專利名稱：電泳顯示器及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電泳顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種電泳顯示器及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
目前，分散在液體中的帶電微粒由于外加電場而發(fā)生泳動的現(xiàn)象，即所謂電泳現(xiàn) 象已為人們熟知，并且已開發(fā)出利用電泳現(xiàn)象的電泳顯示器，該電泳顯示器結(jié)合了普通紙 張和電子顯示器的優(yōu)點，其既具有可讀性又具有便攜性，且具有視角廣、可撓曲等特點，因 此電泳顯示器已被確認可替代傳統(tǒng)的紙質(zhì)媒介。一般的，現(xiàn)有的電泳顯示器包括第一基板、第二基板以及設(shè)置在所述第一基板和 第二基板之間的電子墨水層。其中，多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線形成在所述第一基板上，所述 柵極線與所述數(shù)據(jù)線的交點處形成有像素單元。每個像素單元的像素電極與開關(guān)元件的漏 極連接，而所述開關(guān)元件的源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述開關(guān)元件的柵極與所述柵極線連 接，所述第二基板上設(shè)置有透明導(dǎo)電層。所述電泳顯示器還包括柵極驅(qū)動電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動 電路，所述柵極驅(qū)動電路用于向所述柵極線提供掃描信號，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路用于向所述 數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓。其中，所述電子墨水層包括多個呈球狀的微膠囊，所述微膠囊的直徑約為10至15 微米，其中每個微膠囊包括懸浮在液體中的正極性充電的白色微粒和負極性充電的黑色微 粒。當正驅(qū)動電壓施加給像素電極時，白色微粒移動到微膠囊的鄰近具有透明導(dǎo)電層的第 二基板的一側(cè)，像素單元將對觀察者呈現(xiàn)白色，同時，黑色微粒移動到微膠囊的鄰近所述第 一基板的一側(cè)，使觀察者無法看到。通過在像素電極和透明導(dǎo)電層之間施加負驅(qū)動電壓，黑 色微粒移動到處于微膠囊的鄰近透明的第二基板的一側(cè)，從而使得像素單元對觀察者呈現(xiàn) 黑色，同時，白色微粒移動到微膠囊的鄰近所述第一基板的一側(cè)，使得觀察者不可見。當去 除電壓時，黑色微粒和白色微粒保持在所獲得的狀態(tài)，并且電泳顯示器顯示出雙穩(wěn)態(tài)性質(zhì)， 而且基本上不消耗功率。當所述像素單元對觀察者呈現(xiàn)黑色，即現(xiàn)有的電泳顯示器處于黑態(tài)時，所述數(shù)據(jù) 線上的數(shù)據(jù)電壓通常為+15V，當像素單元對觀察者呈現(xiàn)白色，即現(xiàn)有的電泳顯示器處于白 態(tài)時，所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓通常為-15V，所述數(shù)據(jù)線上的保持電壓則為0V。因此，現(xiàn)有 的電泳顯示器的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的驅(qū)動范圍至少為-15V +15V，這就使得所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電 路需要更大的面積，增加了生產(chǎn)成本。并且，所述電子墨水層可以等效為一個電容和一個大 電阻，這就使得在開關(guān)元件關(guān)閉后(即電泳顯示器處于保持狀態(tài)時)，漏電流較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電泳顯示器及其驅(qū)動方法，以解決現(xiàn)有的電泳顯示器需要配置較 大電壓驅(qū)動范圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高的問題。本發(fā)明還提供一種電泳顯示器及其驅(qū)動方法，以解決現(xiàn)有的電泳顯示器的漏電流 較大的問題。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種電泳顯示器，所述電泳顯示器包括彼此交 叉的多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線以及位于柵極線與數(shù)據(jù)線交點處的多個像素單元，其中每個 像素單元包括開關(guān)元件、第一電壓線、第二電壓線，分別與所述開關(guān)元件、所述第一電壓線 和所述第二電壓線連接的電壓選擇單元，以及與所述電壓選擇單元連接的像素電極，其中， 當所述柵極線打開所述開關(guān)元件，所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓為高電壓時，所述開關(guān)元件將 高電壓輸送至所述電壓選擇單元，所述電壓選擇單元將所述第一電壓線上的電壓施加給所 述像素電極；所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓為低電壓時，所述開關(guān)元件將低電壓輸送至所述電 壓選擇單元，所述電壓選擇單元將所述第二電壓線上的電壓施加給所述像素電極。進一步的，所述像素單元還包括一存儲單元，所述存儲單元存儲所述開關(guān)元件輸 送的電壓，以使所述電壓在所述開關(guān)元件關(guān)閉后，繼續(xù)輸出到所述電壓選擇單元。所述存儲 單元是一存儲電容，其兩端分別與所述開關(guān)元件和所述第一電壓線連接。進一步的，所述開關(guān)元件是薄膜晶體管，所述開關(guān)元件的漏極與所述數(shù)據(jù)線連接， 所述開關(guān)元件的柵極與所述柵極線連接，所述開關(guān)元件的源極與所述電壓選擇單元和所述 存儲單元連接。進一步的，所述電壓選擇單元包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜 晶體管和第四薄膜晶體管，其中，所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵 極與所述開關(guān)元件的源極連接，所述第一薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的源極 與所述第一電壓線連接，所述第三薄膜晶體管的柵極和漏極以及所述第四薄膜晶體管的漏 極與所述第二電壓線連接，所述第三薄膜晶體管的源極和所述第四薄膜晶體管的柵極與所 述第一薄膜晶體管的漏極連接，所述第四薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的漏極 與所述像素電極連接。進一步的，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管和所 述第四薄膜晶體管是非晶硅薄膜晶體管。進一步的，所述電壓選擇單元包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一 薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)元件的源極連接，所述第一薄 膜晶體管的源極與所述第一電壓線連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二電壓線連 接，所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的源極與所述像素電極連接。進一步的，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管是多晶硅薄膜晶體管，所 述第一薄膜晶體管是N型的多晶硅薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管是P型的多晶硅薄膜 晶體管。進一步的，所述第二電壓線上的電壓為+IOV +30V，所述電泳顯示器還包括用于 向所述數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)電壓為-5V +5V，所述電泳顯示器 還包括用于向所述柵極線提供掃描信號的柵極驅(qū)動電路，所述掃描信號為-20V +35V。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種電泳顯示器的驅(qū)動方法，包括向所述柵極線提供掃 描信號以打開或關(guān)閉所述開關(guān)元件，并向所述數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓；當所述柵極線打開所 述開關(guān)元件，所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓為高電壓時，所述開關(guān)元件將高電壓輸送至所述電 壓選擇單元，所述電壓選擇單元將所述第一電壓線上的電壓施加給所述像素電極，當所述 柵極線關(guān)閉所述開關(guān)元件時，所述存儲單元保持輸送至所述電壓選擇單元的數(shù)據(jù)電壓為高 電壓，所述像素電極的電壓仍等于所述第一電壓線上的電壓；當所述柵極線打開所述開關(guān)元件，所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓為低電壓時，所述開關(guān)元件將低電壓輸送至所述電壓選擇 單元，所述電壓選擇單元將所述第二電壓線上的電壓施加給所述像素電極，當所述柵極線 關(guān)閉所述開關(guān)元件時，所述存儲單元保持輸送至所述電壓選擇單元的數(shù)據(jù)電壓為低電壓， 所述像素電極的電壓仍等于所述第二電壓線上的電壓。進一步的，所述開關(guān)元件是薄膜晶體管，所述開關(guān)元件的漏極與所述數(shù)據(jù)線連接， 所述開關(guān)元件的柵極與所述柵極線連接，所述開關(guān)元件的源極與所述電壓選擇單元和所述 存儲單元連接。進一步的，所述電壓選擇單元包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜 晶體管和第四薄膜晶體管，其中，所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵 極與所述開關(guān)元件的源極連接，所述第一薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的源極 與所述第一電壓線連接，所述第三薄膜晶體管的柵極和漏極以及所述第四薄膜晶體管的漏 極與所述第二電壓線連接，所述第三薄膜晶體管的源極和所述第四薄膜晶體管的柵極與所 述第一薄膜晶體管的漏極連接，所述第四薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的漏極 與所述像素電極連接。進一步的，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管和所 述第四薄膜晶體管是非晶硅薄膜晶體管。進一步的，所述電壓選擇單元包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一 薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)元件的源極連接，所述第一薄 膜晶體管的源極與所述第一電壓線連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二電壓線連 接，所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的源極與所述像素電極連接。進一步的，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管是多晶硅薄膜晶體管，所 述第一薄膜晶體管是N型的多晶硅薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管是P型的多晶硅薄膜 晶體管。進一步的，所述第一電壓線上的電壓為0V，所述第二電壓線上的電壓為+IOV +30V，所述電泳顯示器還包括用于向所述數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù) 電壓為-5V +5V，所述電泳顯示器還包括用于向所述柵極線提供掃描信號的柵極驅(qū)動電 路，所述掃描信號為-20V +35V。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的電泳顯示器及其驅(qū)動方法具有以下優(yōu)點1、所述電泳顯示器包括電壓選擇單元，所述電壓選擇單元與開關(guān)元件、第一電壓 線以及第二電壓線連接，所述電壓選擇單元可選擇性的將所述第一電壓線或所述第二電 壓線上的電壓施加給像素電極，所述電泳顯示器無需配置較大電壓驅(qū)動范圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動電 路，降低了生產(chǎn)成本。2、所述電泳顯示器還包括與開關(guān)元件和第一電壓線連接的存儲單元，所述存儲單 元可確保在開關(guān)元件關(guān)閉后，像素電極的電壓保持穩(wěn)定，減小了漏電流，確保電泳顯示器的 顯示效果。


圖1為本發(fā)明第一實施例提供的電泳顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明第一實施例提供的電泳顯示器的時序示意圖3為本發(fā)明第二實施例提供的電泳顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明的核心思想在于，提供一種電泳顯示器及其驅(qū)動方法，所述電泳顯示器包 括電壓選擇單元，所述電壓選擇單元與開關(guān)元件、第一電壓線以及第二電壓線連接，所述電 壓選擇單元可選擇性的將第一電壓線或第二電壓線上的電壓施加給像素電極，無需較大電 壓驅(qū)動范圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，降低了生產(chǎn)成本。下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施 例，應(yīng)所述理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效 果。因此，下列描述應(yīng)當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的 限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能 和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應(yīng)當認為在任何實際實施例的開 發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的 限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當認為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費 時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要 求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非 精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。第一實施例請參考圖1，其為本發(fā)明第一實施例提供的電泳顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所 示，電泳顯示器100包括彼此交叉的多條數(shù)據(jù)線110和多條柵極線120、以及位于數(shù)據(jù)線 110與柵極線120交點處的多個像素單元，其中每個像素單元包括開關(guān)元件130、第一電 壓線140、第二電壓線150、存儲單元160、電壓選擇單元170以及像素電極180，其中，存儲 單元160分別與開關(guān)元件130和第一電壓線140連接，電壓選擇單元170分別與開關(guān)元件 130、第一電壓線140和第二電壓線150連接，像素電極180則與電壓選擇單元170連接。所述存儲單元160是一存儲電容，存儲單元160存儲開關(guān)元件130輸送的電壓，以 使所述電壓在開關(guān)元件130關(guān)閉后，可繼續(xù)輸出到電壓選擇單元170。當柵極線120打開開關(guān)元件130，并且數(shù)據(jù)線110上的數(shù)據(jù)電壓為高電壓時，開關(guān) 元件130將所述高電壓輸送至電壓選擇單元170，電壓選擇單元170將第一電壓線140上的 電壓施加給像素電極180，當柵極線120關(guān)閉開關(guān)元件130時，存儲單元160則保持輸送至 電壓選擇單元170的數(shù)據(jù)電壓為高電壓，像素電極180的電壓仍等于第一電壓線140上的 電壓；當柵極線120打開開關(guān)元件130，并且數(shù)據(jù)線110上的數(shù)據(jù)電壓為低電壓時，開關(guān)元 件130將所述低電壓輸送至電壓選擇單元170，電壓選擇單元170將第二電壓線150上的電 壓施加給像素電極180，當柵極線120關(guān)閉開關(guān)元件130時，存儲單元160則保持輸送至電 壓選擇單元170的數(shù)據(jù)電壓為低電壓，像素電極180的電壓仍等于第二電壓線150上的電 壓。所述電壓選擇單元170可選擇性的將第一電壓線140或第二電壓線150上的電壓 施加給像素電極180，電泳顯示器100無需配置較大電壓驅(qū)動范圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，降低了生產(chǎn)成本；所述存儲單元160則可確保在開關(guān)元件130關(guān)閉后，像素電極180的電壓保持穩(wěn) 定，減小了漏電流，確保所述電泳顯示器100的顯示效果。在本發(fā)明第一實施例中，開關(guān)元件130是薄膜晶體管，其中，開關(guān)元件130的漏極 與數(shù)據(jù)線Iio連接，開關(guān)元件130的柵極與柵極線120連接，開關(guān)元件130的源極分別與電 壓選擇單元170和存儲單元160連接。在本發(fā)明第一實施例中，所述電壓選擇單元170包括第一薄膜晶體管171、第二 薄膜晶體管172、第三薄膜晶體管173以及第四薄膜晶體管174，其中，第一薄膜晶體管171 的柵極和第二薄膜晶體管172的柵極均與開關(guān)元件130的源極連接，第一薄膜晶體管171 的源極和第二薄膜晶體管172的源極均與第一電壓線140連接，第三薄膜晶體管173的柵 極和漏極以及第四薄膜晶體管174的漏極與第二電壓線150連接，第三薄膜晶體管173的 源極和第四薄膜晶體管174的柵極與第一薄膜晶體管171的漏極連接，第四薄膜晶體管174 的源極和第二薄膜晶體管172的漏極均與像素電極180連接。在本發(fā)明第一實施例中，所述第一薄膜晶體管171、第二薄膜晶體管172、第三薄 膜晶體管173和第四薄膜晶體管174均是由非晶硅材料制成的非晶硅薄膜晶體管。在本發(fā)明第一實施例中，開關(guān)元件130的溝道寬度為20 μ m，開關(guān)元件130的溝道 長度為6 μ m ；第一薄膜晶體管171的溝道寬度為180 μ m,第一薄膜晶體管171的溝道寬度 為6 μ m ；第二薄膜晶體管172的溝道寬度為6 μ m,第二薄膜晶體管172的溝道寬度為6 μ m ； 第三薄膜晶體管173的溝道寬度為30 μ m,第三薄膜晶體管173的溝道寬度為6 μ m ；第四薄 膜晶體管174的溝道寬度為30 μ m，第四薄膜晶體管174的溝道寬度為6 μ m ；存儲單元160 則為0. 8pf。在本發(fā)明第一實施例中，第一電壓線140和第二電壓線150上的電壓由電泳顯示 器100的外圍電路提供，其中，第一電壓線140是接地線，第一電壓線140上的電壓為0V，第 二電壓線150上的電壓為+IOV +30V，優(yōu)選地，第二電壓線150上的電壓為+15V，以下將 以第二電壓線150上的電壓為+15V對本發(fā)明實時方式進行描述。在本發(fā)明第一實施例中，電泳顯示器100還包括數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和柵極驅(qū)動電路， 所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路用于向數(shù)據(jù)線110提供數(shù)據(jù)電壓，所述柵極驅(qū)動電路用于向柵極線120 提供掃描信號。所述電泳顯示器100利用小驅(qū)動范圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路提供數(shù)據(jù)電壓，通過 電壓選擇單元170選擇性的將第一電壓線140或所述第二電壓線150上的電壓施加給像素 電極180，第一電壓線140或第二電壓線150上的電壓可驅(qū)動微膠囊內(nèi)的白色微粒和黑色微 粒進行電泳，無需較大電壓驅(qū)動范圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。例如，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路提供的數(shù)據(jù) 電壓為-5V +5V，所述柵極驅(qū)動電路提供的掃描信號為-20V +35V，即可滿足電泳顯示 器100的顯示要求。本發(fā)明第一實施例還提供了一種電泳顯示器的驅(qū)動方法，該驅(qū)動方法包括向所述柵極線120提供掃描信號以打開或關(guān)閉開關(guān)元件130，并向數(shù)據(jù)線110提供 數(shù)據(jù)電壓；當柵極線120打開開關(guān)元件130，數(shù)據(jù)線110上的數(shù)據(jù)電壓為高電壓時，開關(guān)元件 130將所述高電壓輸送至電壓選擇單元170，電壓選擇單元170將第一電壓線140上的電壓 施加給像素電極180 ；當柵極線120關(guān)閉開關(guān)元件130時，存儲單元160則保持輸送至電壓 選擇單元170的數(shù)據(jù)電壓為高電壓，像素電極180的電壓仍等于第一電壓線140上的電壓；
當柵極線120打開開關(guān)元件130，數(shù)據(jù)線110上的數(shù)據(jù)電壓為低電壓時，開關(guān)元件 130將所述低電壓輸送至電壓選擇單元170，電壓選擇單元170將第二電壓線150上的電壓 施加給像素電極180 ；當柵極線120關(guān)閉開關(guān)元件130時，存儲單元160則保持輸送至電壓 選擇單元170的數(shù)據(jù)電壓為低電壓，像素電極180的電壓仍等于第二電壓線140上的電壓。具體的說，當柵極線120打開開關(guān)元件130，并且數(shù)據(jù)線110上的數(shù)據(jù)電壓為高電 壓時，第一薄膜晶體管171和第二薄膜晶體管172被打開，第四薄膜晶體管174關(guān)閉，此時， 像素電極180的電壓等于第一電壓線140的電壓，即像素電極180的電壓為OV ；當該像素 單元所在的行被掃描過的時候，開關(guān)元件130處于關(guān)閉狀態(tài)時，由于存儲單元160的作用， 可保持輸送至第一薄膜晶體管171和第二薄膜晶體管172的數(shù)據(jù)電壓為高電壓，使得第一 薄膜晶體管171和第二薄膜晶體管172繼續(xù)處于打開狀態(tài)，從而保證像素電極180的電壓 仍然等于第一電壓線140的電壓，即像素電極180的電壓仍為OV ；而當柵極線120打開開關(guān)元件130，數(shù)據(jù)線110上的數(shù)據(jù)電壓為低電壓時，第一薄 膜晶體管171和第二薄膜晶體管172被關(guān)閉，第四薄膜晶體管174打開，此時，像素電極180 的電壓等于第二電壓線150的電壓，即像素電極180的電壓為+15V ；當該像素單元所在的 行被掃描過的時候，開關(guān)元件130處于關(guān)閉狀態(tài)時，由于存儲單元160的作用，保證像素電 極180的電壓仍然等于第二電壓線150的電壓，即像素電極180的電壓仍為+15V。請參考圖2，其為本發(fā)明第一實施例提供的電泳顯示器的時序示意圖，并結(jié)合圖 1，在顯示一副圖像時，電泳顯示器要經(jīng)過三個階段初始化階段HI、顯示階段H2以及保持 階段H3。其中，初始化階段Hl是顯示為全黑或全白畫面，即把黑色微粒和白色微粒分在 微膠囊的兩端。在本發(fā)明第一實施例中，初始化階段Hl時，透明導(dǎo)電層190施加的電壓為 +15V，像素電極180的電壓則為0V，初始化階段Hl顯示為全黑畫面；顯示階段H2時，是通 過使透明導(dǎo)電層190的電壓為0V，并使像素電極180的電壓達到預(yù)定的灰階；保持階段H3 時，是使透明導(dǎo)電層190和像素電極180的電壓均為0V。所述電泳顯示器100的電壓選擇 單元170可選擇性的將第一電壓線140或第二電壓線150上的電壓施加給像素電極180，無 需較大電壓驅(qū)動范圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，降低了生產(chǎn)成本，所述存儲單元160則可確保在開 關(guān)元件130關(guān)閉后，像素電極180的電壓保持穩(wěn)定，減小漏電流，確保所述電泳顯示器100 的顯示效果。第二實施例請參考圖3，其為本發(fā)明第二實施例提供的電泳顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所 示，電泳顯示器200包括彼此交叉的多條數(shù)據(jù)線210和多條柵極線220、以及位于數(shù)據(jù)線 210與柵極線220交點處的多個像素單元，其中每個像素單元包括開關(guān)元件230、第一電 壓線M0、第二電壓線250、存儲單元沈0、電壓選擇單元270以及像素電極觀0，其中，存儲 單元260分別與開關(guān)元件230和第一電壓線240連接，電壓選擇單元270分別與開關(guān)元件 230、第一電壓線240和第二電壓線250連接，像素電極280則與電壓選擇單元270連接。所述存儲單元260是一存儲電容，存儲單元260存儲開關(guān)元件230輸送的電壓，以 使所述電壓在開關(guān)元件230關(guān)閉后，可繼續(xù)輸出到電壓選擇單元270。與本發(fā)明第一實施例不同的是，在本發(fā)明第二實施例中，電壓選擇單元270包括 兩個薄膜晶體管，即第一薄膜晶體管271和第二薄膜晶體管272，其中，第一薄膜晶體管271 的柵極和第二薄膜晶體管272的柵極均與開關(guān)元件230的源極連接，第一薄膜晶體管271的源極與第一電壓線240連接，第二薄膜晶體管272的漏極與第二電壓線250連接，第一薄 膜晶體管271的漏極和第二薄膜晶體管272的源極均與像素電極280連接。在本發(fā)明第二實施例中，第一薄膜晶體管271和第二薄膜晶體管272均是由多晶 硅材料制成的多晶硅薄膜晶體管，其中，第一薄膜晶體管271是N型的多晶硅薄膜晶體管， 第二薄膜晶體管272是P型的多晶硅薄膜晶體管。本發(fā)明第二實施例還提供一種電泳顯示器的驅(qū)動方法，該驅(qū)動方法包括向所述柵極線220提供掃描信號以打開或關(guān)閉所述開關(guān)元件230，并向所述數(shù)據(jù) 線210提供數(shù)據(jù)電壓；當柵極線220打開開關(guān)元件230，數(shù)據(jù)線210上的數(shù)據(jù)電壓為高電壓時，第一薄膜 晶體管271被打開，第二薄膜晶體管272關(guān)閉，此時，像素電極觀0的電壓等于第一電壓線 240的電壓，即像素電極觀0的電壓為OV ；當該像素單元所在的行被掃描過的時候，柵極線 220關(guān)閉開關(guān)元件230時，由于存儲單元沈0的作用，可保持輸送至第一薄膜晶體管271的 數(shù)據(jù)電壓為高電壓，使得第一薄膜晶體管271繼續(xù)處于打開狀態(tài)，從而保證像素電極280的 電壓仍然等于第一電壓線240的電壓，即像素電極觀0的電壓仍為OV ；而當柵極線220打開開關(guān)元件230，數(shù)據(jù)線210上的數(shù)據(jù)電壓為低電壓時，第一薄 膜晶體管271被關(guān)閉，第二薄膜晶體管272打開，此時，像素電極觀0的電壓等于第二電壓 線250的電壓，即像素電極觀0的電壓為+15V ；當該像素單元所在的行被掃描過的時候，柵 極線220關(guān)閉開關(guān)元件230時，由于存儲單元沈0的作用，保證像素電極觀0的電壓仍然等 于第二電壓線250的電壓，即像素電極觀0的電壓仍為+15V。所述電泳顯示器200的電壓選擇單元270可選擇性的將第一電壓線240或第二電 壓線250上的電壓施加給像素電極觀0，無需較大電壓驅(qū)動范圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，降低了生 產(chǎn)成本，存儲單元260則存儲開關(guān)元件230輸送的電壓，以使所述電壓在開關(guān)元件230關(guān)閉 后，繼續(xù)輸出到電壓選擇單元270，可確保在開關(guān)元件230關(guān)閉后，像素電極280的電壓保持 穩(wěn)定，減小了漏電流，確保電泳顯示器200的顯示效果。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電泳顯示器，包括彼此交叉的多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線以及位于柵極線與數(shù)據(jù) 線交點處的多個像素單元，其中每個像素單元包括開關(guān)元件、第一電壓線、第二電壓線，分 別與所述開關(guān)元件、所述第一電壓線和所述第二電壓線連接的電壓選擇單元，以及與所述 電壓選擇單元連接的像素電極，其中，當所述柵極線打開所述開關(guān)元件，所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓為高電壓時，所述開關(guān)元 件將高電壓輸送至所述電壓選擇單元，所述電壓選擇單元將所述第一電壓線上的電壓施加 給所述像素電極；所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓為低電壓時，所述開關(guān)元件將低電壓輸送至所 述電壓選擇單元，所述電壓選擇單元將所述第二電壓線上的電壓施加給所述像素電極。
2.如權(quán)利要求1所述的電泳顯示器，其特征在于，所述像素單元還包括一存儲單元，所 述存儲單元存儲所述開關(guān)元件輸送的電壓，以使所述電壓在所述開關(guān)元件關(guān)閉后，繼續(xù)輸 出到所述電壓選擇單元。
3.如權(quán)利要求2所述的電泳顯示器，其特征在于，所述存儲單元是一存儲電容，其兩端 分別與所述開關(guān)元件和所述第一電壓線連接。
4.如權(quán)利要求3所述的電泳顯示器，其特征在于，所述開關(guān)元件是薄膜晶體管，所述開 關(guān)元件的漏極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述開關(guān)元件的柵極與所述柵極線連接，所述開關(guān)元件 的源極與所述電壓選擇單元和所述存儲單元連接。
5.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器，其特征在于，所述電壓選擇單元包括第一薄膜晶 體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，其中，所述第一薄膜晶體管的 柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)元件的源極連接，所述第一薄膜晶體管的源 極和所述第二薄膜晶體管的源極與所述第一電壓線連接，所述第三薄膜晶體管的柵極和漏 極以及所述第四薄膜晶體管的漏極與所述第二電壓線連接，所述第三薄膜晶體管的源極和 所述第四薄膜晶體管的柵極與所述第一薄膜晶體管的漏極連接，所述第四薄膜晶體管的源 極和所述第二薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接。
6.如權(quán)利要求5所述的電泳顯示器，其特征在于，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜 晶體管、所述第三薄膜晶體管和所述第四薄膜晶體管是非晶硅薄膜晶體管。
7.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器，其特征在于，所述電壓選擇單元包括第一薄膜晶 體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述 開關(guān)元件的源極連接，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第一電壓線連接，所述第二薄膜 晶體管的漏極與所述第二電壓線連接，所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管 的源極與所述像素電極連接。
8.如權(quán)利要求7所述的電泳顯示器，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄 膜晶體管是多晶硅薄膜晶體管。
9.如權(quán)利要求8所述的電泳顯示器，其特征在于，所述第一薄膜晶體管是N型的多晶硅 薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管是P型的多晶硅薄膜晶體管。
10.如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的電泳顯示器，其特征在于，所述第一電壓線上 的電壓為0V，所述第二電壓線上的電壓為+IOV +30V。
11.如權(quán)利要求10所述的電泳顯示器，其特征在于，還包括用于向所述數(shù)據(jù)線提供數(shù) 據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)電壓為-5V +5V。
12.如權(quán)利要求11所述的電泳顯示器，其特征在于，還包括用于向所述柵極線提供掃描信號的柵極驅(qū)動電路，所述掃描信號為-20V +35V。
13.—種如權(quán)利要求2所述的電泳顯示器的驅(qū)動方法，其特征在于，包括向所述柵極線提供掃描信號以打開或關(guān)閉所述開關(guān)元件，并向所述數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓；當所述柵極線打開所述開關(guān)元件，所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓為高電壓時，所述開關(guān)元 件將高電壓輸送至所述電壓選擇單元，所述電壓選擇單元將所述第一電壓線上的電壓施加 給所述像素電極，當所述柵極線關(guān)閉所述開關(guān)元件時，所述存儲單元保持輸送至所述電壓 選擇單元的數(shù)據(jù)電壓為高電壓，所述像素電極的電壓仍等于所述第一電壓線上的電壓；當所述柵極線打開所述開關(guān)元件，所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓為低電壓時，所述開關(guān)元 件將低電壓輸送至所述電壓選擇單元，所述電壓選擇單元將所述第二電壓線上的電壓施加 給所述像素電極，當所述柵極線關(guān)閉所述開關(guān)元件時，所述存儲單元保持輸送至所述電壓 選擇單元的數(shù)據(jù)電壓為低電壓，所述像素電極的電壓仍等于所述第二電壓線上的電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述開關(guān)元件是薄膜晶體管，所述開 關(guān)元件的漏極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述開關(guān)元件的柵極與所述柵極線連接，所述開關(guān)元件 的源極與所述電壓選擇單元和所述存儲單元連接。
15.如權(quán)利要求14所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述電壓選擇單元包括第一薄膜晶 體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，其中，所述第一薄膜晶體管的 柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)元件的源極連接，所述第一薄膜晶體管的源 極和所述第二薄膜晶體管的源極與所述第一電壓線連接，所述第三薄膜晶體管的柵極和漏 極以及所述第四薄膜晶體管的漏極與所述第二電壓線連接，所述第三薄膜晶體管的源極和 所述第四薄膜晶體管的柵極與所述第一薄膜晶體管的漏極連接，所述第四薄膜晶體管的源 極和所述第二薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接。
16.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜 晶體管、所述第三薄膜晶體管和所述第四薄膜晶體管是非晶硅薄膜晶體管。
17.如權(quán)利要求14所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述電壓選擇單元包括第一薄膜晶 體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述 開關(guān)元件的源極連接，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第一電壓線連接，所述第二薄膜 晶體管的漏極與所述第二電壓線連接，所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管 的源極與所述像素電極連接。
18.如權(quán)利要求17所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄 膜晶體管是多晶硅薄膜晶體管。
19.如權(quán)利要求18所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管是N型的多晶硅 薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管是P型的多晶硅薄膜晶體管。
20.如權(quán)利要求13至19中任意一項所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第一電壓線上 的電壓為0V，所述第二電壓線上的電壓為+IOV +30V。
21.如權(quán)利要求20所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述電泳顯示器還包括用于向所述 數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)電壓為-5V +5V。
22.如權(quán)利要求21所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述電泳顯示器還包括用于向所述 柵極線提供掃描信號的柵極驅(qū)動電路，所述掃描信號為-20V +35V。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種電泳顯示器及其驅(qū)動方法，所述電泳顯示器包括彼此交叉的多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線以及位于柵極線與數(shù)據(jù)線交點處的多個像素單元，其中每個像素單元包括開關(guān)元件、第一電壓線、第二電壓線，分別與所述開關(guān)元件、所述第一電壓線和所述第二電壓線連接的電壓選擇單元，以及與所述電壓選擇單元連接的像素電極。本發(fā)明提供的電泳顯示器無需配置較大電壓驅(qū)動范圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，降低了生產(chǎn)成本，減小了漏電流。
文檔編號G02F1/167GK102110416SQ20091024741
公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月29日
發(fā)明者吳勇, 李忠麗, 羅熙曦, 馬駿 申請人:上海天馬微電子有限公司