示中使用的信號，通過信號布線SIG提供給顯示區(qū)。各帶載TCP在驅(qū)動器元件DRV的外側(cè)配置不經(jīng)由驅(qū)動器元件DRV的公共電位的供給線。該供給線與顯示元件CEL上的公共電位布線總線CSL連接，此外與形成在印刷基板PCB上的公共總線CB連接。據(jù)此，如果對公共總線CB供給公共電位VC，就對顯示元件CEL的公共電位布線總線供給公共電位。該公共電位的供給線在印刷基板PCB上設(shè)置測定端子。此外，設(shè)置與公共電位布線總線CSL連接、在帶載TCP上延伸、并連接在印刷基板PCB上的測定用布線，在印刷基板PCB上設(shè)置測定端子L3。該測定用布線在帶載TCP上和印刷基板PCB上依次分支，增加條數(shù)，分別在印刷基板PCB上設(shè)置測定端子。據(jù)此，形成L1～L4的測定端子。通過驅(qū)動器元件DRV，在相反一側(cè)例如對稱地設(shè)置R1～R4的端子。當如圖56A那樣在相鄰的帶載TCP間的區(qū)域中形成公共電位布線總線時，在相鄰的帶載TCP彼此間，完成R1～R4和L1～L4的測定用端子組。
這時，除公共電位的供給線外，不與VC連接。
圖56B是使公共電位的供給線為多條，進行公共電位的供電時，謀求供電電阻的低電阻化的例子。
圖57A-57C表示使用圖56A的排列的結(jié)構(gòu)，測定R(TP)的方法。圖57A是從恒流源供給電流，測定電壓時的測定例。圖57B是對公共總線供給電壓，在R3上連接電流計，把電流計一端接地的例子。對公共總線供給的電壓如果不是接地電位，就測定電流，所以能計算R(TP)。用該方法，使VC為通常的公共電位，能就此測定，所以具有不必準備恒流源的優(yōu)點。此外，具有能在顯示元件CEL的動作中進行測定的優(yōu)點。圖57C是代替圖57(a)的恒流源，組合使用電流計和電壓源的例子。
圖58A-58C是測定R(TC)時的結(jié)構(gòu)例。圖58A是使用恒流源的例子，在R1和L3之間連接恒流源，測定R2和L2間的電壓，能計算出R(TC)。圖58B是供給公共電位VC時的例子，在L3上連接電流計，電流計的輸出接地。電壓計連接在R2和L2之間。圖58C是代替圖58A的恒流源，組合使用電流計和電壓源的例子。
<本說明書中公開的各種發(fā)明的例子>
下面記載本說明書中公開的各種發(fā)明的例子。
<<ATFT>>
(A-1)一種顯示裝置，具有柵極信號線上的半導體層，和形成在半導體層上的漏極電極和源極，該漏極電極與圖像信號線由連接構(gòu)件在連接部連接，其特征在于柵極信號線在所述連接部附近有孔，該連接構(gòu)件，在與圖像信號線的連接部比與漏極電極的連接部粗。
(A-2)顯示裝置的特征在于在(A-1)中，漏極電極形成為包圍源極周圍的半圓狀。
(A-3)顯示裝置的特征在于在(A-1)中，連接構(gòu)件具有角度跨過柵極信號線上。
<<B像素電極連接部>>
(B-1)一種顯示裝置，具有柵極信號線上的半導體層，和形成在半導體層上的漏極電極和源極，該漏極電極與圖像信號線連接，該源極電極在連接區(qū)與像素電極連接，其特征在于所述源極電極一度越過柵極信號線延伸后，向與柵極信號線平行的方向彎曲延伸，接著向柵極信號線方向彎曲，形成連接區(qū)。
(B-2)顯示裝置的特征在于在(B-1)中，所述柵極信號線在所述連接區(qū)部凹陷。
(B-3)顯示裝置的特征在于在(B-1)中，所述柵極信號線在所述連接區(qū)部線寬度變細。
(B-4)顯示裝置的特征在于在(B-1)～(B-3)中，所述柵極信號線在與圖像信號線的交叉部具有孔，分為線寬細的2個部分地形成，其再次合流，變?yōu)榇值牟季€。
(B-5)一種顯示裝置，具有柵極信號線上的半導體層，和形成在半導體層上的漏極電極和源極電極，構(gòu)成TFT，該漏極電極與圖像信號線連接，該源極電極在連接區(qū)與像素電極連接，其特征在于柵極信號線，在TFT的形成部比與圖像信號線的交叉部和連接區(qū)附近粗。
<<C公共信號線和公共電極>>
(C-1)一種顯示裝置，具有公共信號線，和與該公共信號線不同層的公共電極，公共信號線與公共電極直接連接，其特征在于配置成公共信號線在公共電極上層，公共電極的端部或端邊收斂在公共信號線的寬度內(nèi)。
(C-2)一種顯示裝置，具有公共信號線，和與該公共信號線不同層的公共電極，公共信號線與公共電極直接連接，其特征在于配置成公共信號線在公共電極上層，公共電極的端部位于公共信號線的寬度方向的中途。
<<D上下的像素的公共電位的連接>>
(D-1)顯示裝置的特征在于各像素具有公共電極，在橫向排列的像素組中具有公共地延伸的公共信號線，該公共信號線至少一部分與公共電極直接重疊地形成，且配置在像素的上下的任意一方一側(cè)，在像素的上下的任意另一方一側(cè)配置與公共電極連接的島狀的連接部，通過越過柵極信號地線延伸的橋布線，連接所述公共信號線和所述連接部。
(D-2)顯示裝置的特征在于各像素具有公共電極，在橫向排列的像素組中具有公共地延伸的公共信號線，具有越過柵極信號線地連接縱向相鄰的像素的橋布線，所述橋布線通過公共信號線連接在所述公共電極上，所述公共電極和橋布線是透明電極，所述公共信號線是金屬。
(D-3)顯示裝置的特征在于在(D-1)中，所述公共電極和橋布線是透明電極，所述公共信號線和島狀的連接部是金屬。
(D-4)顯示裝置的特征在于在(D-2)或(D-3)中，所述公共電極與所述公共信號線在下層接觸。
(D-5)顯示裝置的特征在于在(D-2)到(D-4)中，所述公共電極在下層與所述島狀的連接部接觸。
(D-6)顯示裝置的特征在于在(D-1)到(D-5)中，在公共電極的上層配置具有多個細線狀部或狹縫狀的部分的像素電極，像素電極和橋布線是同層。
(D-7)顯示裝置的特征在于在(D-1)到(D-5)中，在公共電極的上層配置具有多個細線狀部或狹縫狀的部分的像素電極，像素電極和橋布線是相同的材料。
(D-8)顯示裝置的特征在于在(D-7)中，公共電極也是與橋布線相同的材料。
(D-9)顯示裝置的特征在于在(D-1)到(D-8)中，橋布線和公共電極的連接部或島狀的連接部，成為切去像素電極側(cè)的角部的形狀。
(D-10)顯示裝置的特征在于在(D-1)到(D-8)中，像素電極和公共電極的連接部或島狀的連接部在相互不平行的3個邊上重疊。
<<E像素的其他例子>>
(E-1)顯示裝置的特征在于各像素包含平板狀的公共電極，和與該公共電極重疊并且具有多個細線狀部分或狹縫的像素電極，像素電極的細線狀的部分或狹縫的方向在各像素的上方的區(qū)域和下方的區(qū)域中不同，在上方的區(qū)域中，狹縫向著像素的一側(cè)面朝向下方，在下方的區(qū)域中，狹縫向著像素的相同的一側(cè)面朝向上方，也就是說配置為向著中央收斂，在左右方向相鄰的像素中具有公共的公共信號線，所述公共電極連接在該公共信號線上，具有電連接在上下方向相鄰的像素的公共電極的橋布線。
(E-2)顯示裝置的特征在于在(E-1)中，在狹縫收斂一側(cè)的邊上設(shè)置橋布線。
(E-3)顯示裝置的特征在于在(E-2)中，與狹縫收斂一側(cè)的邊的上下端部分別對應地設(shè)置公共電位連接部。
(E-4)顯示裝置的特征在于各像素包含平板狀的公共電極、與該公共電極重疊并且具有多個細線狀部分或狹縫的像素電極，像素電極的細線狀的部分或狹縫的方向在各像素的上方的區(qū)域和下方的區(qū)域中不同，在上方的區(qū)域中，狹縫向著像素的一側(cè)面朝向下方，在下方的區(qū)域中，狹縫向著像素的相同的一側(cè)面朝向上方，也就是說配置為向著中央收斂，在像素電極的中央的區(qū)域中，像素電極具有寬度的擴大和縮小至少反復3次的圖案。
(E-5)顯示裝置的特征在于在(E-4)中，定期進行黑顯示。
(E-6)顯示裝置的特征在于各像素包含平板狀的公共電極，和與該公共電極重疊并且具有多個細線狀部分或狹縫的像素電極，像素電極的細線狀的部分或狹縫的方向在各像素的上方的區(qū)域和下方的區(qū)域中不同，在上方的區(qū)域中，狹縫向著像素的一側(cè)面朝向下方，在下方的區(qū)域中，狹縫向著像素的相同的一側(cè)面朝向上方，在像素的中央?yún)^(qū)域中，配置為向上的狹縫和向下的狹縫相互咬合。
<<F虛設(shè)像素區(qū)>>
(F-1)顯示裝置的特征在于具有顯示區(qū)內(nèi)的多個像素、配置在該顯示區(qū)的外圍的虛設(shè)區(qū)域，成為顯示區(qū)的角部的各像素難以受到來自角部的虛設(shè)像素的電場的影響的電極配置。
(F-2)顯示裝置的特征在于具有顯示區(qū)內(nèi)的多個像素、配置在該顯示區(qū)的外圍的虛設(shè)區(qū)域，基板的最上層的電極具有線狀電極或狹縫，關(guān)于該線狀電極或狹縫的方向，相對于畫面的中央，在相對的角部的像素彼此間，至少在角部附近相同。
(F-3)顯示裝置的特征在于在(F-2)中，關(guān)于線狀電極或狹縫的方向在同一邊的像素的最遠離的像素彼此間，至少在角部附近不同。
(F-4)顯示裝置的特征在于具有顯示區(qū)內(nèi)的多個像素，和配置在該顯示區(qū)的外圍的虛設(shè)區(qū)域，基板的最上層的電極具有線狀電極或狹縫，具有該線狀電極或狹縫的方向不同的2種像素，配置這樣的像素，即，角部的像素的線狀電極或狹縫的方向，相對于連接顯示區(qū)的角部和中央的線，比較線狀電極或狹縫的方向所成的銳角的交叉角，該銳角的交叉角以更大的角度交叉。
<<G虛設(shè)圖案>>
(G-1)顯示裝置的特征在于具有顯示區(qū)內(nèi)的多個像素、配置在該顯示區(qū)的外圍的虛設(shè)區(qū)域，在與顯示區(qū)最相鄰的虛設(shè)區(qū)中配置膜厚測定用的虛設(shè)像素。
(G-2)顯示裝置的特征在于在(G-1)中，在膜厚測定用虛設(shè)像素中，與相鄰的其他虛設(shè)像素相比，形成在保護膜上的孔的數(shù)量較多。
(G-3)顯示裝置的特征在于在(G-2)中，虛設(shè)圖案有層結(jié)構(gòu)不同的多種。
<<H模塊結(jié)合構(gòu)造>>
(H-1)顯示裝置的特征在于具有上框架、中框架和下框架，上框架和中框架分別單獨地結(jié)合于下框架。
(H-2)顯示裝置的特征在于在顯示裝置的長邊側(cè)，從側(cè)面觀察不到上框架和下框架的結(jié)合部。
<<I逆變器>>
(I-1)顯示裝置的特征在于具有固定在金屬框架上的逆變器基板、覆蓋該倒相基板的金屬制的逆變器蓋子、固定在所述金屬框架上的控制器基板、覆蓋該控制器基板的金屬制的控制器蓋子，在所述逆變器蓋子和控制器蓋子上形成有多個孔，孔的尺寸是逆變器蓋子的孔的尺寸比控制器蓋子的孔的尺寸大。
(I-2)顯示裝置的特征在于具有固定在金屬框架上的高電壓側(cè)逆變器基板和低電壓側(cè)逆變器基板，逆變器變壓器配置在高電壓側(cè)，該高電壓側(cè)逆變器基板和低電壓側(cè)逆變器基板配置在金屬框架的相對的端部，并且由連接構(gòu)件連接。
(I-3)顯示裝置的特征在于在(I-2)中，高電壓側(cè)逆變器基板比低電壓側(cè)逆變器基板尺寸大。
(I-4)顯示裝置的特征在于在(I-2)或(I-3)中，與高電壓側(cè)逆變器基板相比，低電壓側(cè)逆變器基板的數(shù)量多。
(I-5)顯示裝置的特征在于具有固定在金屬框架上的高電壓側(cè)逆變器基板和低電壓側(cè)逆變器基板，逆變器變壓器配置在高電壓側(cè)，在該金屬框架上具有高電壓側(cè)逆變器基板和低電壓側(cè)逆變器基板的固定部，即使交換高電壓側(cè)逆變器基板和低電壓側(cè)逆變器基板，也能固定配置該固定部。
(I-6)顯示裝置的特征在于在(I-5)中，固定部被配置為相對于高電壓側(cè)逆變器基板，位于基板的兩側(cè)，相對于低電壓側(cè)逆變器基板，位于基板的單側(cè)。
(I-7)顯示裝置的特征在于在(I-6)中，低電壓側(cè)逆變器基板的寬度為高電壓側(cè)逆變器基板的寬度的1/2以下。
(I-8)顯示裝置的特征在于在(I-7)中，低電壓側(cè)逆變器基板的寬度為高電壓側(cè)逆變器基板的寬度的1/3以下。
<<J上下框架的固定>>
(J-1)顯示裝置的特征在于具有上框架、中框架和下框架，在上框架和下框架的連接部中，上框架在下方具有突出部，下框架在上方具有突出部，在中框架上形成有孔部。
(J-2)顯示裝置的特征在于在(J-1)中，在所述孔部中上框架和下框架直接接觸。
(J-3)顯示裝置的特征在于在(J-2)中，在所述孔部中上框架和下框架由螺絲固定。
(J-4)顯示裝置的特征在于具有上框架、中框架和下框架，在中框架上一體地形成有上方突出部和下方突出部，與上方突出部對應地在上框架上形成有孔，與下方突出部對應地在下框架上形成有孔，所述上方突出部和下方突出部位置錯開地配置。
<<K中框架>>
(K-1)顯示裝置的特征在于具有上框架、中框架和下框架，中框架由樹脂制的構(gòu)件構(gòu)成，被分割為右側(cè)的構(gòu)件、左側(cè)的構(gòu)件、上側(cè)的構(gòu)件、下側(cè)的構(gòu)件，這四個構(gòu)件都相互獨立，各構(gòu)件個別與下框架固定。
(K-2)顯示裝置的特征在于在(K-1)中，上框架和下框架是金屬。
(K-3)顯示裝置的特征在于具有上框架、中框架和下框架，中框架由樹脂制的構(gòu)件構(gòu)成，被分割為右側(cè)的構(gòu)件、左側(cè)的構(gòu)件、上方的構(gòu)件、下方的構(gòu)件，這4個構(gòu)件相互獨立，上方的構(gòu)件和下方的構(gòu)件在顯示裝置的長邊方向向一個方向延伸，右側(cè)的構(gòu)件和左側(cè)的構(gòu)件成為跨過顯示裝置的短邊方向和長邊方向兩者都形成的形狀，但是顯示裝置的長邊方向的部分的長度比短邊方向的部分的長度短。
(K-4)顯示裝置的特征在于在(K-3)中，顯示元件被配置在上框架和中框架之間。
(K-5)顯示裝置的特征在于在(K-4)中，右側(cè)的構(gòu)件和左側(cè)的構(gòu)件避免與顯示元件的短邊方向的基板端部接觸。
(K-6)顯示裝置的特征在于在(K-4)中，右側(cè)的構(gòu)件和左側(cè)的構(gòu)件與顯示裝置的上下方向的顯示元件端部相同高度時的水平距離，比上方的構(gòu)件或下方的構(gòu)件與顯示元件端部為相同高度時的水平距離長。
(K-7)顯示裝置的特征在于在(K-1)中，相鄰的構(gòu)件相互間水平方向的突出部裝配。
(K-8)顯示裝置的特征在于在(K-7)中，在該裝配部，相鄰的構(gòu)件分別由螺絲固定在下框架上。
<<L漏極基板>>
(L-1)一種顯示裝置，具有顯示元件、連接在顯示元件上的驅(qū)動器元件、連接在該驅(qū)動器元件上的漏極基板，其特征在于在漏極基板上從控制器基板連接2個連接構(gòu)件，一方的連接構(gòu)件比另一方的連接構(gòu)件寬度寬，該另一方的連接構(gòu)件比一方的連接構(gòu)件層數(shù)多。
(L-2)顯示裝置的特征在于在(L-1)中，所述一方的連接構(gòu)件供給灰階電源和圖像信號驅(qū)動電路的電源，另一方的連接構(gòu)件傳送時鐘和顯示數(shù)據(jù)。
(L-3)顯示裝置的特征在于在(L-1)或(L-2)中，漏極基板被分割為兩個，分別具有所述一方的連接構(gòu)件和所述另一方的連接構(gòu)件，配置兩者的另一方的連接構(gòu)件，使得位于兩者的一方的連接構(gòu)件的內(nèi)側(cè)。
(L-4)一種顯示裝置，具有金屬制的上框架、樹脂制的中框架、金屬制的下框架，其特征在于具有顯示元件、連接在顯示元件上的驅(qū)動器元件、連接在該驅(qū)動器元件上的漏極基板，該漏極基板是多個，分別由螺絲固定在所述下框架上。
(L-5)一種顯示裝置，具有金屬制的上框架、樹脂制的中框架、金屬制的下框架，其特征在于具有顯示元件、連接在顯示元件上的驅(qū)動器元件、連接在該驅(qū)動器元件上的漏極基板，該漏極基板向側(cè)面彎曲，配置在下框架的彎曲的側(cè)面部和上框架的彎曲了的側(cè)面部之間。
<<M逆變器電纜>>
(M-1)一種顯示裝置，具有逆變器、光源、連接該光源和逆變器的電纜，其特征在于具有與固定光源的模一體地形成的保持構(gòu)件，所述電纜配置在由模的側(cè)面和保持構(gòu)件夾著的區(qū)域中，由于限制前后方向的移動，此外電纜沿著形成在保持構(gòu)件的上方的圓弧狀的R部配置，從該R部向下方再次返回后，連接在光源上。
<<N反射板>>
(N-1)一種顯示裝置，具有下框架、反射板、光源、散射板、顯示元件，在下框架和光源之間配置反射板，在光源和顯示元件之間配置散射板，下框架在顯示元件之下的區(qū)域中大致是平板，它在顯示元件的周圍部向上方立起，成為水平，在該水平部設(shè)置有孔，反射板在顯示元件之下的區(qū)域中變?yōu)榇笾滤剑谥車啃毕驈澢蛏戏?，然后成為水平，進而該板的端部的一部分向下彎曲，進入設(shè)置在所述下框架的水平部的孔中。
(N-2)顯示裝置的特征在于在(N-1)中，通過用散射板和下框架夾著所述反射板，防止從孔部脫出。
(N-3)顯示裝置的特征在于具有上框架、中框架、下框架、光源、固定光源的側(cè)模，所述上框架、中框架、側(cè)模分別單獨地固定在所述下框架上。
<<P光源>>
(P-1)具有光源、配置在光源的下層的金屬的下框架、配置在光源的上方的顯示元件，其特征在于并列配置多個所述光源，縱穿上述多個光源中的多個地、在所述下框架和光源之間配置公共間隔塊。
(P-2)顯示裝置的特征在于在(P-1)中，公共間隔塊是彈性構(gòu)件。
(P-3)顯示裝置的特征在于在(P-2)中，公共間隔塊是橡膠或海綿。
(P-4)顯示裝置的特征在于在(P-1)中，在公共間隔塊和光源之間配置反射板。
(P-5)顯示裝置的特征在于在(P-1)中，光源是熒光管，具有與逆變器的高電壓側(cè)連接的一側(cè)和與低電壓側(cè)連接的一側(cè)，所述公共間隔塊配置在高電壓側(cè)。
(P-6)顯示裝置的特征在于在(P-1)中，光源是熒光管，所述對全部熒光管統(tǒng)一配置公共間隔塊。
<<Qγ特性>>
(Q-1)一種顯示裝置，來自顯示裝置的外部的信號輸入到控制器，控制器加工該信號，把圖像信號提供給圖像信號驅(qū)動電路，其特征在于根據(jù)控制器的指示，由D/A轉(zhuǎn)換器生成提供給圖像信號線驅(qū)動電路的灰階基準電壓。
(Q-2)顯示裝置的特征在于在(Q-1)中，根據(jù)控制器的指示，所述灰階基準電壓可變?yōu)槎喾N。
(Q-3)顯示裝置的特征在于在(Q-2)中，圖像信號線驅(qū)動電路根據(jù)灰階基準電壓生成每個灰階的電壓。
(Q-4)顯示裝置的特征在于在(Q-3)中，具有能對控制器供給信息的存儲器，所述存儲器保持有用于改變灰階特性的多個數(shù)據(jù)集。
(Q-5)顯示裝置的特征在于在(Q-4)中，能根據(jù)來自外部的信號選擇所述數(shù)據(jù)集。
(Q-6)顯示裝置的特征在于在(Q-4)或(Q-5)中，對圖像信號線驅(qū)動電路供給用于該電路自身動作的電源電壓，將來自所述D/A轉(zhuǎn)換器的灰階基準電壓提供給圖像信號線驅(qū)動電路時的上升時序，隨著時間的經(jīng)過，首先圖像信號線驅(qū)動電路的電源電壓上升，在它到達定值狀態(tài)前，開始灰階基準電壓的供給，然后在圖像信號線驅(qū)動電路的電源電壓到達定值狀態(tài)后，使灰階基準電壓成為定值狀態(tài)。
<<R產(chǎn)品信息顯示>>
(R-1)一種顯示裝置，具有顯示元件、根據(jù)來自外部的信號，使信號顯示在顯示元件上的控制器，其特征在于具有存儲器，所述控制器具有使設(shè)置在所述存儲器中的信息顯示在顯示元件上的信息顯示模式。
(R-2)顯示裝置的特征在于在(R-1)中，在來自控制器的一個端子的輸出的開路或短路時進行向信息顯示模式的切換。
(R-3)顯示裝置的特征在于在(R-1)或(R-2)中，在信息顯示模式下顯示的信息為條形碼。
(R-4)顯示裝置的特征在于在(R-1)或(R-2)中，在信息顯示模式下顯示的信息為帶狀的圖像。
(R-5)顯示裝置的特征在于在(R-1)中，包含不同顏色的帶。
<<S顯示頻率的切換>>
(S-1)一種顯示裝置，具有顯示元件、根據(jù)來自外部的信號，使信號顯示在顯示元件上控制器，其特征在于該顯示元件能以多個頻率進行顯示，能按來自外部的模式變更信號指示該頻率的切換，具有暫時存儲圖像信息的存儲器，控制器收到模式變更信號后，研究頻率不同的多個顯示模式的切換定時兩者，如果定時同步，則執(zhí)行模式的變更，如果定時有偏差，就直到同步才進行模式的變更。
(S-2)顯示裝置的特征在于在(S-1)中，在頻率不同的2個顯示模式中，一方是提高頻率、定期顯示黑圖像的模式，另一方是頻率低、來自外部的輸入頻率和顯示頻率一致的模式。
<<T連接部的電阻測定>>
(T-1)一種顯示裝置，具有顯示元件、帶載、印刷基板，印刷基板上的端子和帶載上的端子由第一連接部連接，來自印刷基板的信號在帶載上的布線中傳送，帶載上的相反一側(cè)的端子和顯示元件的端子由第二連接部連接，由此將該信號傳送給顯示元件，其特征在于所述第一連接部或第二連接部的連接電阻能由印刷基板上的測定端子測定。
(T-2)顯示裝置的特征在于在(T-1)中，所述測定能以4端子法的條件進行測定。
(T-3)顯示裝置的特征在于在(T-1)中，所述第一連接部或第二連接部由各向異性導電膜連接。
(T-4)一種顯示裝置，具有顯示元件、帶載、印刷基板，印刷基板上的端子和帶載上的端子由第一連接部連接，來自印刷基板的信號在帶載上的布線中傳送，帶載上的相反一側(cè)的端子和顯示元件的端子由第二連接部連接，由此將該信號傳送給顯示元件，其特征在于在顯示元件中配置公共電位布線總線，在2處單獨地連接帶載和顯示元件，并且分別單獨地連接在該公共電位布線總線上，在其中1條中，在帶載上布線分支，由此在3處分別單獨地連接帶載和印刷基板，在帶載上分支的布線在印刷基板上進一步分支，與所述各分支了的布線分別對應的測定端子被配置在印刷基板上。
(T-5)一種顯示裝置，具有顯示元件、帶載、印刷基板，印刷基板上的端子和帶載上的端子由第一連接部連接，來自印刷基板的信號在帶載上的布線中傳送，帶載上的相反一側(cè)的端子和顯示元件的端子由第二連接部連接，由此將該信號傳送給顯示元件，其特征在于顯示元件上的公共電位布線總線兼做公共電位的供給用總線，各帶載具有不經(jīng)由驅(qū)動器元件的公共電位的供給線，該供給線與顯示元件上的公共電位布線總線連接，此外與形成在印刷基板上的公共總線連接，該公共電位的供給線在印刷基板上設(shè)置有測定端子，此外設(shè)置與公共電位布線總線連接、在帶載上延伸、然后連接在印刷基板上的測定用布線，并在印刷基板上設(shè)置測定端子，該測定用布線在帶載上和印刷基板上依次分支，增加條數(shù)，分別在印刷基板上設(shè)置測定端子。
(T-6)顯示裝置的特征在于在(T-5)中，在連接在測定端子上的布線中，除公共電位的供給線以外，在印刷基板上都與基準電位的供給線分離。
權(quán)利要求
1.一種具有顯示元件的顯示裝置，其特征在于顯示元件在上下左右的像素間、電極的延伸方向不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于在各像素中，電極的延伸方向為一個方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于在像素中，存在相對于柵極信號線延伸方向或圖像信號線延伸方向、電極的延伸方向為對稱的2種像素，該像素在上下左右交替配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于在像素中，存在相對于柵極信號線延伸方向或圖像信號線延伸方向、電極的延伸方向為對稱的2種像素，該像素在上下左右交替配置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
9.一種具有顯示元件的顯示裝置，其特征在于顯示元件包含形成在同一基板上的下層的平面狀的電極和具有多個線狀部或狹縫部的上層的電極，該多個線狀部或狹縫部的延伸方向在上下左右的像素間不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于在各像素中，所述線狀部或狹縫部的延伸方向為一個方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于在像素中，存在相對于柵極信號線延伸方向或圖像信號線延伸方向、所述線狀部或狹縫部的延伸方向為對稱的2種像素，該像素在上下左右交替配置。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于在像素中，存在相對于柵極信號線延伸方向或圖像信號線延伸方向、所述線狀部或狹縫部的延伸方向為對稱的2種像素，該像素在上下左右交替配置。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示元件具有由3原色構(gòu)成的濾色器，該濾色器被配置成在顯示裝置的縱方向排列相同顏色，在橫方向依次排列3原色。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有顯示元件的顯示裝置，其中，顯示元件將像素配置成在上下左右的像素間，電極的延伸方向不同。
文檔編號G02F1/133GK1680844SQ20051006451
公開日2005年10月12日 申請日期2005年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月9日
發(fā)明者桶隆太郎, 小島和則, 坪倉正樹, 馬場匡史, 山岸康彥, 田中昌廣, 竹中雄一, 安川信治, 小野記久雄 申請人:株式會社日立顯示器