本發(fā)明大體上關(guān)于柵極線結(jié)構(gòu)制作用柵極掩模的形成方法，并且更特別的是，關(guān)于在先進技術(shù)節(jié)點于混合soi/主體技巧中形成用于制作柵極線結(jié)構(gòu)的柵極掩模。

背景技術(shù)：

在不斷努力符合摩爾定律所致限制條件的過程中，目前是將完全耗盡型上覆半導(dǎo)體絕緣體(fdsoi)視為以22nm及更先進技術(shù)節(jié)點制作半導(dǎo)體裝置方面下一代技術(shù)非常有前途的基礎(chǔ)。fdsoi除了兼具高效能及低功率消耗，對于電力管理設(shè)計技巧得到優(yōu)異的回應(yīng)，制作程序在fdsoi技巧中運用時，相比于諸如finfet等3維晶體管設(shè)計，不僅相當(dāng)單純，還實際為現(xiàn)有的平面型主體cmos技巧帶來低風(fēng)險演化。

大體上，soi技巧利用特殊種類的襯底(substrate)，按照現(xiàn)有的，是通過氧化物層(通常稱為“埋置型氧化物”或“box層”)上所形成的硅層(有時稱為有源層)來形成，其進而是在諸如硅的主體半導(dǎo)體襯底上形成。大體上，soi裝置有兩種類型：部分耗盡型soi(pdsoi)裝置及完全耗盡型soi(fdsoi)裝置。舉例而言，在n型pdsoimosfet中，p型膜合夾于柵極氧化物(gox)與box之間，其中p型膜的厚度實施成使得耗盡區(qū)無法包覆整個p區(qū)域。因此，就某種程度，pdsoi裝置的行為如主體mosfet。

在fdsoi襯底中，半導(dǎo)體或有源層的厚度實施成使得耗盡區(qū)包覆半導(dǎo)體或有源層的整個厚度。在本文中，fdsoi技巧中的box層支援比主體襯底更少的耗盡電荷，而完全耗盡型半導(dǎo)體層中出現(xiàn)反轉(zhuǎn)電荷增加現(xiàn)象，相比于pdsoi裝置或主體裝置，導(dǎo)致fdsoi裝置的切換速度更高。

在近來嘗試提供易于符合電力/效能目標(biāo)的方式方面，提議將反偏壓用于fdsoi裝置。采用反偏壓的概念時，對恰好在目標(biāo)半導(dǎo)體裝置的box層底下的主體襯底施加電壓。如此，可改變半導(dǎo)體裝置的靜電控制，并且可推移臨限電壓，用來以增加漏電流(順反偏壓，fbb)為代價而獲得更多驅(qū)動電流(效能從而更高)，或用來以降低效能為代價而切斷漏電流。平面型fdsoi技巧中的反偏壓盡管某種程度類似于如主體cmos技術(shù)中實施的本體偏壓，在可施加的偏壓位準(zhǔn)與效率方面，仍然提供若干重要優(yōu)點。舉例而言，可在區(qū)塊接區(qū)塊的基礎(chǔ)上，以動態(tài)方式來利用反偏壓。其在區(qū)塊需要最大尖峰效能時，用于提高定界時間周期內(nèi)的效能。其還可在有限效能不是問題時，用于切斷時間周期內(nèi)的漏電。

fdsoi技巧的設(shè)定中反偏壓的實作態(tài)樣涉及通過待接觸的所謂主體曝露(bulex)區(qū)域使主體襯底局部曝露。主體襯底相對于毗連soi襯底的半導(dǎo)體或主體層的上表面自然具有高度差異。因此，由于box層與毗連soi襯底的半導(dǎo)體或有源層造成高度差異，bulex區(qū)域與soi襯底的相鄰半導(dǎo)體或有源層之間存在階梯高度。舉例而言，先進技術(shù)中階梯高度的范圍可自約20nm至50nm，因階梯高度造成形貌不均勻，而使先進半導(dǎo)體裝置的前段(feol)處理面臨更大的挑戰(zhàn)。舉例而言，主體半導(dǎo)體襯底(位于bulex區(qū)域處)與相鄰soi襯底的半導(dǎo)體或主體層的上表面之間的階梯高度可能導(dǎo)致關(guān)鍵尺寸變異無法控制，fdsoi與主體襯底之間的偏移量大，并且尤其可能在微影程序中產(chǎn)生凹坑及裂隙而使膜殘余物難以移除，而這會在最終電路結(jié)構(gòu)中造成短路及漏電。

如以上所指，主體與soi區(qū)之間的高度差異代表運用soi襯底部分與主體部分(例如：形式為bulex區(qū)域)制作混合結(jié)構(gòu)的嚴(yán)重問題。按照現(xiàn)有的，此問題通過在fdsoi技巧里于bulex區(qū)域上重新生長硅材料(即主體硅材料)來因應(yīng)。因此，形成bulex區(qū)域之后，晶圓是在形成柵極結(jié)構(gòu)前，先通過重新生長半導(dǎo)體材料(例如：硅)來平坦化。然而，由于制程允差在重新生長的半導(dǎo)體材料與相鄰soi區(qū)之間造成高度位準(zhǔn)錯位，此類半導(dǎo)體材料的重新生長在介于bulex與soi區(qū)之間的邊界處引進錯位。使bulex區(qū)域與soi區(qū)之間邊界處的襯底材料凹陷，并且通過sti材料填充凹口，而在bulex與soi區(qū)之間形成淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)時，通常得以將這些錯位移除。然而，因為必須形成尺寸足以補償錯位的sti結(jié)構(gòu)，此方法在bulex與soi區(qū)之間需要很大的間隔。

鑒于以上相關(guān)技術(shù)的論述，希望在混合主體/soi技巧中提供一種程序流程，用以因應(yīng)由于柵極模組中高形貌所致的圖型化困難，及/或避免混合技巧中引起的問題，如以上所指。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

以下介紹本發(fā)明的簡化概要，以便對本發(fā)明的一些態(tài)樣有基本的了解。本概要并非本發(fā)明的詳盡概述。用意不在于指認(rèn)本發(fā)明的重要或關(guān)鍵要素，或敘述本發(fā)明的范疇。目的僅在于以簡化形式介紹一些概念，作為下文更詳細(xì)說明的引言。

在本發(fā)明的第一態(tài)樣中，提供一種以具有主體區(qū)及soi區(qū)的形貌在混合襯底結(jié)構(gòu)上方形成柵極結(jié)構(gòu)的方法。根據(jù)本文中的一些說明性具體實施例，該方法包括在該等soi及主體區(qū)上方形成柵極材料層，在該柵極材料層上方形成掩模層，在該掩模層上方形成第一平坦化層，在該第一平坦化層上方形成第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型，圖型化與該第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型對準(zhǔn)的該第一平坦化層，以及根據(jù)該經(jīng)圖型化第一平坦化層來圖型化該掩模層，產(chǎn)生布置于該柵極材料層上面的柵極掩模。在本文中，圖型化該第一平坦化層包括對該第一平坦化層施用第一蝕刻程序，其中該第一蝕刻程序移除該soi區(qū)上方的該第一平坦化層，以便曝露該soi區(qū)上方的該掩模層，并且在該主體區(qū)上方留下通過該主體區(qū)上方的剩余第一平坦化層材料所包覆的該掩模層，以及施用將該主體區(qū)上方該剩余第一平坦化層材料移除、并使該soi區(qū)上方該掩模層曝露的第二蝕刻程序。

在本發(fā)明的第二態(tài)樣中，提供一種以具有主體區(qū)及soi區(qū)的形貌在混合襯底結(jié)構(gòu)上方形成柵極結(jié)構(gòu)的方法。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，該方法包括在該等soi及主體區(qū)上方形成柵極材料層，在該柵極材料層上方形成掩模層，在該掩模層上方形成第一平坦化層，在該第一平坦化層上方形成第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型，圖型化與該第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型對準(zhǔn)的該第一平坦化層，以及根據(jù)該經(jīng)圖型化第一平坦化層來圖型化該掩模層，產(chǎn)生布置于該柵極材料層上面的柵極掩模，在該等soi及主體區(qū)上方所布置的該柵極掩模上方形成第二平坦化層，在該平坦化層上方形成第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型，該第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型是至少在該soi區(qū)上方形成，圖型化與該第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型對準(zhǔn)的該第二平坦化層，以及圖型化與該經(jīng)圖型化第二平坦化層對準(zhǔn)的該柵極掩模。

附圖說明

本發(fā)明可搭配附圖參照以下說明來了解，其中相似的參考元件符號表示相似的元件，并且其中：

圖1a至圖1i根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，在截面圖中示意性繪示柵極線結(jié)構(gòu)制作用柵極掩模的形成程序；

圖2根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，在俯視圖中示意性繪示混合soi/主體襯底；

圖3a至圖3d沿著圖2中a-a、b-b、c-c及d-d等各別線條，在截面圖示意性繪示如以上就圖1a至圖1i所示程序流程完成之后制作期間的早期階段；

圖4a-圖4d根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，在截面圖中示意性繪示更晚期階段的制作狀況；

圖5a-圖5d在截面圖中示意性繪示制作期間更晚期階段的制作狀況；

圖6a-圖6d在截面圖中示意性繪示制作期間更晚期階段的制作狀況；

圖7a-圖7d在截面圖中示意性繪示制作期間更晚期階段的制作狀況；

圖8a-圖8d在截面圖中示意性繪示制作期間更晚期階段的制作狀況；

圖9a-圖9d在截面圖中示意性繪示制作期間更晚期階段的制作狀況；以及

圖10a-圖10d在截面圖中示意性繪示制作期間更晚期階段的制作狀況。

盡管本文所揭示的專利標(biāo)的易受各種修改和替代形式所影響，其特定具體實施例仍已通過圖式中的實施例予以表示并且在本文中予以詳述。然而，應(yīng)了解的是，本文中特定具體實施例的說明用意不在于將本發(fā)明限制于所揭示的特定形式，相反地，如隨附權(quán)利要求書所界定，用意在于涵蓋落于本發(fā)明的精神及范疇內(nèi)的所有修改、均等例、及替代方案。

符號說明：

100asoi襯底部分

100b主體襯底部分

102a半導(dǎo)體襯底

102b半導(dǎo)體襯底

104a有源半導(dǎo)體層部分

106a埋置型絕緣材料部分

108溝槽隔離結(jié)構(gòu)

112柵極材料層

112a柵極電極材料

112b柵極介電材料

114絕緣材料

116掩模層

118掩模層

120平坦化層

122硬罩層

124barc層

126柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型

126a柵極掩模條

126b柵極掩模條

128barc蝕刻

130蝕刻程序

132蝕刻程序

134蝕刻程序

135側(cè)向蝕刻

136蝕刻程序

137破折線

138蝕刻程序

140程序

201半導(dǎo)體襯底

202有源區(qū)

203埋置型絕緣材料部分

204有源區(qū)

205有源半導(dǎo)體層部分

206有源區(qū)

208有源區(qū)

212溝槽隔離結(jié)構(gòu)

214溝槽隔離結(jié)構(gòu)

216柵極掩模

218切口

222柵極材料層

224絕緣材料

226平坦化層

226c平坦化層材料

226d平坦化層材料

228硬罩層

230barc層

232柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型

234掩模層

236掩模層

238蝕刻程序

240蝕刻程序

244蝕刻程序

246溝槽

248蝕刻程序

260蝕刻程序

262蝕刻程序

264蝕刻程序。

具體實施方式

下面說明本發(fā)明的各項說明性具體實施例。為了澄清，本說明書中并未說明實際實作態(tài)樣的所有特征。當(dāng)然，將會領(lǐng)會旳是，在開發(fā)任何此實際具體實施例時，必須做出許多實作態(tài)樣特定決策才能達到開發(fā)者的特定目的，例如符合系統(tǒng)有關(guān)及業(yè)務(wù)有關(guān)的限制條件，這些限制條件會隨實作態(tài)樣不同而變。此外，將了解的是，此一開發(fā)努力可能復(fù)雜且耗時，雖然如此，仍會是受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的例行工作。

本發(fā)明現(xiàn)將參照附圖來說明。各種結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)及裝置在圖式中只是為了闡釋而繪示，為的是不要因所屬領(lǐng)域技術(shù)人員眾所周知的細(xì)節(jié)而混淆本發(fā)明。雖然如此，仍將附圖包括進來以說明并闡釋本發(fā)明的說明性實施例。本文中使用的字組及詞組應(yīng)了解并詮釋為與所屬領(lǐng)域技術(shù)人員了解的字組及詞組具有一致的意義。與所屬領(lǐng)域技術(shù)人員了解的通?；驊T用意義不同的詞匯或詞組(即定義)的特殊定義，用意不在于通過本文詞匯或詞組的一致性用法提供暗示。就一詞匯或詞組用意在于具有特殊意義的方面來說，即有別于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員了解的意義，此一特殊定義應(yīng)會按照為此詞匯或詞組直接且不含糊地提供此特殊定義的定義方式，在本說明書中明確提出。

本文中使用的字組及詞組應(yīng)了解并詮釋為與所屬領(lǐng)域技術(shù)人員了解的字組及詞組具有一致的意義。與所屬領(lǐng)域技術(shù)人員了解的通常或慣用意義不同的詞匯或詞組(即定義)的特殊定義，用意不在于通過本文詞匯或詞組的一致性用法提供暗示。就一詞匯或詞組用意在于具有特殊意義的方面來說，即有別于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員了解的意義，此一特殊定義應(yīng)會按照為此詞匯或詞組直接且不含糊地提供此特殊定義的定義方式，在本說明書中明確提出。舉例而言，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本發(fā)明之后將了解的是，措辭「b上方的a」并不受限于理解a直接布置于b上，亦即，a與b實體接觸。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，本發(fā)明展示半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的制作，諸如整合于晶片上的多個mosfet或mos裝置。提及mos裝置時，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，雖然使用措辭“mos裝置”，用意仍非局限于含金屬柵極材料及/或含氧化物柵極介電材料。因此，可將半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)理解為包含p型與n型其中至少一者的至少兩個mos裝置。

本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置可涉及可通過使用先進技術(shù)所制作的裝置，亦即半導(dǎo)體裝置可通過應(yīng)用于小于100nm技術(shù)節(jié)點的技術(shù)來制作，例如，小于50nm或小于35nm的技術(shù)節(jié)點，例如：22nm或更小的技術(shù)節(jié)點。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本申請書之后將了解的是，根據(jù)本發(fā)明，可施用小于或等于45nm的基本規(guī)范，例如：22nm或更小的基本規(guī)范。本發(fā)明提出所具結(jié)構(gòu)最小長度尺寸及/或?qū)挾瘸叽缈尚∮?00nm的半導(dǎo)體裝置，例如，小于50nm或小于35nm或小于22nm。舉例而言，本發(fā)明可提供通過使用45nm技術(shù)來制作的半導(dǎo)體裝置，例如，22nm或甚至更小的技術(shù)。

所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本申請書之后將了解的是，可將本文中所揭示的半導(dǎo)體裝置制作為p通道m(xù)os晶體管或pmos晶體管及n通道晶體管或nmos晶體管；兩種晶體管類型都可利用或不用遷移率強化應(yīng)力源特征或應(yīng)變誘發(fā)特征來制作。注意到的是，電路設(shè)計人員可使用受應(yīng)力及未受應(yīng)力的pmos及nmos晶體管，混合并且配比裝置類型，以在其最佳適應(yīng)設(shè)計中半導(dǎo)體裝置時，利用各裝置類型的最佳特性。

再者，可將半導(dǎo)體裝置形成為主體裝置及/或soi(上覆半導(dǎo)體絕緣體)裝置。soi這個措辭用意不在于要受限于特殊技巧。大體上，soi裝置可具有布置于埋置型絕緣材料層上的有源半導(dǎo)體層，其進而形成于底座或主體襯底材料上。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，有源半導(dǎo)體層可包含硅、鍺、硅鍺及類似者其中一者。埋置型絕緣材料層可包含絕緣材料，例如：氧化硅或氮化硅。主體襯底材料可以是可如所屬技術(shù)領(lǐng)域已知當(dāng)作襯底使用的底座材料，例如：硅及類似者。

根據(jù)本文中所揭示運用fdsoi襯底的說明性具體實施例其中至少一些，有源半導(dǎo)體層可具有約20nm或更小的厚度，而埋置型絕緣材料層可具有約145nm的厚度，或根據(jù)先進技巧，埋置型絕緣材料層可具有范圍自約10nm至30nm的厚度。舉例而言，在本發(fā)明的一些特殊說明性具體實施例中，有源半導(dǎo)體層可具有約3nm至10nm的厚度。

至于底座襯底材料的結(jié)晶平面取向，類似于通常硅裝置的取向，可使用所具表面有晶面(100)的soi襯底。然而，為了改善pmos半導(dǎo)體裝置的效能，可將pmos半導(dǎo)體裝置的表面當(dāng)作晶面(110)使用。替代地，可使用混合平面取向襯底，其表面可通過晶面(100)與晶面(110)來混合。在替代具體實施例中，底座襯底材料在考量n累積及/或n反轉(zhuǎn)裝置時可為n型(否則，對于p累積及/或p反轉(zhuǎn)則為p型)。

所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本發(fā)明之后將了解的是，使用措辭“半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)”時，可至少有關(guān)包含襯底的第一有源區(qū)上方所形成第一柵極結(jié)構(gòu)的第一半導(dǎo)體裝置，以及包含該襯底的第二有源區(qū)上方所形成第二柵極結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體裝置。再者，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)可包含至少兩個毗連半導(dǎo)體裝置，或替代地，半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的至少兩個半導(dǎo)體裝置可通過至少一個隔離結(jié)構(gòu)來側(cè)向隔開，諸如襯底中所形成的淺溝槽隔離及類似者。

請參照圖1a至圖1i，下文將會更詳細(xì)地闡釋本發(fā)明的一些說明性具體實施例。

圖1a在截面圖中示意性繪示包含第一有源區(qū)a及第二有源區(qū)b的混合襯底組態(tài)。第一有源區(qū)a及第二有源區(qū)b可通過溝槽隔離結(jié)構(gòu)108來隔開，諸如淺溝槽隔離(sti)、深溝槽隔離及類似者。第一有源區(qū)a可通過soi襯底部分100a所形成，soi襯底部分100a包含半導(dǎo)體襯底102a，其上方可形成有源半導(dǎo)體層部分104a。半導(dǎo)體襯底102a與有源半導(dǎo)體層部分104a之間可插置埋置型絕緣材料部分106a。因此，可使有源半導(dǎo)體層部分104a的上表面usa曝露以進行進一步處理，半導(dǎo)體材料102a的上表面部分uss可通過埋置型絕緣材料部分106a來包覆。第二主體區(qū)b可通過主體襯底部分100b所形成，100b包含半導(dǎo)體襯底102b，可使其上表面usb曝露以進行進一步處理。

所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本發(fā)明之后將了解的是，第一主體區(qū)a可對應(yīng)于如以上參照本發(fā)明的第一與第二態(tài)樣所稱的「soi區(qū)」，而第二有源區(qū)b可對應(yīng)于如以上關(guān)于本發(fā)明的第一與第二態(tài)樣所指的“主體區(qū)”。在本文中，混合襯底可包含至少一個soi區(qū)及/或至少一個主體區(qū)，此等soi區(qū)其中至少一者通過至少一個進一步soi及/或主體區(qū)與至少一個主體區(qū)隔開。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，有源半導(dǎo)體層部分104a可包含半導(dǎo)體材料，諸如硅、鍺、硅鍺及類似者。埋置型絕緣材料部分106a可以是埋置型氧化物材料(例如：box)、埋置型氮化物及類似者。襯底材料102a可通過已知的主體襯底所形成，諸如硅主體襯底、針主體襯底、硅鍺主體襯底及類似者。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，半導(dǎo)體襯底102b可通過已知的主體襯底來提供，諸如硅主體襯底、鍺主體襯底、硅鍺主體襯底及類似者。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，半導(dǎo)體襯底102a及半導(dǎo)體襯底102b可通過相同的主體襯底材料來提供，亦即，半導(dǎo)體襯底102a及半導(dǎo)體襯底102b可代表共主體襯底的上表面部分，該等上表面部分通過溝槽隔離結(jié)構(gòu)108來隔開。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，溝槽隔離結(jié)構(gòu)108可根據(jù)已知的sti形成技巧來形成，并且可包含絕緣材料，諸如氧化物材料、氮化物材料及類似者。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，混合襯底組態(tài)如圖1a所示，在制備方法上，可通過提供soi襯底(圖未示)，在soi襯底中形成至少一個溝槽隔離結(jié)構(gòu)，例如：至少溝槽隔離結(jié)構(gòu)108，如圖1a所示，以及將有源半導(dǎo)體層及埋置型絕緣材料層部分移除而使半導(dǎo)體襯底102a的上表面usb部分曝露。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，soi襯底可根據(jù)已知技巧來制備，諸如simox(“布植氧分隔法”)技巧、智慧切割技巧及類似者。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，在第一有源區(qū)a中及上面待形成pmos裝置或裝置結(jié)構(gòu)的情況下，有源半導(dǎo)體層部分104a可經(jīng)受摻雜，以便舉例而言，形成由硅鍺所構(gòu)成的有源層104a。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，可進行選用的布植程序(圖未示)將摻質(zhì)植入第一有源區(qū)a及第二有源區(qū)b其中至少一者。根據(jù)一些特殊說明性實施例，此布植程序(圖未示)可包含用于在半導(dǎo)體襯底102b中形成井區(qū)(圖未示)的井體布植程序(圖未示)。另外或替代地，可根據(jù)已知技巧在半導(dǎo)體襯底102b中進行sige摻雜。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，可在第二有源區(qū)b中及上面形成包含dcap、變?nèi)萜骰騧osfet其中至少一者的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。替代地或另外，可將第二有源區(qū)b用于對待于第一有源區(qū)a中及上面形成的半導(dǎo)體裝置實施反偏壓。

圖1b示意性繪示第一與第二有源區(qū)a與b上方形成柵極材料層112及絕緣材料114之后，制作柵極線結(jié)構(gòu)用柵極掩模形成程序期間的早期階段。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，柵極材料層112可包含柵極堆迭組態(tài)，其具有諸如多晶硅、非晶硅或柵極金屬的柵極電極材料112a、以及諸如柵極氧化物材料(諸如氧化硅)、及/或高k材料、及類似者的柵極介電材料112b。為便于說明，以下圖式將會省略柵極電極材料112a及柵極介電材料112b。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，可在絕緣材料114上方形成掩模層116。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，掩模層116可以是硬罩層。掩模層116可通過沉積諸如氮化物材料或氧化物材料的絕緣材料來提供。根據(jù)本文中的特殊說明性實施例，掩模層116可包含氮化硅。

請參照圖1b，可在掩模層116上形成選用的進一步掩模層118，進一步掩模層118包含與形成掩模層116的絕緣材料不同的氧化物材料或氮化物材料。關(guān)于進一步掩模層118，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，本發(fā)明無意有所限制，并且可省略進一步掩模層118，亦即，在如下文關(guān)于以下圖式所述的程序流程中，進一步掩模層118屬于選用性。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，隨后可在掩模層116上方沉積平坦化層120，例如：有機平坦化層(opl)。根據(jù)本文中的一些特殊說明性實施例，平坦化層120可通過以h-soh涂布混合襯底所形成。替代地，平坦化層120可通過旋涂碳(soc)所形成。隨后，平坦化層120上可形成硬罩層122，后面跟著底端抗反射涂(barc)層124(例如：富含硅的barc或sibarc)、以及第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126(例如：經(jīng)由圖型化光阻來實施)。根本文中的一些說明性實施例，硬罩層122可通過低溫氧化物(to)、氮化物材料、氮氧化硅材料、及類似者來提供。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，柵極材料層112的厚度范圍可自約15nm至50nm，例如：范圍自約20nm至35nm，諸如約25nm。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，掩模層116的厚度范圍可自約20nm至50nm，諸如約40nm。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，進一步掩模層118可具有范圍自約10nm至30nm的厚度，諸如約20nm。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，平坦化層120的厚度范圍可約為100nm至270nm，例如：范圍自約130nm至150nm，諸如約140nm。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，硬罩層122可具有范圍自約20nm至40nm的厚度，諸如約30nm。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，barc層124可具有范圍自約10nm至40nm的厚度，諸如約25nm。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126可具有范圍自約50nm至150nm的厚度，諸如自約90nm至100nm，例如：約96nm。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126可包含形成于第一有源區(qū)a上方的多個柵極掩模條126a、及形成于第二有源區(qū)b上方的柵極掩模條126b。柵極掩模條126a可對應(yīng)于待形成于第一有源區(qū)a上方的柵極線。柵極掩模條126b可對應(yīng)于待形成于第二有源區(qū)b上方的柵極線或虛設(shè)柵極線。這并不對本發(fā)明造成任何限制，而且所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，第二有源區(qū)b上方可省略多個柵極掩模條126b。

圖1c示意性繪示此程序在barc蝕刻128期間更晚期階段的狀況，其中可蝕刻與第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126對準(zhǔn)的barc層124。因此，可將第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126轉(zhuǎn)移到barc層124。

圖1d示意性繪示此程序流程在蝕刻程序130期間更晚期階段的狀況?？蛇M行蝕刻程序130，以便將第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126轉(zhuǎn)移到硬罩層122。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，蝕刻程序130可以是利用終點偵測而終止于平坦化層120上的蝕刻程序。因此，可將第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126轉(zhuǎn)移到硬罩層122。

圖1e示意性繪示此程序流程在進行蝕刻程序132時更晚期階段的狀況。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，蝕刻程序132可包含利用進一步掩模層118上的終點偵測，用于在第一有源區(qū)a上方蝕刻平坦化層120的蝕刻劑。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，交替地，可省略進一步掩模層118，并且蝕刻程序132可組配成用來終結(jié)于掩模層116上，或可終結(jié)于第一有源區(qū)上方的掩模層116上。由于如圖1a所示介于第一有源區(qū)a與第二有源區(qū)b之間的形貌，第二有源區(qū)b上方存在剩余平坦化層材料120b。因此，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，蝕刻程序132完全移除第一有源區(qū)a上方的平坦化層120(請參閱圖1d)，并且在第二有源區(qū)b上方留下剩余平坦化層材料120b，亦即，蝕刻程序132可僅部分移除第二有源區(qū)b上方的平坦化層120。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，可在蝕刻程序132中移除經(jīng)圖型化光阻(請參閱圖1b)、及剩余barc材料。

圖1f示意性繪示此程序流程在進行蝕刻程序134時更晚期階段的狀況。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，可進行蝕刻程序134，以經(jīng)由可對進一步掩模層118及/或掩模層116的材料具有選擇性的高度異向性蝕刻劑(如果不存在進一步掩模層118，此蝕刻劑可對掩模層116的材料具有高度選擇性)，移除第二有源區(qū)b上方的剩余平坦化層材料120b。因此，可經(jīng)由蝕刻程序132及134，將第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126轉(zhuǎn)移到平坦化層120。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，蝕刻程序134可包含如經(jīng)由圖1f中的箭號135及破折線所示，在第一有源區(qū)a上方多個柵極掩模條126a上側(cè)向作用的蝕刻劑(可能是導(dǎo)因于第一有源區(qū)a上方缺乏剩余平坦化層材料)。因此，第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126可受蝕刻程序134影響，亦即，移除第二有源區(qū)b上方的剩余平坦化層120b時，可側(cè)向蝕刻第一有源區(qū)a上方的第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126，亦即，第一有源區(qū)a上方可出現(xiàn)最小柵極線夾止現(xiàn)象，如圖1f所示意性繪示。為了避開此可能的側(cè)向蝕刻135，相比于第二有源區(qū)b，可在第一有源區(qū)a上方調(diào)大(或增加尺寸)第一有源區(qū)a上方的第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126(請參閱圖1f的破折線137)，以便補償側(cè)向蝕刻135。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本發(fā)明之后將了解的是，在圖1b所示階段形成第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126時，可形成第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126以包含位在第一有源區(qū)a上方的至少一個第一掩模特征(例如：諸柵極掩模條126a其中至少一者)、及位在第二有源區(qū)上方的至少一個第二掩模特征(例如：諸柵極掩模條126b其中至少一者)，其中該至少一個第一掩模特征的寬度大于該至少一個第二掩模特征的寬度。根據(jù)本文的一些說明性實施例，該至少一個第一掩模特征的寬度可基于該至少一個第二掩模特征的寬度、及該第二蝕刻程序的側(cè)向蝕刻率來設(shè)定。因此，可補償?shù)谝挥性磪^(qū)a上方柵極掩模條126a可能不希望的側(cè)向蝕刻。

圖1g示意性繪示此程序流程在進行選用的蝕刻程序136時更晚期階段的狀況?？蛇M行選用的蝕刻程序136，以便將第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126轉(zhuǎn)移到第一與第二有源區(qū)a與b上方的進一步掩模層118。根據(jù)一些說明性具體實施例，若進一步掩模層118通過氧化物材料所形成，則選用的蝕刻程序136可包含氧化物蝕刻劑。

圖1h示意性繪示此程序流程在進行蝕刻程序138時更晚期階段的狀況。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，蝕刻程序138可就下面的材料層114及/或112選擇性蝕刻掩模層116。因此，可將第一柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型126轉(zhuǎn)移到硬罩層116。

圖1i示意性繪示此程序為了移除第一與第二有源區(qū)a與b上方剩余平坦化層材料而進行程序140時，制作期間更晚期階段的狀況。因此，可在柵極材料層112上方形成柵極掩模126'。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，如以上所述，可避免如以上關(guān)于先前技術(shù)所述bulex區(qū)域上材料重新生長的問題，并且可在第一與第二有源區(qū)a與b之間實施更小間隔。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本發(fā)明之后將了解的是，無論形貌有多高，都可因本文中的柵極掩模126'而圖型化第一與第二有源區(qū)a與b其中至少一者上方的柵極材料層112，其中無論形貌有多高，蝕刻程序134(圖1f)都容許可靠地移除第二有源區(qū)b上方的剩余平坦化層材料120b。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，繼此程序之后，可根據(jù)柵極掩模126'來異向性蝕刻柵極材料層112，用于在第一及/或第二有源區(qū)a、b上方形成柵極線(圖未示)，然后根據(jù)所形成的柵極線來形成源極/漏極區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，如下文所述，可進一步圖型化柵極掩模126'。

圖2在俯視圖中示意性繪示soi類型的兩個相鄰有源區(qū)202與204的配置(類似于如上述的第一有源區(qū)a)、以及主體組態(tài)的兩個主體區(qū)206與208(類似于如上述的第二有源區(qū)b)。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，為了不混淆有源區(qū)202、204、206及208上的俯視圖，圖2并未繪示對應(yīng)于圖1a至圖1f中柵極材料層112的任何柵極材料。

如圖2所示，有源區(qū)202與204可通過溝槽隔離結(jié)構(gòu)212來隔開。溝槽隔離結(jié)構(gòu)212可進一步將有源區(qū)206與208隔開。再者，有源區(qū)202與206可通過溝槽隔離結(jié)構(gòu)214來側(cè)向隔開，其可將有源區(qū)204與有源區(qū)208隔開。圖2所示雖然為十字形溝槽隔離結(jié)構(gòu)212、214，但這并不對本發(fā)明造成任何限制，而且所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，為了將有源區(qū)202、204、206及208隔開，可考量任何其它幾何形狀的溝槽隔離結(jié)構(gòu)212及214。

圖2進一步繪示對應(yīng)于圖1i柵極掩模126'的柵極掩模216。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，如圖1i示意性繪示對此組態(tài)施用柵極蝕刻程序之后，可形成上覆于有源區(qū)與柵極掩模216對應(yīng)的柵極線。因此，類似于圖2的條狀物，可在圖1i中第一與第二有源區(qū)a與b上方形成柵極線。然而，這并不對本發(fā)明造成任何限制，而且所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，舉例而言，柵極線可僅在圖2中有源區(qū)202與204上方形成。因此，可希望進一步圖型化柵極掩模216以消除有源區(qū)202及204外側(cè)的任何虛設(shè)柵極。另外或替代地，可希望將有源區(qū)202及/或206上方至少一些柵極線與有源區(qū)204及/或208上方延展的柵極線電氣隔開。這可經(jīng)由如圖2中線條218所示具有切口的經(jīng)圖型化柵極掩模來達成。

請參照下面圖3至圖10，將說明的是用于圖型化柵極掩模216(可能是通過如以上參照圖1a至圖1i所述程序所獲得)的程序流程。

圖3a在沿著圖2中線條a-a的截面圖中示意性繪示可形成掩模圖型216(可能對應(yīng)于圖1i中的掩模圖型126')、及可形成柵極材料層222(可能類似于圖1a至圖1i中的柵極材料層112)之后，有源區(qū)202及有源區(qū)204在處理期間一階段的組態(tài)。有源區(qū)202及204各可具有類似于如以上參照圖1a所述襯底100a的soi組態(tài)。亦即，有源半導(dǎo)體層部分205可在半導(dǎo)體襯底201上方形成，兩者之間插置有埋置型絕緣材料部分203。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，如圖3a所示，可在柵極材料層222上方形成絕緣材料224。絕緣材料224可包含氧化物材料及氮化物材料其中一者。

根據(jù)如圖3a所示的階段，(通過如用于在圖1b中柵極材料層112上方沉積平坦化層120的類似程序)可在柵極材料層222上方形成平坦化層226。

根據(jù)如圖3a所示的一些說明性具體實施例，如圖3a所示，可在有源區(qū)202、204及溝槽隔離結(jié)構(gòu)212上方形成硬罩層228(可能類似于硬罩層122)、barc層230(可能類似于barc層124)、以及第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型232(可能對應(yīng)于如經(jīng)由圖2中線條218示意性所示的掩模)。

圖3b示意性繪示沿著圖2中線條b-b的截面圖。由圖2可看出，如圖3b所示的截面沿著柵極掩模216的條狀物延伸，其中柵極掩模216包含掩模層234及選用的進一步掩模層236(可能類似于掩模層116及選用的進一步掩模層118)。

圖3c示意性繪示沿著圖2中線條c-c的截面圖。本文中，可在具有主體組態(tài)的有源區(qū)206及208上方形成柵極材料層222、平坦化層226、硬罩層228及barc層230，可根據(jù)該主體組態(tài)而在半導(dǎo)體襯底201的上表面上形成柵極材料層222。

圖3d示意性繪示沿著圖2中線條d-d的截面圖。本文中，如圖3d所示，可見的是，此截面包含類似于圖3b所示柵極掩模216的柵極掩模216的條狀物。

根據(jù)圖3a至圖3d的繪示，第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型并未在有源區(qū)206及208中任一者上方包覆barc層230。因此，除了圖2中的切口218，還可從有源區(qū)206及208上面移除柵極材料222。這并不對本發(fā)明造成任何限制，而且所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，在類似于有源區(qū)202及204的有源區(qū)206及208上方形成柵極線的情況中，如圖3a及圖3b所示，相符的第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型會在圖3c及圖3d中的barc層上方形成。

圖4a示意性繪示進行蝕刻程序238時，制作期間更晚期階段沿著圖2中線條a-a的截面圖。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，蝕刻程序238可將第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型232轉(zhuǎn)移到有源區(qū)202與204及溝槽隔離結(jié)構(gòu)212上方的barc層230。

類似的是，可將第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型232轉(zhuǎn)移到如圖4b的截面圖中所示柵極掩模上方的barc層124。

請參照圖4c及圖4d，可從有源區(qū)206與208上面、并從介于有源區(qū)206與208之間的溝槽隔離結(jié)構(gòu)212上面移除barc層230。

請參照圖5a至圖5d，示意性繪示進行蝕刻程序240時，沿著圖2中線條a-a、b-b、c-c及d-d的各別截面圖在制作期間更晚期階段的狀況。根據(jù)蝕刻程序240，可將第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型232轉(zhuǎn)移到有源區(qū)202與204上方、及有源區(qū)202與204之間溝槽隔離結(jié)構(gòu)212上方的硬罩層228(圖5a及圖5b)，而硬罩層228則是從有源區(qū)206與208上面、并從有源區(qū)206與208間溝槽隔離212上方遭受移除(圖5c及圖5d)。亦即，可在有源區(qū)206與208上方、及在有源區(qū)206與208間溝槽隔離結(jié)構(gòu)212上方曝露平坦化層226(圖5c及圖5d)。另一方面，可在有源區(qū)202與204上方、及在有源區(qū)202與204間溝槽隔離結(jié)構(gòu)212上方，經(jīng)由蝕刻程序240部分曝露與第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型232對準(zhǔn)的平坦化層226(圖5a及圖5b)。

圖6a至圖6d在沿著圖2中各別線條a-a、b-b、c-c及d-d的截面圖中，示意性繪示進行蝕刻程序244時，此程序流程在制作期間更晚期階段的狀況。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，蝕刻程序244可將第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型232移除，在有源區(qū)202與204上方、及有源區(qū)202與204間溝槽隔離結(jié)構(gòu)212上方留下經(jīng)圖型化硬罩層228(圖6a及圖6b)。使進一步掩模層236或掩模層234曝露時，蝕刻程序244可利用終點偵測將蝕刻劑運用于蝕刻平坦化層226。因此，可形成伸入平坦化層226與經(jīng)圖型化硬罩層228對準(zhǔn)的溝槽246(圖6a及圖6b)。關(guān)于有源區(qū)206與208，可將平坦化層226部分回蝕，使得有源區(qū)206中仍存在剩余平坦化層材料226c，而有源區(qū)208中仍存在剩余平坦化層材料226d(圖6c及圖6d)，有源區(qū)208上方的剩余平坦化層材料226d分別包覆進一步掩模層236及掩模層234。主體區(qū)208上剩余平坦化層材料226d的高度對應(yīng)于soi區(qū)202、204與主體區(qū)206、208之間的高度差異。

圖7a至圖7d在沿著圖2中各別線條a-a、b-b、c-c及d-d的截面圖中，示意性繪示進行蝕刻程序248時，此程序流程在制作期間更晚期階段的狀況，該蝕刻程序是用來選擇性移除有源區(qū)208上方的(圖7d)、及與經(jīng)圖型化硬罩層228對準(zhǔn)的溝槽246內(nèi)平坦化層226所屬的(圖7a)剩余平坦化層材料226d，并且將剩余平坦化層226從有源區(qū)206上面部分移除(圖7c)。蝕刻程序248可分別就掩模層234及進一步掩模層236具有高度選擇性。再者，蝕刻程序248可分別就柵極材料層222的材料及絕緣材料224具有高度選擇性。因此，可與對應(yīng)于第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型232的經(jīng)圖型化硬罩層228對準(zhǔn)，將有源區(qū)208上方的剩余平坦化層材料226d可靠地移除(圖3a)。于處理期間的此階段，平坦化層226包覆圖2的截面a-a中有源區(qū)202、204上方的絕緣材料層224(圖7a)，并且剩余平坦化層材料226c包覆圖2的截面c-c中有源區(qū)206及208上方下伏的絕緣材料層224(圖7c)。

圖8a至圖8d在沿著圖2中各別線條a-a、b-b、c-c及d-d的截面圖中，示意性繪示進行蝕刻程序260時，此程序流程在制作期間更晚期階段的狀況。本文中，可進行蝕刻程序以根據(jù)經(jīng)圖型化硬罩層228，將第二柵極結(jié)構(gòu)掩模圖型轉(zhuǎn)移到圖2的截面b-b的有源區(qū)202及204中的掩模層236(圖8b)，并且將絕緣材料224從圖2的截面d-d中有源區(qū)206、208上方的硬罩層234上面移除(圖8d)。柵極材料222上方的絕緣材料224可受保護，免因圖2的截面a-a中有源區(qū)202與204中(圖8a)、及圖2的截面c-c中有源區(qū)206、208中(圖8c)的蝕刻程序260而受影響。亦即，柵極材料層222的上表面部分可在有源區(qū)202至208上方受保護。

圖9a至圖9d在沿著圖2中線條a-a、b-b、c-c及d-d的各別者的截面圖中，示意性繪示進行蝕刻程序262時，此程序流程在制作期間更晚期階段的狀況。蝕刻程序262可選擇性移除有源區(qū)202及204上方與經(jīng)圖型化平坦化層226對準(zhǔn)的掩模層234及經(jīng)圖型化硬罩228(圖9a及圖9b)。再者，蝕刻程序262可選擇性蝕刻圖2的截面d-d中有源區(qū)206及208上方的掩模層234(圖9d)，并且留下圖2的截面c-c中受剩余平坦化層材料226c保護的有源區(qū)的絕緣材料224(圖9c)。因此，圖2的截面d-d中，有源區(qū)206及208中的絕緣材料224受曝露(圖9d)。

圖10a至圖10d在沿著圖2中線條a-a、b-b、c-c及d-d的各別者的截面圖中，示意性繪示進行蝕刻程序264時，此程序流程在制作期間更晚期階段的狀況。蝕刻程序264可移除有源區(qū)202及204上方的平坦化層226(圖10a及圖10b)、以及有源區(qū)206及208上方的剩余平坦化層材料226c(圖10c)。因此，圖2的截面a-a、c-c及d-d中有源區(qū)202及204上方可曝露絕緣材料224(圖10a、圖10c、圖10d)，并且部分曝露圖2的截面b-b中有源區(qū)202及204上方的絕緣材料224(圖10b)。因此，絕緣材料224可根據(jù)圖2的截面b-b中的硬罩236、234來圖型化(圖10b)。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，憑靠相對于柵極材料層222的高度選擇性蝕刻程序264，可避免柵極材料層222出現(xiàn)過度且不希望的損失現(xiàn)象。

因此，如圖10a及圖10b所示，希望無柵極線的地方(例如：圖2的有源區(qū)206及208上方)切割柵極線及/或移除有源區(qū)上方的柵極線。

根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，隨后可在柵極蝕刻程序(圖未示)中移除絕緣材料224，其中可形成圖2中線條218所示的切口。

所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的是，根據(jù)如圖6a至圖6d及圖7a至圖7d所示的蝕刻程序244及248，可部分移除與經(jīng)圖型化硬罩228對準(zhǔn)的平坦化層226而不曝露任何柵極介電質(zhì)，即高k材料，并且不會在soi區(qū)中造成可能負(fù)面影響制作的過度蝕刻。再者，由于蝕刻程序248的關(guān)系，因為可避免側(cè)向蝕刻造成的負(fù)面效應(yīng)，而可以可靠地維持關(guān)鍵尺寸。

所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本發(fā)明之后將了解的是，根據(jù)本發(fā)明的一些說明性具體實施例，可避免在混合襯底的主體區(qū)上重新生長半導(dǎo)體材料，并且可進行圖型化，尤其是在soi區(qū)(例如：fdsoi區(qū)域)中進行圖型化，但不會負(fù)面影響關(guān)鍵尺寸，也不會提升潛在的缺陷風(fēng)險。根據(jù)本發(fā)明的一些說明性但非限制性具體實施例，可通過使用高度選擇性蝕刻及/或擴大soi(例如：fdsoi)區(qū)域上的結(jié)構(gòu)、及/或?qū)τ谠谥黧w區(qū)上方使用某些掩模組施用適當(dāng)規(guī)則來達成圖型化。

所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本發(fā)明之后將理解的是，圖1a至圖1i中的平坦化層120可對應(yīng)于如以上關(guān)于本發(fā)明的第一態(tài)樣所稱的第一平坦化層。

所屬領(lǐng)域技術(shù)人員在完整閱讀本發(fā)明之后將理解的是，圖3至圖10中的平坦化層226可對應(yīng)于如以上關(guān)于本發(fā)明的第二態(tài)樣所稱的第二平坦化層。

以上所揭示的特定具體實施例僅屬描述性，正如本發(fā)明可用所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所明顯知道的不同但均等方式予以修改并且實踐而具有本文教示的效益。舉例而言，以上所提出的程序步驟可按照不同順序來進行。再者，如權(quán)利要求書中所述除外，未意圖限制于本文所示構(gòu)造或設(shè)計的細(xì)節(jié)。因此，證實可改變或修改以上揭示的特定具體實施例，而且所有此類變例全都視為在本發(fā)明的范疇及精神內(nèi)。要注意的是，本說明書及所附權(quán)利要求書中如“第一”、“第二”、“第三”或“第四”之類用以說明各個程序或結(jié)構(gòu)的術(shù)語，僅當(dāng)作此些步驟/結(jié)構(gòu)節(jié)略參考，并且不必然暗喻此些步驟/結(jié)構(gòu)的進行/形成序列。當(dāng)然，取決于精準(zhǔn)的訴求語言，可以或可不需要此類程序的排定順序。因此，本文尋求的保護如權(quán)利要求書中所提。