專(zhuān)利名稱(chēng)：圖案復(fù)制掩模、焦距變動(dòng)測(cè)定方法及裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在用于制造半導(dǎo)體器件或液晶等顯示設(shè)備的光刻工序 中，在利用曝光裝置來(lái)將復(fù)制圖案形成于晶片等被復(fù)制體上時(shí)所采用的圖案 復(fù)制掩模、測(cè)定焦點(diǎn)變動(dòng)(焦點(diǎn)誤差)的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定方法及裝置、以及利 用該方法的半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
最近，隨著半導(dǎo)體元件的高集成化，通過(guò)光刻法來(lái)形成的圖案變得越來(lái) 越微細(xì)。另外，圖案變得越微細(xì)，所需的尺寸的均勻性也變得越小。在使尺 寸均勻性變差大的原因之一中，可舉出曝光裝置的曝光誤差。在曝光誤差中，
尤其是焦距誤差和曝光量誤差在制造所謂的90nm —代的器件方面變成非常 嚴(yán)峻的問(wèn)題。例如若發(fā)生了焦距誤差，則在焦點(diǎn)深度小的孤立的圖案等中， 其尺寸會(huì)形成得小?？梢哉f(shuō)，要制造90nm—代的器件，則必須進(jìn)行土50nm
左右的焦距管理。
現(xiàn)有曝光裝置中焦距管理的一例，如下述那樣執(zhí)行。首先，在日常檢査 等中制作焦距采用各值的樣品晶片，并利用CD-SEM等來(lái)測(cè)定了孤立圖案等 的寬度尺寸之后，描畫(huà)CD-焦距曲線并決定最佳焦距值，然后，將其結(jié)果存 儲(chǔ)在曝光裝置側(cè)而作為偏移(offset)值，由此管理焦距。
另外，作為所謂的直線焦距監(jiān)控(in-line focus monitor)技術(shù)的其他具體 例而提出有如下技術(shù)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中提出有如下技術(shù)求出抗蝕劑圖案邊 緣的傾斜角度和焦距位置之伺的關(guān)系，并算出形成在晶片上的抗蝕劑圖案的 錐角，由此算出焦距誤差量。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中提出有如下的技術(shù)根 據(jù)利用專(zhuān)用標(biāo)記(Mark)在抗蝕劑圖案的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度測(cè)定和抗蝕劑的 厚度變動(dòng)量，測(cè)定焦距值。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中公開(kāi)有一種利用具有刻畫(huà) 石英基板的形狀的標(biāo)線(reticle)來(lái)計(jì)測(cè)焦距誤差量的計(jì)測(cè)技術(shù)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1: JP特開(kāi)平10—154647號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2: JP特開(kāi)2000—133569號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3: JP特開(kāi)2004—184764號(hào)公報(bào) 發(fā)明內(nèi)容在根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1等方法的焦距管理中，由于圖案的尺寸測(cè)定需要長(zhǎng)時(shí) 間，所以很難采用少于一天的時(shí)間單位來(lái)進(jìn)行管理，何況監(jiān)視數(shù)時(shí)間單位或 者比其更短的時(shí)間內(nèi)的焦距變動(dòng)更不可能了。另外，在通常的產(chǎn)品處理時(shí)， 認(rèn)為由于在晶片內(nèi)或者批量?jī)?nèi)不進(jìn)行變更焦距的處理，因此不可能進(jìn)行采用 產(chǎn)品晶片的焦距管理。進(jìn)而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2等現(xiàn)狀中提出的在線焦距監(jiān)視技術(shù)中，能檢測(cè)的焦 距變動(dòng)不能滿足所需精度，所以，在采用CD—SEM的測(cè)定中存在測(cè)定再現(xiàn) 性和測(cè)定精度不會(huì)提高的問(wèn)題。其結(jié)果，不能進(jìn)行高精度的焦距監(jiān)視。進(jìn)而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3等技術(shù)中，進(jìn)行焦距監(jiān)視的算法極其煩雜，另外， 標(biāo)線的制造過(guò)程也復(fù)雜，所以不可避免會(huì)大幅度地增加標(biāo)線的成本。本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而提出的，其目的在于，簡(jiǎn)單且高精度地計(jì) 測(cè)焦距誤差量以及焦距的正負(fù)方向，最終目的在于提供一種，能夠反映出將 所測(cè)定的焦距誤差信息反饋到下一個(gè)批量、前饋到下一個(gè)工序中，能夠穩(wěn)定 地制造半導(dǎo)體器件的曝光計(jì)測(cè)方法和裝置、以及半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā)明的圖案復(fù)制掩模，其特征在于，具有主圖案區(qū)域，其形成有主 圖案，所述主圖案復(fù)制形成在被復(fù)制體上；監(jiān)控圖案區(qū)域，其形成有監(jiān)控圖 案，所述監(jiān)控圖案用于算出在復(fù)制形成所述主圖案時(shí)的焦點(diǎn)變動(dòng)量，所述主 圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高度做成不同的值。本發(fā)明的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定方法，在將主圖案復(fù)制到被復(fù)制體上時(shí)測(cè)定所述 主圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)，其特征在于，具有主圖案區(qū)域，其形成有所述主圖案， 監(jiān)控圖案區(qū)域，其形成有用于算出在復(fù)制所述主圖案時(shí)的焦點(diǎn)變動(dòng)量的監(jiān)控 圖案；而且，包括第一步驟，使用所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高 度做成不同的值的圖案復(fù)制掩模，將所述監(jiān)控圖案復(fù)制到被復(fù)制體上，第二 步驟，測(cè)定所述復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸，第三步驟，利用預(yù)先掌握的第一關(guān)系 和第二關(guān)系，根據(jù)所述第一步驟中的復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸測(cè)定值，算出所述 主圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)量并指定焦點(diǎn)變動(dòng)的正負(fù)方向，其中，所述第一關(guān)系表示 復(fù)制成所述主圖案的復(fù)制主圖案的尺寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系，所述第二關(guān)系表示所述復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系。本發(fā)明的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定裝置，在將主圖案復(fù)制到被復(fù)制體上時(shí)測(cè)定所述 主圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)，其特征在于，具有主圖案區(qū)域，其形成有所述主圖案， 監(jiān)控圖案區(qū)域，其形成有用于算出在復(fù)制所述主圖案時(shí)的焦點(diǎn)變動(dòng)量的監(jiān)控 圖案；而且，包括尺寸測(cè)定裝置，使用所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案 的高度做成不同的值的圖案復(fù)制掩模，測(cè)定通過(guò)復(fù)制成所述監(jiān)控圖案的復(fù)制 監(jiān)控圖案的尺寸；焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定裝置，利用預(yù)先掌握的第一關(guān)系和第二關(guān)系， 根據(jù)所述復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸測(cè)定值，算出所述主圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)量并指定 焦點(diǎn)變動(dòng)的正負(fù)方向，其中，所述第一關(guān)系表示復(fù)制成所述主圖案的復(fù)制主 圖案的尺寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系，所述第二關(guān)系表示所述復(fù)制監(jiān) 控圖案的尺寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，具有主圖案區(qū)域，其 形成有所述主圖案，所述主圖案復(fù)制形成在被復(fù)制體上，監(jiān)控圖案區(qū)域，其 形成有監(jiān)控圖案，所述監(jiān)控圖案用于算出在復(fù)制形成所述主圖案時(shí)的焦距誤 差量；而且，包括第一步驟，使用所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高 度做成不同的值的圖案復(fù)制掩模，將所述監(jiān)控圖案復(fù)制到被復(fù)制體上，第二 步驟，測(cè)定所述復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸；第三步驟，利用預(yù)先掌握的第一關(guān)系 和第二關(guān)系，根據(jù)所述第一步驟中復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸測(cè)定值，算出所述主 圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)量并指定焦點(diǎn)變動(dòng)的正負(fù)方向，其中，所述第一關(guān)系表示復(fù) 制成所述主圖案的復(fù)制主圖案的尺寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系，所述 第二關(guān)系表示復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系，第四步 驟，判斷所算出的所述焦點(diǎn)變動(dòng)量是否在于規(guī)格內(nèi)，當(dāng)判斷為所述焦點(diǎn)變動(dòng) 量在規(guī)格內(nèi)時(shí)移向下一個(gè)步驟，而當(dāng)判斷為規(guī)格外時(shí)，在去除所述多個(gè)復(fù)制 圖案之后，使所述用第三步驟測(cè)定的所述焦點(diǎn)變動(dòng)量以及所述焦點(diǎn)變動(dòng)的正 負(fù)方向反應(yīng)在所述第一步驟中，并再次實(shí)行所述第一步驟至所述第四步驟。


圖1A是示出CD-焦距曲線的一例的特性圖。圖1B是示出本發(fā)明中CD-焦距曲線的一例的特性圖。圖2A是示出孤立圖案的焦距偏移值和CD值之間關(guān)系的特性圖。圖2B是示出遮光膜的厚度和CD焦距曲線的極值(在此為極大值)之間 關(guān)系的特性圖。圖3A是示出標(biāo)線的主要結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。圖3B是示出標(biāo)線的主要結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。圖3C是示出復(fù)制監(jiān)控圖案的情形的概略俯視圖。圖4A是按工序順序示出本實(shí)施方式中標(biāo)線的制造方法的概略剖面圖。圖4B是繼圖4A，按工序順序示出本實(shí)施方式中標(biāo)線的制造方法的概略 剖面圖。圖4C是繼圖4B，按工序順序示出本實(shí)施方式中標(biāo)線的制造方法的概略 剖面圖。圖5是示出本實(shí)施方式中CD-焦距曲線的一例的特性圖。 圖6是示出本實(shí)施方式中焦距誤差測(cè)定裝置的概略結(jié)構(gòu)的方框圖。 圖7是按步驟順序示出采用焦距誤差測(cè)定裝置的焦距誤差測(cè)定方法的方 框圖。圖8是示出本實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。 圖9是示出本實(shí)施方式的第一變形例中標(biāo)線的主要結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。 圖10A是按工序順序示出第一變形例中標(biāo)線的制造方法的概略剖面圖。 圖IOB是繼圖IOA，按工序順序示出第一變形例中標(biāo)線的制造方法的概 略剖面圖。圖IOC是繼圖IOB，按工序順序示出第一變形例中標(biāo)線的制造方法的概 略剖面圖。圖11是示出本實(shí)施方式的第二變形例中標(biāo)線的主要結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。 圖12A是按工序順序示出第二變形例中標(biāo)線的制造方法的概略剖面圖。 圖12B是繼圖12A,按工序順序示出第二變形例中標(biāo)線的制造方法的概 略剖面圖。圖12C是繼圖12B，按工序順序示出第二變形例中標(biāo)線的制造方法的概 略剖面圖。圖13是示出本實(shí)施方式的第三變形例中標(biāo)線的主要結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。 圖14A是按工序順序示出第三變形例中標(biāo)線的制造方法的概略剖面圖。 圖14B是繼圖14A，按工序順序示出第三變形例中標(biāo)線的制造方法的概略剖面圖。圖14C是繼圖14B，按工序順序示出第三變形例中標(biāo)線的制造方法的概 略剖面圖。圖14D是繼圖14C，按工序順序示出第三變形例中標(biāo)線的制造方法的概 略剖面圖。圖14E是繼圖14D，按工序順序示出第三變形例中標(biāo)線的制造方法的概 略剖面圖。圖15是示出個(gè)人用戶終端裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的基本要點(diǎn)通常，焦距偏移(offset)值和復(fù)制圖案的尺寸測(cè)定值之間的關(guān)系，可描 畫(huà)成以偶數(shù)次函數(shù)可近似的所謂CD-焦距曲線。在圖1A中示出了 CD-焦距 曲線的一例。在該情況下，焦距偏移值的極值成為最佳焦距值，即成為焦距 中心。在此，由于以一對(duì)復(fù)制圖案之間的距離作為復(fù)制圖案的尺寸測(cè)定值， 所以焦距偏移值成為極小值。如此，CD-焦距曲線在二次函數(shù)中近似，所以， 如果產(chǎn)生焦距誤差，則很難判定偏離該極值的方向是正側(cè)還是負(fù)側(cè)。另外， 由于在焦距中心附近，尺寸測(cè)定值相對(duì)焦距變動(dòng)量的變動(dòng)量極小，所以即使 尺寸測(cè)定值發(fā)生變化，也不能精確地計(jì)測(cè)焦距誤差。鑒于上述事實(shí)，例如如圖1B所示，在CD-焦距曲線中，特意使焦距值 為最佳值的焦距中心從極值偏移，然后利用該偏移的焦距中心監(jiān)視偏移量， 這樣能夠指定焦距的正負(fù)方向。另外，在該情況下，焦距中心從極值的偏移 量越大，對(duì)于焦距變動(dòng)量的尺寸測(cè)定值的變動(dòng)量更大，從而能夠精確地計(jì)測(cè) 焦距誤差。如上所述，若要使焦距中心從極值偏移，則以使監(jiān)控圖案在被復(fù)制體上 的成像位置和主圖案的成像位置不同的方式形成圖案復(fù)制掩模(光掩模等 例如標(biāo)線)即可。在本發(fā)明中，提出了監(jiān)控圖案區(qū)域中的監(jiān)控圖案的高度與 主圖案區(qū)域中的主圖案的高度不同的圖案復(fù)制掩模。在此，利用形成有高度不同的圖案的圖案復(fù)制掩模來(lái)形成復(fù)制圖案，并 調(diào)査了該復(fù)制圖案的焦距偏移值和寬度尺寸的測(cè)定值(CD值)之間的關(guān)系。在晶片上的抗蝕劑上復(fù)制所謂的孤立圖案而作為圖案復(fù)制掩模的圖案，并對(duì)該復(fù)制圖案的線寬進(jìn)行了測(cè)定。在圖2A中示出測(cè)定結(jié)果。圖2A中，示出了 改變復(fù)制圖案的高度(在此是作為遮光膜的Cr膜的厚度)而對(duì)于焦距偏移值 和CD值之間的關(guān)系進(jìn)行了各種測(cè)定的結(jié)果。在此，光膜的厚度采用了100nm、 70nm、 50nm的三種。如該圖可知，遮光膜越薄，則焦距中心越向右側(cè)偏移。 接著，基于圖2A的測(cè)定結(jié)果，調(diào)查了遮光膜的厚度和CD焦距曲線的極 值(在此為極大值)之間的關(guān)系。在圖2B中示出其結(jié)果。如該圖可知，若 遮光膜變厚，則最佳焦距位置向負(fù)一側(cè)偏移。即，若使遮光膜的厚度在主圖 案和監(jiān)控圖案中例如相差50nm左右，則最佳焦距位置產(chǎn)生30nm的差。可知， 相應(yīng)于該差，焦距誤差量的計(jì)測(cè)變得容易，同時(shí)，對(duì)于焦距誤差的正負(fù)方向 的指定變得容易。進(jìn)而，在本發(fā)明中，與所指定的焦距誤差的正負(fù)方向一起算出的焦距誤 差量反饋到接下來(lái)的所述各被復(fù)制體或者由多個(gè)所述被復(fù)制體構(gòu)成的批量 (Lot),進(jìn)而將其前饋到與圖案成形工序連續(xù)的下一個(gè)工序中。由此，能夠 實(shí)現(xiàn)正確的圖案成形，并能夠?qū)τ谙乱粋€(gè)工序以后的各工序進(jìn)行最優(yōu)化。 本發(fā)明的具體實(shí)施方式
以下，針對(duì)適用了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，參照附圖進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。 [標(biāo)線的結(jié)構(gòu)]將本實(shí)施方式的圖案復(fù)制掩模、在此是標(biāo)線的概略結(jié)構(gòu)示出在圖3A 3C 中。在此，圖3A是示出標(biāo)線的主要結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。圖3B是示出標(biāo)線的 主要結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。圖3C是示出復(fù)制有監(jiān)控圖案的情形的概略俯視圖。如圖3A所示，本實(shí)施方式的標(biāo)線由主圖案區(qū)域1和監(jiān)控圖案區(qū)域2構(gòu) 成，其中，該主圖案區(qū)域1形成有預(yù)期的主圖案；該監(jiān)控圖案區(qū)域2形成有 用于算出復(fù)制形成主圖案時(shí)的焦距誤差量的監(jiān)控圖案。例如如圖3B所示，主圖案11以及監(jiān)控圖案12是對(duì)形成在石英基板3 上的遮光膜4進(jìn)行圖案成形而形成的。在此，主圖案11的高度和監(jiān)控圖案 12的高度做成不同的值。具體來(lái)講，在主圖案11和監(jiān)控圖案12中，遮光膜 4的厚度不同，與主圖案11相比，監(jiān)控圖案12形成得更厚。例如，主圖案 11的厚度形成為50nm左右，而監(jiān)控圖案12形成為100nm，從而兩者的厚度 差設(shè)定為50nm左右。將監(jiān)控圖案12復(fù)制在晶片的抗蝕劑上的情形示出在圖3C中。 這樣，復(fù)制形成一對(duì)復(fù)制監(jiān)控圖案組13、 14。復(fù)制監(jiān)控圖案組13、 14 是分別并排線狀圖案15而成的。在此，以復(fù)制監(jiān)控圖案組13、 14之間的分 離距離d作為復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸來(lái)測(cè)定，并將其作為尺寸測(cè)定值(CD值)。 [標(biāo)線的制造方法]針對(duì)所述標(biāo)線的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。圖4A 4C是按工序順序示 出本實(shí)施方式中標(biāo)線的制造方法的概略剖面圖。首先，如圖4A所示，例如準(zhǔn)備石英基板3，通過(guò)濺射法等在該石英基板 3的表面堆積形成例如膜厚為50nm左右的例如鉻(Cr)膜4a。接著，如圖4B所示，分別對(duì)鉻膜4a的主圖案區(qū)域l以及監(jiān)控圖案區(qū)域 2進(jìn)行圖案成形。此時(shí)，在主圖案區(qū)域l完成主圖案ll。接著，如圖4C所示，例如通過(guò)FIB (聚焦離子束)法在監(jiān)控圖案區(qū)域2 的圖案成形部位堆積例如膜厚為50nm左右的類(lèi)似于Cr的物質(zhì)，例如碳C4b。 此時(shí)，在監(jiān)控圖案區(qū)域2，在鉻膜4a的圖案上堆積碳4b，由此完成監(jiān)控圖案 12。在本實(shí)施方式中，由鉻膜4a以及碳4b形成遮光膜4。[采用標(biāo)線的焦距誤差的測(cè)定原理]針對(duì)采用所述標(biāo)線的焦距誤差的測(cè)定原理進(jìn)行說(shuō)明。在該標(biāo)線中，由于主圖案ll的厚度和監(jiān)控圖案12的厚度不同，所以?xún)?者在晶片上的抗蝕劑面上的成像位置不同。在此，與主圖案ll相比，監(jiān)控圖案12形成得更厚，所以，如圖5所示， 相對(duì)于主圖案11的CD-焦距曲線Fl，監(jiān)控圖案12的CD-焦距曲線F2向右 方偏移。在本實(shí)施方式中，利用所述特性，事先作成CD-焦距曲線F1、 F2，并將 與CD-焦距曲線F2的焦距中心C2相對(duì)應(yīng)的CD-焦距曲線Fl的值，看作CD-焦距曲線F1的焦距中心C1。然后，如果利用該焦距中心C1，將CD-焦距曲 線F2中的CD值換算成CD-焦距曲線Fl中的CD值來(lái)監(jiān)視焦距誤差量，則 在焦距誤差量之外，還能夠指定焦距的正負(fù)方向。即，如果尺寸測(cè)定值比焦 距中心C1的CD值更大則成為正方向，若小則成為負(fù)方向。而且，在該情況 下，由于焦距中心C1從CD-焦距曲線F1的極小值開(kāi)始偏移，所以與極小值 附近相比，焦距相對(duì)尺寸測(cè)定值變化的變化量更大，從而提高對(duì)于焦距誤差量的靈敏度。[焦距誤差測(cè)定裝置的結(jié)構(gòu)]圖6是示出本實(shí)施方式中焦距誤差測(cè)定裝置的概略結(jié)構(gòu)的方框圖。在該 焦距誤差測(cè)定裝置中，例如，采用如圖2形成的標(biāo)線來(lái)測(cè)定焦距誤差。焦距誤差測(cè)定裝置是具有尺寸測(cè)定裝置21和焦距誤差測(cè)定裝置22而構(gòu) 成的。尺寸測(cè)定裝置21是用于測(cè)定例如復(fù)制監(jiān)控圖案12而構(gòu)成的復(fù)制監(jiān)控圖 案的尺寸的裝置，是能夠進(jìn)行高精度測(cè)定的電子顯微鏡或者原子力顯微鏡、 光學(xué)式寬度尺寸計(jì)測(cè)裝置等各種計(jì)測(cè)裝置。焦距誤差測(cè)定裝置22是具有焦距誤差量算出裝置22a和焦距方向指定裝 置而構(gòu)成的裝置，其中，該焦距誤差量算出裝置22a采用CD-焦距曲線Fl、 F2并根據(jù)復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸測(cè)定值，算出主圖案ll的焦距誤差量；該焦 距方向指定裝置同樣根據(jù)尺寸測(cè)定值指定主圖案11的焦距的正負(fù)方向。在 此，有關(guān)CD-焦距曲線F1、 F2的各數(shù)據(jù)，例如以數(shù)據(jù)庫(kù)的形式被保存。焦距 誤差測(cè)定裝置22采用該數(shù)據(jù)庫(kù)決定主圖案11的焦距誤差量以及焦距的正負(fù) 方向。[焦距誤差測(cè)定方法]圖7是按步驟順序示出采用所述焦距誤差測(cè)定裝置的焦距誤差測(cè)定方法 的方框圖。首先，采用預(yù)期的曝光裝置，例如對(duì)將圖2中標(biāo)線的監(jiān)控圖案12形成在 晶片上的抗蝕劑面進(jìn)行曝光(步驟S1)。接著，尺寸測(cè)定裝置21測(cè)定復(fù)制成監(jiān)控圖案12的復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸 (步驟S2)。在此，例如，以圖3C中示出的一對(duì)復(fù)制監(jiān)控圖案13、 14之間 的分離距離作為尺寸測(cè)定值。接著，焦距誤差測(cè)定裝置22讀出涉及例如保存在數(shù)據(jù)庫(kù)中的CD-焦距曲 線F1、 F2的數(shù)據(jù)，而且根據(jù)復(fù)制監(jiān)控圖案13、 14的尺寸測(cè)定值算出主圖案 ll的焦距誤差量，同時(shí)指定主圖案ll的焦距誤差的正負(fù)方向(步驟S3)。[半導(dǎo)體器件的制造方法]在本實(shí)施方式中，如上所述，在光刻工序中獲得焦距誤差量、焦距誤差 的正負(fù)方向、曝光誤差量以及焦距傾斜誤差量(以下，為了記載上的方便，將這些總括稱(chēng)之為變動(dòng)量)的信息，并采用這些以高精度實(shí)行預(yù)期的圖案形 成。圖8是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。 首先，對(duì)由作為前面工序(光掩模制作工序、晶片制作工序等)的步驟 Sll接收的批量進(jìn)行曝光(步驟S12)。接著，算出所述變動(dòng)量(步驟S13)。在此，通過(guò)圖6中的步驟S1 S3 算出焦距誤差量以及焦距誤差的正負(fù)方向。另外，能夠采用圖3C中示出的 一對(duì)復(fù)制監(jiān)控圖案13、 14和這些的轉(zhuǎn)印圖案(即，在相當(dāng)于復(fù)制監(jiān)控圖案 13、 14的部位以溝槽狀形成的圖案)而算出曝光誤差量。另外，關(guān)于焦距傾 斜誤差量，如果判斷照射區(qū)域內(nèi)的四角的焦距誤差，能夠算出該照射區(qū)域的 焦距傾斜成分。其結(jié)果，當(dāng)判斷為變動(dòng)量在規(guī)格內(nèi)時(shí)移向下一個(gè)工序(包括切割的組裝 工序等)(步驟S14)，而當(dāng)判斷為變動(dòng)量在規(guī)格外時(shí)，剝離抗蝕劑實(shí)行再 次曝光處理(步驟S15)。在該再處理時(shí)，將成為規(guī)格外的變動(dòng)量反饋后進(jìn) 行調(diào)節(jié)，并進(jìn)行曝光處理。通過(guò)該反饋能夠形成極高精度的圖案。若其結(jié)果 沒(méi)有問(wèn)題，則移向下一個(gè)工序。若按照這樣的順序進(jìn)行，預(yù)計(jì)能大提高產(chǎn)品 的成品率。如以上所說(shuō)明的，根據(jù)本實(shí)施方式能夠簡(jiǎn)單且精確地計(jì)測(cè)焦距誤差量以 及焦距的正負(fù)方向。另外，通過(guò)使該焦距誤差結(jié)果反映到下一個(gè)批量或者下 一個(gè)工序中，能夠精確地形成微細(xì)圖案。變形例以下，針對(duì)本實(shí)施方式的各變形例進(jìn)行說(shuō)明。在這些變形例中，在標(biāo)線結(jié)構(gòu)不同這一點(diǎn)上，與本實(shí)施方式不同。另外， 對(duì)于與本實(shí)施方式相同的構(gòu)成構(gòu)件等，賦予相同的附圖標(biāo)記并省略詳細(xì)說(shuō)明。(第一變形例) [標(biāo)線的結(jié)構(gòu)]圖9是示出本實(shí)施方式的第一變形例中標(biāo)線的主要結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。 在本例的標(biāo)線中，主圖案11以及監(jiān)控圖案31是對(duì)形成在石英基板3上 的遮光膜4進(jìn)行圖案成形而形成的。在此，主圖案11的高度和監(jiān)控圖案31的高度做成不同的值。具體來(lái)講，在主圖案11和監(jiān)控圖案31中，遮光膜4 的厚度不同，與主圖案ll相比，監(jiān)控圖案31形成得更薄。例如，主圖案ll 的厚度形成為100nm左右，而監(jiān)控圖案31形成為50nm，從而兩者的厚度差 設(shè)定為50nm左右。 [標(biāo)線的制造方法]針對(duì)所述標(biāo)線的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。圖10A 10C是按工序順序 示出第一變形例的標(biāo)線的制造方法的概略剖面圖。首先，如圖10A所示，例如準(zhǔn)備石英基板3，通過(guò)濺射法等在該石英基 板3的表面堆積形成例如膜厚為100nm左右的例如由絡(luò)(Cr)膜形成的遮光 膜4。接著，如圖10B所示，分別對(duì)遮光膜4的主圖案區(qū)域1以及監(jiān)控圖案區(qū) 域2進(jìn)行圖案成形。此時(shí)，在主圖案區(qū)域l完成主圖案ll。接著，如圖IOC所示，在監(jiān)控圖案區(qū)域2的圖案成形部位，例如通過(guò)FIB (聚焦離子束)法將遮光膜4削去50nm左右。此時(shí)，在監(jiān)控圖案區(qū)域2完 成遮光膜被加工過(guò)的、高度變成50nm左右的監(jiān)控圖案12。根據(jù)第一變形例，能夠簡(jiǎn)單且精確地計(jì)測(cè)焦距誤差量以及焦距的正負(fù)方 向。另外，通過(guò)將該焦距誤差結(jié)果反映到下一個(gè)批量或者下一個(gè)工序中，能 夠精確地形成微細(xì)圖案。(第二變形例) [標(biāo)線的結(jié)構(gòu)]圖11是示出本實(shí)施方式的第二變形例的標(biāo)線的主要結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。 在本例的標(biāo)線中，主圖案11以及監(jiān)控圖案41是對(duì)石英基板3以及形成 在石英基板3上的遮光膜4進(jìn)行圖案成形而形成的。在此，主圖案ll的高度 和監(jiān)控圖案41的高度做成不同的值。具體來(lái)講，在主圖案11和監(jiān)控圖案41 中，遮光膜4的厚度雖然相同，但在監(jiān)控圖案41中，將石英基板3與遮光膜 4一起加工，因此，與主圖案ll相比，監(jiān)控圖案41形成得更高(深)。例 如，主圖案11的厚度形成為50nm左右，而監(jiān)控圖案41形成為100nm，從 而兩者的高度(深度)差設(shè)定為50nm左右。 [標(biāo)線的制造方法]針對(duì)所述標(biāo)線的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。圖12A 12C是按工序順序 示出第二變形例的標(biāo)線的制造方法的概略剖面圖。首先，如圖12A所示，例如準(zhǔn)備石英基板3，通過(guò)濺射法等在該石英基 板3的表面堆積形成例如膜厚為50nm左右的例如鉻(Cr)膜作為遮光膜4。接著，如圖12B所示，分別對(duì)遮光膜4的主圖案區(qū)域1以及監(jiān)控圖案區(qū) 域2進(jìn)行圖案成形。此時(shí)，在主圖案區(qū)域l中完成主圖案ll。接著，如圖12C所示，例如通過(guò)FIB (聚焦離子束)法削去監(jiān)控圖案區(qū) 域2的圖案成形部位的石英基板3。此時(shí)，與遮光膜4的圖案相匹配而在石 英基板3形成溝槽42，由此完成監(jiān)控圖案41。在此，也可替代實(shí)行FIB法， 采用氟酸類(lèi)的蝕刻液并以遮光膜4作為掩模，對(duì)石英基板3進(jìn)行濕蝕刻來(lái)形 成溝槽42。另外，也可采用鹵素類(lèi)的蝕刻氣體并以遮光膜4作為掩模，對(duì)石 英基板3進(jìn)行干蝕刻來(lái)形成溝槽42。根據(jù)第二變形例，能夠簡(jiǎn)單且精確地計(jì)測(cè)焦距誤差量以及焦距的正負(fù)方 向。另外，通過(guò)使該焦距誤差結(jié)果反映到下一個(gè)批量或者下一個(gè)工序中，能 夠精確地形成微細(xì)圖案。(第三變形例) [標(biāo)線的結(jié)構(gòu)]圖13是示出本實(shí)施方式的第三變形例的標(biāo)線在此為半色調(diào)型的相位偏 移掩模的主要結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。在本例的半色調(diào)掩模中，主圖案51以及監(jiān)控圖案52是對(duì)形成在石英基 板3上的半色調(diào)(halftone)膜53以及鉻(Cr)膜54進(jìn)行圖案成形而形成的。 在此，主圖案51的高度和監(jiān)控圖案52的高度做成不同的值。具體來(lái)講，在 主圖案51和監(jiān)控圖案52中，厚度相差為相當(dāng)于鉻膜54的厚度，與主圖案 51相比，監(jiān)控圖案52形成得更厚。例如，主圖案51的厚度形成為50nm左 右，而監(jiān)控圖案52形成為100nm，從而兩者的厚度差設(shè)定為50nm左右。[標(biāo)線的制造方法]針對(duì)所述標(biāo)線的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。圖14A 14E是按工序順序 示出第三變形例中標(biāo)線的制造方法的概略剖面圖。首先，如圖14A所示，例如準(zhǔn)備石英基板3，通過(guò)濺射法等在該石英基板3的表面堆積例如膜厚為50nm左右的例如鉬硅化物(MoSi)，由此形成 半色調(diào)膜53。接著，通過(guò)濺射法等在半色調(diào)膜53上堆積形成例如膜厚為50nm 左右的鉻膜54。接著，如圖14B所示，采用一次曝光數(shù)據(jù)，分別對(duì)絡(luò)膜54的主圖案區(qū) 域1以及監(jiān)控圖案區(qū)域2進(jìn)行圖案成形。接著，如圖14C所示，以已圖案成形的鉻膜54作為掩模對(duì)半色調(diào)膜53 進(jìn)行干蝕刻。接著，如圖14D所示，在半色調(diào)膜53上涂敷抗蝕劑。采用二次曝光數(shù) 據(jù)通過(guò)光刻法對(duì)該抗蝕劑進(jìn)行加工，形成必需使鉻膜54殘留在半色調(diào)膜53 上的部位(未圖示)，并以覆蓋監(jiān)控圖案區(qū)域2的方式形成抗蝕劑圖案55。 在此， 一般來(lái)講，在形成半色調(diào)型相位偏移掩模時(shí)，大體上存在必定使鉻膜 殘留在半色調(diào)膜上的部位。在此，通常采用二次曝光數(shù)據(jù)形成僅覆蓋該需要 部位的抗蝕劑圖案。在本實(shí)施方式中，在形成抗蝕劑圖案時(shí)，對(duì)二次曝光數(shù) 據(jù)進(jìn)行變更即可，使得在該需要部位之外，以覆蓋監(jiān)控圖案區(qū)域2的方式加 工抗蝕劑。接著，如圖14E所示，以抗蝕劑圖案55作為掩模去除主圖案區(qū)域1以及 不需要使鉻膜54殘留的部位(未圖示)上的鉻膜54。然后，通過(guò)灰化處理 等去除抗蝕劑圖案55。此時(shí)，在主圖案區(qū)域1完成由半色調(diào)膜53形成的主 圖案51，而在監(jiān)控圖案區(qū)域2完成由半色調(diào)膜53以及鉻膜54形成的監(jiān)控圖 案52。根據(jù)第三變形例，能夠簡(jiǎn)單且精確地計(jì)測(cè)焦距誤差量以及焦距的正負(fù)方 向。另外，通過(guò)使該焦距誤差結(jié)果反映到下一個(gè)批量或者下一個(gè)工序中，能 夠精確地形成微細(xì)的圖案。進(jìn)而，當(dāng)使鉻膜54殘留在監(jiān)控圖案區(qū)域2中時(shí)，可以?xún)H變更二次曝光數(shù) 據(jù)，而且在不增加工序數(shù)量的情況下，能夠容易地形成監(jiān)控圖案52。(適用本發(fā)明的其他實(shí)施方式) 構(gòu)成所述實(shí)施方式以及其各變形例中的焦距誤差測(cè)定裝置的各種裝置 (除了尺寸測(cè)定裝置之外)、以及焦距誤差測(cè)定方法、半導(dǎo)體器件的制造方 法的各步驟(圖7中步驟S1 S3、圖8中步驟S11 S15等)，能夠通過(guò)記憶在計(jì)算機(jī)的RAM或者ROM等中的程序的動(dòng)作來(lái)實(shí)現(xiàn)。該程序以及記錄該 程序的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)包括在本發(fā)明中。具體來(lái)講，所述程序記錄在例如CD—ROM這樣的記錄介質(zhì)中，或者經(jīng) 由各種傳送介質(zhì)提供給用戶。作為記錄所述程序的記錄介質(zhì)，除了采用CD 一ROM外，可以采用軟盤(pán)、硬盤(pán)、磁帶、光磁盤(pán)、非易失性存儲(chǔ)卡等。另一 方面，作為所述程序的傳送介質(zhì)可以采用用于將程序信息作為載波傳送供給 的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)(LAN、互聯(lián)網(wǎng)等WAN、無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)等)系統(tǒng)中的通信介 質(zhì)(光纖等有線電路或者無(wú)線電路等)。另外，不僅在通過(guò)實(shí)行由計(jì)算機(jī)供給的程序來(lái)實(shí)現(xiàn)所述實(shí)施方式的功能 的情況下，所述程序包括在本發(fā)明中，而且在該程序和計(jì)算機(jī)中運(yùn)轉(zhuǎn)的OS (操作系統(tǒng))或其他應(yīng)用軟件等共同實(shí)現(xiàn)所述實(shí)施方式的功能的情況下，或 者在供給的程序處理的全部或一部分通過(guò)計(jì)算機(jī)功能擴(kuò)大板或功能擴(kuò)大單元 來(lái)進(jìn)行，由此實(shí)現(xiàn)所述實(shí)施方式的功能的情況下，所述程序也包括在本發(fā)明 中。例如，圖15是示出個(gè)人用戶終端裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖。在該圖15 中，1200是計(jì)算機(jī)PC。 PC1200具有CPU1201，其運(yùn)行記憶在ROM1202或 硬盤(pán)(HD) 1211中或者由軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(FD) 1212供給的裝置控制軟件，并 總括控制連接于總線1204的各裝置。通過(guò)記憶在PC1200的CPU1201、 ROM1202或者硬盤(pán)(HD) 1211中的 程序，實(shí)現(xiàn)實(shí)施方式的圖7中步驟S1 S3的順序以及圖8中S11 S15的順 序等。1203是RAM、作為CPU1201的主存儲(chǔ)器、工作區(qū)等發(fā)揮作用。1205是 鍵盤(pán)控制器(KBC)，其控制來(lái)自鍵盤(pán)(KB) 1209或未圖示的裝置等的輸 入指示。1206是CRT控制器(CRTC)，其用于控制CRT顯示器(CRT) 1210 的顯示。1207是盤(pán)控制器(DKC)，其用于控制向硬盤(pán)(HD) 1211以及軟 盤(pán)(FD) 1212的訪問(wèn)，該硬盤(pán)(HD) 1211以及軟盤(pán)(FD) 1212用于存儲(chǔ) 引導(dǎo)程序(啟動(dòng)程序用于開(kāi)始計(jì)算機(jī)的硬件或軟件的執(zhí)行(動(dòng)作)的程序)、 多個(gè)應(yīng)用、編輯文件、用戶文件及網(wǎng)絡(luò)管理程序等。1208是網(wǎng)絡(luò)接口卡(NIC)，其經(jīng)由LAN1220與網(wǎng)絡(luò)打印機(jī)、其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或著其他PC進(jìn)行雙向的數(shù)據(jù)交換。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明，能夠簡(jiǎn)單且精確地計(jì)測(cè)焦距誤差量以及焦距的正負(fù)方向。 另外，通過(guò)使該焦距誤差結(jié)果反映到下一個(gè)批量或者下一個(gè)工序中，能夠精 確地形成微細(xì)圖案。
權(quán)利要求
1.一種圖案復(fù)制掩模，其特征在于，具有主圖案區(qū)域，其形成有主圖案，所述主圖案復(fù)制形成在被復(fù)制體上，監(jiān)控圖案區(qū)域，其形成有監(jiān)控圖案，所述監(jiān)控圖案用于算出在復(fù)制形成所述主圖案時(shí)的焦點(diǎn)變動(dòng)量；所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高度做成不同的值。
2. 如權(quán)利要求l所述的圖案復(fù)制掩模，其特征在于， 所述主圖案以及所述監(jiān)控圖案是對(duì)形成在基板上的被加工膜進(jìn)行加工的圖案，所述主圖案的厚度和所述監(jiān)控圖案的厚度做成不同的值。
3. 如權(quán)利要求l所述的圖案復(fù)制掩模，其特征在于， 所述主圖案以及所述監(jiān)控圖案是對(duì)基板以及形成在該基板上的被加工膜進(jìn)行加工的圖案，所述主圖案的深度和所述監(jiān)控圖案的深度做成不同的值。
4. 如權(quán)利要求1所述的圖案復(fù)制掩模，其特征在于， 所述主圖案以及所述監(jiān)控圖案是對(duì)形成在基板上的被加工膜進(jìn)行加工的圖案，在所述主圖案區(qū)域以及所述監(jiān)控圖案區(qū)域內(nèi)的其一中，遮光膜殘留在所 述被加工膜上，由此使所述主圖案的厚度和所述監(jiān)控圖案的厚度做成不同的 值。
5. 如權(quán)利要求l所述的圖案復(fù)制掩模，其特征在于， 所述主圖案的高度小于所述監(jiān)控圖案的高度。
6. 如權(quán)利要求l所述的圖案復(fù)制掩模，其特征在于， 所述主圖案的高度大于所述監(jiān)控圖案的高度。
7. —種焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定方法，在將主圖案復(fù)制到被復(fù)制體上時(shí)測(cè)定所述主 圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)，其特征在于，具有主圖案區(qū)域，其形成有所述主圖案，監(jiān)控圖案區(qū)域，其形成有用于算出在復(fù)制所述主圖案時(shí)的焦點(diǎn)變動(dòng)量的監(jiān)控圖案；而且，包括第一步驟，使用所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高度做成不同的值 的圖案復(fù)制掩模，將所述監(jiān)控圖案復(fù)制到被復(fù)制體上， 第二步驟，測(cè)定所述復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸，第三步驟，利用預(yù)先掌握的第一關(guān)系和第二關(guān)系，根據(jù)所述第一步驟中 的復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸測(cè)定值，算出所述主圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)量并指定焦點(diǎn)變 動(dòng)的正負(fù)方向，其中，所述第一關(guān)系表示復(fù)制成所述主圖案的復(fù)制主圖案的 尺寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系，所述第二關(guān)系表示所述復(fù)制監(jiān)控圖案 的尺寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系。
8. 如權(quán)利要求7所述的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定方法，其特征在于， 所述第一以及第二關(guān)系分別是描畫(huà)偶函數(shù)曲線的關(guān)系， 在所述第三步驟中，利用因所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高度不同而導(dǎo)致所述第二關(guān)系的極值從所述第一關(guān)系的極值作相對(duì)轉(zhuǎn)變，估計(jì)所述 焦點(diǎn)變動(dòng)量以及所述正負(fù)方向。
9. 如權(quán)利要求7所述的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定方法，其特征在于， 所述圖案復(fù)制掩模的所述主圖案以及所述監(jiān)控圖案是對(duì)形成在基板上的被加工膜進(jìn)行加工形成，所述主圖案的厚度和所述監(jiān)控圖案的厚度做成不同的值。
10. 如權(quán)利要求7所述的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定方法，其特征在于， 所述圖案復(fù)制掩模的所述主圖案以及所述監(jiān)控圖案是對(duì)基板以及形成在該基板上的被加工膜進(jìn)行加工形成，所述主圖案的深度和所述監(jiān)控圖案的深度做成不同的值。
11. 如權(quán)利要求7所述的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定方法，其特征在于，所述圖案復(fù)制掩模的所述主圖案以及所述監(jiān)控圖案是對(duì)形成在基板上的 被加工膜進(jìn)行加工形成，在所述主圖案區(qū)域以及所述監(jiān)控圖案區(qū)域內(nèi)的其一中，遮光膜殘留在所 述被加工膜上，由此使所述主圖案的厚度和所述監(jiān)控圖案的厚度成為不同的 值。
12. 如權(quán)利要求7所述的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定方法，其特征在于，所述圖案復(fù)制掩模的所述主圖案的高度小于所述監(jiān)控圖案的高度。
13. 如權(quán)利要求7所述的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定方法，其特征在于， 所述圖案復(fù)制掩模的所述主圖案的高度大于所述監(jiān)控圖案的高度。
14. 一種焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定裝置，在將主圖案復(fù)制到被復(fù)制體上時(shí)測(cè)定所述 主圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)，其特征在于，具有主圖案區(qū)域，其形成有所述主圖案，監(jiān)控圖案區(qū)域，其形成有用于算出在復(fù)制所述主圖案時(shí)的焦點(diǎn)變動(dòng)量的監(jiān)控圖案；而且，包括尺寸測(cè)定裝置，使用所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高度做成不同的值的圖案復(fù)制掩模，測(cè)定復(fù)制成所述監(jiān)控圖案的復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸；焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定裝置，利用預(yù)先掌握的第一關(guān)系和第二關(guān)系，根據(jù)所述復(fù) 制監(jiān)控圖案的尺寸測(cè)定值，算出所述主圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)量并指定焦點(diǎn)變動(dòng)的 正負(fù)方向，其中，所述第一關(guān)系表示復(fù)制成所述主圖案的復(fù)制主圖案的尺寸 測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系，所述第二關(guān)系表示所述復(fù)制監(jiān)控圖案的尺 寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系。
15. 如權(quán)利要求14所述的焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定裝置，其特征在于， 所述第一以及第二關(guān)系分別是描畫(huà)偶函數(shù)曲線的關(guān)系， 所述焦點(diǎn)變動(dòng)測(cè)定裝置，利用因所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高度不同而導(dǎo)致所述第二關(guān)系的極值從所述第一關(guān)系的極值作相對(duì)轉(zhuǎn)變，估計(jì) 所述焦點(diǎn)變動(dòng)量以及所述正負(fù)方向。
16. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 具有主圖案區(qū)域，其形成有主圖案，所述主圖案復(fù)制形成在被復(fù)制體上， 監(jiān)控圖案區(qū)域，其形成有監(jiān)控圖案，所述監(jiān)控圖案用于算出在復(fù)制形成 所述主圖案時(shí)的焦距誤差量； 而且，包括第一步驟，使用所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高度做成不同的值 的圖案復(fù)制掩模，將所述監(jiān)控圖案復(fù)制到被復(fù)制體上，第二步驟，測(cè)定所述復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸，第三步驟，利用預(yù)先掌握的第一關(guān)系和第二關(guān)系，根據(jù)所述第一步驟中 復(fù)制監(jiān)控圖案的尺寸測(cè)定值，算出所述主圖案的焦點(diǎn)變動(dòng)量并指定焦點(diǎn)變動(dòng) 的正負(fù)方向，其中，所述第一關(guān)系表示復(fù)制成所述主圖案的復(fù)制主圖案的尺 寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系，所述第二關(guān)系表示所述復(fù)制監(jiān)控圖案的 尺寸測(cè)定值和焦點(diǎn)變動(dòng)值之間的關(guān)系，第四步驟，判斷所算出的所述焦點(diǎn)變動(dòng)量是否在規(guī)格內(nèi)； 當(dāng)判斷為所述焦點(diǎn)變動(dòng)量在規(guī)格內(nèi)時(shí)移向下一個(gè)步驟，而當(dāng)判斷為規(guī)格 外時(shí)，在去除所述多個(gè)復(fù)制圖案之后，使所述用第三步驟測(cè)定的所述焦點(diǎn)變 動(dòng)量以及所述焦點(diǎn)變動(dòng)的正負(fù)方向反應(yīng)在所述第一步驟中，并再次實(shí)行所述 第一步驟至所述第四步驟。
17. 如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 所述第一以及第二關(guān)系是分別描畫(huà)偶函數(shù)曲線的關(guān)系， 在所述第三步驟中，利用因所述主圖案的高度和所述監(jiān)控圖案的高度不同而導(dǎo)致所述第二關(guān)系的極值從所述第一關(guān)系的極值作相對(duì)轉(zhuǎn)變，估計(jì)所述 焦點(diǎn)變動(dòng)量以及所述正負(fù)方向。
18. 如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在所述第三步驟中，算出所述焦點(diǎn)變動(dòng)量，并算出所述被復(fù)制體的曝光變動(dòng)量以及焦點(diǎn)傾斜變動(dòng)量。
全文摘要
本發(fā)明的標(biāo)線的主圖案(11)和監(jiān)控圖案(12)中的遮光膜(4)的厚度不同，與主圖案(11)相比，監(jiān)控圖案(12)形成得更厚。由此，在CD-焦距曲線中，焦距值成為最佳值的焦距中心從極值偏移，然后利用該偏移的焦距中心監(jiān)視偏移量，由此指定焦距的正負(fù)方向。其目的在于，通過(guò)該結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且精確地測(cè)定焦距誤差量以及焦距的正負(fù)方向，最終，通過(guò)反映出將所測(cè)定的焦距誤差信息反饋到下一個(gè)批量、前饋到下一個(gè)工序中，能夠穩(wěn)定地制造半導(dǎo)體器件。
文檔編號(hào)G03F1/44GK101258442SQ20058005150
公開(kāi)日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2005年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月6日
發(fā)明者山本智彥 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社