專利名稱：液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板及其制造方法，且特別是涉及一種數(shù)據(jù)線與柵極設(shè)于同一層的液晶顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，液晶顯示器的制造技術(shù)中已有數(shù)種能夠達(dá)成廣視角要求的技術(shù)，例如扭轉(zhuǎn)向列型液晶(TN)加上廣視角膜(Wide Viewing Film)、共平面切換式an-plane Switching, IPS)液晶顯示器、邊際場切換式(Fringe Field Switching)液晶顯示器與多域垂直配向液晶顯示器等方式。為了使液晶液晶顯示面板中的像素陣列連接至驅(qū)動電路，以往的設(shè)計(jì)會將傳輸信號用的部分線路配置于顯示區(qū)域的周邊以避免顯示開口率進(jìn)一步受限。不過，當(dāng)市場上產(chǎn)品不斷朝向大尺寸小邊框的設(shè)計(jì)邁進(jìn)時(shí)，這樣的設(shè)計(jì)將無法滿足市場要求。此外，現(xiàn)有液晶顯示面板的電容電極與像素電極重疊的部分形成存儲電容。一般而言，電容電極與像素電極之間大多隔著二層以上的結(jié)構(gòu)，例如是絕緣層。如此導(dǎo)致電容電極與像素電極之間的電容效應(yīng)不佳，存儲電容值下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板及其制造方法，在一實(shí)施例中，電容電極與像素電極之間僅隔著單層絕緣層，可增進(jìn)電容效應(yīng)，提高存儲電容值。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種液晶顯示面板。液晶顯示面板包括一第一基板、一像素陣列、一第二基板及一液晶層。像素陣列形成于第一基板。像素陣列包括數(shù)條數(shù)據(jù)線、 一第一絕緣層、數(shù)條掃描線、數(shù)個(gè)有源元件、數(shù)個(gè)電容電極、一第二絕緣層及數(shù)個(gè)像素電極。 數(shù)據(jù)線形成于第一基板。第一絕緣層覆蓋數(shù)據(jù)線并具有數(shù)個(gè)柵極開孔及數(shù)個(gè)源極開孔。掃描線形成于第一絕緣層。每個(gè)有源元件包括一柵極、一源極及一漏極。柵極形成于第一基板，源極、漏極及電容電極形成于第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋電容電極、源極及漏極。像素電極對應(yīng)電容電極形成于第二絕緣層上。液晶層配置于第一基板與第二基板之間。其中， 掃描線通過對應(yīng)的柵極開孔電連接對應(yīng)的柵極，數(shù)據(jù)線通過對應(yīng)的源極開孔電連接對應(yīng)的源極。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種液晶顯示面板的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一第一基板及一第二基板；形成數(shù)條數(shù)據(jù)線及數(shù)個(gè)柵極于一第一基板；形成一第一絕緣層覆蓋數(shù)據(jù)線及柵極，其中，第一絕緣層具有數(shù)個(gè)柵極開孔及數(shù)個(gè)源極開孔；形成數(shù)個(gè)源極、數(shù)個(gè)漏極、數(shù)個(gè)電容電極及數(shù)條掃描線于第一絕緣層，其中，掃描線通過對應(yīng)的柵極開孔電連接對應(yīng)的柵極，數(shù)據(jù)線通過對應(yīng)的源極開孔電連接對應(yīng)的源極；形成一第二絕緣層覆蓋源極、漏極及電容電極；形成數(shù)個(gè)像素電極于第二絕緣層上，像素電極的位置對應(yīng)電容電極；對組第一基板與第二基板；以及，形成一液晶層于第一基板與第二基板之間。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作
4詳細(xì)說明如下


圖1為本發(fā)明第1實(shí)施例的液晶顯示面板的局部示意圖；圖2為圖1中局部2’的放大示意圖；圖3為圖2中方向3-3’的剖視圖；圖4為圖2中方向4-4’的剖視圖；圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法流程圖；圖6A-圖6C為圖2的像素陣列的制造示意圖；圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示面板的局部示意圖；圖8為圖7中方向8-8，的剖視圖。主要元件符號說明100、200 液晶顯示面板102:第一基板104、204 像素陣列106:第二基板108 :液晶層110、210:數(shù)據(jù)線112、212 第一絕緣層114、114a、214 掃描線116、216:有源元件116c、216c 通道層116g、216g:柵極116s、216s:源極116d、216d:漏極118、218:電容電極120,220 第二絕緣層122、222:像素電極124、224 柵極開孔126,226 源極開孔U8、U8a:柵極線130、130a 掃描線開孔134、234 漏極開孔140:驅(qū)動電路236:金屬電極238:透明電極2，局部
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例請參照圖1至圖3，圖1繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示面板的局部示意圖，圖2繪示圖1中局部2’的放大示意圖，圖3繪示圖2中方向3-3’的剖視圖。如圖1， 液晶顯示面板100包括第一基板102、像素陣列104、第二基板106(繪示于圖3)、液晶層 108(繪示于圖幻及驅(qū)動電路140。液晶層108配置于第一基板102與第二基板106之間。請同時(shí)參照圖2及圖3，像素陣列104形成于第一基板102上并包括數(shù)條數(shù)據(jù)線 110、數(shù)條掃描線114、數(shù)個(gè)有源元件116、數(shù)個(gè)電容電極118、數(shù)個(gè)像素電極122及數(shù)條柵極線128。其中，相鄰的電容電極118相連接。如圖2所示，該些柵極線1 大致上平行該些數(shù)據(jù)線110形成于第一基板102上， 柵極線1 位于相鄰二數(shù)據(jù)線110之間。柵極線1 與數(shù)據(jù)線110可順著大致上相同的方向延伸至與驅(qū)動電路140電連接，如此可節(jié)省液晶顯示面板100的邊寬尺寸，符合窄邊寬產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求。數(shù)據(jù)線110與掃描線114交叉并定義出數(shù)個(gè)像素區(qū)域。柵極線1 通過像素區(qū)域。 每個(gè)像素區(qū)域包括一個(gè)有源元件116、一個(gè)電容電極118及一個(gè)像素電極122。上述的驅(qū)動電路140可提供對應(yīng)的驅(qū)動信號(未繪示)給數(shù)據(jù)線110及柵極線128，以驅(qū)動像素區(qū)域內(nèi)的有源元件116。如圖3所示，有源元件116包括柵極116g、源極116s、通道層116c及漏極116d。像素陣列104更包括第一絕緣層112及第二絕緣層120。柵極116g形成于第一基板102上， 源極116s及漏極116d則形成于第一絕緣層112上。數(shù)據(jù)線110形成于第一基板102上，第一絕緣層112覆蓋柵極116g及數(shù)據(jù)線110 并具有數(shù)個(gè)源極開孔126，該些源極開孔126的位置對應(yīng)于該些數(shù)據(jù)線110。第二絕緣層 120具有數(shù)個(gè)漏極開孔134，該些漏極開孔134的位置對應(yīng)于該些漏極116d。位于第一絕緣層112上的源極116s可通過源極開孔126電連接于數(shù)據(jù)線110。請繼續(xù)參照圖3，像素電極122形成于第二絕緣層120上，其通過漏極開孔134電連接于漏極116d。第二絕緣層120覆蓋源極116s、漏極116d及電容電極118。該些像素電極122對應(yīng)該些電容電極118的位置形成于第二絕緣層120上，使像素電極122與電容電極118之間形成存儲電容結(jié)構(gòu)，有助于維持像素區(qū)域內(nèi)的顯示電壓。此外，由于像素電極122與電容電極118之間僅隔單層結(jié)構(gòu)(即第二絕緣層120)，故電容效應(yīng)較佳，可提高存儲電容值。如圖3所示，電容電極118的材質(zhì)例如是金屬或銦錫氧化物andium Tin Oxide, ΙΤ0)，其形成于第一絕緣層112上。電容電極118中至少一部分隔著第一絕緣層112與柵極線1 重疊，可遮蔽來自于柵極線128的電場，避免柵極線128電場影響對應(yīng)位置的液晶的運(yùn)動。較佳但非限定地，電容電極118可與一共同電極(未繪示)電連接，使上述的存儲電容結(jié)構(gòu)成為Cs on Common的形式。請參照圖4，其繪示圖2中方向4-4’的剖視圖。柵極線128a形成于第一基板102 上，掃描線114形成于第一絕緣層112上。第一絕緣層112更具有數(shù)個(gè)柵極開孔IM及數(shù)個(gè)掃描線開孔130。以其中的一掃描線開孔130a為例說明，掃描線開孔130a的位置對應(yīng)于掃描線114a。該些柵極開孔124的位置對應(yīng)于該些柵極116g，掃描線11 可通過柵極開孔124電連接于柵極116g。請同時(shí)參照圖1，由于掃描線開孔130a、柵極線128a與掃描線114a的位置重疊，使通過柵極線128a的驅(qū)動信號可通過掃描線開孔130a傳輸至整條掃描線114a，然后通過柵極開孔124(柵極開孔IM繪示于圖2)將驅(qū)動信號傳輸至連接于掃描線11 的每個(gè)有源元件116。相似地，其它掃描線114則可通過對應(yīng)的掃描線開孔130來傳輸對應(yīng)的柵極線128的信號。本實(shí)施例的液晶顯示面板100以穿透式(transmission)液晶顯示面板為例作說明，然此非用以限制本發(fā)明，在另一實(shí)施態(tài)樣中，液晶顯示面板100也可以是半穿反液晶顯示面板(tranflective liquid display panel)。進(jìn)一步地說，像素陣列104更可包括數(shù)個(gè)透明有機(jī)薄膜及數(shù)個(gè)反射結(jié)構(gòu)。該些透明有機(jī)薄膜對應(yīng)該些像素區(qū)域的位置設(shè)于第二絕緣層120第二絕緣層120繪示于圖幻上以定義出反射區(qū)。較佳但非限定地，透明有機(jī)薄膜覆蓋非穿透區(qū)，例如是覆蓋有源元件116的范圍。該些反射結(jié)構(gòu)對應(yīng)地形成于該些透明有機(jī)薄膜上，以反射環(huán)境光線。以下以液晶顯示面板100為例說明本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法。請同時(shí)參照圖5及第6A-6C圖，圖5繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法流程圖，第6A-6C圖繪示圖2的像素陣列的制造示意圖。第6A-6C圖僅繪示出單個(gè)像素區(qū)域。在步驟S102中，提供如圖3所示的第一基板102及第二基板106。然后，在步驟S104中，如圖6A所示，形成數(shù)據(jù)線110、柵極116g及柵極線1 于第一基板102(未繪示于圖6A)上。每條柵極線1 位于該些數(shù)據(jù)線110中相鄰二者之間。然后，在步驟S106中，形成如圖6B所示的透明的第一絕緣層112。第一絕緣層112 覆蓋數(shù)據(jù)線110、柵極116g及柵極線128。其中，第一絕緣層112具有柵極開孔124、源極開孔126及掃描線開孔130。源極開孔126的位置對應(yīng)于數(shù)據(jù)線110，柵極開孔124的位置對應(yīng)于柵極116g。然后，在步驟S108中，如圖6C所示，形成源極116s、漏極116d、通道層116c、電容電極118及掃描線114于第一絕緣層112上。其中，每條掃描線114通過對應(yīng)的柵極開孔 124電連接對應(yīng)的柵極116g，每條數(shù)據(jù)線110通過對應(yīng)的源極開孔126電連接對應(yīng)的源極 116s，且至少部分的電容電極118與柵極線1 重疊。然后，在步驟SllO中，形成如圖3所示的透明的第二絕緣層120。第二絕緣層120 覆蓋源極116s、漏極116d、通道層116c及電容電極118。在步驟S112之后，可形成如圖2所示的漏極開孔134于第二絕緣層120。漏極開孔134的位置對應(yīng)于漏極116d。然后，在步驟S112中，形成如圖2所示的像素電極122于第二絕緣層120上，像素電極122的位置對應(yīng)電容電極118。像素電極122可通過漏極開孔134電連接漏極116d。然后，在步驟Sl 14中，對組第一基板102與第二基板106。然后，在步驟S116中，形成液晶層108于第一基板102與第二基板106之間。至此，完成本實(shí)施例的穿透式的液晶顯示面板100。此外，雖然圖示未繪示，然在另一實(shí)施態(tài)樣中，在步驟S112后可繼續(xù)形成透明有機(jī)薄膜于像素電極122上。以及，形成反射層于透明有機(jī)薄膜上，以形成半穿反液晶顯示面板。上述反射層例如是金屬反射層。第二實(shí)施例
請參照圖7，其繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示面板的局部示意圖。第二實(shí)施例中與第一實(shí)施例相同之處沿用相同標(biāo)號，在此不再贅述。第二實(shí)施例的液晶顯示面板 200與第一實(shí)施例的液晶顯示面板100不同之處在于，液晶顯示面板200不包括柵極線1 及掃描線開孔130。請參照圖8，其繪示圖7中方向8-8，的剖視圖。液晶顯示面板200包括第一基板 102、像素陣列204、第二基板106及液晶層108。像素陣列204包括數(shù)條數(shù)據(jù)線210、第一絕緣層212、數(shù)條掃描線214、數(shù)個(gè)有源元件216、數(shù)個(gè)電容電極218、第二絕緣層220及數(shù)個(gè)像素電極222。其中，數(shù)據(jù)線210、有源元件216及像素電極222相似于第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)線110、有源元件116及像素電極122，在此不再重復(fù)贅述。該些數(shù)據(jù)線210與該些掃描線214交叉并共同定義出數(shù)個(gè)像素區(qū)域。如圖8所示，第一絕緣層212覆蓋該些數(shù)據(jù)線210并具有數(shù)個(gè)柵極開孔224(柵極開孔2M繪示于圖7)及數(shù)個(gè)源極開孔226。如圖7所示，掃描線214形成于第一絕緣層 212上。其中，每條掃描線214可通過對應(yīng)的柵極開孔224電連接對應(yīng)的柵極216g，每條數(shù)據(jù)線210可通過對應(yīng)的源極開孔226電連接對應(yīng)的源極216s。如圖7所示，電容電極218可電連接一共同電極并包括金屬電極236及透明電極 238。相鄰的金屬電極236相連接，每個(gè)金屬電極236形成于第一絕緣層212上且其沿著鄰近的數(shù)據(jù)線的位置形成π字形，透明電極238的一部分形成于金屬電極236上，如圖8所示。電容電極218中至少一部分隔著第二絕緣層220與像素電極222中至少一部分重疊， 重疊的部分形成存儲電容。由于本實(shí)施例的電容電極218包括金屬電極236，因此電容電極218具有低阻抗的特征。并且，透明電極238不影響像素區(qū)域的開口率，故電容電極218同時(shí)具備低阻抗以及使像素開口率最大化的特征。當(dāng)然，本技術(shù)領(lǐng)域的通常知識者應(yīng)當(dāng)明了，在一實(shí)施態(tài)樣中， 電容電極218也可省略金屬電極236與透明電極238中之一者，如此，電容電極218與像素電極222重疊的部分仍可形成存儲電容。第二絕緣層220覆蓋有源元件216的源極216s、漏極216d及電容電極218。第二絕緣層220并具有數(shù)個(gè)漏極開孔234。像素電極222對應(yīng)電容電極218的位置形成于第二絕緣層220上，使像素電極222 與電容電極218重疊的部分形成存儲電容。由于像素電極222與電容電極218之間僅隔單層結(jié)構(gòu)(即第二絕緣層220)，故電容效應(yīng)較佳，可提高存儲電容值。以下以圖5的流程步驟說明液晶顯示面板200的制造方法。在步驟S102中，提供如圖8所示的第一基板102及第二基板106。然后，在步驟S104中，形成如圖7所示的數(shù)據(jù)線210及柵極216g于第一基板102 上。然后，在步驟S106中，形成如圖8所示的第一絕緣層212。第一絕緣層212覆蓋數(shù)據(jù)線210及柵極216g。其中，如圖7及圖8所示，第一絕緣層212具有柵極開孔2M及源極開孔226，源極開孔226的位置對應(yīng)于數(shù)據(jù)線210，柵極開孔224的位置對應(yīng)于柵極216g。然后，在步驟S108中，形成如圖8所示的源極216s、漏極216d、通道層216c、電容電極218及掃描線214(繪示于圖7)于第一絕緣層212上。
然后，在步驟Sl 10中，形成如圖8所示的第二絕緣層220。第二絕緣層220覆蓋源極116s、漏極116d、通道層216c及電容電極218。在步驟S112之后，形成如圖8所示的漏極開孔234于第二絕緣層220。漏極開孔 234的位置對應(yīng)于漏極216d。然后，在步驟Sl 12中，形成如圖7所示的像素電極222于第二絕緣層220上，像素電極222的位置對應(yīng)電容電極218。像素電極222可通過漏極開孔234電連接于漏極216d。后續(xù)步驟S114及S116相似于第一實(shí)施例的說明，在此不再贅述。步驟S116完成后，形成本實(shí)施例的穿透式的液晶顯示面板200。此外，雖然圖示未繪示，然在步驟S112之后，可繼續(xù)形成透明有機(jī)薄膜于像素電極222上。以及，形成反射層于透明有機(jī)薄膜上，以形成半穿反液晶顯示面板。上述反射層例如是金屬反射層。此外，在一實(shí)施態(tài)樣中，像素電極上可形成有一溝槽圖案(未繪示)，該溝槽圖案所造成的邊際電場效應(yīng)可影響液晶分子的傾倒方向，使液晶分子呈現(xiàn)多域配向 (multi-domain)。在一實(shí)施態(tài)樣中，除了像素電極上可形成有溝槽圖案外，液晶顯示面板的第二基板上對應(yīng)像素區(qū)域的位置更可設(shè)置有至少一配向凸塊(protusion)，同樣可使液晶分子呈現(xiàn)多域配向的效果。此外，上述的液晶顯示面板100及200可以是TN型液晶、IPS液晶顯示器、FFS型液晶顯示器及多域配向型液晶顯示器。綜上所述，雖然結(jié)合以較佳實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視附上的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，包括第一基板；像素陣列，形成于該第一基板，該像素陣列包括 多條數(shù)據(jù)線，形成于該第一基板；第一絕緣層，覆蓋該些數(shù)據(jù)線并具有多個(gè)柵極開孔及多個(gè)源極開孔； 多條掃描線，形成于該第一絕緣層；多個(gè)有源元件，各該些有源元件包括一柵極、一源極及一漏極，該柵極形成于該第一基板，各該些有源元件的該源極及該漏極形成于該第一絕緣層上； 多個(gè)電容電極，形成于該第一絕緣層上；第二絕緣層，覆蓋該些電容電極、該些有源元件的該些源極及該些漏極；及多個(gè)像素電極，對應(yīng)該些電容電極形成于該第二絕緣層上； 第二基板；以及液晶層，配置于該第一基板與該第二基板之間；其中，各該些掃描線通過對應(yīng)的該柵極開孔電連接于對應(yīng)的該柵極，各該些數(shù)據(jù)線通過對應(yīng)的該源極開孔電連接于對應(yīng)的該源極。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，還包括多條柵極線，實(shí)質(zhì)上平行該些數(shù)據(jù)線形成于該第一基板且該些柵極線之一者位于該些數(shù)據(jù)線中相鄰二者之間；其中，該第一絕緣層還具有多個(gè)掃描線開孔，該些掃描線開孔、該些柵極線與該些掃描線的位置相對應(yīng)，各該些柵極線通過對應(yīng)的該掃描線開孔電性導(dǎo)通對應(yīng)的該掃描線。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其中各該些電容電極中至少一部分與對應(yīng)的該柵極線的位置重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中各該些電容電極包括 金屬電極；以及透明電極，連接于該金屬電極。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，還包括 多個(gè)有機(jī)薄膜，形成于該第二絕緣層上；以及多個(gè)反射結(jié)構(gòu)，對應(yīng)地形成于該些有機(jī)薄膜上。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中該第二絕緣層具有多個(gè)漏極開孔，該些像素電極通過該些漏極開孔電連接于該些漏極。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中各該些電容電極的材質(zhì)為金屬或銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)。
8.一種液晶顯示面板的制造方法，包括 提供一第一基板及一第二基板；形成多條數(shù)據(jù)線及多個(gè)柵極于該第一基板上；形成一第一絕緣層覆蓋該些數(shù)據(jù)線及該些柵極，其中，該第一絕緣層具有多個(gè)柵極開孔及多個(gè)源極開孔；形成多個(gè)源極、多個(gè)漏極、多個(gè)電容電極及多條掃描線于該第一絕緣層上，其中，各該些掃描線通過對應(yīng)的該柵極開孔電連接對應(yīng)的該柵極，各該些數(shù)據(jù)線通過對應(yīng)的該源極開孔電連接對應(yīng)的該源極；形成一第二絕緣層覆蓋該些源極、該些漏極及該些電容電極；形成多個(gè)像素電極于該第二絕緣層上，該些像素電極的位置對應(yīng)該些電容電極；對組該第一基板與該第二基板；以及形成一液晶層于該第一基板與該第二基板之間。
9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，還包括形成多條柵極線于該第一基板上，該些柵極線實(shí)質(zhì)上平行于該些數(shù)據(jù)線且該些柵極線之一者位于該些數(shù)據(jù)線中相鄰二者之間；其中在形成該第一絕緣層的該步驟中，該第一絕緣層還具有多個(gè)掃描線開孔，該些掃描線開孔、該些柵極線與該些掃描線的位置相對應(yīng)，各該些柵極線通過對應(yīng)的該掃描線開孔電性導(dǎo)通對應(yīng)的該掃描線。
10.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中在形成該些電容電極的該步驟中還包括 形成一金屬電極；以及形成一透明電極連接于該金屬電極。
11.如權(quán)利要求8所述的制造方法，還包括 形成多個(gè)有機(jī)薄膜于該第二絕緣層上；以及形成多個(gè)反射層于該些有機(jī)薄膜上。
12.如權(quán)利要求8所述的制造方法，還包括 形成多個(gè)漏極開孔于該第二絕緣層；在形成該些像素電極于該第二絕緣層的該步驟中，該些像素電極通過該些漏極開孔電連接于該些漏極。
全文摘要
本發(fā)明公開一種液晶顯示面板與其制造方法。液晶顯示面板包括像素陣列。像素陣列包括數(shù)條數(shù)據(jù)線、第一絕緣層、數(shù)條掃描線、數(shù)個(gè)有源元件、數(shù)個(gè)電容電極、第二絕緣層及數(shù)個(gè)像素電極。第一絕緣層覆蓋數(shù)據(jù)線并具有數(shù)個(gè)柵極開孔及數(shù)個(gè)源極開孔。掃描線形成于第一絕緣層。每個(gè)有源元件包括柵極、源極及漏極。源極、漏極及電容電極形成于第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋電容電極、源極及漏極。像素電極對應(yīng)電容電極形成于第二絕緣層上。其中，掃描線通過對應(yīng)的柵極開孔電連接對應(yīng)的柵極，數(shù)據(jù)線通過對應(yīng)的源極開孔電連接對應(yīng)的源極。
文檔編號H01L27/02GK102385199SQ20101027162
公開日2012年3月21日 申請日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者葉政諺, 林仲凱 申請人:東莞萬士達(dá)液晶顯示器有限公司, 勝華科技股份有限公司