專利名稱：建立光學鄰近校正模型方法、光學鄰近校正方法和掩模版的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光學鄰近校正技術，特別是適用于拐角變圓的光學鄰近校正方法。
背景技術：
隨著集成電路的日益發(fā)展，設計尺寸越來越小，由于光的衍射和干涉現(xiàn)象，硅片上 實際得到的光刻圖形與掩模版圖形之間存在一定的變形和偏差。在光刻過程中，投影光通 過掩模版后傳播到硅片的各層材料上，從而使硅片的各層材料上得到與掩膜圖形相關的光 刻圖形。根據光波衍射和干涉原理，光波通過掩模版時將發(fā)生衍射，掩模版不同位置之間的 光波還會發(fā)生干涉，因此，實際投射到硅片上的光強分布是這些衍射光波的疊加結果，與掩 模圖形并不是完全相同。這種由于光波衍射、干涉而使光刻圖形與掩膜圖形產生偏差的現(xiàn)象稱為光學鄰近 效應OPE (Optical Proximity Effect)。根據光波衍射原理，當掩模版圖形關鍵尺寸(CD) 遠大于光波波長時，硅片上光刻圖形與掩膜版圖形基本相同；但在超深亞微米工藝下，集成 電路特征尺寸在0. 13微米甚至0. 09微米以下，已經接近甚至小于光波波長，此時，光的衍 射效果非常明顯，特別是在圖形相互鄰近的部位，例如在線段頂端和圖形拐角處，并且，隨 著集成電路特征尺寸不斷地減小，這種變形與偏差變得越來越嚴重，直接影響電路性能和 生產成品率。在實際光刻過程中，由于光學鄰近效應的存在，曝光顯影后的圖像會存在失真，表 現(xiàn)在拐角處，即體現(xiàn)為拐角變圓。參考圖1，在區(qū)域101和區(qū)域102中，由于實際制造工藝 中光學和化學效應的作用，拐角會鈍化變圓，而內角增加的面積使得內角鈍化更加嚴重，此 外，拐角變圓也影響了圖形的關鍵尺寸D。為了盡可能地減小掩膜圖形到光刻圖形的變形與偏差，抑制光學鄰近效應的負面 作用進而提高芯片生產的成品率，光學鄰近校正0PC(0ptiCalPrOXimity Correction)被廣 泛應用到對掩模版圖形的設計過程中。為了適應設計的復雜度，使校正更為精確，基于模型 的OPC越來越多地被采用?；谀Ｐ偷腛PC簡單來說就是建立與現(xiàn)實光刻情況相符合的光 學鄰近校正模型，并將該模型應用至需要進行光刻的圖形中。其中，建立合適的光學鄰近校 正模型是基于模型的OPC的關鍵?，F(xiàn)有技術的OPC中，針對拐角變圓現(xiàn)象也有一些研究。專利號為US6280887的美國 專利中公開了一種通過在掩模版圖形的邊緣添加襯線和孔洞以修正拐角變圓現(xiàn)象的方案。 此外現(xiàn)有技術中，還包括在掩模版圖形的方形拐角處添加附加方塊等方法針對拐角變圓現(xiàn) 象進行掩模版修正，然而，這些方法以附加圖形彌補原掩模版圖形中拐角變圓所造成的損 失，需要反復多次進行嘗試以獲得關于附加圖形大小和放置位置的最佳修正方案，耗費人 力、時間和精力。申請?zhí)枮?00510074132. X的中國專利申請中還公開了一種利用倒角進行修圓的 處理，參考圖2，對于掩模版圖形中的角部200，采用倒角204模擬所形成的圓弧202，以進行 修圓處理。然而，可以看到，由倒角204所構成的新圖形與由圓弧202所構成的實際圖形之間存在較大空間冗余，這將對圖形的關鍵尺寸、空間周期等參數造成影響；此外，步進式光 刻機在實際處理中，并不是走直線，而是根據分辨率將斜線拆解為多個頭尾連接的折線，按 照所分解的折線逐個步進，上述技術方案大大增加了需要計算和處理的數據量，影響了生
產效率。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種建立光學鄰近校正模型方法、光學鄰近校正方法和 掩模版，盡可能地減小光刻過程中的拐角變圓的影響。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種建立光學鄰近校正模型的方法，其特征在于， 包括根據掩模版上的測試圖形進行曝光和顯影，獲得測試數據；對所述掩模版的測試圖 形進行修圓處理，所述修圓處理包括以鋸齒狀折線替代掩模版原測試圖形中的方形拐角； 應用經過修圓處理后的掩模版模擬光刻過程，獲得模擬數據；比較所述測試數據以及所述 模擬數據，建立光學鄰近校正模型。本發(fā)明還提供了一種應用所述建立光學鄰近校正模型的方法的光學鄰近校正方 法，還包括根據所述光學鄰近校正模型，校正設計圖形。本發(fā)明還提供了一種掩模版，包含多個測試圖形，其中每一個所述測試圖形的角 部為鋸齒形折線。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明實施方式通過在獲得模擬數據的過程以及在對設計圖形的校正過程中，以 鋸齒狀折線模擬圓弧軌跡，替代組成掩模版原測試圖形中的方形拐角，實現(xiàn)對方形拐角的 修圓處理，使按照修改后掩模版所進行的模擬與實際的曝光及顯影過程更為貼切，從而使 光學鄰近校正更加精確，進而有效地提高芯片性能和產品成品率。


圖1是實際光刻中拐角變圓現(xiàn)象的示意圖；圖2是現(xiàn)有技術中一種對拐角進行修圓處理的示意圖；圖3是本發(fā)明建立光學鄰近校正模型的方法的實施方式的流程示意圖；圖4是如圖3所示步驟Sl實施方式的流程示意圖；圖5是如圖3所示步驟S2 —種實施方式的流程示意圖；圖6是采用如圖5所示步驟S2實施方式修圓的方形拐角示意圖；圖7是如圖3所示步驟S2另一實施方式的流程示意圖；圖8是采用如圖7所示步驟S2另一實施方式修圓的方形拐角示意圖；圖9是如圖3所示步驟S2 —種實施例中被修圓的方形拐角示意圖；圖10是本發(fā)明所建立的光學鄰近校正模型與應用傳統(tǒng)方法所建立的光學鄰近校 正模型的模型誤差示意圖；圖11是本發(fā)明光學鄰近校正方法實施方式的流程示意圖；圖12是采用本發(fā)明光學鄰近校正方法以及傳統(tǒng)的光學鄰近校正方法對不同類型 的設計圖形進行光學鄰近校正時，關鍵尺寸的誤差的示意圖；圖13是本發(fā)明掩模版的結構示意圖。
具體實施例方式在基于模型的OPC中，準確地建立符合實際曝光情況的光學鄰近校正模型至關重 要。一般來說，可首先采用測試掩模版進行曝光，通過測量實際曝光后在硅片上所獲得的曝 光圖形的尺寸，獲得測試數據；然后根據所采用的測試掩模版上的測試圖形模擬光刻過程， 通過測量模擬結果的尺寸，獲得模擬數據；接著，對比所述測試數據和模擬數據，建立光學 鄰近校正模型，使得將該光學鄰近校正模型應用于所述模擬數據時，能夠獲得與實際的測 試數據相同的結果。在實際光刻中，當掩模版上的測試圖形經曝光、顯影步驟而轉移至光阻抗蝕劑層 時，顯影后圖形會出現(xiàn)方形拐角變圓的現(xiàn)象，即直角會變成規(guī)則或不規(guī)則的圓弧形，發(fā)明人 提出在獲得模擬數據的過程中，先對掩模版測試圖形中每個方形拐角進行修圓處理，并結 合步進式光刻機的運動軌跡，通過多次反復實踐后，采用以鋸齒狀折線模擬所述圓弧的軌 跡，以替代組成掩模版原測試圖形中的方形拐角，實現(xiàn)所述修圓處理，使光學鄰近校正模型 更加符合實際曝光情況。參考圖3，本發(fā)明實施方式提供了一種建立光學鄰近校正模型的方法，包括步驟 Si，根據掩模版上的測試圖形進行曝光和顯影，獲得測試數據；步驟S2，對所述掩模版的測 試圖形進行修圓處理，其中，所述修圓處理包括以鋸齒狀折線替代掩模版原測試圖形中的 方形拐角；步驟S3，應用經過修圓處理后的掩模版模擬光刻過程，獲得模擬數據；步驟S4， 比較所述測試數據以及所述模擬數據，建立光學鄰近校正模型。其中，所述鋸齒狀折線的兩端分別與組成原方形拐角的兩邊相交；所述鋸齒狀折 線中的每個齒的角度可根據實際需要為0° -180°之間的任意值，每個齒所形成的角度可 相同，也可不同；形成每個齒的兩端折線線段的長度比例可為1 1-1 4，也可根據實際 情況進行調整，并不對本發(fā)明思路構成限制。下面結合附圖和具體實施例，對本發(fā)明的實施方式作進一步詳細說明。參考圖4，步驟Sl可包括步驟S101，提供掩模版，所述掩模版具有多個測試圖形； 步驟S102，對所述掩模版進行曝光，測量曝光顯影后形成的圖形，獲得測試數據。具體來說，步驟SlOl可根據需要設計圖形的關鍵尺寸、圖案密度以及線寬間距比 等參數，在掩模版上形成多個測試圖形。其中，在掩模版上形成測試圖形的工藝可包括先 在透明玻璃上形成一層不透光的鉻膜層；在鉻膜層上形成抗反射層；在抗反射層上旋涂光 阻抗蝕劑層；以光學直寫、投影式電子束直寫或掃描電鏡(SEM)直寫等方式曝光，將布局軟 件中的布局線路圖形轉移到光阻抗蝕劑層上，接著以顯影工藝在光阻抗蝕劑層上定義出掩 模版線路圖形開口 ；以光阻抗蝕劑層為光罩，以濕法刻蝕或電漿刻蝕方法刻蝕抗反射層和 鉻膜層；當抗反射層和鉻膜層刻蝕完成后，移除光阻抗蝕劑層和抗反射層，形成透光的掩模 版線路圖形區(qū)域和不透光的掩模版線路圖形區(qū)域。步驟S102通過曝光以及顯影，將掩模版上的所述測試圖形轉移至硅片的光阻抗 蝕劑層上，并對顯影后的圖形進行測量，例如可采用掃描電鏡(SEM)或光學顯微鏡等進行測量。在一種具體實施方式
中，參考圖5，步驟S2可包括步驟S201，確定掩模版測試圖 形中的方形拐角；步驟S202，根據預定半徑，獲得與所述方形拐角接近的圓??；步驟S203，
6產生鋸齒狀折線，并且所述鋸齒狀折線每個齒的頂點落在步驟S202所獲得的圓弧上。其中，步驟S201可包括直接在掩模版測試圖形上獲取，也可包括對比步驟Sl所形 成的顯影后的圖形，選取產生拐角變圓現(xiàn)象的拐角。在步驟S202中，可包括獲得與所述方形拐角內切的內切圓，并以其半徑作為所 述預定半徑，所述圓弧為該內切圓與組成所述方形拐角的兩邊相切的兩個切點之間的弧 形；也可根據步驟Sl所形成的顯影圖形，獲得所述預定半徑的估計值以及圓弧。步驟S203中，參考圖6，當鋸齒狀折線300的每個齒的頂點落在步驟S202所獲得 的圓弧301上時，鋸齒狀折線300的軌跡接近于圓弧301。并且，類似于圓的內切多邊形的 原理，當落在圓弧301上的齒的數目無限接近于無窮大時，鋸齒狀折線300的軌跡無限逼近 于圓弧301，因此采用鋸齒狀折線300能夠很好地對圓弧301模擬。具體來說，每個齒所形成的角度可為0° -180°之間的其它任意值，例如30°、 45°、60°等等，也可為90° ；當每個齒所形成的角度為90°，形成矩形齒狀折線，與步進式 光刻機運動軌跡相匹配，從而大大減少需要計算、處理和存儲的數據量。每個齒所對應的兩 條折線線段的長度比例可為1 1，也可調整為其它值，例如1 2、1 3、1 4。每個齒 所形成的角度越小，或者每個齒所對應的兩條折線線段的長度相差越小，齒的數目越多，所 述鋸齒狀折線的軌跡越接近于圓弧，但所需計算和處理的數據量也越大。此外，類似地，組 成每個齒的折線線段的長度越小，齒的數目越多，所述鋸齒狀折線的軌跡越接近于圓弧，但 所需計算和處理的數據量也越大。在另一種實施方式中，所述每個齒所形成的角都為直角，參考圖7，步驟S2還可包 括步驟S211，確定掩模版測試圖形中的方形拐角；步驟S212，根據預定半徑，獲得與所述 方形拐角接近的圓弧；步驟S213，根據步驟S22所獲得的圓弧產生矩形齒狀折線，使所述圓 弧穿過每個所述齒狀折線的水平線段。其中，步驟S211和步驟S212可分別參考上述步驟S201和步驟S202，在此不再贅 述。步驟S213中，參考圖8，產生與構成方形拐角的兩邊相交的矩形齒狀折線400，并 且步驟S212所獲得的圓弧401與矩形齒狀折線400的交點在每個所述齒狀折線水平線段 中，從而使矩形齒狀折線400的軌跡接近于圓弧401。類似地，當落在圓弧401上的齒的數 目無限接近于無窮大時，鋸齒狀折線400的軌跡無限逼近于圓弧401。具體來說，每個齒所對應的兩條折線線段的長度比例可為1 1，也可調整為其它 值，例如1 2、1 3、1 4等。每個齒所對應的兩條折線線段的長度相差越小，或者組成 每個齒的折線線段的長度越小，齒的數目越多，所述鋸齒狀折線的軌跡越接近于圓弧，但所 需計算和處理的數據量也越大。在具體實施例中，圓弧與所述鋸齒狀折線的交點可為每個所述齒狀折線水平線段 的中點位置，也可為每個所述齒狀折線水平線段中其它位置，例如1/3處或1/4處等。圓弧 與每個所述齒狀折線的交點可在每個所述齒狀折線水平線段的相同位置，也可在其不同位 置。具體的交點位置對模擬的精確度有一定影響，但不影響本發(fā)明構思。在又一個具體實施方式
中，參考圖9，所述對方形拐角500進行修圓處理可包括首先，在方形拐角500內取一小方塊，其初始位置為501，記錄該小方塊左上角的 位置及構成左上角的兩邊，即上邊緣和左邊緣的位置。
接著，移動該小方塊，使其分別位于502、503、504、505、506和507處，并記錄當該 小方塊位于不同位置時其左上角及其兩邊的位置；具體來說，可使位置501與位置503、位 置503與位置505以及位置505與位置507之間的垂直距離相等，并且使位置501與位置
502、位置502與位置504以及位置504與位置506之間的水平距離相等，其中，當該小方塊 位于位置507時，其上邊緣與方形拐角500的一邊511重合，當該小方塊位于位置506時， 其左邊緣與方形拐角500的一邊512重合。接著，根據當所述小方塊在不同位置時所記錄的左上角及其兩邊的位置，獲得鋸 齒形折線。具體來說，當小方塊在位置501時，記錄其上邊緣和左邊緣的位置；當小方塊從 位置501移動至位置503時，記錄其上邊緣和左邊緣的位置，并獲得其左邊緣與當小方塊 在位置501時上邊緣的交點N ；當小方塊從位置503移動至位置505時，記錄其上邊緣和左 邊緣的位置，并獲得其左邊緣與當小方塊在位置503時上邊緣的交點M，N點與M點之間所 包含的左上角的部分為鋸齒形折線的一個齒形。類似地，根據當小方塊分別位于501、502、
503、504、505、506和507處時所記錄的上邊緣和左邊緣的位置，獲得交點的位置，將各交點 之間所包含的左上角的部分記錄為鋸齒形折線的各個齒形，從而獲得所述鋸齒形折線。此外，步驟S2還可包括，對掩模版測試圖形進行其它修正。可包括對線端變短 (line-end shorting)、線間橋接(line bridging)以及線寬的增大或減小進行修正，以盡 可能減小光學鄰近效應的負面影響。根據上述各實施方式，對掩模版的測試圖形修圓處理后，執(zhí)行步驟S3和步驟S4, 應用所述掩模版模擬光刻過程，獲得模擬數據，并在此基礎上，比較所述測試數據以及所述 模擬數據，建立光學鄰近校正模型。具體實現(xiàn)步驟為本領域技術人員所熟知的技術，在此不 再贅述。在本發(fā)明建立光學鄰近校正模型的方法的一個具體實施例中，當所述預定半徑為 16納米時，對掩模版的方形拐角進行修圓處理，并建立光學鄰近校正模型。參考圖10，將模 型所獲得的模擬數據與實際曝光顯影后所獲得的測試數據相比較，根據本發(fā)明所建立的光 學鄰近校正模型具有較小的模型誤差。根據本發(fā)明所建立的光學鄰近校正模型相較于應用 傳統(tǒng)方法所建立的光學鄰近校正模型，更加真實地反映了實際的光刻情況。參考圖11，本發(fā)明還提供了 一種應用上述建立光學鄰近校正模型的方法的光學鄰 近校正方法，包括步驟Si，根據掩模版上的測試圖形進行曝光和顯影，獲得測試數據；步 驟S2，對所述掩模版的測試圖形進行修圓處理，其中，所述修圓處理包括以鋸齒狀折線替代 掩模版原測試圖形中的方形拐角；步驟S3，應用經過修圓處理后的掩模版模擬光刻過程， 獲得模擬數據；步驟S4,比較所述測試數據以及所述模擬數據，建立光學鄰近校正模型；以 及步驟S5，根據所述光學鄰近校正模型，校正設計圖形。其中，在校正過程中，除了應用所述 光學鄰近校正模型，對設計圖形的校正過程也包括對設計圖形的方形拐角進行修圓處理， 具體處理步驟可參考建立光學鄰近校正模型的方法各實施方式中對掩模版測試圖形的修 圓處理，在此不再贅述。在本發(fā)明光學鄰近校正方法的一個具體實施例中，在建立光學鄰近校正模型以及 進行光學鄰近校正的過程中，以預定半徑為16納米對掩模版的方形拐角進行修圓處理。參 考圖12，采用本發(fā)明光學鄰近校正方法以及應用傳統(tǒng)的光學鄰近校正方法，對于不同類型 的設計圖形進行光學鄰近校正時，采用本發(fā)明光學鄰近校正方法，曝光顯影后所獲得的關
8鍵尺寸與設計的原始尺寸之間具有較小的誤差。此外，參考圖13，本發(fā)明還提供了一種掩模版600，所述掩模版包含多個測試圖形 601，其中，每一個所述測試圖形的角部602為鋸齒形折線603。具體來說，所述鋸齒狀折線可與掩模版測試圖形中的方形拐角相對應，并且所述 鋸齒狀折線每個齒的頂點落在與所述方形拐角接近的圓弧上；或者所述鋸齒狀折線也可對 應于掩模版測試圖形中的方形拐角，并且每個所述齒狀折線的水平線段和與所述方形拐角 接近的圓弧相交，其中，所述交點可為每個所述齒狀折線水平線段的中點。所述與方形拐角 接近的圓弧可為與所述方形拐角內切的圓的部分。此外，所述鋸齒狀折線為參考塊在所述方形拐角內的不同位置移動時，其與所述 方形拐角同向的角的位置的集合。在上述掩模版的實施方式中，所述鋸齒狀折線中每個齒的角度可為0° -180°之 間的任一角度值，例如每個所述齒的角度可為90°。相較于現(xiàn)有技術，本發(fā)明以鋸齒狀折線替代組成掩模版原測試圖形中的方形拐 角，實現(xiàn)對掩模版測試圖形中每個方形拐角的修圓處理，使根據修改后掩模版所獲得的模 擬數據與實際的曝光顯影后所獲得的測試數據更為貼切，從而使所獲得的光學鄰近校正模 型更加精確以及使對設計圖形的光學鄰近校正更為有效，進而大大提高產品成品率。此 外，當本發(fā)明所采用的鋸齒狀折線為矩形齒狀折線，即每個齒所形成的角度為90°時，形成 矩形齒狀折線，與步進式光刻機運動軌跡相匹配，極大地減少需要計算、處理和存儲的數據 量，有效地節(jié)省了人力和時間，提高了生產效率。雖然本發(fā)明已通過較佳實施例說明如上，但這些較佳實施例并非用以限定本發(fā) 明。本領域的技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，應有能力對該較佳實施例做出各 種改正和補充，因此，本發(fā)明的保護范圍以權利要求書的范圍為準。
權利要求
一種建立光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，包括根據掩模版上的測試圖形進行曝光和顯影，獲得測試數據；對所述掩模版的測試圖形進行修圓處理，所述修圓處理包括以鋸齒狀折線替代掩模版原測試圖形中的方形拐角；應用經過修圓處理后的掩模版模擬光刻過程，獲得模擬數據；比較所述測試數據以及所述模擬數據，建立光學鄰近校正模型。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鋸齒狀折線中的每個齒的角度為90°。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對掩模版的測試圖形進行修圓處理包括確定掩模版測試圖形中的方形拐角；根據預定半徑，獲得與所述方形拐角接近的圓??；產生鋸齒狀折線，并且所述鋸齒狀折線每個齒的頂點落在所述圓弧上。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，每個所述齒的角度為0°-180°之間的任意一角度值。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，每個所述齒的角度為90°。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對掩模版的測試圖形進行修圓處理包括確定掩模版測試圖形中的方形拐角；根據預定半徑，獲得與所述方形拐角接近的圓??；根據所述圓弧產生矩形齒狀折線，使所述圓弧穿過每個所述齒狀折線的水平線段。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，每個所述齒的角度為0°-180°之間的任意一角度值。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，每個所述齒的角度為90°。
9.如權利要求3或6所述的方法，其特征在于，所述確定掩模版測試圖形中的方形拐角 包括對掩模版上所有方形拐角進行選定。
10.如權利要求3或6所述的方法，其特征在于，所述確定掩模版測試圖形中的方形拐 角包括對比顯影后的圖形，選擇產生拐角變圓的方形拐角。
11.如權利要求3或6所述的方法，其特征在于，所述預定半徑為與所述方形拐角內切 的內切圓半徑。
12.如權利要求3或6所述的方法，其特征在于，所述預定半徑為根據所述顯影圖形而 獲得的估計值。
13.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述鋸齒狀折線與所述圓弧的交點為每個 所述齒狀折線水平線段的中點。
14.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對掩模版的測試圖形進行修圓處理包括選取參考塊；在所述方形拐角內移動所述參考塊，并記錄在不同位置時，所述參考塊中與所述方形 拐角同向角的位置；根據所記錄的同向角的位置，獲得所述鋸齒形折線。
15.一種包括如權利要求1-14所述任一項建立光學鄰近校正模型的方法的光學鄰近 校正方法，其特征在于，還包括根據所述光學鄰近校正模型，校正設計圖形。
16.如權利要求15所述的光學鄰近校正方法，其特征在于，所述對設計圖形的校正包 括對設計圖形的方形拐角進行修圓處理，所述修圓處理包括以鋸齒狀折線替代設計圖形 中的方形拐角。
17.一種掩模版，包含多個測試圖形，其特征在于，每一個所述測試圖形的角部為鋸齒 形折線。
18.如權利要求17所述的掩模版，其特征在于，所述鋸齒狀折線對應于掩模版測試圖 形中的方形拐角，并且所述鋸齒狀折線每個齒的頂點落在與所述方形拐角接近的圓弧上。
19.如權利要求17所述的掩模版，其特征在于，所述鋸齒狀折線對應于掩模版測試圖 形中的方形拐角，并且每個所述齒狀折線的水平線段和與所述方形拐角接近的圓弧相交。
20.如權利要求19所述的掩模版，其特征在于，所述交點為每個所述齒狀折線水平線 段的中點。
21.如權利要求18或19所述的掩模版，其特征在于，所述與方形拐角接近的圓弧內切 于所述方形拐角。
22.如權利要求17所述的掩模版，其特征在于，所述鋸齒狀折線為參考塊在所述方形 拐角內的不同位置移動時，其與所述方形拐角同向的角的位置的集合。
23.如權利要求17所述的掩模版，其特征在于，所述鋸齒狀折線中每個齒的角度為 0° -180°之間的任一角度值。
24.如權利要求22所述的掩模版，其特征在于，每個所述齒的角度為90°。
全文摘要
一種建立光學鄰近校正模型的方法、光學鄰近校正方法和掩模版，其中，所述建立光學鄰近校正模型的方法包括根據掩模版上的測試圖形進行曝光和顯影，獲得測試數據；對所述掩模版的測試圖形進行修圓處理，所述修圓處理包括以鋸齒狀折線替代掩模版原測試圖形中的方形拐角；應用經過修圓處理后的掩模版模擬光刻過程，獲得模擬數據；比較所述測試數據以及所述模擬數據，建立光學鄰近校正模型。本發(fā)明以鋸齒狀折線對方形拐角進行修圓處理，使光學鄰近校正更加精確，提高了產品成品率，并節(jié)省了人力和時間，提高了生產效率。
文檔編號G03F1/36GK101937171SQ200910054409
公開日2011年1月5日 申請日期2009年7月3日 優(yōu)先權日2009年7月3日
發(fā)明者樸世鎮(zhèn) 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司