專利名稱：光刻膠的硅化方法及形成光刻膠掩模圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及光刻膠的硅化方法及形成光刻 膠掩模圖形的方法。
背景技術(shù)：
光刻是集成電路制造領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。掩模圖形的精度、光刻進(jìn)行 的速度，光刻所消耗的成本等因素，都影響著集成電路最終的品質(zhì)和制造成 本。因此，對光刻工藝的改進(jìn)，是集成電路制造領(lǐng)域始終關(guān)注的熱點(diǎn)問題。
在半導(dǎo)體工藝中，光刻膠掩模圖形被用于刻蝕工藝的阻擋層、離子注入 工藝的阻擋層或者晶圓封裝的保護(hù)層等。光刻膠的厚度直接影響到光刻膠掩 ^t圖形在后續(xù)步驟中的保護(hù)芯片的能力。例如，在針對晶圓級封裝的工藝中，
通常要采用一層緩沖保護(hù)層結(jié)構(gòu)，起到保護(hù)芯片的作用；在封裝時，由于封 裝材料與硅之間，以及封裝時采用的多種材料之間產(chǎn)生的應(yīng)力，對芯片的性
能會產(chǎn)生顯著的影響，嚴(yán)重時可以使芯片失效；該保護(hù)層以緩沖封裝時的應(yīng) 力對芯片造成的影響。并且，該保護(hù)層還可以隔絕空間的高能a粒子對芯片 的損傷。在離子注入工藝、刻蝕工藝等其他工藝中，光刻膠掩模結(jié)構(gòu)也起到 了類似的作用。顯然，晶圓表面涂覆的光刻膠越厚，由其形成的掩模圖形強(qiáng) 度越高，越有利于發(fā)揮阻擋和保護(hù)的作用。
目前常用的制作掩模圖形的光刻膠是采用聚酰胺或其它包含聚酰胺的混 合物等光敏材料構(gòu)成的組合物。將該物質(zhì)涂敷于晶圓表面達(dá)到所需要的厚度， 通過曝光改變其化學(xué)性質(zhì)，再采用堿性溶液或其他方法去除不需要的部分。 〃床留的光刻月交，在后續(xù)的工藝中，可以作為掩才莫圖形。
采用上述組合物，或其它類似材料，進(jìn)行光刻膠掩模圖形的制作，主要 有如下步驟l)HMDS (HexaMethylDiSilazane,六曱基二珪氨烷)工藝。該工藝是芯片在涂光刻膠前的一個預(yù)先處理步驟，利用惰性氣體(例如氮?dú)?
帶著HMDS的蒸氣通過芯片表面，而在芯片表面形成一層薄膜。其目的在于 消除芯片表面的微量水分、防止空氣中的水汽再次吸附于芯片表面、增加光 刻膠(尤其是正膠)與芯片表面的附著能力，進(jìn)而減少在此后之顯影過程中 光刻膠產(chǎn)生掀起等負(fù)面效應(yīng)；2)涂聚酰胺(或其它材料)；3)前烘；4)曝光； 5)后烘及6)顯影。上述步驟，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的內(nèi)容，此處不加詳 述。顯影之后保留的部分，為光刻膠掩模圖形。
在公開的美國專利US7063931中，可以進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)與上述技術(shù)方案相關(guān) 的內(nèi)容，該發(fā)明提供了包括酸生成引發(fā)劑和在聚合物主鏈上帶有重復(fù)酸不穩(wěn) 定側(cè)基團(tuán)的多環(huán)聚合物的光刻膠組合物，作為集成電路工藝中的光刻月交材料。 現(xiàn)有技術(shù)中，為了滿足后續(xù)工藝對掩模圖形的阻擋作用的要求，表面涂覆的 光刻膠需要達(dá)到一定的厚度。因為保留下來的光刻膠，在后續(xù)的封裝工藝中 將成為掩模圖形，因此必須達(dá)到一定的厚度，才可以起到阻擋的作用。例如 對于封裝工藝，光刻膠的厚度通常要大于12微米。集成電路工藝中的光刻膠 是一種很昂貴的材料，表面涂覆的光刻膠越厚，單位面積需要的光刻膠材料 就越多，該步驟的工藝成本也就越高。并且，對于厚的光刻膠層，在曝光時 就需要相對較長的時間，以獲得足夠的曝光能量，做到充分曝光。這也增加 了工藝成本、延長了工藝周期。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種可以降低工藝成本的光刻膠的硅 化方法及形成光刻膠掩it圖形的方法。
為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種光刻膠的硅化方法，包括提供 表面涂敷光刻膠并經(jīng)過曝光處理的半導(dǎo)體襯底；將曝光后的涂敷有光刻膠的 半導(dǎo)體襯底置于反應(yīng)室中；提供包括下式所示一種或多種硅基有機(jī)物的反應(yīng) 物質(zhì)<formula>formula see original document page 6</formula>(1)
其中Ri R"蟲立的表示選自線性或支化的、至多具有IO個碳原子的烷基、 硅烷基、亞烷基、亞硅烷基或者胺基；使反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光 刻膠。
可選的，所述光刻膠的組成成份中含有聚酰胺酸和重氮萘醌。 可選的，所述反應(yīng)室內(nèi)的氣體為He、 Ne、 Ar、 N2、 02或者空氣。 可選的，所述反應(yīng)室內(nèi)的壓強(qiáng)為1~100帕。 可選的，所述反應(yīng)室的溫度為90°C 150°C。
可選的，所述反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠的時間為80秒 200秒。
可選的，所述光刻膠的厚度為150納米 500納米。
可選的，所述步驟還包括在使反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠之 后，烘烤涂敷光刻膠的半導(dǎo)體襯底。
本發(fā)明還提供了一種形成光刻膠掩^f莫圖形的方法，包括如下步驟半導(dǎo) 體襯底表面涂覆光刻膠；采用掩才莫版對半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠做曝光處理； 將曝光后的涂敷有光刻膠的半導(dǎo)體襯底置于反應(yīng)室中；提供包括下式所示一 種或多種硅基有機(jī)物的反應(yīng)物質(zhì) <formula>formula see original document page 6</formula>(1)
其中R1 R4獨(dú)立的表示選自線性或支化的、至多具有10個碳原子的烷基、硅烷基、亞烷基、亞硅烷基或者胺基；使反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光 刻膠；對半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠做顯影處理。
可選的，所述步驟還包括在使'反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠之 后，烘烤涂敷光刻膠的半導(dǎo)體襯底。
可選的，所述之曝光，采用的光源波長為l卯納米 400納米。
可選的，所述之曝光，采用的掩模版為二進(jìn)制明暗度掩模版、相移式掩 模版或者單元投影式掩模版。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)在于
1) 采用硅化方法處理光刻膠，光刻膠經(jīng)硅化處理后引入了含硅的基團(tuán)，增 強(qiáng)了機(jī)械強(qiáng)度，因此可以降低光刻膠的厚度，節(jié)約材料成本；
2) 因為光刻膠厚度降低，曝光所需的能量相應(yīng)降低，所以可縮短曝光時間， 提高光刻效率。


圖； 意圖5為本發(fā)明提供形成光刻膠掩模圖形的方法具體實施方式
的實施工藝 流程圖6為本發(fā)明提供的形成光刻膠掩模圖形的方法具體實施方式
的結(jié)構(gòu)示 意圖。
具體實施例方式
模圖形的方法，釆用硅化方法對光刻膠掩模作處理，提高了光刻膠的強(qiáng)度， 因此可以降低光刻膠的厚度，節(jié)約材料成本；因為光刻膠厚度降低，曝光所需的能量相應(yīng)降低，所以可縮短曝光時間，提高光刻效率。 下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
加以說明。
包括如下步驟步驟S101,提供曝光后的涂敷有光刻膠的半導(dǎo)體襯底；步驟 S102,將曝光后的涂敷有光刻膠的半導(dǎo)體襯底置于反應(yīng)室中；步驟S103,提 供硅基有機(jī)物作為反應(yīng)物質(zhì)；步驟S104,使反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的 光刻膠；步驟S105,烘烤涂敷光刻膠的半導(dǎo)體襯底。
步驟S103中所述的反應(yīng)物質(zhì)包括下式所示一種或多種硅基有機(jī)物 R2
<formula>formula see original document page 8</formula>
其中R^I^獨(dú)立的表示選自線性或支化的、至多具有IO個碳原子的烷基、 硅烷基、亞烷基、亞硅烷基或者胺基。意圖。
步驟SIOI，如圖2所示，提供曝光后的涂敷有光刻膠102的半導(dǎo)體襯底
101。
所述半導(dǎo)體襯底101的材料包括單晶硅、多晶硅、鍺硅(SiGe),應(yīng)變硅 (Strained-Si)、絕緣體上的硅(SOI)等半導(dǎo)體工業(yè)中常見的或者具有重大發(fā)展前 景的襯底材料，也可以是碳化硅、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化 鎵、銻化鎵、氮化鎵、氮化鋁，氮化銦等化合物半導(dǎo)體，或其組合。
所述半導(dǎo)體襯底101可以是已經(jīng)形成各種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、器件以及線5各的 半導(dǎo)體襯底。該襯底表面也可經(jīng)過其他工藝處理，比如生長了金屬層、介質(zhì) 層，或者經(jīng)過HMDS工藝的預(yù)處理。重氮萘醌的分子結(jié)構(gòu)如下: o
<formula>formula see original document page 9</formula>II
其中RS表示選自線性或支化的、至多具有10個碳原子的烷基或者亞烷基。
將兩者混合，其中重氮萘醌的比例為15~20% (質(zhì)量百分比)，混合后形 成的光刻膠組合物，分子結(jié)構(gòu)如下
<formula>formula see original document page 9</formula>該分子結(jié)構(gòu)可以作為光刻工藝中的光刻膠102。
光刻膠102厚度與后續(xù)工藝，如刻蝕、離子注入、芯片封裝等，對光刻 膠102阻擋能力的要求有關(guān)。本實施例中，所述涂于半導(dǎo)體村底101表面的 光刻膠102厚度為150納米 500納米。對于封裝工藝，由于光刻膠102的保 留部分將直接作為封裝的保護(hù)層，因此需要涂敷較厚的光刻膠102,傳統(tǒng)工藝 需要的光刻膠厚度至少為12微米。本實施例由于后續(xù)引入了硅化處理以加強(qiáng) 光刻膠102曝光部分的強(qiáng)度，因此可以涂覆相對薄的光刻膠102。
曝光技術(shù)是本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員所公知的技術(shù)，此處不詳細(xì)描述。曝光之 后的光刻膠102中，102b和102d為曝光部分，102a、 102c和102e為未曝光 部分。
曝光部分102b和102d由于受到光照將發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，化學(xué)反應(yīng)后，構(gòu) 成102b和102d的組合物的主要物質(zhì)分子結(jié)構(gòu)如下
(2)
和
<formula>formula see original document page 10</formula> (5)
構(gòu)成未曝光部分102a、 102c和102e的組合物的主要物質(zhì)成分仍保留式(4) 的分子結(jié)構(gòu)。
步驟S102，如圖3所示，將曝光后的涂敷有光刻膠102的半導(dǎo)體襯底101置于反應(yīng)室中。
所述反應(yīng)室的溫度為90°C~150°C,具體溫度例如90。C、 100°C、 110°C、 120°C、 130°C、 140。C或者150。C等。
將曝光后的涂敷有光刻膠102的半導(dǎo)體襯底101置于反應(yīng)室中，其反應(yīng) 室的加熱方法可以采取烘烤加熱法，將涂敷有光刻膠102的半導(dǎo)體襯底101 反應(yīng)室中，采用電阻或者高頻加熱的方法加熱反應(yīng)室達(dá)到90。C 150。C之間的 某一溫度；也可以采取熱板加熱法，將半導(dǎo)體襯底101置于反應(yīng)室內(nèi)的熱板 上，涂敷有光刻膠102的一面向上，對熱板進(jìn)行加熱，使熱板的溫度達(dá)到 90。C 150。C之間的某一溫度。
所述反應(yīng)室內(nèi)的氣體為He、 Ne、 Ar、 N2、 02或者空氣。
所述反應(yīng)室的壓強(qiáng)為1-100帕，具體壓強(qiáng)例如1帕、10帕、20帕、30 帕、40帕、50帕、60帕、70帕、80帕、90帕或者100帕等。
在涂敷有光刻膠102的半導(dǎo)體襯底101置于反應(yīng)室之后，需要調(diào)節(jié)反應(yīng) 室內(nèi)的壓強(qiáng)，使之達(dá)到1 100帕之間的某一壓強(qiáng)。
步驟S103,提供硅基有機(jī)物作為反應(yīng)物質(zhì)。
所述反應(yīng)物質(zhì)包括下式所示一種或多種硅基有機(jī)物 R2
<formula>formula see original document page 11</formula>
其中1^~114獨(dú)立的表示選自線性或支化的、至多具有IO個碳原子的烷基、 硅烷基、亞烷基、亞硅烷基或者胺基。具體的反應(yīng)物質(zhì)例如四曱基二硅烷、 雙(二曱基氨)曱基硅烷、雙(二曱基氨)二曱基硅烷、二曱硅基二曱胺、二曱硅 基二乙胺、三曱硅基二甲胺、三曱硅基二乙胺或者二曱基氨五曱基二硅烷等 其它物質(zhì)。步驟S104，如圖4所示，l吏反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底101表面的光刻月交
102<
可以采用的方法例如在反應(yīng)室中設(shè)置噴嘴，反應(yīng)物質(zhì)從噴嘴中噴射出， 噴射的方向?qū)?zhǔn)半導(dǎo)體襯底101表面的光刻膠102。
改性處理時，發(fā)生反應(yīng)的主要是光刻膠102中被曝光的部分102b與102d, 未曝光部分102a、 102c與102e并不發(fā)生反應(yīng)。
通入反應(yīng)物質(zhì)之后，曝光部分102b'和102d'中，式(2)所描述的物質(zhì)，與 式(l)所描述的通入物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，生成新的組合物102b，和102d',組成102b，
和102d，的主要物質(zhì)分子結(jié)構(gòu)如下
<formula>formula see original document page 12</formula> (6)
式中的I^ RH可以獨(dú)立的為式(l)中的R1、 R2、 113或者114中的任意一種。
反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底101表面的光刻膠102的時間為80秒 200秒， 具體時間例如80秒、90秒、100秒、110秒、120秒、130秒、140秒、150 秒、160秒、170秒、180秒、190秒或者200秒等。
步驟S105,烘烤涂敷光刻膠102的半導(dǎo)體襯底101。
烘烤可以除去步驟S102以及步驟S103中，化學(xué)反應(yīng)生成的水以及其它 易揮發(fā)的副產(chǎn)物。
如附圖5所示為本發(fā)明所述之形成光刻膠掩模圖形的方法的具體實施方式
，包括如下步驟步驟S201,在半導(dǎo)體襯底表面涂覆光刻膠；步驟S202, 對光刻膠進(jìn)行選擇性曝光；步驟S203,將曝光后的涂敷有光刻膠的半導(dǎo)體襯 底置于反應(yīng)室中；步驟S204，提供硅基有機(jī)物作為反應(yīng)物質(zhì)；步驟S205,使 反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠；步驟S206，烘烤涂敷光刻膠的半導(dǎo) 體襯底；步驟S207,刻蝕硅化處理并烘烤的光刻膠。其中，與光刻膠的硅化 方法相同的步驟參見前述光刻膠的硅化方法的具體實現(xiàn)方式和實施例。
所述之曝光，是采用掩模版對光刻膠中不需要曝光的部分進(jìn)行遮擋，所 采用的掩模版可以是二進(jìn)制明暗度掩模版(Binary Intensity Mask)、相移式掩模 版(Phase Shift Mask)或者單元投影式掩模版(cell Projection Mask)等各種類型 的掩模版。以上均為集成電路工藝中常見的掩模版，根據(jù)需要，分別應(yīng)用在 不同的工藝環(huán)境中。
所述曝光采用的光源波長為190納米 400納米。該方法適用于波長365nm 的汞燈光源，也適用于波長為248nrn的KrF激光器光源、波長為193nm的 ArF激光器光源。
步驟S201、 S202、 S207所述之內(nèi)容，為本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員所公知的半導(dǎo) 體制造領(lǐng)域常規(guī)光刻工藝，此處不詳細(xì)敘述。內(nèi)容。
如圖6所示為以上步驟實施完畢后，在半導(dǎo)體襯底201上得到的由光刻 膠202b，和202d，構(gòu)成的光刻膠掩模圖形。
下面將給出本發(fā)明光刻膠的硅化方法的實施例。
曝光后的涂敷有光刻膠的單晶硅晶圓片
第一步將上述晶圓片硅襯底放入反應(yīng)室中，；
第二步提供反應(yīng)物質(zhì)HMDS (六曱基二硅氨烷)；
第三步使反應(yīng)物質(zhì)流過光刻膠表面，時間150秒，反應(yīng)室氣氛為氮?dú)?、壓?0帕、溫度120。C;
第四步烘烤涂敷光刻膠的硅襯底。
下面將給出本發(fā)明形成光刻膠掩模圖形的方法的實施例。
已經(jīng)制作了集成電路結(jié)構(gòu)的單晶硅晶圓片
第一步采用HMDS工藝預(yù)處晶圓表面；
第二步將由15°/。的重氮萘醌與85%的聚酰胺酸(以上為質(zhì)量百分比) 組成的光刻膠組合物涂于硅襯底表面，厚度500納米；
第三步采用單元投影式掩模版與波長365nm的光源對光刻膠進(jìn)行曝光 處理，曝光功率0.3焦耳；
第四步將帶有曝光后光刻膠的硅襯底放入反應(yīng)室中；
第五步提供反應(yīng)物質(zhì)HMDS (六曱基二硅氨烷)；
第六步:使反應(yīng)物質(zhì)流過光刻膠表面，時間150秒，反應(yīng)室氣氛為氮?dú)狻?壓力50帕、溫度120°C;
第七步烘烤涂敷光刻膠的硅襯底；
第八步刻蝕光刻膠，采用質(zhì)量濃度2.38%的TMAH溶液作為腐蝕液。 以上光刻膠的硅化方法及形成光刻膠掩模圖形的方法的實施方式與實施 例所描述的技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)在于
1) 由于采用硅化工藝對光刻膠的曝光部分作處理，提高了光刻膠的強(qiáng)度， 因此可以降低光刻膠的厚度，節(jié)約材料成本；
2) 因為光刻膠厚度降低，曝光所需的能量相應(yīng)降低，所以可縮短曝光時間， 提高光刻效率。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種光刻膠的硅化方法，提供表面涂敷光刻膠并經(jīng)過曝光處理的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，包括如下步驟將曝光后的涂敷有光刻膠的半導(dǎo)體襯底置于反應(yīng)室中；提供包括下式所示一種或多種硅基有機(jī)物的反應(yīng)物質(zhì)其中R1～R4獨(dú)立的表示選自線性或支化的、至多具有10個碳原子的烷基、硅烷基、亞烷基、亞硅烷基或者胺基；使反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述之光刻膠的硅化方法，其特征在于，所述光刻膠的組 成成份中含有聚酰胺酸和重氮萘醌。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之光刻膠的硅化方法，其特征在于，所述反應(yīng)室 內(nèi)的氣體為He、 Ne、 Ar、 N2、 02或者空氣。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之光刻膠的硅化方法，其特征在于，所述反應(yīng)室 內(nèi)的壓強(qiáng)為1-100帕。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之光刻膠的硅化方法，其特征在于，所述反應(yīng)室 的溫度為90°C~150°C。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之光刻膠的硅化方法，其特征在于，所述反應(yīng)物 質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠的時間為80秒 200秒。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之光刻膠的硅化方法，其特征在于，所述光刻膠 的厚度為150納米~500納米。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之光刻膠的硅化方法，其特征在于，所述步驟還 包括在使反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠之后，烘烤涂敷光刻膠的半導(dǎo)體襯底。
9. 一種形成光刻膠掩模圖形的方法，其特征在于，包括如下步驟 半導(dǎo)體襯底表面涂覆光刻膠；采用掩才莫版對半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠做曝光處理； 將曝光后的涂敷有光刻膠的半導(dǎo)體襯底置于反應(yīng)室中； 提供包括下式所示一種或多種硅基有機(jī)物的反應(yīng)物質(zhì)<formula>formula see original document page 3</formula> (i)其中11
114獨(dú)立的表示選自線性或支化的、至多具有IO個碳原子的烷基、 硅烷基、亞烷基、亞硅烷基或者胺基； 使反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠； 對半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠做顯影處理。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述之形成光刻膠掩沖莫圖形的方法，其特征在于，所述步 驟還包括在使反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠之后，烘烤涂敷光刻 膠的半導(dǎo)體襯底。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述之形成光刻膠掩模圖形的方法，其特征在于，所述之 曝光，采用的光源波長為190納米 400納米。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述之形成光刻膠掩模圖形的方法，其特征在于，所述之 曝光，采用的掩模版為二進(jìn)制明暗度掩模版、相移式掩模版或者單元投影 式掩模版。
全文摘要
一種光刻膠的硅化方法，包括提供表面涂敷光刻膠并經(jīng)過曝光處理的半導(dǎo)體襯底；將曝光后的涂敷有光刻膠的半導(dǎo)體襯底置于反應(yīng)室中；提供包括硅基有機(jī)物的反應(yīng)物質(zhì)使反應(yīng)物質(zhì)流過半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠。本發(fā)明還提供了一種形成光刻膠掩模圖形的方法。本發(fā)明所提供的技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)在于，由于采用硅化工藝對光刻膠掩模作處理，提高了光刻膠的強(qiáng)度，因此可以降低光刻膠的厚度，節(jié)約材料成本；因為光刻膠厚度降低，曝光所需的能量相應(yīng)降低，所以可縮短曝光時間，提高光刻效率。
文檔編號G03F7/26GK101458460SQ20071009455
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者崔彰日, 冬 李 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司