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      垂直配向型液晶顯示裝置的制作方法

      文檔序號(hào):2781068閱讀:179來源:國(guó)知局
      專利名稱:垂直配向型液晶顯示裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明為一種液晶顯示裝置,特別是一種具有廣視角的垂直配向型液晶顯示裝置。
      背景技術(shù)
      垂直配向型(VA type)液晶顯示裝置具有反應(yīng)快的特性,已成為目前極具潛力的技術(shù),但因其視角較平面轉(zhuǎn)換型(IPS type)液晶顯示裝置小,在斜視時(shí)具有較嚴(yán)重的色散,俗稱gamma washout,已成為VA type液晶顯示裝置最需解決的問題。
      圖1為一VA type液晶顯示裝置在不同視角時(shí),電壓與透射比(transmittance)對(duì)照?qǐng)D。在圖1中,曲線11為正視VA type液晶顯示裝置時(shí)的電壓與透射比曲線,曲線12為以60度角斜視VA type液晶顯示裝置時(shí)的電壓與透射比曲線。根據(jù)VA type液晶顯示裝置的特性來說,透射比的變化大體上是隨著電壓增加而增加,若透射比不隨電壓增加而增加,反而有降低的情形時(shí)則產(chǎn)生色散。我們可以觀察到以60度角斜視VA type液晶顯示裝置時(shí)所得到的曲線12,在施加電壓3V至4V間時(shí)透射比甚至微幅降低,故觀察到的色散情形是較正視VA type液晶顯示裝置時(shí)的曲線11來得嚴(yán)重。
      目前用以改良此缺點(diǎn)的技術(shù)有許多種,較好的是利用畫素切割改良此缺點(diǎn)。請(qǐng)參考圖2,圖2是一畫素切割技術(shù)示意圖。圖2是將一個(gè)畫素所占的區(qū)域切割成第一畫素21與第二畫素22,且第一畫素21與第二畫素22具有不同的電壓V1與V2。當(dāng)畫素充電時(shí),因?yàn)榈谝划嬎?1與第二畫素22具有不同的電壓,使得液晶分子L1與L2具有不同的液晶扭轉(zhuǎn)方位,而改善斜視時(shí)產(chǎn)生的色散問題。圖3為應(yīng)用圖2所揭露技術(shù)的一已知技術(shù)示意圖,在圖3的已知技術(shù)中,在一畫素區(qū)域中,在畫素電極31上,再額外加上一介電層30,介電層30形成額外的電容,造成不同的電壓V1與V2。但利用此方式則容易造成夾厚(cellgap)不均勻而有水波紋(mura)以及嚴(yán)重的殘像。圖4為應(yīng)用圖2所揭露技術(shù)的另一已知技術(shù)示意圖,為改善圖3產(chǎn)生的夾厚問題,因此利用介電層43形成的耦合電容,浮接畫素電極42,使畫素電極41與42具有不同的電壓V1與V2。但因?yàn)橐话憬殡妼硬牧喜粔蚣?xì)密,雖然可以改善夾厚的問題,但是仍會(huì)有嚴(yán)重的殘像產(chǎn)生。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的為改善垂直配向型(VA type)液晶顯示裝置的色散問題。
      本發(fā)明的另一目的為在一畫素單元中,利用具有不同導(dǎo)通電流的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)元件,驅(qū)動(dòng)不同的畫素電極,以改善垂直配向型(VA type)液晶顯示裝置的色散問題。
      本發(fā)明提供一種垂直配向型(VA tyPe)液晶顯示裝置,具有多個(gè)畫素區(qū),每一該畫素區(qū)由一源極線與一柵極線驅(qū)動(dòng),包括一第一基板、一第二基板、一液晶層、一第一畫素電極、一第二畫素電極、一第一畫素驅(qū)動(dòng)元件、一第二畫素驅(qū)動(dòng)元件以及一共同電極。該第二基板對(duì)向于該第一基板;該液晶層,位于該第一基板與該第二基板之間;該第一畫素電極與該第二畫素電極具有多個(gè)狹縫(slit);該第一與該第二畫素驅(qū)動(dòng)元件分別耦接該第一與該第二畫素電極,形成于該第一基板之上;其中該第一畫素驅(qū)動(dòng)元件與該第二畫素驅(qū)動(dòng)元件具有不同的導(dǎo)通電流,使該第一畫素電極與該第二畫素電極具有不同的電壓;該共同電極,形成于該第二基板內(nèi)側(cè),具有多個(gè)突起(protrusion)或多個(gè)狹縫(slit),與該第一畫素電極以及該第二畫素電極之間產(chǎn)生不同的電壓差,使得該液晶層具有兩個(gè)不同方位的液晶方位區(qū)。
      本發(fā)明更提供一種垂直配向型(VA type)液晶顯示裝置,具有多個(gè)畫素區(qū),每一該畫素區(qū)包括一柵極線、一源極線、一第一薄膜晶體管元件、一第二薄膜晶體管元件、一第一畫素電極、一第二畫素電極、一第一基板、一第二基板、一液晶層以及一共同電極。該橫向延伸的柵極線與該縱向延伸的源極線,形成于該第一基板上;該第一薄膜晶體管元件,形成于該第一基板之上,具有一第一源極與一第一漏極;該第二薄膜晶體管元件,形成于該第一基板之上,具有一第二源極與一第二漏極,其中該第一薄膜晶體管元件與該第二薄膜晶體管元件具有不同的導(dǎo)通電流;該第一畫素電極,經(jīng)由該第一漏極而電性連接該第一源極,使得該第一畫素電極具有一第一電壓值;該第二畫素電極,經(jīng)由該第二漏極而電性連接該第二源極,使得該第二畫素電極具有異于該第一電壓值的一第二電壓值,其中該第一電壓值與該第二電壓值具有一電壓差;該第二基板,對(duì)向于該第一基板;該液晶層,位于該第一基板與該第二基板之間;該第一畫素電極與該第二畫素電極具有多個(gè)狹縫(slit);該共同電極,形成于該第二基板內(nèi)側(cè),具有多個(gè)突起(protrusion)或多個(gè)狹縫(slit),與該第一畫素電極以及該第二畫素電極之間產(chǎn)生不同的電壓差,使得該液晶層具有兩個(gè)不同方位的液晶方位區(qū)。
      本發(fā)明更提供一種垂直配向型(VA type)液晶顯示裝置,具有多個(gè)畫素區(qū),每一該畫素區(qū)包括一柵極線、一源極線、一第一薄膜晶體管元件、一第二薄膜晶體管元件、一第一畫素電極、一第二畫素電極、一第一基板、一第二基板、一液晶層以及一共同電極。該橫向延伸的柵極線與該縱向延伸的源極線,形成于該第一基板上;該第一薄膜晶體管元件,形成于該第一基板之上,具有一第一源極與一第一漏極;該第二薄膜晶體管元件,形成于該第一基板之上,具有該第一源極與一第二漏極,其中該第一薄膜晶體管元件與該第二薄膜晶體管元件具有不同的導(dǎo)通電流;該第一畫素電極,經(jīng)由該第一漏極而電性連接該第一源極,使得該第一畫素電極具有一第一電壓值;該第二畫素電極,經(jīng)由該第二漏極而電性連接該第一源極,使得該第二畫素電極具有異于該第一電壓值的一第二電壓值,其中該第一電壓值與該第二電壓值具有一電壓差;該第二基板,對(duì)向于該第一基板;該液晶層,位于該第一基板與該第二基板之間;該第一畫素電極與該第二畫素電極具有多個(gè)狹縫(slit);該共同電極,形成于該第二基板內(nèi)側(cè),具有多個(gè)突起(protrusion)或多個(gè)狹縫(slit),與該第一畫素電極以及該第二畫素電極之間產(chǎn)生不同的電壓差,使得該液晶層具有兩個(gè)不同方位的液晶方位區(qū)。
      為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉出較佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作如下詳細(xì)說明。


      圖1為一VA type液晶顯示裝置在不同視角時(shí),電壓與透射比對(duì)照?qǐng)D;圖2為畫素切割技術(shù)示意圖;圖3為應(yīng)用圖2所揭露技術(shù)的一已知技術(shù)示意圖;圖4為應(yīng)用圖2所揭露技術(shù)的另一已知技術(shù)示意圖;圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例示意圖;圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例示意圖;圖7為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中一畫素的配置圖;圖8為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例中一畫素的配置圖;圖9為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例中一畫素的配置圖。
      符號(hào)說明11正視VA type液晶顯示裝置時(shí)的電壓與透射比曲線;12以60度角斜視VA type液晶顯示裝置時(shí)的電壓與透射比曲線;21第一畫素;22第二畫素; 30介電層;31畫素電極;41、42畫素電極;43介電層; 50MVA液晶顯示裝置;51、61上基板; 52、62下基板; 53突起;63狹縫;54、64第一驅(qū)動(dòng)元件;55、65第二驅(qū)動(dòng)元件;56、66第一畫素電極;
      57、67第二畫素電極; 58、68共同電極;59、69狹縫; 701、801、901源極線;702、802、902柵極線; 703、803、903儲(chǔ)存電容線;704、804、904第一畫素電極; 705、805、905第二畫素電極;706、806、906第一延伸部; 707、807、907第二延伸部;711、811、911柵極部; 709、713、909、913通道層;708、816、908第二漏極; 710、810第二源極;712、812、912第一漏極; 714、814第一源極;808第三漏極; 809第三通道層;813第一通道層; 815第二通道層;910源極;W1、W2通道寬度d1、d2、d3通道長(zhǎng)度。
      具體實(shí)施例方式
      圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例示意圖。圖5為一多象限垂直配向型(multi-domain vertical alignment,MVA)液晶顯示裝置50,具有一上基板51與對(duì)向于上基板的一下基板52,液晶(圖上未繪出)則填充在上基板51與下基板52之間。在上基板51上附有一共同電極58,該共同電極58的材質(zhì)較佳實(shí)施例為銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)層。共同電極58上具有一個(gè)或多個(gè)突起(protrusion)53,用以改變液晶的扭轉(zhuǎn)方向,該突起53的材質(zhì)較佳實(shí)施例為光阻劑或介電材料。下基板52具有一第一驅(qū)動(dòng)元件54與第二驅(qū)動(dòng)元件55,分別連接一第一畫素電極56與一第二畫素電極57,其中該第一畫素電極56與一第二畫素電極57不相互連接,且具有一個(gè)或多個(gè)狹縫(slit)59。該第一驅(qū)動(dòng)元件54與第二驅(qū)動(dòng)元件55具有不同的導(dǎo)通電流,使得第一畫素電極56與第二畫素電極57與共同電極58之間具有不同的電壓V1與V2,因而使得液晶因承受的電壓不同而有不同的扭轉(zhuǎn)方向,該第一驅(qū)動(dòng)元件54與第二驅(qū)動(dòng)元件55較佳實(shí)施例為一薄膜晶體管(thinfilm transistor,TFT)。
      圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例示意圖。圖6為一圖像垂直配向型(patterned vertical alignment,PVA)液晶顯示裝置60,具有一上基板61與對(duì)向于上基板的一下基板62,液晶(圖上未繪出)則填充在上基板61與下基板62之間。在上基板61上附有一共同電極68,該共同電極68的材質(zhì)較佳實(shí)施例為銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)層。共同電極68上具有一個(gè)或多個(gè)狹縫(slit)63,用以改變液晶的扭轉(zhuǎn)方向。下基板62具有一第一驅(qū)動(dòng)元件64與第二驅(qū)動(dòng)元件65,分別連接一第一畫素電極66與一第二畫素電極67,其中該第一畫素電極66與一第二畫素電極67不相互連接,且具有一個(gè)或多個(gè)狹縫(slit)69。該第一驅(qū)動(dòng)元件64與第二驅(qū)動(dòng)元件65具有不同的導(dǎo)通電流,使得第一畫素電極66與第二畫素電極67與共同電極68之間具有不同的電壓V1與V2,因而使得液晶因承受的電壓不同而有不同的扭轉(zhuǎn)方向,該第一驅(qū)動(dòng)元件64與第二驅(qū)動(dòng)元件65較佳實(shí)施例為一薄膜晶體管(thin film transistor,TFT)。
      圖7為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中一畫素的配置圖。在圖7中將原先一畫素的畫素電極區(qū)分為一第一畫素電極704與一第二畫素電極705,且該第一畫素電極704與該第二畫素電極705不相連。該第一畫素電極704由一第一薄膜晶體管TFT1驅(qū)動(dòng),該第二畫素電極705由一第二薄膜晶體管TFT2驅(qū)動(dòng),其中TFT1與TFT2具有不同的導(dǎo)通電流。第一薄膜晶體管TFT1是由源極線701延伸的一第一源極714、一第一漏極712、一由柵極線702延伸的柵極部711以及一通道層713所組成。該第一漏極712為一第一延伸部706的延伸,該第一延伸部706位于一儲(chǔ)存電容線(storage capacitanceelectrode line,Cs線)703上。在TFT1導(dǎo)通時(shí),第一源極714通過通道層713與第一漏極712產(chǎn)生電位差,透過第一漏極712使得第一延伸部706具有一電壓V1,用以驅(qū)動(dòng)該第一畫素電極704。第二薄膜晶體管TFT2是由源極線701延伸的一第二源極710、一第二漏極708、一由柵極線702延伸的柵極部711以及一通道層709所組成。該第二漏極708為一第二延伸部707的延伸,該第二延伸部707位于一儲(chǔ)存電容線703上。在TFT2導(dǎo)通時(shí),通過通道層709與第二漏極708產(chǎn)生電位差,第二源極710透過該第二漏極708使得第二延伸部707具有一電壓V2,用以驅(qū)動(dòng)該畫素電極705。為使TFT1與TFT2具有不同的導(dǎo)通電流,必須使得TFT1與TFT2中通道層709與713滿足下列數(shù)學(xué)式W1/d1 W2/d2圖8為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例中一畫素的配置圖。在圖8中將原先一畫素的畫素電極區(qū)分為一第一畫素電極804與一第二畫素電極805,且該第一畫素電極804與該第二畫素電極805不相連。該第一畫素電極804由一第一薄膜晶體管TFT1驅(qū)動(dòng),該第二畫素電極805由一第二薄膜晶體管TFT2驅(qū)動(dòng),其中TFT1與TFT2具有不同的導(dǎo)通電流。與圖7所示的實(shí)施例不同的是,圖8所示的實(shí)施例中TFT1是采用一雙漏極(dual drain)設(shè)計(jì)。第一薄膜晶體管TFT1是由源極線801延伸的一第一源極814、一第一漏極812、一第二漏極816、一第一通道層813、由柵極線802延伸的一柵極部811以及一第二通道層815所組成。該第一漏極812與第二漏極816為一第一延伸部806的延伸,該第一延伸部806位于一儲(chǔ)存電容線803上。在TFT1導(dǎo)通時(shí),源極814通過第一通道層813與第一漏極812以及通過第二通道層815與第二漏極816產(chǎn)生電位差,透過第一漏極812與第二漏極816使得第一延伸部806具有一電壓V1,用以驅(qū)動(dòng)該第一畫素電極804。第二薄膜晶體管TFT2是由源極線801延伸的一第二源極810、一第三漏極808、一由柵極線802延伸的柵極部811以及第三通道層809所組成。該第三漏極808為一第二延伸部807的延伸,該第二延伸部807位于一儲(chǔ)存電容線803上。在TFT2導(dǎo)通時(shí),通過第三通道層809與第三漏極808產(chǎn)生電位差,透過該第三漏極808使得第二延伸部807具有一電壓V2,用以驅(qū)動(dòng)該畫素電極805。為使TFT1與TFT2具有不同的導(dǎo)通電流,必須使得TFT1中第一通道層813及第二通道層815與TFT2中第三通道層809滿足下列數(shù)學(xué)式W1/d1 W2/d2+W2/d3圖9為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例中一畫素的配置圖。在圖9中將原先一畫素的畫素電極區(qū)分為一第一畫素電極904與一第二畫素電極905,且該第一畫素電極904與該第二畫素電極905不相連。該第一畫素電極904由一第一薄膜晶體管TFT1驅(qū)動(dòng),該第二畫素電極905由一第二薄膜晶體管TFT2驅(qū)動(dòng),其中TFT1與TFT2具有不同的導(dǎo)通電流。與圖7及圖8所示的實(shí)施例不同的是,圖9所示的實(shí)施例中TFT1與TFT2是采用一共源極(commonsource)設(shè)計(jì)。第一薄膜晶體管TFT1是由源極線901延伸的一源極910、一第一漏極912、一由柵極線902延伸的柵極部911以及一通道層913所組成。該第一漏極912為一第一延伸部906的延伸,該第一延伸部906位于一儲(chǔ)存電容線903上。在TFT1導(dǎo)通時(shí),源極910通過通道層913與第一漏極912產(chǎn)生電位差,透過第一漏極912使得第一延伸部906具有一電壓V1,用以驅(qū)動(dòng)該第一畫素電極904。第二薄膜晶體管TFT2是由源極線901延伸的源極910、一第二漏極908、一由柵極線902延伸的柵極部911以及一通道層909所組成。該第二漏極908為一第二延伸部907的延伸,該第一延伸部907位于一儲(chǔ)存電容線903上。在TFT2導(dǎo)通時(shí),源極910通過通道層909與第二漏極908產(chǎn)生電位差,透過該第二漏極908使得第二延伸部907具有一電壓V2,用以驅(qū)動(dòng)該畫素電極905。為使TFT1與TFT2具有不同的導(dǎo)通電流,必須使得TFT1與TFT2中通道層909與913滿足下列數(shù)學(xué)式W1/d1 W2/d2雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何熟習(xí)此技藝的人,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視申請(qǐng)專利范圍所界定的為準(zhǔn)。
      權(quán)利要求
      1.一種垂直配向型液晶顯示裝置,具有多個(gè)畫素區(qū),其特征在于,每一畫素區(qū)由一源極線與一柵極線驅(qū)動(dòng),包括一第一基板;一第二基板,對(duì)向于所述第一基板;一液晶層,位于所述第一基板與所述第二基板之間;一第一畫素電極與一第二畫素電極,該第二畫素電極與該第一畫素電極不連接,形成于所述第一基板之上,其中該第一與第二畫素電極具有多個(gè)狹縫;一第一畫素驅(qū)動(dòng)元件,耦接所述第一畫素電極,形成于所述第一基板之上;一第二畫素驅(qū)動(dòng)元件,耦接所述第二畫素電極,形成于所述第一基板之上,其中所述第一畫素驅(qū)動(dòng)元件與所述第二畫素驅(qū)動(dòng)元件具有不同的導(dǎo)通電流,使所述第一畫素電極與所述第二畫素電極具有不同的電壓;以及一共同電極,形成于所述第二基板內(nèi)側(cè),具有多個(gè)突起或多個(gè)狹縫,與所述第一畫素電極以及所述第二畫素電極之間產(chǎn)生不同的電壓差,使得所述液晶層具有兩個(gè)不同方位的液晶方位區(qū)。
      2.如權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于更包括一平行于該柵極線的儲(chǔ)存電容線,位于所述第一基板上。
      3.如權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一畫素電極以及所述第二畫素電極是銦錫氧化物或銦鋅氧化物層。
      4.如權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述共同電極是銦錫氧化物或銦鋅氧化物層。
      5.如權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一驅(qū)動(dòng)元件是一第一薄膜晶體管元件,所述第二驅(qū)動(dòng)元件是一第二薄膜晶體管元件。
      6.如權(quán)利要求5所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一薄膜晶體管元件與所述第二薄膜晶體管元件的通道具有不同的寬長(zhǎng)比。
      7.一種垂直配向型液晶顯示裝置,具有多個(gè)畫素區(qū),其特征在于,每一該畫素區(qū)包括一柵極線與一源極線,分別橫向延伸及縱向延伸地形成于一第一基板上;一第一薄膜晶體管元件,形成于所述第一基板之上,具有一第一源極與一第一漏極;一第二薄膜晶體管元件,形成于所述第一基板之上,具有一第二源極與一第二漏極,其中所述第一薄膜晶體管元件與該第二薄膜晶體管元件具有不同的導(dǎo)通電流;一第一畫素電極,具有多個(gè)狹縫,經(jīng)由所述第一漏極而電性連接所述第一源極,使得該第一畫素電極具有一第一電壓值;一第二畫素電極,具有多個(gè)狹縫,經(jīng)由所述第二漏極而電性連接所述第二源極,使得該第二畫素電極具有異于所述第一電壓值的一第二電壓值,其中所述第一電壓值與該第二電壓值具有一電壓差;一第二基板,對(duì)向于所述第一基板;一液晶層,位于所述第一基板與所述第二基板之間;以及一共同電極,形成于所述第二基板內(nèi)側(cè),具有多個(gè)突起或多個(gè)狹縫,與所述第一畫素電極以及所述第二畫素電極之間產(chǎn)生不同的電壓差,使得該液晶層具有兩個(gè)不同方位的液晶方位區(qū)。
      8.如權(quán)利要求7所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于更包括一平行于柵極線的儲(chǔ)存電容線,位于所述第一基板上。
      9.如權(quán)利要求7所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一薄膜晶體管元件與所述第二薄膜晶體管元件的源極具有第一源極、第一漏極、第二源極以及第二漏極的一配置次序。
      10.如權(quán)利要求7所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一畫素電極以及所述第二畫素電極是銦錫氧化物或銦鋅氧化物層。
      11.如權(quán)利要求7所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述共同電極是銦錫氧化物或銦鋅氧化物層。
      12.如權(quán)利要求7所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一薄膜晶體管元件與所述第二薄膜晶體管元件具有相同的柵極。
      13.如權(quán)利要求7所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一薄膜晶體管元件與所述第二薄膜晶體管元件的通道具有不同的寬長(zhǎng)比。
      14.一種垂直配向型液晶顯示裝置,具有多個(gè)畫素區(qū),其特征在于,每一該畫素區(qū)包括一柵極線與一源極線,分別橫向延伸與縱向延伸地形成于一第一基板上;一第一薄膜晶體管元件,形成于所述第一基板之上,具有一第一源極與一第一漏極;一第二薄膜晶體管元件,形成于所述第一基板之上,共享所述第一源極且具有一第二漏極,其中所述第一薄膜晶體管元件與該第二薄膜晶體管元件具有不同的導(dǎo)通電流;一第一畫素電極,具有多個(gè)狹縫,經(jīng)由所述第一漏極而電性連接所述第一源極,使得該第一畫素電極具有一第一電壓值;一第二畫素電極,具有多個(gè)狹縫,經(jīng)由所述第二漏極而電性連接所述第一源極,使得該第二畫素電極具有異于所述第一電壓值的一第二電壓值,其中所述第一電壓值與該第二電壓值具有一電壓差;一第二基板,對(duì)向于所述第一基板;一液晶層,位于所述第一基板與所述第二基板之間;以及一共同電極,形成于所述第二基板內(nèi)側(cè),具有多個(gè)突起或多個(gè)狹縫,與所述第一畫素電極以及所述第二畫素電極之間產(chǎn)生不同的電壓差,使得所述液晶層具有兩個(gè)不同方位的液晶方位區(qū)。
      15.如權(quán)利要求14所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,更包括一平行于柵極線的儲(chǔ)存電容線,位于所述第一基板上。
      16.如權(quán)利要求14所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一畫素電極以及所述第二畫素電極是銦錫氧化物或銦鋅氧化物層。
      17.如權(quán)利要求14所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述共同電極是銦錫氧化物或銦鋅氧化物層。
      18.如權(quán)利要求14所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一薄膜晶體管元件與所述第二薄膜晶體管元件具有相同的柵極。
      19.如權(quán)利要求14所述的垂直配向型液晶顯示裝置,其特征在于,所述第一薄膜晶體管元件與所述第二薄膜晶體管元件的通道具有不同的寬長(zhǎng)比。
      全文摘要
      一種垂直配向型(VA type)液晶顯示裝置,具有多個(gè)畫素區(qū),每一畫素區(qū)由一源極線與一柵極線驅(qū)動(dòng),包括下列元件;一第二基板對(duì)向于一第一基板;一液晶層,位于第一基板與第二基板之間;一第一與一第二畫素驅(qū)動(dòng)元件分別耦接一第一與一第二畫素電極,形成于第一基板之上,所述第一與第二畫素電極具有多個(gè)狹縫(slit),所述第一畫素驅(qū)動(dòng)元件與所述第二畫素驅(qū)動(dòng)元件具有不同的導(dǎo)通電流,使第一畫素電極與第二畫素電極具有不同的電壓,使得所述液晶層具有兩個(gè)不同方位的液晶方位區(qū);一共同電極,形成于第二基板內(nèi)側(cè),具有多個(gè)突起(protrusion)或多個(gè)狹縫(slit)。本發(fā)明可改善垂直配向型液晶顯示裝置的色散問題。
      文檔編號(hào)G02F1/133GK1719321SQ20051008285
      公開日2006年1月11日 申請(qǐng)日期2005年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月11日
      發(fā)明者邱俊昌 申請(qǐng)人:廣輝電子股份有限公司
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