專利名稱：掩膜圖案校正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種掩膜的圖案校正方法，特別涉及一種對圖案邊緣計(jì)算其焦深。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)膜集成電路制造進(jìn)入深亞微米時(shí)代，對光刻中掩膜圖案的尺寸 要求進(jìn)一步縮小。當(dāng)光線通過掩膜對抗蝕劑進(jìn)行曝光時(shí)、掩膜上的圖案被轉(zhuǎn)移 而形成抗蝕圖案。如果縮小掩膜圖案的尺寸，則掩膜圖案的尺寸會接近形成抗
蝕圖案的光線的波長，從而產(chǎn)生光學(xué)臨近效應(yīng)(Optical Proximity Effect, OPE),掩膜上的圖案就會在轉(zhuǎn)移時(shí)變形，而且掩膜圖案上相鄰圖案區(qū)域的光刻質(zhì) 量受光學(xué)臨近效應(yīng)的影響越來越大。
一般光學(xué)臨近效應(yīng)的消除方法采用光學(xué)臨近修正(Optical Proximity Corrections, OPC )。如圖1A、 1B所示，兩個(gè)掩膜圖案1、 2為長條狀，根據(jù)基 于膜型的光學(xué)臨近修正方法，在長條狀圖案的兩側(cè)加上兩輔助圖案3、 4以形成 修正圖案。形成修正圖案后臨界尺寸(critical dimension, CD)^皮增大，所 以擴(kuò)大了相鄰圖案的焦深(depth of focus, D0F )。但是，上述方法容易使相 鄰圖案之間產(chǎn)生一半孤立空間5,該半孤立空間5會限制半導(dǎo)體制程范圍 (Process Window )。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜圖案的校正方法，通過該方法消除光學(xué)臨 近效應(yīng)時(shí)產(chǎn)生的半3瓜立空間。
為了達(dá)到所述的目的，本發(fā)明提供了一種掩膜圖案的校正方法，其中，包 括以下步驟提供一掩膜圖案；對掩膜圖案進(jìn)行光學(xué)臨近修正形成修正圖案； 計(jì)算光學(xué)臨近修正后的修正圖案邊緣的焦深；根據(jù)修正圖案邊緣的焦深對修正 圖案重新定義形成最終的修正圖案。
在上述的掩膜圖案的校正方法中，所述的掩膜圖案由兩個(gè)相同寬度的區(qū)域 和中間區(qū)域組成。
在上述的掩膜圖案的校正方法中，據(jù)所述的修正圖案邊緣的焦深計(jì)算值， 取其中最大的焦深計(jì)算值對圖案邊緣放大重新定義。
在上述的掩膜圖案的校正方法中，所述的最終的修正圖案關(guān)于中間區(qū)域?qū)ΨQ。
本發(fā)明由于采用了上述的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)
點(diǎn)和積極效果本發(fā)明的掩膜圖案校正方法可減少光學(xué)臨近修正時(shí)產(chǎn)生的非必 要修正圖案。


本發(fā)明的掩膜圖案校正方法由以下的實(shí)施例及附圖給出。 圖U至1B為現(xiàn)有技術(shù)中掩膜圖案的校正方法示意圖； 圖2A至2C為本發(fā)明掩膜圖案校的校正方法示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下將對本發(fā)明的掩膜圖案的校正方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。 圖2A至2C為本發(fā)明掩膜圖案的校正方法示意圖。如圖2A所示，為一掩膜 圖案6,該掩膜圖案6為寬度相同的兩區(qū)域7、 8和中間區(qū)域9組成。本發(fā)明的 掩膜圖案校正方法先對掩膜圖案6上的各個(gè)區(qū)域7、 8、 9進(jìn)行光學(xué)臨近修正， 如圖2B所示，得出輔助圖案10a、 10b、 10c、 10d、 lla、 lib作為修正圖案， 然后基于光學(xué)臨近修正數(shù)據(jù)庫對圖案邊緣計(jì)算其焦深(depth of focus， D0F ), 因?yàn)檫吘壩恢缅e(cuò)誤與散焦中心(defocus center)同步變化，根據(jù)計(jì)算的焦深 值，對散焦中心范圍進(jìn)行放大， 一般取圖案邊緣中最大的散焦中心，也就是最 大的焦深值，從而對圖案邊緣放大重新定義。如圖2C所示，最后形成的修正圖 案為12a、 12b,且修正圖案12a、 12b關(guān)于中間區(qū)域9對稱分布。通過本發(fā)明掩 膜圖案校正方法，可減少光學(xué)臨近修正時(shí)產(chǎn)生的非必要修正圖案。
以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不能以此來限定本發(fā)明的 范圍。任何對本發(fā)明的方法作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的步驟的替換、組合、分立，
以及對本發(fā)明實(shí)施步驟作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本發(fā)明 的揭露以及保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種掩膜圖案的校正方法，其特征在于，包括以下步驟提供一掩膜圖案；對掩膜圖案進(jìn)行光學(xué)臨近修正形成修正圖案；計(jì)算光學(xué)臨近修正后的修正圖案邊緣的焦深；根據(jù)修正圖案邊緣的焦深對修正圖案重新定義形成最終的修正圖案。
2、 如權(quán)利要求1所述的掩膜圖案的校正方法，其特征在于所述的掩膜圖 案由兩個(gè)相同寬度的區(qū)域和中間區(qū)域組成。
3、 如權(quán)利要求1所述的掩膜圖案的校正方法，其特征在于根據(jù)所述的修 正圖案邊緣的焦深計(jì)算值，取其中最大的焦深計(jì)算值對圖案邊緣放大重新定義。
4、 如權(quán)利要求1所述的掩膜圖案的校正方法，其特征在于所述的最終的 修正圖案關(guān)于中間區(qū)域?qū)ΨQ。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種掩膜圖案的校正方法，其中，包括以下步驟提供一掩膜圖案；對掩膜圖案進(jìn)行光學(xué)臨近修正形成修正圖案；計(jì)算光學(xué)臨近修正后的修正圖案邊緣的焦深；根據(jù)修正圖案邊緣的焦深對修正圖案重新定義形成最終的修正圖案。采用本發(fā)明的掩膜圖案校正方法可減少光學(xué)臨近修正產(chǎn)生的修正圖案。
文檔編號G03F1/36GK101359169SQ20071004454
公開日2009年2月4日 申請日期2007年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月3日
發(fā)明者劉慶煒 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司