專利名稱：電泳顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電泳顯示設(shè)備，更具體地說(shuō)，涉及能防止電信號(hào)線或電極上的缺陷、例 如裂紋的電泳顯示設(shè)備，及其制造方法。
背景技術(shù)：
到最近為止，顯示設(shè)備已經(jīng)代表性地包括液晶顯示(LCD)設(shè)備、等離子顯示面板 (PDPs)和有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLEDs)。然而，為滿足客戶的需求，提出了各種顯示設(shè)備。
特別地，在顯示設(shè)備中，要求體輕、薄外形、高效和全彩色運(yùn)動(dòng)圖象顯示的特性。為 滿足這些特性，提出了電泳顯示設(shè)備。電泳顯示設(shè)備利用了帶電粒子移動(dòng)到陽(yáng)極或陰極的 現(xiàn)象。電泳顯示設(shè)備在對(duì)比率、響應(yīng)時(shí)間、全彩色顯示、價(jià)格、遷移率等等方面具有優(yōu)點(diǎn)。與 LCD設(shè)備不同，電泳顯示設(shè)備不要求偏振器、背光單元、液晶層等等。因此，電泳顯示設(shè)備在 生產(chǎn)成本方面具有優(yōu)勢(shì)。 圖1是表示相關(guān)技術(shù)電泳顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法的截面圖。在圖1中，相關(guān)技術(shù)電 泳顯示設(shè)備1包括第一基板11、第二基板36和插入其間的油墨層57。油墨層57包括膠囊 63，每一膠囊63內(nèi)具有多個(gè)染成白色的微粒59和多個(gè)染成黑色的微粒61。染成白色的微 粒和染成黑色的微粒59和61分別通過(guò)縮聚合反應(yīng)被負(fù)和正充電。 連接到薄膜晶體管(未示出)的多個(gè)像素電極28位于第一基板11下并在每一像 素區(qū)(未示出)中。每一像素電極28具有正電壓或負(fù)電壓。當(dāng)形成具有各種大小的膠囊 時(shí)，執(zhí)行過(guò)濾過(guò)程以獲得具有統(tǒng)一大小的膠囊。 當(dāng)將正或負(fù)電壓施加到油墨層54時(shí)，根據(jù)所施加的電壓的極性，膠囊63中的染成 白色的微粒59和染成黑色的微粒61移動(dòng)。當(dāng)染成黑色的微粒61向上移動(dòng)時(shí)，顯示黑色。 當(dāng)染成白色的微粒59向上移動(dòng)時(shí)，顯示白色。 圖2是相關(guān)技術(shù)電泳顯示設(shè)備的示意截面圖。在圖2中，相關(guān)技術(shù)電泳顯示設(shè)備 1包括第一基板11、第二基板36和插入其間的電泳膜60。電泳膜60包括油墨層57、第一 和第二粘合層51和53以及共用電極55。油墨層57位于第一和第二粘合層51和53之間。 第一和第二粘合層51和53的每一個(gè)由透明材料形成。共用電極55位于第二粘合層53之 下以面向油墨層57。油墨層57包括膠囊63，每一膠囊63內(nèi)具有多個(gè)染成白色的微粒59 和多個(gè)染成黑色的微粒61。染成白色和染成黑色的微粒59和61被分別負(fù)和正充電。
第二基板36可以由透明塑料或玻璃形成，而第一基板11可以由不透明的不銹鋼 形成。第一基板ll也可以由透明塑料或玻璃形成。在第二基板36的整個(gè)表面下面形成紅 (R)、綠(G)和藍(lán)(B)色子濾色器的濾色層40。在第一基板11上面形成柵極線(未示出) 和數(shù)據(jù)線(未示出)。柵極線和數(shù)據(jù)線相互交叉以形成像素區(qū)P。在柵極線和數(shù)據(jù)線的交 叉部分形成薄膜晶體管(TFT)Tr。 TFT Tr位于每一像素區(qū)P中。TFT Tr包括柵電極14、柵極絕緣層16、包括有源層18a和歐姆接觸層18b的半導(dǎo)體層18、源電極20和漏電極22。柵 電極和源電極分別連接到柵極線和數(shù)據(jù)線，柵極絕緣層16覆蓋柵電極14。半導(dǎo)體層18位 于柵極絕緣層16上并疊置在柵電極14上方。源電極和漏電極20和22位于半導(dǎo)體層18 上并彼此隔開(kāi)。 包括漏極接觸孔27的鈍化層26形成在TFT Tr上方。漏極接觸孔27露出漏電極 22的一部分。像素電極28位于鈍化層26上面，并在每一像素區(qū)P中。像素電極28通過(guò)漏 極接觸孔27連接到漏電極22。像素電極28可以由透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(IT0)或 氧化銦鋅(IZ0)形成。 具有上述元件的電泳顯示設(shè)備1使用環(huán)境光，例如自然光或室內(nèi)電燈作為光源。 施加到像素電極28的電壓的極性的不同，電泳顯示設(shè)備1通過(guò)引起染成白色的微粒59和 染成黑色的微粒61的位置的變化就能夠顯示圖像。 可以將電泳顯示設(shè)備的制造工藝分成陣列工藝和薄膜層壓工藝。在陣列工藝中， 制造形成有陣列元件、例如TFT Tr、像素電極28等的陣列基板11。在薄膜層壓工藝中，將 電泳膜貼附在陣列基板11上，由此制造電泳顯示設(shè)備1。 圖3表示制造相關(guān)技術(shù)電泳顯示設(shè)備的薄膜層壓工藝，圖4是現(xiàn)有技術(shù)包括部分 顯示區(qū)和部分非顯示區(qū)的電泳顯示設(shè)備的截面圖。 參考圖3和4，在形成上面形成有陣列元件、例如TFT Tr、像素電極28等的陣列基 板11后，通過(guò)薄膜層壓工藝，將包括油墨層57的電泳膜60貼附在陣列基板11的顯示區(qū)DA 和部分非顯示區(qū)NA上。盡管未示出，在非顯示區(qū)DA中，形成連接到用于驅(qū)動(dòng)顯示區(qū)DA中 的TFT Tr和像素電極28的外部驅(qū)動(dòng)電路板(未示出)的柵極焊盤(pán)電極和數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極、 用于將柵極焊盤(pán)電極連接到柵極線的柵極連接線24、用于將數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極連接到數(shù)據(jù)線的 數(shù)據(jù)連接線、用于施加公用電壓的公用連接線15、用于施加?xùn)艠O低電壓的低柵極電壓線以 及防靜電電路。由于沒(méi)有用于直接參與圖像顯示的元件和應(yīng)當(dāng)露出柵極和數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極以 連接到外部驅(qū)動(dòng)電路板，所以不需要在非顯示區(qū)NA中形成電泳膜60。然而，考慮到對(duì)齊誤 差，在與顯示區(qū)DA相鄰的部分非顯示區(qū)NA上面形成電泳膜60。 不幸地是，存在一些問(wèn)題。由于在貼附電泳膜60的開(kāi)始時(shí)刻形成柵極連接線24， 所以因?qū)㈦娪灸?0貼附在陣列基板11上的滾輪90的緣故，在柵極連接線24上有強(qiáng)的應(yīng) 力。或者，當(dāng)在電泳膜60的端面上存在微粒時(shí)，因微粒引起的應(yīng)力，在柵極連接線24、顯示 區(qū)DA中的驅(qū)動(dòng)元件的電極或在柵極連接線24下面的柵極絕緣層16上有裂紋。
如果在薄膜層壓工藝期間，在柵極連接線24上存在強(qiáng)應(yīng)力，則可以很好地切割柵 極連接線24，使外部驅(qū)動(dòng)電路板的信號(hào)不會(huì)施加到與柵極連接線24連接的柵極線。另外， 在上面形成了裂紋的柵極連接線24和柵極絕緣層下面的另一電力線、例如公用連接線15、 低柵極電壓線(未示出)之間的柵極絕緣層的絕緣特性受到破壞，造成電短路的問(wèn)題。艮P， 不能驅(qū)動(dòng)陣列基板。 再參考圖4，在顯示區(qū)DA中形成具有約2至4微米的相對(duì)厚的厚度并由有機(jī)絕緣 材料制成的鈍化層26，而在非顯示區(qū)NA中沒(méi)有鈍化層。 為將這些問(wèn)題減到最少，可以使除連接線外的元件、例如防靜電電路這樣的元件 在非顯示區(qū)NA的外側(cè)形成。不幸的是，這一解決方案引起非顯示區(qū)NA的處理裕度和尺寸 的增加。這與減小非顯示區(qū)NA的尺寸的趨勢(shì)相反。另外，由于應(yīng)當(dāng)形成從顯示區(qū)DA延伸到非顯示區(qū)NA的連接線，對(duì)防止這些問(wèn)題造成了限制。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及基本上避免由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺陷引起的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題 的電泳顯示設(shè)備及其制造方法。 在下文的說(shuō)明書(shū)中，將闡述本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)，它們的一部分將根據(jù)本 說(shuō)明書(shū)是顯而易見(jiàn)的，或可以通過(guò)實(shí)施本發(fā)明來(lái)獲悉。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)通過(guò)在書(shū) 面的說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。 為實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體和概括地所描述的，電泳顯 示設(shè)備包括具有顯示區(qū)和在該顯示區(qū)的外圍的非顯示區(qū)的第一基板，該顯示區(qū)包括像素 區(qū)；在該第一基板上并在該顯示區(qū)中的柵極線和數(shù)據(jù)線，這些柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉來(lái) 限定該像素區(qū)；連接到該柵極線并位于該非顯示區(qū)的柵極連接線；連接到該柵極線和數(shù)據(jù) 線并位于該像素區(qū)中的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源 電極和漏電極；在該薄膜晶體管上方并在該顯示區(qū)中的有機(jī)絕緣材料的鈍化層，該鈍化層 具有第一厚度并包括露出該漏電極的漏極接觸孔；緩沖圖案，由與該鈍化層相同的材料形 成并具有相同的厚度，該緩沖圖案位于該非顯示區(qū)中；像素電極，位于該像素區(qū)中并在該鈍 化層上，該像素電極通過(guò)該漏極接觸孔連接到該漏電極；以及電泳膜，在該像素電極上并覆 蓋該顯示區(qū)的整個(gè)表面，該電泳膜的一端位于該緩沖圖案上。 在另一方面中，一種制造電泳顯示設(shè)備的方法包括在第一基板上形成柵極線，該 第一基板具有顯示區(qū)和在該顯示區(qū)的外圍的非顯示區(qū)，該柵極線位于該顯示區(qū)中；在該柵 極線上形成覆蓋該顯示區(qū)和該非顯示區(qū)的柵極絕緣層；在該柵極絕緣層上和該顯示區(qū)中形 成數(shù)據(jù)線，以及在該柵極絕緣層上和該非顯示區(qū)中形成柵極連接線，該數(shù)據(jù)線與該柵極線 交叉來(lái)限定像素區(qū)，該柵極連接線連接到該柵極線；在像素區(qū)中形成薄膜晶體管，該薄膜晶 體管包括在該柵極絕緣層下的柵電極、在該柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層和在該半導(dǎo)體層上的 源電極和漏電極；在該薄膜晶體管上方和在該顯示區(qū)中形成有機(jī)絕緣材料的鈍化層，該鈍 化層具有第一厚度并包括露出漏電極的漏極接觸孔；形成由與鈍化層相同材料形成并具有 相同厚度的緩沖圖案，該緩沖圖案位于該非顯示區(qū)中；形成位于該像素區(qū)中并在該鈍化層 上的像素電極，該像素電極通過(guò)漏極接觸孔連接到漏電極；在包括該像素電極的該第一基 板的上方布置電泳膜，該電泳膜的一端對(duì)應(yīng)于該緩沖圖案；以及通過(guò)使用層壓裝置的滾輪 將該電泳膜按壓在該像素電極和緩沖圖案上而使該電泳膜貼附在該像素電極和該緩沖圖 案上。 將理解到上述概括和下述詳細(xì)描述是示例性和說(shuō)明性的，以及意圖提供如所要求 的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。
包括以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解和包含和構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示例說(shuō) 明本發(fā)明的實(shí)施例并結(jié)合說(shuō)明書(shū)來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理。
在圖中 圖1是示例說(shuō)明相關(guān)技術(shù)電泳顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法的截面7
圖2是相關(guān)技術(shù)電泳顯示設(shè)備的示意截面圖； 圖3表示用于制造相關(guān)技術(shù)電泳顯示設(shè)備的薄膜層壓工藝； 圖4是相關(guān)技術(shù)電泳顯示設(shè)備的部分顯示區(qū)和部分非顯示區(qū)的截面圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示設(shè)備的部分顯示區(qū)和部分非顯示區(qū)的平面圖； 圖6是沿圖6中的線VII-VII的截面圖； 圖7A至7K是示例說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示設(shè)備的像素區(qū)和排列電泳膜的末端 的部分的制造工藝的截面圖；以及 圖8是根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示設(shè)備的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將詳細(xì)地描述在附圖中示例說(shuō)明的本發(fā)明的示例性實(shí)施例。 圖5是根據(jù)本發(fā)明的包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)的電泳顯示設(shè)備的平面圖，圖6是沿
圖5中的線VII-VII所做的截面圖。 如圖5和6所示，電泳顯示設(shè)備100包括陣列基板101和貼附在陣列基板101上 的電泳膜167。陣列基板101具有用于顯示圖像的顯示區(qū)DA和在顯示區(qū)DA周?chē)姆秋@示 區(qū)NA。在顯示區(qū)DA中限定多個(gè)像素區(qū)P，以及在非顯示區(qū)NA中限定柵極焊盤(pán)區(qū)和數(shù)據(jù)焊 盤(pán)區(qū)。 在顯示區(qū)DA中，形成多條柵極線107和多條數(shù)據(jù)線118，柵極絕緣層IIO在它們之 間。柵極線107和數(shù)據(jù)線118彼此交叉以便在顯示區(qū)DA中限定像素區(qū)P。在非顯示區(qū)NA 中，形成了通過(guò)連接接觸孔117連接到柵極線107的柵極連接線125、在柵極連接線125末 端的柵極焊盤(pán)電極(未示出)、連接到數(shù)據(jù)線118的數(shù)據(jù)連接線(未示出)、在數(shù)據(jù)連接線 末端的數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極(未示出)、將公用電壓施加到顯示區(qū)DA中的多條公用線104的公用 連接線108以及施加低柵極電壓的低柵極電壓線109。 在同一層布置公用線104和公用連接線108，以及從公用連接線108分支公用線 104。公用線104和公用連接線108由同一材料制成，并與柵極線107處于同一層。另一方 面，柵極連接線125與公用連接線108交叉。因此，在與柵極線107不同的層形成柵極連接 線125，以防止公用連接線108的電短路。圖6表示在柵極絕緣層110上形成的柵極連接線 125。由于數(shù)據(jù)線118由與公用連接線108不同的層形成，不會(huì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)連接線和公用連接 線108之間的電短路。因此，在與數(shù)據(jù)線108相同的層上形成數(shù)據(jù)連接線。
在每一像素區(qū)P中形成作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)Tr。連接到柵極線107 和數(shù)據(jù)線118的TFT包括柵電極103、柵極絕緣層110、包括本征非晶硅的有源層115a和摻 雜非晶硅的歐姆接觸層115b的半導(dǎo)體層115、源電極120和漏電極122。盡管未示出，但在 非顯示區(qū)NA中，形成用于驅(qū)動(dòng)防靜電電路的多個(gè)驅(qū)動(dòng)TFT。 公用線104形成在每一像素區(qū)P中并位于柵極絕緣層110下。公用線104與柵極 線107平行。漏電極122延伸以與部分公用線104重疊。公用線104的重疊部分用作第一 存儲(chǔ)電極105，漏電極122的重疊部分用作第二存儲(chǔ)電路124，第一和第二存儲(chǔ)電極105和 124之間的柵極絕緣層IIO用作介電材料層。因此，形成包括第一和第二存儲(chǔ)電極105和 124以及柵極絕緣層110的存儲(chǔ)電容器StgC。 在TFTs Tr上形成無(wú)機(jī)絕緣材料的第一鈍化層128。盡管未示出，為連接驅(qū)動(dòng)TFTs，在第一鈍化層128中形成露出驅(qū)動(dòng)TFTs的柵電極、源電極和漏電極之一的多個(gè)接觸 孔。另外，在第一鈍化層128中形成對(duì)應(yīng)于柵極焊盤(pán)電極的柵極焊盤(pán)接觸孔和對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù) 焊盤(pán)電極的數(shù)據(jù)焊盤(pán)接觸孔。 在顯示區(qū)DA中的第一鈍化層128上形成有機(jī)絕緣材料的第二鈍化層130。第二鈍 化層130具有約2至約4微米的厚度。通過(guò)穿過(guò)第一和第二鈍化層128和130，形成露出每 一像素區(qū)P中的TFT Tr的漏電極122的漏極接觸孔133。 在非顯示區(qū)NA中，形成與第二鈍化層130相同材料的緩沖圖案131。緩沖圖案131 也具有約2至約4微米的厚度。緩沖圖案131位于電泳膜137的開(kāi)始部分，以便減少在薄 膜層壓工藝期間由滾輪引起的沖擊。考慮到薄膜層壓工藝的對(duì)齊裕度，緩沖圖案131具有 足夠的寬度。由于對(duì)齊裕度低于0.5mm，因此，緩沖圖案具有約0.5至約lmm的寬度。圖5 和6表示與第二鈍化層130隔開(kāi)的緩沖圖案131。然而，緩沖圖案131能從第二鈍化層130 延伸。另外，盡管圖5表示緩沖圖案沿?cái)?shù)據(jù)線118延伸，但緩沖圖案131可以具有島狀。島 狀緩沖圖案131可以對(duì)應(yīng)于柵極連接線125或相鄰柵極連接線125之間的間隙。
由于緩沖圖案131由具有柔性特性的有機(jī)絕緣材料形成，所以減小了在薄膜層壓 工藝期間由滾輪引起的沖擊，因此，不會(huì)造成柵極連接線125、驅(qū)動(dòng)TFT(未示出)的電極和 柵極絕緣層110的缺陷，例如裂紋。另外，即使在電泳膜167上存在微粒，因?yàn)榫彌_圖案131 具有相對(duì)厚的厚度和柔性特性，不會(huì)損壞柵極連接線125。因此，不會(huì)造成柵極連接線和公 用連接線之間的電短路的問(wèn)題。 將電泳膜167貼附在陣列基板101上。電泳膜167包括基膜150、油墨層163、粘 合層165和公用電極153。油墨層163包括多個(gè)膠囊160，每一膠囊160內(nèi)具有多個(gè)染成白 色的微粒156和多個(gè)染成黑色的微粒158。染成白色和染成黑色的微粒156和158分別被 負(fù)和正充電。粘合層165位于油墨層163下并由透明材料形成。公用電極153位于油墨層 163和基膜150之間，并由透明導(dǎo)電材料形成。 包括紅色濾色圖案170a、綠色濾色圖案170b和藍(lán)色濾色圖案(未示出)的濾色層 170位于電泳膜167上。另外，在濾色層170上形成保護(hù)基板180。 在下文中，將參考圖7A至7K，說(shuō)明制造方法。圖7A至7K是示例說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明 的電泳顯示設(shè)備的像素區(qū)和電泳膜的末端所在的部分的制造工藝的截面圖。為便于說(shuō)明， 將要形成開(kāi)關(guān)TFT的區(qū)域定義為開(kāi)關(guān)區(qū)TrA。 在圖7A中，使用掩模工藝，通過(guò)沉積和圖案化第一金屬層(未示出)，在基板101 上形成柵極線(未示出)、公用線(未示出)、柵電極103、第一存儲(chǔ)電極105、公用連接線 108和低柵極電壓線(未示出)。第一金屬層可以由諸如鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、銅(Cu)、 銅合金、鉻(Cr)和鈦(Ta)合金這樣的第一金屬材料形成。掩模工藝包括涂光刻膠(PR)層 的步驟、使用掩模露出PR層的步驟、顯影PR層以形成PR圖案的步驟、將PR圖案用作刻蝕 掩?？涛g材料層的步驟以及去除PR圖案的步驟。另外，盡管未示出，但在非顯示區(qū)中，形成 用于驅(qū)動(dòng)防靜電電路的驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O。 公用線與柵極線平行。柵電極103位于開(kāi)關(guān)區(qū)TrA中?？梢詮墓镁€或公用線的 一部分分支第一存儲(chǔ)電極105。公用連接線108位于非顯示區(qū)NA中并連接到公用線。低柵 極電壓線與公用連接線108隔開(kāi)。 圖7A表示單層的第一金屬層。然而，第一金屬層可以是雙層結(jié)構(gòu)，例如AlNd的下
9層和鉬(Mo)的上層或Ti合金的下層以及Cu的上層。S卩，柵電極103、第一存儲(chǔ)電極105、 公用線、公用連接線108和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O的每一個(gè)都可以具有雙層結(jié)構(gòu)。
在圖7B中，通過(guò)沉積諸如氧化硅或氮化硅這樣的無(wú)機(jī)絕緣材料，在柵極線、柵電 極103、第一存儲(chǔ)電極105、公用線、公用連接線108和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O上形成柵極絕緣層110。
順序地，通過(guò)沉積本征非晶硅和摻雜非晶硅，在柵極絕緣層110上層疊本征非晶 硅層(未示出)和摻雜非晶硅層(未示出)。然后，通過(guò)掩模工藝圖案化摻雜非晶硅層和本 征非晶硅層，以便在開(kāi)關(guān)區(qū)TrA中形成有源層115a和在有源層115a上的摻雜非晶硅圖案 115c。有源層115a由本征非晶硅形成并對(duì)應(yīng)于柵電極103。同時(shí)，盡管未示出，在非顯示 區(qū)NA的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O上方形成驅(qū)動(dòng)有源層和驅(qū)動(dòng)摻雜非晶硅圖案。驅(qū)動(dòng)有源層由與有源層 115a相同的材料形成并具有相同的形狀，驅(qū)動(dòng)摻雜非晶硅圖案由與摻雜非晶硅圖案115c 相同的材料形成并具有相同的形狀。還圖案化柵極絕緣層110，以便形成露出柵極線的末端 的連接接觸孔(未示出)，用于將柵極線連接到將形成的柵極連接線和柵極焊盤(pán)電極。
接著，在圖7C中，通過(guò)沉積諸如Mo、 Cu、 Ti合金和AlNd這樣的第二金屬材料，在 (圖7B的)有源層115a和摻雜非晶硅圖案115c上形成第二金屬層(未示出)。第二金屬 層具有Mo、 Cu、 Ti合金和AlNd之一的單層。然而，通過(guò)順序地沉積Mo、 Cu、 Ti合金和AlNd 中的兩種或三種，第二金屬層可以具有雙層結(jié)構(gòu)或三層結(jié)構(gòu)。例如，第二金屬層包括Ti合 金層和Cu層或Mo層、AlNd層和Mo層。 通過(guò)掩模工藝，圖案化第二金屬層，以便在顯示區(qū)DA中形成數(shù)據(jù)線118。數(shù)據(jù)線 118與柵極線交叉，以便在顯示區(qū)DA中限定像素區(qū)P。同時(shí)，在非顯示區(qū)NA中形成連接到 數(shù)據(jù)線118的數(shù)據(jù)連接線(未示出)、在數(shù)據(jù)連接線的末端的數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極(未示出)、通 過(guò)連接接觸孔接觸柵極線的柵極連接線125以及在柵極連接線125的末端的柵極焊盤(pán)電極 (未示出)。另外，在開(kāi)關(guān)區(qū)TrA中形成源電極120和漏電極122，以及形成第二存儲(chǔ)電極 124為疊置在第一存儲(chǔ)電極105上方。源電極120連接到數(shù)據(jù)線118并與漏電極122隔開(kāi)。 源電極和漏電極120和122位于摻雜非晶硅圖案115c上，因此，通過(guò)源電極和漏電極120 和122間的間隙，露出部分摻雜非晶硅圖115c。第二存儲(chǔ)電極124從漏電極122延伸并疊 置在第一存儲(chǔ)電極105上方。第一存儲(chǔ)電極105、第二存儲(chǔ)電極124和它們之間的柵極絕緣 層構(gòu)成存儲(chǔ)電容器StgC。 盡管未示出，在非顯示區(qū)NA的驅(qū)動(dòng)摻雜非晶硅圖案上形成驅(qū)動(dòng)源電極和驅(qū)動(dòng)漏 電極。 接著，通過(guò)干刻蝕，去除(圖7B的)摻雜非晶硅圖案115c的露出部分，以便通過(guò) 源電極和漏電極120和122之間的間隙，露出有源層115a。源電極和漏電極120和122充 當(dāng)蝕刻掩模。摻雜非晶硅圖案115c(圖7B)的剩余部分定義為歐姆接觸層115b。有源層 115a和歐姆接觸層115b定義為半導(dǎo)體層115。柵電極103、柵極絕緣層110、包括有源層 115a和歐姆接觸層115b的半導(dǎo)體層115、源電極120和漏電極122構(gòu)成開(kāi)關(guān)區(qū)TrA中的開(kāi) 關(guān)TFT Tr。盡管未示出，在非顯示區(qū)NA上執(zhí)行相同的工藝，以便在驅(qū)動(dòng)源電極和驅(qū)動(dòng)漏電 極下，形成驅(qū)動(dòng)歐姆接觸層。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O、柵極絕緣層110、驅(qū)動(dòng)有源層、驅(qū)動(dòng)歐姆接觸層、驅(qū) 動(dòng)源電極和驅(qū)動(dòng)漏電極構(gòu)成非顯示區(qū)NA中的驅(qū)動(dòng)TFT。 在圖7B和7C中，通過(guò)兩個(gè)掩模工藝，形成半導(dǎo)體層115、源電極120和漏電極122。 然而，半導(dǎo)體層115、源電極120和漏電極122能由單一掩模工藝形成。單一掩模工藝執(zhí)行如下。在形成柵極絕緣層后，順序地沉積本征非晶硅層、摻雜非晶硅層和第二金屬層。然后， 使用折射暴露方法或半色調(diào)暴露方法，圖案化第二金屬層、摻雜非晶硅層和本征非晶硅層。
在折射暴露方法或半色調(diào)暴露方法中，使用具有不同厚度的PR圖。在這種情況下，與半導(dǎo)
體層相同材料的半導(dǎo)體圖案位于數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極下。 接著，在圖7D中，通過(guò)沉積諸如氧化硅和氮化硅這樣的無(wú)機(jī)絕緣材料，在數(shù)據(jù)線 118、源電極和漏電極120和122、第二存儲(chǔ)電極124、數(shù)據(jù)連接線、數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極、柵極連接 線125、柵極焊盤(pán)電極以及驅(qū)動(dòng)源電極和驅(qū)動(dòng)漏電極上形成第一鈍化層128。由于陰影框， 在柵極焊盤(pán)電極和數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極上不形成第一鈍化層128，以便露出柵極焊盤(pán)電極和數(shù)據(jù) 焊盤(pán)電極。 接著，通過(guò)涂覆諸如光丙烯(photoacryl)和苯環(huán)丁烯(BCB)這樣的有機(jī)絕緣材 料，在第一鈍化層128上形成有機(jī)絕緣層(未示出)。有機(jī)絕緣層具有約3至約5微米的厚 度和平的頂面。使用折射暴露方法或半色調(diào)暴露方法顯影有機(jī)絕緣層，以形成第一有機(jī)絕 緣圖案129a、第二有機(jī)絕緣圖案129b和緩沖圖案131。第一有機(jī)絕緣圖案129a位于顯示 區(qū)DA中，并具有約3至約5微米的厚度。緩沖圖案131位于非顯示區(qū)NA的、將布置電泳膜 的末端的部分中。緩沖圖案131具有約3至約5微米的厚度和約0. 5至約lmm的寬度。第 二有機(jī)絕緣圖案129b位于非顯示區(qū)NA的其它部分中，并具有約l微米的厚度。S卩，第二有 機(jī)絕緣圖129b具有比第一有機(jī)絕緣圖案129a和緩沖圖案131薄的厚度。
另外，圖案化有機(jī)絕緣層來(lái)形成露出部分第一鈍化層128并對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)TFT Tr的 漏電極122的第一孔133。盡管未示出，在非顯示區(qū)NA中形成露出部分第一鈍化層128并 對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)漏電極的第二孔。 接著，在圖7E中，在第一氣體條件下，對(duì)形成有第一和第二有機(jī)絕緣圖129a和 129b以及緩沖圖案131、并且部分第一鈍化層128通過(guò)第一孔132和第二孔(未示出)露 出的基板101執(zhí)行第一干刻蝕工藝。結(jié)果是形成了露出開(kāi)關(guān)區(qū)TrA中的漏電極122的漏極 接觸孔133和露出非顯示區(qū)NA中的驅(qū)動(dòng)漏電極的第一接觸孔(未示出)。
接著，在圖7F中，在第一干蝕刻工藝后，在第二氣體條件下，對(duì)基板101執(zhí)行第二 干蝕刻工藝，以便去除非顯示區(qū)NA中的(圖7E的)第二有機(jī)絕緣圖案129b。同時(shí)，減小顯 示區(qū)DA中的(圖7E的)第一有機(jī)絕緣圖129a的厚度。將具有減小了厚度的(圖7E的) 第一有機(jī)絕緣圖129a定義為具有約2至約4微米的厚度的第二鈍化層130。另外，還減小 了緩沖圖案131的厚度。緩沖圖案131具有約2至約4微米的厚度。此外，通過(guò)第二干蝕 刻工藝，露出柵極電極和數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極(未示出)。 形成由有機(jī)絕緣材料形成并具有約2至約4微米的厚度的第二鈍化層130，以便最 小化柵極線和數(shù)據(jù)線的每一條與將形成為疊置在柵極線和數(shù)據(jù)線的每一條上方的像素電 極之間的寄生電容，并提供平的頂面。 去除非顯示區(qū)NA中的(圖7E的)第二有機(jī)絕緣圖案129b，以便改進(jìn)非顯示區(qū)NA 中的相鄰驅(qū)動(dòng)TFT之間的電連接。如果在非顯示區(qū)NA中存在第二鈍化層，則在第二鈍化層 中需要接觸孔以便露出驅(qū)動(dòng)源電極和驅(qū)動(dòng)漏電極。不幸的是，由于驅(qū)動(dòng)源電極和驅(qū)動(dòng)漏電 極的每一個(gè)具有非常小的尺寸，所以接觸孔也具有非常小的尺寸。在接觸孔中形成用于連 接相鄰驅(qū)動(dòng)TFT的連接圖案。然而，由于接觸孔具有非常小的尺寸，在連接圖案中存在斷開(kāi) 的問(wèn)題。即，相鄰TFT彼此不電連接。由于漏極接觸孔133具有相對(duì)大的尺寸，在顯示區(qū)DA
11中不存在第二鈍化層130中的問(wèn)題。 另外，如果在非顯示區(qū)NA的整個(gè)表面上存在第二鈍化層，因?yàn)榈诙g化層具有相 對(duì)大的厚度，因此在基板101的切割過(guò)程中存在問(wèn)題。因此，在非顯示區(qū)NA中沒(méi)有第二鈍 化層。 即使在非顯示區(qū)NA中形成具有柔性特性的有機(jī)絕緣材料的緩沖圖案131，因?yàn)榫?沖圖案131與顯示區(qū)DA相鄰并具有約0.5至約lmm的寬度，因此，在基板101的切割過(guò)程 中不存在問(wèn)題。 接著，在圖7G中，通過(guò)沉積諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)這樣的透明導(dǎo) 電材料在第二鈍化層130上形成透明導(dǎo)電材料層(未示出)。圖案化透明導(dǎo)電材料層以便 形成像素電極140。像素電極140通過(guò)漏極接觸孔133連接到開(kāi)關(guān)TFT Tr的漏電極122， 并正好疊置在連接到開(kāi)關(guān)TFT Tr的柵極線(未示出)和數(shù)據(jù)線118上方。像素電極140 還疊置在開(kāi)關(guān)TFT Tr上方。 通過(guò)使像素電極140疊置在柵極線和數(shù)據(jù)線118，上方最大化了設(shè)備的孔徑比。在 像素電極140和被疊置的柵極線和數(shù)據(jù)線118的每一個(gè)之間產(chǎn)生了寄生電容。然而，由于 第二鈍化層130由有機(jī)絕緣材料形成并具有約2至約4微米的相對(duì)大的厚度，所以最小化 了寄生電容。 還圖案化非顯示區(qū)NA中的透明導(dǎo)電材料層，以便形成通過(guò)第一鈍化層128中的接 觸孔(未示出)連接非顯示區(qū)NA中的相鄰驅(qū)動(dòng)TFTs的連接圖案(未示出)。同時(shí)，在柵 極焊盤(pán)電極(未示出)和數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極(未示出)上，分別形成輔助柵極焊盤(pán)電極(未示 出)和輔助數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極(未示出)。 接著，在圖7H和71中，將在在每一像素區(qū)P中形成了像素電極140的基板101放 置在層壓裝置的工作臺(tái)(未示出)上。將包括基膜150、油墨層163、粘合層165和公用電 極153的電泳膜167放置在基板101上方。電泳膜167的粘合層165面向基板101的像素 電極140。分別對(duì)染成白色和染成黑色的微粒156和158進(jìn)行負(fù)和正充電。粘合層165位 于油墨層163下并由透明材料形成?；?50由諸如聚對(duì)苯二甲酸乙酯(PET)這樣的透明 和柔性材料形成。公用電極153位于油墨層163和基膜150之間并由透明導(dǎo)電材料形成。 因此，油墨層163位于公用電極153和像素電極140之間。 對(duì)齊電泳膜167以使電泳膜167的末端位于基板101的非顯示區(qū)NA中的緩沖圖 案131上方。對(duì)齊滾輪190以使其位于電泳膜167的一末端。即，使?jié)L輪190位于緩沖圖 案131上方。用預(yù)定壓力沿向電泳膜167的另一末端的方向旋轉(zhuǎn)滾輪190，以便使電泳膜 167貼附在基板101上。 在執(zhí)行層壓工藝以使電泳膜167貼附在基板101上時(shí)，使電泳膜167和基板101 的初始接觸點(diǎn)位于具有彈性特性的有機(jī)絕緣材料的緩沖圖案131上。因此，減小了滾輪190 對(duì)柵極連接線125、驅(qū)動(dòng)TFTs(未示出)的電極和柵極絕緣層的沖擊，不產(chǎn)生例如裂紋這樣 的缺陷。 利用圖7A至71中的上述工藝，制造了黑白電泳顯示設(shè)備。需要圖7J和7K中的 工藝來(lái)形成彩色電泳顯示設(shè)備。 在圖7J中，在電泳膜167上形成包括紅濾色圖案170a、綠濾色圖案170b和藍(lán)濾色 圖案170(未示出)的濾色層170。濾色層170與基膜150接觸。更詳細(xì)地說(shuō)，通過(guò)涂覆紅色抗蝕劑(red color resist)，在基膜150上形成紅濾色層(未示出)?？墒褂眯糠▉?lái) 涂覆彩色抗蝕劑。使用具有高透光率的透光部分和用于阻擋光的具有低透光率的阻擋部分 的掩模來(lái)露出紅濾色層。顯影所露出的紅濾色層，以便形成對(duì)應(yīng)于像素區(qū)P中的一些的紅 濾色圖案170a。由于紅色抗蝕劑具有負(fù)特性，紅濾色層的被通過(guò)掩模的透光部分的光照射 的部分保留而形成紅濾色圖案170a，而紅濾色層的由于掩模的阻擋部分而未被光照射的部 分被去除。 接著利用與形成紅濾色圖案170a相同的方法，形成綠濾色圖案170b和藍(lán)濾色圖 案(未示出)。紅濾色圖案170a、綠濾色圖案170b和藍(lán)濾色圖案彼此交替地排列?？衫?噴墨裝置來(lái)形成濾色層170。 接著，在圖7K中，在濾色層170上設(shè)置相對(duì)基板180。相對(duì)基板180由透明和柔 性塑料材料形成。沿非顯示區(qū)NA的邊緣形成密封圖案(未示出)。此后，使相對(duì)基板180 和陣列基板101彼此貼附，使相對(duì)基板180覆蓋陣列基板101的顯示區(qū)DA。在將相對(duì)基板 180與陣列基板101彼此貼附后，露出輔助柵極焊盤(pán)電極(未示出)和輔助數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極 (未示出)。如果相對(duì)基板180是薄膜型的，則使用粘合層(未示出)將相對(duì)基板180貼附 在電泳膜167或?yàn)V色層170上。在這種情況下，可以省略密封圖案。 在上述工藝中，在電泳膜167上形成濾色層170。然而，可以在相對(duì)基板180的表 面上形成濾色層，然后，使形成有濾色層的相對(duì)基板180與陣列基板101貼附。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示設(shè)備的截面圖。與圖6的電泳顯示設(shè)備相比，圖8 的電泳顯示設(shè)備200具有有機(jī)絕緣材料的單一鈍化層。即，有機(jī)絕緣材料的單一鈍化層直 接接觸TFT的上部元件。 如圖8所示，電泳顯示設(shè)備200包括陣列基板201和貼附在陣列基板201上的電泳 膜267。陣列基板201具有用于顯示圖像的顯示區(qū)DA和在顯示區(qū)DA外圍的非顯示區(qū)NA。 在顯示區(qū)DA中限定多個(gè)像素區(qū)P，以及在非顯示區(qū)NA中限定柵極焊盤(pán)區(qū)和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)。
在顯示區(qū)DA中，形成多條柵極線(未示出)和多條數(shù)據(jù)線218，柵極絕緣層210在 它們之間。柵極線和數(shù)據(jù)線218彼此交叉以便在顯示區(qū)DA中限定像素區(qū)P。在非顯示區(qū)NA 中，形成了通過(guò)連接接觸孔(未示出)連接到柵極線的柵極連接線225、在柵極連接線225 末端的柵極焊盤(pán)電極(未示出)、連接到數(shù)據(jù)線218的數(shù)據(jù)連接線(未示出)、在數(shù)據(jù)連接線 末端的數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極(未示出)、將公用電壓施加到顯示區(qū)DA中的多條公用線(未示出) 的公用連接線208以及施加低柵極電壓的低柵極電壓線(未示出)。 在同一層布置公用線和公用連接線208，以及從公用連接線208分支公用線。公用 線和公用連接線208由同一材料制成，并與柵極線處于同一層。另一方面，柵極連接線225 與公用連接線208交叉。因此，在與柵極線不同的層形成柵極連接線225，以防止與公用連 接線208的電短路。在柵極絕緣層210上形成柵極連接線225。由于數(shù)據(jù)線218由與公用 連接線208不同的層形成，所以不會(huì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)連接線和公用連接線208之間的電短路。因 此，在與數(shù)據(jù)線218相同的層上形成數(shù)據(jù)連接線。 在每一像素區(qū)P中形成作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)Tr。連接到柵極線和數(shù) 據(jù)線218的該TFT包括柵電極203、柵極絕緣層210、包括本征非晶硅的有源層215a和摻雜 非晶硅的歐姆接觸層215b的半導(dǎo)體層215、源電極220和漏電極222。盡管未示出，但在非 顯示區(qū)NA中，形成用于驅(qū)動(dòng)防靜電電路的多個(gè)驅(qū)動(dòng)TFT。
公用線形成在每一像素區(qū)P中并位于柵極絕緣層210下。公用線與柵極線平行。 漏電極222延伸以與部分公用線重疊。公用線的重疊部分用作第一存儲(chǔ)電極205，漏電極 222的重疊部分用作第二存儲(chǔ)電路224，第一和第二存儲(chǔ)電極205和224之間的柵極絕緣層 210用作介電材料層。因此，形成了包括第一和第二存儲(chǔ)電極205和224以及柵極絕緣層 210的存儲(chǔ)電容器StgC。 在顯示區(qū)DA中的TFT Tr上形成有機(jī)絕緣材料的鈍化層230。鈍化層230具有約 2至約4微米的厚度。穿過(guò)鈍化層230形成露出每一像素區(qū)P中的TFTTr的漏電極222的 漏極接觸孔233。 在非顯示區(qū)NA中，形成與鈍化層230相同材料的緩沖圖案231。緩沖圖案231也 具有約2至約4微米的厚度。緩沖圖案231位于電泳膜267的開(kāi)始部分，以便減少在薄膜 層壓工藝期間由滾輪引起的沖擊?？紤]到薄膜層壓工藝的對(duì)齊裕度，緩沖圖案231具有足 夠的寬度。由于對(duì)齊裕度低于0.5mm，因此，緩沖圖案231具有約0.5至約lmm的寬度。圖 8表示與鈍化層230隔開(kāi)的緩沖圖案231。然而，緩沖圖案231能從第二鈍化層230延伸。 另外，緩沖圖案231可以具有島狀。島狀緩沖圖案231可以對(duì)應(yīng)于柵極連接線225或相鄰 柵極連接線225之間的間隙。 由于緩沖圖案231由具有柔性特性的有機(jī)絕緣材料形成，所以減小了在薄膜層壓 工藝期間由滾輪引起的沖擊，因此，不會(huì)造成柵極連接線225、驅(qū)動(dòng)TFT(未示出)的電極和 柵極絕緣層210的缺陷，例如裂紋。另外，即使在電泳膜267上存在微粒，因?yàn)榫彌_圖案231 具有相對(duì)厚的厚度和柔性特性，不會(huì)損壞柵極連接線225。因此，不會(huì)造成柵極連接線和公 用連接線之間的電短路的問(wèn)題。 將電泳膜267貼附在陣列基板201上。電泳膜267包括基膜250、油墨層263、粘 合層265和公用電極253。油墨層263包括多個(gè)膠囊260，每一膠囊260內(nèi)具有多個(gè)染成白 色的微粒256和多個(gè)染成黑色的微粒258。染成白色和染成黑色的微粒256和258分別被 負(fù)和正充電。粘合層265位于油墨層263下并由透明材料形成。公用電極253位于油墨層 263和基膜250之間，并由透明導(dǎo)電材料形成。 包括紅濾色圖案270a、綠濾色圖案270b和藍(lán)濾色圖案(未示出)的濾色層270位 于電泳膜267上。另外，在濾色層270上形成保護(hù)基板280。 對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以在本發(fā) 明中做出各種改進(jìn)和變形。因此，期望本發(fā)明覆蓋該發(fā)明的改進(jìn)和改變，只要它們落在所附 權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種電泳顯示設(shè)備，包括第一基板，具有顯示區(qū)和在所述顯示區(qū)的外圍的非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括像素區(qū)；在所述第一基板上和所述顯示區(qū)中的柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉來(lái)限定所述像素區(qū)；連接到所述柵極線并位于所述非顯示區(qū)的柵極連接線；薄膜晶體管，連接到所述柵極線和數(shù)據(jù)線并位于所述像素區(qū)中，所述薄膜晶體管包括柵電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極；在所述薄膜晶體管上和所述顯示區(qū)中的有機(jī)絕緣材料的鈍化層，所述鈍化層具有第一厚度并包括露出所述漏電極的漏極接觸孔；緩沖圖案，由與所述第一鈍化層相同的材料形成并具有相同的厚度，所述緩沖圖案位于所述非顯示區(qū)中；像素電極，位于所述像素區(qū)中和在所述第一鈍化層上，所述像素電極通過(guò)所述漏極接觸孔連接到所述漏電極；以及電泳膜，在所述像素電極上并覆蓋所述顯示區(qū)的整個(gè)表面，所述電泳膜的一端位于所述緩沖圖案上。
2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電泳膜包括面向所述像素電極的粘合層、在所述粘合層上并包括多個(gè)膠囊的油墨層、在所述油墨層上并由透明導(dǎo)電材料形成的公用電極以及在所述公用電極上的基膜，每一膠囊包括多個(gè)染成白色的微粒和多個(gè)染成黑色的微粒。
3. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括濾色層和在所述濾色層上的第二基板，所述濾色層位于所述電泳膜上并包括所述像素區(qū)中的紅、綠和藍(lán)濾色圖案。
4. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括在所述鈍化層和所述薄膜晶體管之間的無(wú)機(jī)絕緣材料的另一鈍化層，所述無(wú)機(jī)絕緣材料的另一鈍化層覆蓋所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)。
5. 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述非顯示區(qū)中的所述另一鈍化層的第一部分被所述緩沖圖案覆蓋，所述非顯示區(qū)中的除所述第一部分外的所述另一鈍化層的第二部分被露出。
6. 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述另一鈍化層具有小于第一厚度的第二厚度。
7. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括在所述柵極絕緣層下的第一存儲(chǔ)電極和在所述柵極絕緣層上的第二存儲(chǔ)電極，所述第一存儲(chǔ)電極與所述第二存儲(chǔ)電極重疊，以在像素區(qū)中形成存儲(chǔ)電容器。
8. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括柵極焊盤(pán)電極，連接到所述柵極線的一端并位于所述非顯示區(qū)中；數(shù)據(jù)連接線，連接到所述數(shù)據(jù)線并位于所述非顯示區(qū)中；數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極，連接到所述數(shù)據(jù)線的一端并位于所述非顯示區(qū)中；以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，用于驅(qū)動(dòng)防靜電電路，并位于所述非顯示區(qū)中。
9. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括公用連接線，所述公用連接線由與所述柵極線相同的材料形成、與所述柵極線處于同一層并位于所述非顯示區(qū)中，所述柵極連接線與所述公用連接線交叉并位于所述柵極絕緣層上。
10. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中第一厚度為約2至約4微米，而所述緩沖圖案的寬 度為約0. 5至約1毫米。
11. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述緩沖圖案從所述第一鈍化層延伸。
12. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述像素電極疊置在所述薄膜晶體管、柵極線和數(shù) 據(jù)線上方。
13. —種制造電泳顯示設(shè)備的方法，包括在第一基板上形成柵極線，所述第一基板具有顯示區(qū)和在所述顯示區(qū)的外圍的非顯示區(qū)，所述柵極線位于所述顯示區(qū)中；在所述柵極線上形成覆蓋所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)的柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上和所述顯示區(qū)中形成數(shù)據(jù)線，以及在所述柵極絕緣層上和所述非顯示區(qū)中形成柵極連接線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉來(lái)限定像素區(qū)，所述柵極連接線連接到所述柵極線；在像素區(qū)中形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括在所述柵極絕緣層下的柵電極、在 所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層以及在所述半導(dǎo)體層上的源電極和漏電極；在所述薄膜晶體管上和所述顯示區(qū)中形成有機(jī)絕緣材料的鈍化層，所述鈍化層具有第 一厚度以及包括露出漏電極的漏極接觸孔；形成由與所述鈍化層相同材料形成并具有相同厚度的緩沖圖案，所述緩沖圖案位于所 述非顯示區(qū)中；形成位于所述像素區(qū)中并在所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)漏極接觸孔 連接到漏電極；使電泳膜位于包括所述像素電極的所述第一基板上方，其中，所述電泳膜的一端對(duì)應(yīng) 于所述緩沖圖案；以及通過(guò)使用層壓裝置的滾輪將所述電泳膜按壓在所述像素電極和緩沖圖案上，使所述電 泳膜貼附在所述像素電極和所述緩沖圖案上。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括 在貼附所述電泳膜的步驟后，在所述電泳膜上形成濾色層；以及 將第二基板貼附在所述濾色層上。
15. 如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括 在第二基板上形成濾色層；以及 將第二基板貼附在所述電泳膜上。
16. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述鈍化層和形成緩沖圖案的步驟包括 在薄膜晶體管上方形成有機(jī)絕緣材料層；使用半色調(diào)暴露方法或折射暴露方法，露出和顯影所述有機(jī)絕緣材料層，以便形成漏 極接觸孔、在所述非顯示區(qū)的第一部分中的具有第二厚度的第一有機(jī)絕緣圖案以及在所述 非顯示區(qū)的第二部分和所述顯示區(qū)中的具有第三厚度的第二有機(jī)絕緣圖案，所述第一厚度 大于所述第二厚度并小于所述第三厚度；以及通過(guò)對(duì)所述第一和第二有機(jī)絕緣圖案執(zhí)行干蝕刻工藝，去除所述第一有機(jī)絕緣圖案并 形成所述鈍化層和所述緩沖圖案。
17. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一厚度為約2至約4微米，而所述緩沖圖案的寬度為約0. 5至約1毫米。
18. 如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述鈍化層的步驟前，在所述薄膜 晶體管上和所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)中形成無(wú)機(jī)絕緣材料的另一鈍化層。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述非顯示區(qū)中的所述另一鈍化層的第一部分被 所述緩沖圖案覆蓋，而所述非顯示區(qū)中的除所述第一部分外的所述另一鈍化層的第二部分 被露出。
20. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述另一鈍化層具有小于所述第一厚度的第二厚度。
21. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述數(shù)據(jù)線和所述柵極連接線的步驟包括形 成在所述非顯示區(qū)中并連接到所述柵極連接線的柵極焊盤(pán)電極、在所述非顯示區(qū)中并連接 到所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)連接線以及連接到所述數(shù)據(jù)連接線的數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極，而其中形成所述 薄膜晶體管的步驟包括形成用于驅(qū)動(dòng)防靜電電路并位于所述非顯示區(qū)中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，其中形成柵極線的步驟包括在所述非顯示區(qū)中形成公 用連接線，所述柵極連接線與所述公用連接線交叉并通過(guò)所述柵極絕緣層中的連接接觸孔 連接到所述柵極線。
23. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述像素電極疊置在所述薄膜晶體管、所述柵極 線和所述數(shù)據(jù)線上方。
24. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述柵極線的步驟包括形成第一存儲(chǔ)電極， 形成所述薄膜晶體管的步驟包括在所述柵極絕緣層上形成第二存儲(chǔ)電極，所述第一存儲(chǔ)電 極與所述第二存儲(chǔ)電極重疊，以便在所述像素區(qū)中形成存儲(chǔ)電容器。
全文摘要
一種電泳顯示設(shè)備包括第一基板，具有顯示區(qū)和在該顯示區(qū)的外圍的非顯示區(qū)，該顯示區(qū)包括像素區(qū)；在該第一基板上和該顯示區(qū)中的柵極線和數(shù)據(jù)線，該柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉來(lái)限定該像素區(qū)；連接到該柵極線并位于該非顯示區(qū)的柵極連接線；薄膜晶體管，連接到該柵極線和數(shù)據(jù)線并位于該像素區(qū)中，該薄膜晶體管包括柵電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極；該薄膜晶體管上和該顯示區(qū)中的有機(jī)絕緣材料的第一鈍化層，該第一鈍化層具有第一厚度并包括露出該漏電極的漏極接觸孔；緩沖圖案，由與該第一鈍化層相同的材料形成并具有相同的厚度，該緩沖圖案位于該非顯示區(qū)中；像素電極，位于該像素區(qū)中和該第一鈍化層上，該像素電極通過(guò)該漏極接觸孔連接到該漏電極；以及電泳膜，在該像素電極上并覆蓋該顯示區(qū)的整個(gè)表面，該電泳膜的一端位于該緩沖圖案上。
文檔編號(hào)G02F1/167GK101762924SQ20091014898
公開(kāi)日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2009年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月22日
發(fā)明者姜升澈, 樸成鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司