專利名稱：Tft-lcd組合基板、液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD組合基板、液 晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay,簡稱 TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)了主 導(dǎo)地位。液晶顯示器的主體結(jié)構(gòu)包括對(duì)盒在一起并將液晶夾設(shè)其間的陣列基板和彩膜基 板，彩膜基板上形成有矩陣式排列的紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)彩色樹脂和公共電極，陣列 基板上包括數(shù)條柵線和數(shù)據(jù)線，相互垂直的柵線和數(shù)據(jù)線形成了數(shù)個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像 素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極。對(duì)于上述結(jié)構(gòu)形式的液晶顯示器來說，開口率相對(duì)較小是主要不足點(diǎn)，由于柵 線和數(shù)據(jù)線所占面積的比重較大，因此柵線和數(shù)據(jù)線的寬度是制約TFT-LCD開口率提高 的主要因素。雖然現(xiàn)有技術(shù)提出了一種通過減少柵線和數(shù)據(jù)線的有效寬度來提高開口率 的技術(shù)方案，但不僅開口率提高程度十分有限，而且還帶來了柵線和數(shù)據(jù)線電阻增大、 RC延遲增大等負(fù)面作用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD組合基板、液晶顯示器及其制造方法，可以 有效提高開口率。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-LCD組合基板，包括形成在基 板上的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線定義的組合像素區(qū)域包括并列設(shè)置的兩個(gè)像素 區(qū)域，一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有薄膜晶體管和像素電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有公共電 極。所述兩個(gè)像素區(qū)域可以由設(shè)置在組合像素區(qū)域內(nèi)的遮擋線分隔，所述遮擋線位 于相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)線之間，且同一列的公共電極相互連接。所述兩個(gè)像素區(qū)域也可以由設(shè)置在組合像素區(qū)域內(nèi)的遮擋線分隔，所述遮擋線 位于相鄰的兩個(gè)柵線之間，且同一行的公共電極相互連接。所述像素電極與遮擋線搭接。在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電 極，柵絕緣層形成在柵線上并覆蓋整個(gè)基板；包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層的有源層形 成在柵絕緣層上并位于柵線的上方；所述源電極的一端位于柵線的上方，另一端與數(shù)據(jù) 線連接，所述漏電極的一端位于柵線的上方，另一端與源電極相對(duì)設(shè)置；所述源電極與 漏電極之間形成TFT溝道區(qū)域；鈍化層形成在數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極上并覆蓋整個(gè)基 板，在漏電極位置開設(shè)有使漏電極與像素電極連接的鈍化層過孔。在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述基板上還形成有彩膜結(jié)構(gòu)層和黑矩陣。
所述黑矩陣包括與數(shù)據(jù)線所在位置相對(duì)應(yīng)的第一黑矩陣。所述黑矩陣包括位于相鄰數(shù)據(jù)線或相鄰柵線之間的第二黑矩陣。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-LCD組合基板制造方法，包括步驟1、在基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的圖形，所述柵線和數(shù)據(jù)線定 義的組合像素區(qū)域包括并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；步驟2、形成像素電極和公共電極，且所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，與所 述薄膜晶體管的漏電極連接，所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種液晶顯示器，包括對(duì)盒的第一 TFT-LCD 組合基板和第二 TFT-LCD組合基板，所述第一 TFT-LCD組合基板包括形成在第一基板 上且定義了兩個(gè)像素區(qū)域的第一柵線和第一數(shù)據(jù)線，一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第一薄膜晶 體管和第一像素電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第一公共電極；所述第二 TFT-LCD組合 基板包括彩膜結(jié)構(gòu)層和陣列結(jié)構(gòu)層，所述彩膜結(jié)構(gòu)層包括彩色樹脂圖形和第一黑矩陣， 所述陣列結(jié)構(gòu)層包括形成在第二基板上且定義了兩個(gè)像素區(qū)域的第二柵線和第二數(shù)據(jù) 線，一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第二公共電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第二薄膜晶體管和 第二像素電極，所述第一黑矩陣設(shè)置在與第二數(shù)據(jù)線相對(duì)應(yīng)的位置；所述第一柵線與第 二柵線、所述第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線、所述第一像素電極與第二公共電極、所述第一 公共電極與第二像素電極相對(duì)設(shè)置。所述第一 TFT-LCD組合基板的第一柵線和第一數(shù)據(jù)線定義了數(shù)個(gè)組合像素 區(qū)域，每個(gè)組合像素區(qū)域被第一遮擋線分隔成并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；所述第二 TFT-LCD組合基板的第二柵線和第二數(shù)據(jù)線定義了數(shù)個(gè)組合像素區(qū)域，每個(gè)組合像素區(qū) 域被第二遮擋線分隔成并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域。所述第一遮擋線與第一數(shù)據(jù)線平行，且位于相鄰的兩個(gè)第一數(shù)據(jù)線之間；所述 第二遮擋線與第二數(shù)據(jù)線平行，且位于相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線之間；所述第一遮擋線與 第二遮擋線相對(duì)設(shè)置。所述第一遮擋線與第一柵線平行，且位于相鄰的兩個(gè)第一柵線之間；所述第二 遮擋線與第二柵線平行，且位于相鄰的兩個(gè)第二柵線之間；所述第一遮擋線與第二遮擋 線相對(duì)設(shè)置。在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述彩膜結(jié)構(gòu)層還包括位于相鄰數(shù)據(jù)線或相鄰柵線之 間的第二黑矩陣。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種液晶顯示器制造方法，包括制備第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板；所述第一 TFT-LCD
組合基板包括形成在第一基板上且定義了兩個(gè)像素區(qū)域的第一柵線和第一數(shù)據(jù)線，一個(gè) 像素區(qū)域內(nèi)形成有第一薄膜晶體管和第一像素電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第一公共 電極；所述第二 TFT-LCD組合基板包括彩膜結(jié)構(gòu)層和陣列結(jié)構(gòu)層，所述陣列結(jié)構(gòu)層包括 形成在第二基板上且定義了兩個(gè)像素區(qū)域的第二柵線和第二數(shù)據(jù)線，一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形 成有第二公共電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第二薄膜晶體管和第二像素電極；將所述第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板對(duì)盒，所述第一柵線 與第二柵線、所述第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線、所述第一像素電極與第二公共電極、所述第一公共電極 與第二像素電極相對(duì)設(shè)置。本發(fā)明提供了一種TFT-LCD組合基板及其制造方法，通過在基板上同時(shí)形成 陣列結(jié)構(gòu)圖形和公共電極圖形，使基板上的柵線或數(shù)據(jù)線數(shù)量減少了一半，可以有效提 高液晶顯示器的開口率。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示器及其制造方法，通過在兩個(gè) TFT-LCD組合基板上分別設(shè)置陣列結(jié)構(gòu)圖形和公共電極圖形，且對(duì)盒后兩個(gè)TFT-LCD 組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形相互錯(cuò)開，每個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形與另一 個(gè)TFT-LCD組合基板上的公共電極圖形相對(duì)應(yīng)，可以有效提高液晶顯示器的開口率。


圖1為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板的平面示意圖；圖2為圖1中Al-Al向的剖視圖；圖3為圖1中Bl-Bl向的剖視圖；圖4為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板的平面示意圖；圖5為圖4中Cl-Cl向的剖視圖；圖6為圖4中Dl-Dl向的剖視圖；圖7為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板第一次構(gòu)圖工藝 后的平面圖；圖8為圖7中A2-A2向的剖面圖；圖9為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板第二次構(gòu)圖工藝 后的平面圖；圖10為圖9中A3-A3向的剖面圖；圖11為圖9中B3-B3向的剖面圖；圖12為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板第三次構(gòu)圖工 藝后的平面圖；圖13為圖12中A4-A4向的剖面圖；圖14為圖12中B4-B4向的剖面圖；圖15為本發(fā)明液晶顯示器第二實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板的平面示意 圖；圖16為本發(fā)明液晶顯示器第二實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板的平面示意 圖；圖17為本發(fā)明液晶顯示器第三實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板的平面示意 圖；圖18為圖17中El-El向的剖視圖；圖19為本發(fā)明液晶顯示器第三實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板的平面示意 圖；圖20為圖19中Fl-Fl向的剖視圖；圖21為本發(fā)明液晶顯示器第四實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板的平面示意 圖；圖22為圖21中Gl-Gl向的剖視圖23為本發(fā)明液晶顯示器第三實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板的平面示意 圖；圖24為圖23中H1-H1向的剖 視圖；圖25為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法的流程圖；圖26為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第一實(shí)施例的流程圖；圖27為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第二實(shí)施例的流程圖；圖28為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第三實(shí)施例的流程圖；圖29為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第四實(shí)施例的流程圖；圖30為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第五實(shí)施例的流程圖；圖31為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第六實(shí)施例的流程圖；圖32為本發(fā)明液晶顯示器制造方法的流程圖。附圖標(biāo)記說明1-第一基板； 2-第二基板； 3-彩色樹脂圖形；4-第一黑矩陣；5-第二黑矩陣；11-第一柵線；12-第一數(shù)據(jù)線；13-第一遮擋線；14-第一薄膜晶體管；15-第一像素電極；16-第一公共電極；17-第一遮擋條；21-第二柵線； 22-第二數(shù)據(jù)線； 23-第二遮擋線；24-第二薄膜晶體管；25-第二像素電極；26-第二公共電極；27-第二遮擋條； 31-柵絕緣層； 32-半導(dǎo)體層；33-摻雜半導(dǎo)體層；34-第一源電極； 35-第一漏電極；36-鈍化層； 37-第一鈍化層過孔；41-柵絕緣層；42-半導(dǎo)體層； 43-摻雜半導(dǎo)體層；44-第二源電極；45-第二漏電極； 46-鈍化層； 47-第二鈍化層過孔。
具體實(shí)施例方式下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。本發(fā)明液晶顯示器的主體結(jié)構(gòu)包括對(duì)盒在一起并將液晶夾設(shè)其間的第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板。圖1為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板的平面示意圖， 圖2為圖1中Al-Al向的剖視圖，圖3為圖1中Bl-Bl向的剖視圖。如圖1 3所示， 第一 TFT-LCD組合基板包括形成在第一基板1上的數(shù)個(gè)第一柵線11、第一數(shù)據(jù)線12和 第一遮擋線13，第一遮擋線13與第一數(shù)據(jù)線12平行且位于相鄰的兩個(gè)第一數(shù)據(jù)線12之 間，相鄰的兩個(gè)第一柵線11與相鄰的兩個(gè)第一數(shù)據(jù)線12定義了數(shù)個(gè)組合像素區(qū)域，每個(gè) 組合像素區(qū)域被第一遮擋線13分隔成橫向并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域第一像素區(qū)域和第 二像素區(qū)域，第一像素區(qū)域內(nèi)形成有作為陣列結(jié)構(gòu)圖形的第一薄膜晶體管14和第一像素 電極15，第二像素區(qū)域內(nèi)形成有第一公共電極16，第一柵線11用于向第一薄膜晶體管14 提供開啟信號(hào)，第一數(shù)據(jù)線12用于向第一像素電極15提供數(shù)據(jù)信號(hào)，第一公共電極16 用于提供公共電壓信號(hào)，第一遮擋線13用于遮擋第一像素電極15與第一公共電極16之 間的間隙，起到黑矩陣的作用。實(shí)際應(yīng)用中，第一遮擋線13的寬度可以設(shè)置成與第一數(shù)據(jù)線12的寬度相同。如果按照奇列、偶列來定義像素區(qū)域，那么本實(shí)施例第一TFT-LCD 組合基板的第一像素區(qū)域位于奇數(shù)列，第二像素區(qū)域位于偶數(shù)列，即第一薄膜晶體管14 和第一像素電極15形成在奇數(shù)列的像素區(qū)域內(nèi)，第一公共電極16形成在偶數(shù)列的像素區(qū) 域內(nèi)。具體地，第一薄膜晶體管14包括第一柵電極、第一有源層、第一源電極34和第 一漏電極35，第一柵線11的一部分作為第一薄膜晶體管的第一柵電極，第一柵線11形成 在第一基板1上；柵絕緣層31形成在第一柵線11上并覆蓋整個(gè)第一基板1，第一有源層 (包括半導(dǎo)體層32和摻雜半導(dǎo)體層33)形成在柵絕緣層31上并位于作為第一柵電極的第 一柵線11的上方；第一源電極34和第一漏電極35形成在第一有源層上，第一源電極34 的 一端位于第一柵線11的上方，另一端與第一數(shù)據(jù)線12連接，第一漏電極35的一端位 于第一柵線11的上方，另一端與第一像素電極15連接；第一源電極34與第一漏電極35 之間形成第一 TFT溝道區(qū)域，第一 TFT溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層33被完全刻蝕掉，并刻 蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層32，使第一 TFT溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層32暴露出來；第一遮擋線 13與第一數(shù)據(jù)線12同層設(shè)置并位于相鄰的第一數(shù)據(jù)線12之間，將組合像素區(qū)域劃分成第 一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域；鈍化層36形成在第一數(shù)據(jù)線12、第一遮擋線13、第一源電 極34和第一漏電極35上并覆蓋整個(gè)第一基板1，在第一漏電極35位置開設(shè)有第一鈍化層 過孔37;第一像素電極15形成在第一像素區(qū)域內(nèi)，第一像素電極15通過第一鈍化層過 孔37與第一漏電極35連接，第一像素電極15的邊緣搭設(shè)在第一遮擋線13上，使第一像 素電極15與第一遮擋線13存在交疊，一方面可以遮擋第一像素電極邊緣的漏光，另一方 面由第一像素電極與第一遮擋線構(gòu)成存儲(chǔ)電容；第一公共電極16形成在與第一像素區(qū)域 相鄰的第二像素區(qū)域內(nèi)，且同一列的第一公共電極16相互連接。
圖4為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板的平面示意圖， 圖5為圖4中Cl-Cl向的剖視圖，圖6為圖4中Dl-Dl向的剖視圖。如圖4 6所示， 第二TFT-LCD組合基板的主體結(jié)構(gòu)包括彩膜結(jié)構(gòu)層和陣列結(jié)構(gòu)層。彩膜結(jié)構(gòu)層為形成在 第二基板2上的彩色樹脂圖形3和第一黑矩陣4，彩色樹脂圖形3包括以矩陣方式排列的 紅色樹脂圖形、綠色樹脂圖形和藍(lán)色樹脂圖形，第一黑矩陣4設(shè)置在與第二數(shù)據(jù)線22相 對(duì)應(yīng)的位置，具體地，第一黑矩陣4位于第二數(shù)據(jù)線22的下方。陣列結(jié)構(gòu)層包括形成在 彩膜結(jié)構(gòu)層上的數(shù)個(gè)第二柵線21、第二數(shù)據(jù)線22和第二遮擋線23，第二遮擋線23與第 二數(shù)據(jù)線22平行且位于相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線22之間，相鄰的兩個(gè)第二柵線21與相鄰 的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線22定義了數(shù)個(gè)組合像素區(qū)域，每個(gè)組合像素區(qū)域被第二遮擋線23分隔 成橫向并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域第三像素區(qū)域和第四像素區(qū)域，第三像素區(qū)域內(nèi)形成 有第二公共電極26，第四像素區(qū)域內(nèi)形成有作為陣列結(jié)構(gòu)圖形的第二薄膜晶體管24和第 二像素電極25，第二柵線21用于向第二薄膜晶體管24提供開啟信號(hào)，第二數(shù)據(jù)線22用 于向第二像素電極25提供數(shù)據(jù)信號(hào)，第二公共電極26用于提供公共電壓信號(hào)，第二遮擋 線23用于遮擋第二像素電極25與第二公共電極26之間的間隙，起到黑矩陣的作用。實(shí) 際應(yīng)用中，第二遮擋線23的寬度可以設(shè)置成與第二數(shù)據(jù)線22的寬度相同。如果按照奇 列、偶列來定義像素區(qū)域，那么本實(shí)施例第二 TFT-LCD組合基板的第三像素區(qū)域位于奇 數(shù)列，第四像素區(qū)域位于偶數(shù)列，即第二公共電極26形成在奇數(shù)列的像素區(qū)域內(nèi)，第二 薄膜晶體管24和第二像素電極25形成在偶數(shù)列的像素區(qū)域內(nèi)。具體地，彩色樹脂圖形 3和第一黑矩陣4形成在第二基板2上；第二薄膜晶體管24包括第二柵電極、第二有源層、第二源電極44和第二漏電極45，第二柵線21的一部分作為第二薄膜晶體管的第二柵電極，第二柵線21形成在彩色樹脂圖形3上；柵絕緣層41形成在第二柵線21上并覆蓋 整個(gè)第二基板2，第二有源層(包括半導(dǎo)體層42和摻雜半導(dǎo)體層43)形成在柵絕緣層41 上并位于作為第二柵電極的第二柵線21的上方；第二源電極44和第二漏電極45形成在 第二有源層上，第二源電極44的一端位于第二柵線21的上方，另一端與第二數(shù)據(jù)線22 連接，第二漏電極45的一端位于第二柵線21的上方，另一端與第二像素電極25連接； 第二源電極44與第二漏電極45之間形成第二 TFT溝道區(qū)域，第二 TFT溝道區(qū)域的摻雜 半導(dǎo)體層43被完全刻蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層42，使第二 TFT溝道區(qū)域的半 導(dǎo)體層42暴露出來；第二遮擋線23與第二數(shù)據(jù)線22同層設(shè)置并位于相鄰的第二數(shù)據(jù)線 22之間，將組合像素區(qū)域劃分成第三像素區(qū)域和第四像素區(qū)域；鈍化層46形成在第二數(shù) 據(jù)線22、第二遮擋線23、第二源電極44和第二漏電極45上并覆蓋整個(gè)第二基板2，在第 二漏電極45位置開設(shè)有第二鈍化層過孔47 ；第二像素電極25形成在第四像素區(qū)域內(nèi)， 第二像素電極25通過第二鈍化層過孔47與第二漏電極45連接，第二像素電極25的邊緣 搭設(shè)在第二遮擋線23上，使第二像素電極25與第二遮擋線23存在交疊，一方面可以遮 擋第二像素電極邊緣的漏光，另一方面由第二像素電極與第二遮擋線構(gòu)成存儲(chǔ)電容；第 二公共電極26形成在與第四像素區(qū)域相鄰的第三像素區(qū)域內(nèi)，且同一列的第二公共電極 26相互連接。本實(shí)施例液晶顯示器中，第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板對(duì) 盒后的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為第一 TFT-LCD組合基板上的第一柵線11與第二 TFT-LCD組合基板 上的第二柵線21相對(duì)設(shè)置；第一 TFT-LCD組合基板上的第一數(shù)據(jù)線12與第二 TFT-LCD 組合基板上的第二數(shù)據(jù)線22相對(duì)設(shè)置；第一 TFT-LCD組合基板上的第一遮擋線13與 第二 TFT-LCD組合基板上的第二遮擋線23相對(duì)設(shè)置；第一 TFT-LCD組合基板上的第 一像素區(qū)域與第二 TFT-LCD組合基板上的第三像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)，使第一 TFT-LCD組 合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形與第二 TFT-LCD組合基板上的公共電極圖形相對(duì)應(yīng)，即第一 TFT-LCD組合基板上的第一像素電極15與第二 TFT-LCD組合基板上的第二公共電極26 相對(duì)設(shè)置；第一 TFT-LCD組合基板上的第二像素區(qū)域與第二 TFT-LCD組合基板上的第 四像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)，使第一 TFT-LCD組合基板上的公共電極圖形與第二 TFT-LCD組合 基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形相對(duì)應(yīng)，即第一 TFT-LCD組合基板上的第一公共電極16與第二 TFT-LCD組合基板上的第二像素電極25相對(duì)設(shè)置。從上述結(jié)構(gòu)可以看出，本實(shí)施例液晶顯示器通過在兩個(gè)TFT-LCD組合基板上分 別設(shè)置陣列結(jié)構(gòu)圖形和公共電極圖形，且對(duì)盒后兩個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖 形相互錯(cuò)開，每個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形與另一個(gè)TFT-LCD組合基板上 的公共電極圖形相對(duì)應(yīng)，形成完整的液晶顯示器。下面通過本發(fā)明TFT-LCD組合基板的制造過程進(jìn)一步說明本實(shí)施例的技術(shù)方 案。在以下說明中，本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻蝕和光刻 膠剝離等工藝。圖7為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板第一次構(gòu)圖工藝 后的平面圖，所反映的是幾個(gè)像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)，圖8為圖7中A2-A2向的剖面圖。首先 采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，在第一基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉積一層?xùn)沤饘俦∧ぃ瑬沤饘俦∧た梢圆捎娩X、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬或鋁鎳的單層薄膜，也可以采用 由上述單層薄膜構(gòu)成的多層復(fù)合薄膜。采用普通掩模板對(duì)柵金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，在第一 基板1上形成包括第一柵線11的圖形，如圖7和圖8所示。圖9為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板第二次構(gòu)圖工藝 后的平面圖，所反映的是幾個(gè)像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)，圖10為圖9中A3-A3向的剖面圖，圖11 為圖9中B3-B3向的剖面圖。在完成圖7所示構(gòu)圖的基板上，首先沉積柵絕緣層、半導(dǎo) 體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜，然后通過采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板構(gòu)圖工 藝形成包括第一有源層、第一數(shù)據(jù)線12、第一遮擋線13、第一源電極34、第一漏電極35 和第一 TFT溝道區(qū)域的圖形，如圖9 圖11所示。本次構(gòu)圖工藝是一種采用多步刻蝕 方法的構(gòu)圖工藝，具體過程為首先采 用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(簡稱PECVD)方 法，依次沉積柵絕緣層31、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，然后采用磁控濺射或熱蒸發(fā) 的方法，沉積一層源漏金屬薄膜。在源漏金屬薄膜上涂覆一層光刻膠，采用半色調(diào)或灰 色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保 留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于第一數(shù)據(jù)線、第一遮擋 線、第一源電極和第一漏電極圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于第一源電極與 第一漏電極之間TFT溝道區(qū)域圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外 區(qū)域。顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠部分保留區(qū)域 的光刻膠厚度變薄，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除。通過第一次刻蝕工藝完 全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和半導(dǎo)體薄膜，形成包 括第一有源層、第一數(shù)據(jù)線12和第一遮擋線13的圖形。通過灰化工藝，去除光刻膠部 分保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬薄膜。通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉 光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體薄 膜，形成包括第一源電極34、第一漏電極35和第一 TFT溝道區(qū)域圖形。最后剝離剩余 的光刻膠，完成本次構(gòu)圖工藝。本次構(gòu)圖工藝后，第一柵線11和第一數(shù)據(jù)線12限定了組合像素區(qū)域，組合像素 區(qū)域又被第一遮擋線13劃分成第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，有源層(包括半導(dǎo)體層32 和摻雜半導(dǎo)體層33)形成在作為第一柵電極的第一柵線11的上方，第一源電極34和第一 漏電極35形成在摻雜半導(dǎo)體層33上，第一源電極34的一端位于第一柵線11的上方，另 一端與第一數(shù)據(jù)線12連接，第一漏電極35的一端位于第一柵線11的上方，與第一源電 極34相對(duì)設(shè)置，第一源電極34與第一漏電極35之間形成第一 TFT溝道區(qū)域，第一 TFT 溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層33被完全刻蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層32，使TFT溝 道區(qū)域的半導(dǎo)體層32暴露出來。此外，第一數(shù)據(jù)線12、第一遮擋線13、第一源電極34 和第一漏電極35下方還保留有半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜。圖12為本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板第三次構(gòu)圖工 藝后的平面圖，所反映的是幾個(gè)像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)，圖13為圖12中A4-A4向的剖面圖， 圖14為圖12中B4-B4向的剖面圖。在完成圖9所示構(gòu)圖的基板上，采用PECVD方法 沉積一層鈍化層36，采用普通掩模板對(duì)鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括第一鈍化層過孔37的 圖形，第一鈍化層過孔37位于第一漏電極35的上方，如圖12 圖14所示。本構(gòu)圖工 藝中，還同時(shí)形成有柵線接口區(qū)域(柵線PAD)的柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口區(qū)域(數(shù)據(jù)線PAD)的數(shù)據(jù)線接口過孔等圖形，通過構(gòu)圖工藝形成柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔圖 形的結(jié)構(gòu)和工藝已廣泛應(yīng)用于目前的構(gòu)圖工藝中，這里不再贅述。最后，在完成圖12所示構(gòu)圖的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積透 明導(dǎo)電薄膜，采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括第一像素電極15和第一公共電極16 的圖形，其中第 一像素電極15形成在第一像素區(qū)域內(nèi)，第一像素電極15通過第一鈍化層 過孔37與第一漏電極35連接，同時(shí)第一像素電極15的邊緣搭設(shè)在第一遮擋線13上，使 第一像素電極15與第一遮擋線13存在交疊，一方面可以有效遮擋漏光區(qū)域，另一方面可 以使第一像素電極與第一遮擋線之間形成存儲(chǔ)電容，使本實(shí)施例第一遮擋線同時(shí)起到存 儲(chǔ)電極的作用；第一公共電極16形成在與第一像素區(qū)域相鄰的第二像素區(qū)域內(nèi)，且同一 列的第一公共電極16相互連接，如圖1 圖3所示。上述過程是一種采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過四次構(gòu)圖工藝制備第一 TFT-LCD組合基板的技術(shù)方案，實(shí)際應(yīng)用中，通過采用普通掩模板的五次構(gòu)圖工藝也可 以完成第一 TFT-LCD組合基板的制備，將前述過程中采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板的第二 次構(gòu)圖工藝分成二個(gè)采用普通掩模板的構(gòu)圖工藝，即通過一次采用普通掩模板的構(gòu)圖工 藝形成包括第一有源層的圖形，通過另一次采用普通掩模板的構(gòu)圖工藝形成包括第一數(shù) 據(jù)線、第一遮擋線、第一源電極、第一漏電極和第一 TFT溝道區(qū)域的圖形，這里不再贅 述。如圖4 圖6所示，本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板的 制備過程包括彩膜結(jié)構(gòu)層的制備和陣列結(jié)構(gòu)層的制備。彩膜結(jié)構(gòu)層的制備包括彩色樹脂 圖形3和第一黑矩陣4的制備，具體包括首先在第二基板2上形成第一黑矩陣4的圖 形，然后在制備有第一黑矩陣4圖形的第二基板2上涂覆一層紅色樹脂材料層，采用普通 掩模板對(duì)紅色樹脂材料層進(jìn)行曝光，使紅色樹脂材料層形成完全保留區(qū)域和完全去除區(qū) 域，顯影處理后，完全去除區(qū)域的紅色樹脂材料層被完全去除，完全保留區(qū)域的紅色樹 脂材料層全部保留，烘烤處理后形成紅色樹脂圖形。采用相同方法，依次形成藍(lán)色和綠 色樹脂圖形，并由紅色、藍(lán)色和綠色樹脂圖形組成彩色樹脂圖形3。實(shí)際上，形成三種顏 色樹脂圖形可以采用任意次序，制備第一黑矩陣4和彩色樹脂圖形3的次序也可以相反。 之后在彩膜結(jié)構(gòu)層上制備陣列結(jié)構(gòu)層，陣列結(jié)構(gòu)層的制備過程與第一 TFT-LCD組合基板 的制備過程完全相同，這里不再贅述。實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)設(shè)計(jì)需要將彩膜結(jié)構(gòu)層設(shè) 置在其它位置。例如，彩膜結(jié)構(gòu)層可以形成在鈍化層之上，即形成鈍化層后制備彩膜結(jié) 構(gòu)層，然后形成第二鈍化層過孔，最后形成第二像素電極和第二公共電極。本實(shí)施例第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板上均形成有公共 電極，兩個(gè)組合基板上的公共電極可以通過多種方式連接。例如，每個(gè)TFT-LCD組 合基板上的公共電極可以通過周邊區(qū)域設(shè)置的獨(dú)立連接線連接，并通過柔性基板連接到 PCB板上，使兩個(gè)TFT-LCD組合基板的公共電極在PCB板上連接到一起。又如，每個(gè) TFT-LCD組合基板上的公共電極可以通過周邊區(qū)域形成的透明導(dǎo)電線連接在一起，然后 通過一條或多條連接線連接到PCB板上。目前，現(xiàn)有液晶顯示器陣列基板的周邊電路 (以1024X768像素區(qū)域?yàn)槔?通常采用如下結(jié)構(gòu)768條柵線分成三個(gè)區(qū)域(每個(gè)區(qū)域 256條柵線)，通過柔性PCB板連接到時(shí)序控制器上，3072條數(shù)據(jù)線(1024X3)分成八個(gè) 區(qū)域(每個(gè)區(qū)域384條數(shù)據(jù)線)，通過柔性PCB板連接到時(shí)序控制器上。結(jié)合到本發(fā)明(仍以1024X768像素區(qū)域?yàn)槔?，二個(gè)TFT-LCD組合基板上各有768條柵線，各分成 三個(gè)區(qū)域通過柔性基板連接到PCB板上，二個(gè)TFT-LCD組合基板上各有1536條數(shù)據(jù)線 (1024X3/2)，可以分別按照奇數(shù)或偶數(shù)各分成三個(gè)區(qū)域通過柔性PCB板連接到時(shí)序控制器上。本實(shí)施例提供了一種液晶顯示器，由分別設(shè)置有陣列結(jié)構(gòu)圖形和公共電極圖形 的兩個(gè)TFT-LCD組合基板對(duì)盒構(gòu)成，且對(duì)盒后兩個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖 形相互錯(cuò)開，每個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形與另一個(gè)TFT-LCD組合基板上 的公共電極圖形相對(duì)應(yīng)，由于每個(gè)TFT-LCD組合基板上的遮擋線相對(duì)應(yīng)，且第一遮擋線 與第一像素電極在一側(cè)交疊，第二遮擋線與第二像素電極在另一 側(cè)交疊，從整體上遮擋 了遮擋線兩側(cè)的漏光，因此有效提高液晶顯示器的開口率。圖15為本發(fā)明液晶顯示器第二實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板的平面示意 圖，圖16為本發(fā)明液晶顯示器第二實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板的平面示意圖。如 圖15和圖16所示，本實(shí)施例液晶顯示器的主體結(jié)構(gòu)同樣包括對(duì)盒在一起并將液晶夾設(shè)其 間的第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板。第一 TFT-LCD組合基板包括 形成在第一基板上的數(shù)個(gè)第一柵線11、第一數(shù)據(jù)線12和第一遮擋線13，第一遮擋線13 與第一柵線11平行且位于相鄰的兩個(gè)第一柵線11之間，相鄰的兩個(gè)第一柵線11與相鄰 的兩個(gè)第一數(shù)據(jù)線12定義了數(shù)個(gè)組合像素區(qū)域，每個(gè)組合像素區(qū)域被第一遮擋線13分隔 成縱向并列設(shè)置的第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，第一像素區(qū)域內(nèi)形成有作為陣列結(jié)構(gòu) 圖形的第一薄膜晶體管14和第一像素電極15，第二像素區(qū)域內(nèi)形成有第一公共電極16， 且同一行的第一公共電極16相互連接，第一遮擋線13起到黑矩陣的作用。如果按照奇 行、偶行來定義像素區(qū)域，那么本實(shí)施例第一 TFT-LCD組合基板的第一像素區(qū)域位于偶 數(shù)行，第二像素區(qū)域位于奇數(shù)行，即第一薄膜晶體管14和第一像素電極15形成在偶數(shù)行 的像素區(qū)域內(nèi)，第一公共電極16形成在奇數(shù)行的像素區(qū)域內(nèi)。第二 TFT-LCD組合基板 的主體結(jié)構(gòu)包括彩膜結(jié)構(gòu)層和陣列結(jié)構(gòu)層。彩膜結(jié)構(gòu)層為形成在第二基板上的彩色樹脂 圖形和第一黑矩陣4，彩色樹脂圖形包括以矩陣方式排列的紅色樹脂圖形、綠色樹脂圖形 和藍(lán)色樹脂圖形，第一黑矩陣4設(shè)置在與第二數(shù)據(jù)線22相對(duì)應(yīng)的位置，具體地，第一黑 矩陣4位于第二數(shù)據(jù)線22的下方。陣列結(jié)構(gòu)層包括形成在彩膜結(jié)構(gòu)層上的數(shù)個(gè)第二柵線 21、第二數(shù)據(jù)線22和第二遮擋線23，第二遮擋線23與第二柵線21平行且位于相鄰的兩 個(gè)第二柵線21之間，相鄰的兩個(gè)第二柵線21與相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線22定義了數(shù)個(gè)組 合像素區(qū)域，每個(gè)組合像素區(qū)域被第二遮擋線23分隔成縱向并列設(shè)置的第三像素區(qū)域和 第四像素區(qū)域，第三像素區(qū)域內(nèi)形成有第二公共電極26，且同一行的第二公共電極26相 互連接，第四像素區(qū)域內(nèi)形成有作為陣列結(jié)構(gòu)圖形的第二薄膜晶體管24和第二像素電極 25，第二遮擋線23起到黑矩陣的作用。如果按照奇行、偶行來定義像素區(qū)域，那么本實(shí) 施例第二 TFT-LCD組合基板的第三像素區(qū)域位于偶數(shù)行，第四像素區(qū)域位于奇數(shù)行，即 第二公共電極26形成在偶數(shù)行的像素區(qū)域內(nèi)，第二薄膜晶體管24和第二像素電極25形 成在奇數(shù)行的像素區(qū)域內(nèi)。本實(shí)施例第一薄膜晶體管、第一像素電極、第一公共電極、 第二薄膜晶體管、第二像素電極和第二公共電極的結(jié)構(gòu)與前述第一實(shí)施例相同，第一柵 線、第一數(shù)據(jù)線、第二柵線和第二數(shù)據(jù)線的側(cè)面也可以設(shè)置遮擋條，這里不再贅述。本實(shí)施例液晶顯示器中，第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板對(duì)盒后的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與 前述第一實(shí)施例相同，即兩個(gè)TFT-LCD組合基板上的柵線、數(shù)據(jù)線和 遮擋線相對(duì)設(shè)置；一個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形與另一個(gè)TFT-LCD組合基 板上的公共電極圖形相對(duì)應(yīng)。從上述結(jié)構(gòu)可以看出，本實(shí)施例液晶顯示器通過在兩個(gè)TFT-LCD組合基板上分 別設(shè)置陣列結(jié)構(gòu)圖形和公共電極圖形，且對(duì)盒后兩個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖 形相互錯(cuò)開，每個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形與另一個(gè)TFT-LCD組合基板上 的公共電極圖形相對(duì)應(yīng)，可以有效提高液晶顯示器的開口率。同樣以1024X768像素區(qū) 域?yàn)槔?，現(xiàn)有技術(shù)陣列基板上共有768條柵線，通常每條柵線的寬度為10 11微米，數(shù) 據(jù)線的寬度為5.5 6微米，。由于本實(shí)施例每個(gè)TFT-LCD組合基板上的柵線數(shù)量減少 了一半，且兩個(gè)TFT-LCD組合基板上的柵線相對(duì)設(shè)置，僅僅在相鄰的柵線之間設(shè)置寬度 為5.5 6微米的遮擋線，因此最大限度地減少了柵線的有效寬度，液晶顯示器開口率提 高20%左右。圖17為本發(fā)明液晶顯示器第三實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板的平面示意 圖，圖18為圖17中El-El向的剖視圖，圖19為本發(fā)明液晶顯示器第三實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板的平面示意圖，圖20為圖19中Fl-Fl向的剖視圖。本實(shí)施例是前述 第一實(shí)施例的一種結(jié)構(gòu)變形，為在第二 TFT-LCD組合基板上采用第二黑矩陣代替遮擋線 的結(jié)構(gòu)。其中，第一 TFT-LCD組合基板的主體結(jié)構(gòu)與前述第一實(shí)施例的第一 TFT-LCD 組合基板基本相同，所不同的是，本實(shí)施例第一像素區(qū)域中的第一像素電極15與第二像 素區(qū)域中的第一公共電極16相距一定距離，即第一像素區(qū)域與第二像素區(qū)域之間沒有設(shè) 置第一遮擋線，第一像素電極15與第一柵線11構(gòu)成存儲(chǔ)電容；第二 TFT-LCD組合基 板的主體結(jié)構(gòu)與前述第一實(shí)施例的第二 TFT-LCD組合基板基本相同，所不同的是，本實(shí) 施例第四像素區(qū)域中的第二像素電極25與第三像素區(qū)域中的第二公共電極26相距一定 距離，即第三像素區(qū)域與第四像素區(qū)域之間沒有設(shè)置第二遮擋線，但設(shè)置有第二黑矩陣5 圖形。具體地，第二黑矩陣5設(shè)置在相鄰的第二數(shù)據(jù)線之間，即第二黑矩陣5設(shè)置在組 合像素區(qū)域中第三像素區(qū)域與第四像素區(qū)域之間，用于遮擋組合像素區(qū)域中第二像素電 極25與第二公共電極26之間(第一像素電極15與第一公共電極16之間)的間隙，第二 像素電極25與第一柵線21構(gòu)成存儲(chǔ)電容。圖21為本發(fā)明液晶顯示器第四實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板的平面示意 圖，圖22為圖21中Gl-Gl向的剖視圖，圖23為本發(fā)明液晶顯示器第三實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板的平面示意圖，圖24為圖23中Hl-Hl向的剖視圖。本實(shí)施例是前 述第一實(shí)施例的一種結(jié)構(gòu)變形，為帶有遮擋條的結(jié)構(gòu)。其中，第一TFT-LCD組合基板的 主體結(jié)構(gòu)與前述第一實(shí)施例的第一 TFT-LCD組合基板基本相同，所不同的是，本實(shí)施例 第一數(shù)據(jù)線12的兩側(cè)還設(shè)置有第一遮擋條17，第一遮擋條17用于遮擋第一數(shù)據(jù)線12與 第一像素電極15或第一數(shù)據(jù)線12與第一公共電極16之間的間隙，防止漏光。第一遮擋 條17與第一柵線11同層設(shè)置并在同一次構(gòu)圖工藝中形成。第二 TFT-LCD組合基板的主 體結(jié)構(gòu)與前述第一實(shí)施例的第二 TFT-LCD組合基板基本相同，所不同的是，本實(shí)施例第 二數(shù)據(jù)線22還設(shè)置有第二遮擋條27，第二遮擋條27用于遮擋第二數(shù)據(jù)線22與第二像素 電極25或第二數(shù)據(jù)線22與第二公共電極26之間的間隙，防止漏光。第二遮擋條27與 第二柵線21同層設(shè)置并在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
本實(shí)施例提高開口率的效果更加明顯。以1024X768像素區(qū)域?yàn)槔F(xiàn)有技術(shù) 陣列基板上共有3072條數(shù)據(jù)線，通常每條數(shù)據(jù)線的寬度為5.5 6微米，數(shù)據(jù)線兩側(cè)的遮 擋條寬度為3 4微米，數(shù)據(jù)線與遮擋條之間的距離為2 3微米，因此每條數(shù)據(jù)線的有 效寬度達(dá)到15 20微米。由于本實(shí)施例每個(gè)TFT-LCD組合基板上的數(shù)據(jù)線數(shù)量減少了 一半，且兩個(gè)TFT-LCD組合基板上的數(shù)據(jù)線相對(duì)設(shè)置，僅僅在相鄰的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置寬 度為5.5 6微米的遮擋線，因此最大限度地減少了數(shù)據(jù)線的有效寬度，液晶顯示器開口 率提高30%左右。需要說明的是，實(shí)際應(yīng)用中，可以通過本發(fā)明前述實(shí)施例的組合形成新的技術(shù) 方案，例如遮擋線和第二黑矩陣可以同時(shí)存在。圖25為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法的流程圖，包括步驟1、在基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的圖形，所述柵線和數(shù)據(jù)線定 義的組合像素區(qū)域包括并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；步驟2、形成像素電極和公共電極，且所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，與所 述薄膜晶體管的漏電極連接，所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)。圖26為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第一實(shí)施例的流程圖，包括步驟11、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線的圖形；步驟12、在完成步驟11的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜 和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、遮擋線、源電極、漏電極和 TFT溝道區(qū)域圖形，所述遮擋線位于相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)線之間，將所述柵線和數(shù)據(jù)線定義 的組合像素區(qū)域分隔成橫向并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；步驟13、在完成步驟12的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過 孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方；步驟14、在完成步驟13的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像 素電極和公共電極的圖形，所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，通過鈍化層過孔與漏電 極連接，所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，同一列的公共電極相互連接。本實(shí)施例提供了一種TFT-LCD組合基板制造方法，通過在基板上同時(shí)形成陣 列結(jié)構(gòu)圖形和公共電極圖形，使基板上的數(shù)據(jù)線數(shù)量減少了一半，可以有效提高液晶顯 示器的開口率。本實(shí)施例制造方法可以用于制備本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板，其制備過程已在前述圖7 圖14所示技術(shù)方案中詳細(xì)說明，這里不 再贅述。需要說明的是，本實(shí)施例中 的第二次構(gòu)圖工藝(步驟12)即可以通過采用半色 調(diào)或灰色調(diào)掩模板的一次構(gòu)圖工藝完成，也可以通過采用普通掩模板的二次構(gòu)圖工藝完 成。此外，本實(shí)施例步驟11中還可以同時(shí)形成遮擋條的圖形。圖27為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第二實(shí)施例的流程圖，包括步驟21、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和遮擋線的圖 形，所述遮擋線位于相鄰的兩個(gè)柵線之間；步驟22、在完成步驟21的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜 和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道 區(qū)域圖形，所述遮擋線將所述柵線和數(shù)據(jù)線定義的組合像素區(qū)域分隔成縱向并列設(shè)置的 兩個(gè)像素區(qū)域；
步驟23、在完成步驟22的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方；步驟24、在完成步驟23的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像 素電極和公共電極的圖形，所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，通過鈍化層過孔與漏電 極連接，所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，同一行的公共電極相互連接。本實(shí)施例提供了一種TFT-LCD組合基板制造方法，通過在基板上同時(shí)形成陣 列結(jié)構(gòu)圖形和公共電極圖形，使基板上的柵線數(shù)量減少了一半，可以有效提高液晶顯 示器的開口率。本實(shí)施例制造方法可以用于制備本發(fā)明液晶顯示器第二實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板，其制備過程可參考本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第一實(shí)施 例，這里不再贅述。圖28為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第三實(shí)施例的流程圖，包括步驟31、在基板上形成包括彩色樹脂圖形和第一黑矩陣的彩膜結(jié)構(gòu)層；步驟32、在完成步驟31的基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線 的圖形；步驟33、在完成步驟32的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜 和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、遮擋線、源電極、漏電極和 TFT溝道區(qū)域圖形，所述遮擋線位于相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)線之間，將所述柵線和數(shù)據(jù)線定義 的組合像素區(qū)域分隔成橫向并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；步驟34、在完成步驟33的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過 孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方；步驟35、在完成步驟34的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像 素電極和公共電極的圖形，所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，通過鈍化層過孔與漏電 極連接，所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，同一列的公共電極相互連接。本實(shí)施例是前述本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第一實(shí)施例的一種方案擴(kuò) 展，區(qū)別在于還形成有彩膜結(jié)構(gòu)層，本實(shí)施例可以用于制備本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施 例中第二 TFT-LCD組合基板。需要說明的是，彩膜結(jié)構(gòu)層可以根據(jù)需要設(shè)置在其它位 置，如將彩膜結(jié)構(gòu)層形成在鈍化層之上。圖29為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第四實(shí)施例的流程圖，包括步驟41、在基板上形成包括彩色樹脂圖形和第一黑矩陣的彩膜結(jié)構(gòu)層；步驟42、在完成步驟41的基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線 和遮擋線的圖形，所述遮擋線位于相鄰的兩個(gè)柵線之間；步驟43、在完成步驟42的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜 和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道 區(qū)域圖形，所述遮擋線將所述柵線和數(shù)據(jù)線定義的組合像素區(qū)域分隔成縱向并列設(shè)置的 兩個(gè)像素區(qū)域；步驟44、在完成步驟43的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過 孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方；步驟45、在完成步驟44的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像 素電極和公共電極的圖形，所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，通過鈍化層過孔與漏電極連接，所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，同一行的公共電極相互連接。本實(shí)施例是前述本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第二實(shí)施例的一種方案擴(kuò) 展，區(qū)別在于還形成有彩膜結(jié)構(gòu)層，本實(shí)施例可以用于制備本發(fā)明液晶顯示器第二實(shí)施 例中第二 TFT-LCD組合基板。同樣，彩膜結(jié)構(gòu)層可以根據(jù)需要設(shè)置在其它位置，如將彩 膜結(jié)構(gòu)層形成在鈍化層之上。圖30為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第五實(shí)施例的流程圖，包括步驟51、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括 柵線的圖形；步驟52、在完成步驟51的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜 和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道 區(qū)域圖形，所述柵線和數(shù)據(jù)線定義的組合像素區(qū)域包括并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；步驟53、在完成步驟52的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過 孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方；步驟54、在完成步驟53的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像 素電極和公共電極的圖形，所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，通過鈍化層過孔與漏電 極連接，所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，同一列的公共電極相互連接或同一行的 公共電極相互連接。本實(shí)施例是前述第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的一種結(jié)構(gòu)變形，可以用于制備本發(fā) 明液晶顯示器第三實(shí)施例中第一 TFT-LCD組合基板。圖31為本發(fā)明TFT-LCD組合基板制造方法第六實(shí)施例的流程圖，包括步驟61、在基板上形成包括彩色樹脂圖形、第一黑矩陣和第二黑矩陣的彩膜結(jié) 構(gòu)層；步驟62、在完成步驟61的基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線 的圖形；步驟63、在完成步驟62的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜 和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道 區(qū)域圖形，所述柵線和數(shù)據(jù)線定義的組合像素區(qū)域包括并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；步驟64、在完成步驟63的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過 孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方；步驟65、在完成步驟64的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像 素電極和公共電極的圖形，所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，通過鈍化層過孔與漏電 極連接，所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，同一列的公共電極相互連接或同一行的 公共電極相互連接。本實(shí)施例是前述第三實(shí)施例和第四實(shí)施例的一種結(jié)構(gòu)變形，可以用于制備本發(fā) 明液晶顯示器第三實(shí)施例中第二 TFT-LCD組合基板。圖32為本發(fā)明液晶顯示器制造方法的流程圖，包括步驟100、制備第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板；所述第一
TFT-LCD組合基板包括形成在第一基板上且定義了兩個(gè)像素區(qū)域的第一柵線和第一數(shù)據(jù) 線，一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第一薄膜晶體管和第一像素電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有 第一公共電極；所述第二 TFT-LCD組合基板包括彩膜結(jié)構(gòu)層和陣列結(jié)構(gòu)層，所述陣列結(jié)構(gòu)層包括形成在第二 基板上且定義了兩個(gè)像素區(qū)域的第二柵線和第二數(shù)據(jù)線，一個(gè)像 素區(qū)域內(nèi)形成有第二公共電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第二薄膜晶體管和第二像素電 極；步驟200、將所述第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板對(duì)盒，所
述第一柵線與第二柵線、所述第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線、所述第一像素電極與第二公共 電極、所述第一公共電極與第二像素電極相對(duì)設(shè)置。本發(fā)明提供了一種液晶顯示器制造方法，將分別設(shè)置有陣列結(jié)構(gòu)圖形和公共電 極圖形的兩個(gè)TFT-LCD組合基板對(duì)盒構(gòu)成液晶顯示器，且對(duì)盒后兩個(gè)TFT-LCD組合 基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形相互錯(cuò)開，每個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形與另一個(gè) TFT-LCD組合基板上的公共電極圖形相對(duì)應(yīng)，可以有效提高液晶顯示器的開口率。本發(fā) 明液晶顯示器制造方法技術(shù)方案中，可以采用圖25 圖31本發(fā)明TFT-LCD組合基板制 造方法制備。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參 照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā) 明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-LCD組合基板，包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述 柵線和數(shù)據(jù)線定義的組合像素區(qū)域包括并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域，一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成 有薄膜晶體管和像素電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有公共電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD組合基板，其特征在于，所述兩個(gè)像素區(qū)域由設(shè) 置在組合像素區(qū)域內(nèi)的遮擋線分隔，所述遮擋線位于相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)線之間，且同一列 的公共電極相互連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD組合基板，其特征在于，所述兩個(gè)像素區(qū)域由設(shè) 置在組合像素區(qū)域內(nèi)的遮擋線分隔，所述遮擋線位于相鄰的兩個(gè)柵線之間，且同一行的 公共電極相互連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的TFT-LCD組合基板，其特征在于，所述像素電極與遮 擋線搭接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD組合基板，其特征在于，所 述薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極，柵絕緣層形成在柵線上并覆蓋整 個(gè)基板；包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層的有源層形成在柵絕緣層上并位于柵線的上方； 所述源電極的一端位于柵線的上方，另一端與數(shù)據(jù)線連接，所述漏電極的一端位于柵線 的上方，另一端與源電極相對(duì)設(shè)置；所述源電極與漏電極之間形成TFT溝道區(qū)域；鈍化 層形成在數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極上并覆蓋整個(gè)基板，在漏電極位置開設(shè)有使漏電極與 像素電極連接的鈍化層過孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD組合基板，其特征在于，所 述基板上還形成有彩膜結(jié)構(gòu)層和黑矩陣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT-LCD組合基板，其特征在于，所述黑矩陣包括與數(shù)據(jù) 線所在位置相對(duì)應(yīng)的第一黑矩陣。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT-LCD組合基板，其特征在于，所述黑矩陣包括位于相 鄰數(shù)據(jù)線或相鄰柵線之間的第二黑矩陣。
9.一種TFT-LCD組合基板制造方法，其特征在于，包括步驟1、在基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的圖形，所述柵線和數(shù)據(jù)線定義的 組合像素區(qū)域包括并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；步驟2、形成像素電極和公共電極，且所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，與所述薄 膜晶體管的漏電極連接，所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TFT-LCD組合基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括步驟11、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線的圖形；步驟12、在完成前述步驟的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和 源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū) 域圖形，所述柵線和數(shù)據(jù)線定義的組合像素區(qū)域包括并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；步驟13、在完成前述步驟的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過孔 的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT-LCD組合基板制造方法，其特征在于，所述步驟11 中還形成有遮擋線圖形、所述遮擋線位于相鄰的兩個(gè)柵線之間，用于將所述柵線和數(shù)據(jù)線定義的組合像素區(qū)域分隔成縱向并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT-LCD組合基板制造方法，其特征在于，所述步驟2 包括在完成前述步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極和 公共電極的圖形，所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，通過鈍化層過孔與漏電極連接， 所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，同一行的公共電極相互連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT-LCD組合基板制造方法，其特征在于，所述步驟12 中還形成有遮擋線圖形、所述遮擋線位于相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)線之間，用于將所述柵線和數(shù) 據(jù)線定義的組合像素區(qū)域分隔成橫向并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的TFT-LCD組合基板制造方法，其特征在于，所述步驟2 包括在完成前述步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極和 公共電極的圖形，所述像素電極位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，通過鈍化層過孔與漏電極連接， 所述公共電極位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，同一列的公共電極相互連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求9 14中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD組合基板制造方法，其特 征在于，還包括形成彩膜結(jié)構(gòu)層的步驟，所述彩膜結(jié)構(gòu)層包括彩色樹脂圖形和黑矩陣， 所述黑矩陣包括設(shè)置在與數(shù)據(jù)線相對(duì)應(yīng)位置的第一黑矩陣。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的TFT-LCD組合基板制造方法，其特征在于，所述黑矩陣 還包括設(shè)置在相鄰數(shù)據(jù)線或相鄰柵線之間的第二黑矩陣。
17.—種液晶顯示器，其特征在于，包括對(duì)盒的第一TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板，所述第一 TFT-LCD組合基板包括形成在第一基板上且定義了兩個(gè) 像素區(qū)域的第一柵線和第一數(shù)據(jù)線，一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第一薄膜晶體管和第一像素 電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第一公共電極；所述第二 TFT-LCD組合基板包括彩膜結(jié) 構(gòu)層和陣列結(jié)構(gòu)層，所述彩膜結(jié)構(gòu)層包括彩色樹脂圖形和第一黑矩陣，所述陣列結(jié)構(gòu)層 包括形成在第二基板上且定義了兩個(gè)像素區(qū)域的第二柵線和第二數(shù)據(jù)線，一個(gè)像素區(qū)域 內(nèi)形成有第二公共電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第二薄膜晶體管和第二像素電極，所 述第一黑矩陣設(shè)置在與第二數(shù)據(jù)線相對(duì)應(yīng)的位置；所述第一柵線與第二柵線、所述第一 數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線、所述第一像素電極與第二公共電極、所述第一公共電極與第二像 素電極相對(duì)設(shè)置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其特征在于，所述第一TFT-LCD組合基板 的第一柵線和第一數(shù)據(jù)線定義了數(shù)個(gè)組合像素區(qū)域，每個(gè)組合像素區(qū)域被第一遮擋線分 隔成并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)域；所述第二 TFT-LCD組合基板的第二柵線和第二數(shù)據(jù)線定 義了數(shù)個(gè)組合像素區(qū)域，每個(gè)組合像素區(qū)域被第二遮擋線分隔成并列設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū) 域。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，所述第一遮擋線與第一數(shù)據(jù)線 平行，且位于相鄰的兩個(gè)第一數(shù)據(jù)線之間；所述第二遮擋線與第二數(shù)據(jù)線平行，且位于 相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線之間；所述第一遮擋線與第二遮擋線相對(duì)設(shè)置。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，所述第一遮擋線與第一柵線平 行，且位于相鄰的兩個(gè)第一柵線之間；所述第二遮擋線與第二柵線平行，且位于相鄰的 兩個(gè)第二柵線之間；所述第一遮擋線與第二遮擋線相對(duì)設(shè)置。
21.根據(jù)權(quán)利要求17 20中任一權(quán)利要求所述的液晶顯示器，其特征在于，所述彩膜結(jié)構(gòu)層還包括位于相鄰數(shù)據(jù)線或相鄰柵線之間的第二黑矩陣。
22. 一種采用權(quán)利要求9 16中任一權(quán)利要求所述TFT-LCD組合基板制造方法的液 晶顯示器制造方法，其特征在于，包括制備第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板；所述第一 TFT-LCD組合基 板包括形成在第一基板上且定義了兩個(gè)像素區(qū)域的第一柵線和第一數(shù)據(jù)線，一個(gè)像素區(qū) 域內(nèi)形成有第一薄膜晶體管和第一像素電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第一公共電極； 所述第二 TFT-LCD組合基板包括彩膜結(jié)構(gòu)層和陣列結(jié)構(gòu)層，所述陣列結(jié)構(gòu)層包括形成在 第二基板上且定義了兩個(gè)像素區(qū)域的第二柵線和第二數(shù)據(jù)線，一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第 二公共電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有第二薄膜晶體管和第二像素電極；將所述第一 TFT-LCD組合基板和第二 TFT-LCD組合基板對(duì)盒，所述第一柵線與第 二柵線、所述第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線、所述第一像素電極與第二公共電極、所述第一 公共電極與第二像素電極相對(duì)設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD組合基板、液晶顯示器及其制造方法。液晶顯示器包括對(duì)盒的兩個(gè)TFT-LCD組合基板，每個(gè)TFT-LCD組合基板包括定義了兩個(gè)像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有薄膜晶體管和像素電極，另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有公共電極；兩個(gè)TFT-LCD組合基板上的柵線和數(shù)據(jù)線相對(duì)設(shè)置，一個(gè)TFT-LCD組合基板上的像素電極與另一個(gè)TFT-LCD組合基板上的公共電極相對(duì)設(shè)置。本發(fā)明通過在基板上同時(shí)形成陣列結(jié)構(gòu)圖形和公共電極圖形，且兩個(gè)TFT-LCD組合基板上的陣列結(jié)構(gòu)圖形與公共電極圖形相對(duì)應(yīng)，使基板上的柵線或數(shù)據(jù)線減少了一半，可以有效提高液晶顯示器的開口率。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102023422SQ20091009267
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月15日
發(fā)明者劉翔, 謝振宇, 陳旭 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司