專利名稱：用于光學(xué)鄰近校正的方法、使用字符投影光刻的光罩的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻，更具體的，涉及使用字符或單元投影光刻的表面的設(shè)計(jì)和制造， 所述表面可以是光罩、晶片或任何其他表面。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件(例如，集成電路)的生產(chǎn)或制造中，可以使用光刻來制造半導(dǎo)體器 件。光刻是使用光刻掩模(mask)或光罩(reticle)將圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，半導(dǎo)體或硅 晶片)以生成集成電路的印刷工藝。其他襯底可以包括平板顯示屏甚至光掩模。同樣，極紫 外(EUV)或X射線光刻也認(rèn)為是光刻的種類。光罩或多個(gè)光罩可以包含與集成電路的單獨(dú) 層相對(duì)應(yīng)的電路圖案，該圖案可以成像在襯底上的已經(jīng)涂覆有被稱作光阻劑或阻劑的輻射 敏感材料層的一定區(qū)域上。一旦圖案化層被轉(zhuǎn)移，則該層會(huì)經(jīng)過各種其他處理，例如蝕刻、 離子注入(摻雜)、金屬化、氧化和拋光。采用這些處理來完成襯底中的單獨(dú)層。如果需要 多個(gè)層，則對(duì)于每個(gè)新層將重復(fù)整個(gè)過程或其變體。最終，多個(gè)器件或集成電路的組合將呈 現(xiàn)在襯底上。然后，可以通過劃片或切割將這些集成電路彼此分開，然后將這些集成電路安 裝在單獨(dú)的封裝中。在更普遍的情況下，襯底上的圖案可以用于限定偽影，例如顯示器像素 或磁記錄頭。在半導(dǎo)體器件(例如，集成電路)的生產(chǎn)或制造中，還可以使用無掩模直寫來制造 半導(dǎo)體器件。無掩膜直寫是將圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，半導(dǎo)體或硅晶片)以生成集成電路 的印刷工藝。其他襯底可以包括平板顯示屏、用于納米壓印的壓印掩模、甚至光掩模。所期 望的層的圖案直接寫在表面上，在此情況下所述表面也是襯底。一旦圖案化層被轉(zhuǎn)移，該層 會(huì)經(jīng)過各種其他處理，例如，蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化和拋光。采用這些處理來 完成襯底中的單獨(dú)層。如果需要多個(gè)層，則對(duì)于每個(gè)新層將重復(fù)整個(gè)過程或其變體。某些 層可以用光刻來寫，而其他層可以用無掩模直寫來寫，以制造相同的襯底。最終，多個(gè)器件或集成電路的組合將呈現(xiàn)在襯底上。然后，可以通過劃片或切割將這些集成電路彼此分開， 然后將這些集成電路安裝在單獨(dú)的封裝中。在更普遍的情況下，襯底上的圖案可以用于限 定偽影，例如顯示器像素或磁記錄頭。如上所述，光掩?；蚬庹职ㄅc待集成在襯底上的電路元件相對(duì)應(yīng)的幾何圖案。 可以使用CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))軟件或程序來產(chǎn)生用于制造光罩的圖案。在設(shè)計(jì)圖案過 程中，CAD程序可以遵循一組預(yù)定設(shè)計(jì)規(guī)則，以生成光罩。通過加工、設(shè)計(jì)和最終使用限制 來設(shè)置這些規(guī)則。最終使用限制的示例是不能以所需電源電壓充分運(yùn)行的方式限定晶體管 的幾何形狀。具體來說，設(shè)計(jì)規(guī)則可以限定電路器件或互連線之間的空間容限。例如，設(shè)計(jì) 規(guī)則用于確保電路器件或線不以不期望的方式彼此相互作用。例如，使用設(shè)計(jì)規(guī)則，使得線 不以會(huì)引起短路的方式彼此太接近。除此之外，設(shè)計(jì)規(guī)則限制反映可以可靠的制造的最小 尺寸。當(dāng)提到這些小尺寸時(shí)，通常引入臨界尺寸的概念。例如，這定義為線的最小寬度或兩 條線之間的最小空間，這些尺寸需要精細(xì)控制。通過光刻的集成電路制造中的一個(gè)目的是通過使用光罩在襯底上復(fù)制原始電路 設(shè)計(jì)。集成電路制造者總是試圖盡量有效的使用半導(dǎo)體晶片基板面(real estate) 0工 程師持續(xù)縮小電路的尺寸，以使得集成電路包含更多的電路元件并且使用更少的功率。由 于集成電路臨界尺寸的大小減小了并且其電路密度增加了，所以其相應(yīng)的掩模圖案的臨界 尺寸接近光刻中所用的光學(xué)曝光工具的分辨極限。電路布圖的臨界尺寸變得更小，接近曝 光工具的分辨率值，掩模圖案和光阻劑層上所顯影的實(shí)際電路圖案之間的精確轉(zhuǎn)移變得困 難。為了進(jìn)一步使用光刻來轉(zhuǎn)移具有比光刻過程中所使用的光波長(zhǎng)小的特征的圖案，開發(fā) 了稱作光學(xué)鄰近校正(OPC)的工藝。OPC改變掩模上的原始布圖，以補(bǔ)償由諸如光衍射、和 特征與鄰近特征的光學(xué)相互作用之類的效應(yīng)所引起的畸變。OPC包括用光罩所執(zhí)行的所有 分辨率增強(qiáng)技術(shù)。OPC將次分辨率光刻特征增加到掩模圖案，以減小原始掩模圖案(即，設(shè)計(jì))與襯 底上的最終轉(zhuǎn)移電路圖案之間的差別。次分辨率特征與原始掩模圖案相互作用，并且彼此 相互作用，補(bǔ)償鄰近效應(yīng)，以改進(jìn)最終轉(zhuǎn)移電路圖案。用于改進(jìn)圖案的轉(zhuǎn)移的一個(gè)特征是次 分辨率輔助特征(SRAF)。所增加的改進(jìn)圖案轉(zhuǎn)移的另一特征稱作“襯線(serifs)”。襯線 是可以位于圖案的拐角以使得最終轉(zhuǎn)移圖像中的拐角銳化的小特征。由于光刻的限制延續(xù) 到次波長(zhǎng)范圍中，OPC特征必須制作的越來越復(fù)雜，以補(bǔ)償更加細(xì)微的相互作用和效應(yīng)。但 是，由于成像系統(tǒng)發(fā)展的更加接近其極限，生產(chǎn)具有足夠精細(xì)的OPC特征的光罩的能力變 得很關(guān)鍵。盡管將襯線或其他OPC特征增加到掩模圖案是有利的，但是這也實(shí)質(zhì)上增加了 掩模圖案中的總特征數(shù)。例如，將襯線增加到正方形的每個(gè)拐角會(huì)將至少八個(gè)矩形增加到 掩?；蚬庹謭D案。增加OPC特征是非常費(fèi)力的任務(wù)，需要極高的計(jì)算時(shí)間，這產(chǎn)生了更加昂 貴的光罩。不僅OPC圖案復(fù)雜，而且由于與最小線和空間尺寸相比光學(xué)鄰近效應(yīng)是長(zhǎng)距離 的，所以給定位置上的校正OPC圖案顯著地取決于附近的其他幾何形狀。因此，例如，在光 罩上線端點(diǎn)將根據(jù)其附近是什么而具有不同大小的襯線。即使目標(biāo)是在晶片上精確生產(chǎn)相 同形狀也是如此。這些微小但關(guān)鍵的變化很重要，妨礙其他部分能夠形成光罩圖案。通常 根據(jù)主特征和OPC特征討論將要寫在光罩上的OPC完成圖案，所述主特征是OPC完成之前 體現(xiàn)設(shè)計(jì)的特征，其中OPC特征可以包括襯線、jog和SRAF。為了量化微小變化的含義，鄰 近區(qū)域之間OPC完成中通常的微小變化可以是主特征大小的5%到80%。注意，為了清楚，OPC設(shè)計(jì)中的變化是被參考的變化。在實(shí)際的表面圖案中也將存在制造變化(例如，線邊緣 粗糙度和倒圓角)。當(dāng)這些OPC變化在晶片上生產(chǎn)大致相同的圖案時(shí)，這意味著晶片上的 幾何形狀定為在特定誤差內(nèi)相同，所述特定誤差取決于幾何形狀設(shè)計(jì)用于執(zhí)行的功能的細(xì) 節(jié)，例如，晶體管或線。然而，通常的規(guī)格是主特征范圍的2%-50%。存在多種同樣能引起 變化的制造因素，但是只列舉具有總誤差通常在范圍內(nèi)的OPC組件。存在多種用于在光罩上形成圖案的技術(shù)，包括使用光學(xué)或離子束系統(tǒng)。最常使用 的系統(tǒng)是可變形狀電子束(VSB)型，其中使精確電子束定型，并將精確電子束引導(dǎo)至光罩 的光阻劑涂覆表面上。這些形狀是簡(jiǎn)單形狀，通常限于一定的最小和最大尺寸的矩形和一 定的最小和最大尺寸的具有三個(gè)內(nèi)角為45度、45度和90度的三角形。在預(yù)定位置上，大量 電子以這些簡(jiǎn)單形狀發(fā)射在光阻劑中。這種類型系統(tǒng)的總寫入時(shí)間隨著發(fā)射數(shù)量而增加。 第二種類型的系統(tǒng)是字符投影系統(tǒng)。在這種情況下，系統(tǒng)中存在具有多種形狀的模板，所述 形狀可以是直線、任意角度的直線、圓形、環(huán)形、部分圓形、部分環(huán)形或任意曲線形狀，并且 可以是一組連接的復(fù)雜形狀或者一系列連接的復(fù)雜形狀組的不連接組合。電子束可以穿過 模板射出，以有效的在光罩上生成更復(fù)雜的圖案(即，字符)。理論上，這樣的系統(tǒng)可以比 VSB系統(tǒng)快，因?yàn)槠淇梢悦看魏臅r(shí)發(fā)射射出更復(fù)雜的形狀。因此，使用VSB系統(tǒng)的E發(fā)射執(zhí) 行四次發(fā)射，但是使用字符投影系統(tǒng)用一次發(fā)射就能完成。注意，定型電子束可以認(rèn)為是字 符投影的特殊(簡(jiǎn)單)情況，其中字符正好是簡(jiǎn)單字符，通常是矩形或45-45-90的三角形。 也能夠部分曝光字符。例如，這可以通過擋住粒子束的一部分來完成。例如，上述的E可以 被部分曝光成為F或I，其中通過孔徑(aperture)切斷粒子束的不同部分。對(duì)于非常復(fù)雜 的光罩，必須將圖案分成近數(shù)十億的基本形狀，有時(shí)候接近數(shù)萬億的基本形狀。例如，這對(duì) 于VSB系統(tǒng)是簡(jiǎn)單矩形形狀，或在字符投影系統(tǒng)中是有限數(shù)量的字符。圖案中的基本形狀 (字符)的總示例越多，寫入時(shí)間越長(zhǎng)并且更加昂貴。但是，對(duì)于諸如OPC完成光罩之類的 寫入表面，其中在更小的圖案中存在很多精細(xì)變化，這樣的投影系統(tǒng)目前不切實(shí)際?？墒褂?的字符的數(shù)量是有限的，其中投影機(jī)對(duì)字符的選擇采取最小時(shí)間，目前只能允許約10-1000 個(gè)字符。當(dāng)面對(duì)需要放置在光罩上的過多微小變化的OPC圖案時(shí)，還沒有可以完成該任務(wù) 的系統(tǒng)或方法。因此，減小用來制備和制造用于襯底的光罩的時(shí)間和成本是有利的。更一般的，減 小用來制造和制造任何表面的時(shí)間和成本是有利的。還期望具有包含生產(chǎn)或產(chǎn)生具有需要 轉(zhuǎn)移到表面的各種圖案所需要的一些復(fù)雜字符的模板掩模。例如，表面可以具有彼此只有 微小差別的數(shù)千個(gè)圖案。為了制備表面，期望具有能夠產(chǎn)生很多這種具有微小差別的圖案 的模板掩模。如在此更全面的描述，這可以通過使用包含字符組的模板掩模來實(shí)現(xiàn)，所述字 符可以結(jié)合、修改或調(diào)整，以產(chǎn)生具有許多微小改變的圖案。因此，需要消除了上述與制備 表面相關(guān)的問題的、用于制造表面的方法和系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)形式中，公開了一種用于制造表面的方法，所述表面具有大量微 小差別圖案，所述方法包括如下步驟用字符組來寫表面，用于在所述表面上形成圖案；和 通過使用字符改變技術(shù)，減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。在本發(fā)明的另一形式中，公開了一種用于制造表面的方法，所述方法包括如下步驟設(shè)計(jì)將要形成于表面上的多個(gè)圖案，所述圖案具有微小差別；根據(jù)所述多個(gè)圖案確定 要使用的字符組；準(zhǔn)備具有所述字符組的模板掩模；和通過使用字符改變技術(shù)，減小發(fā)射 數(shù)或總寫入時(shí)間。在本發(fā)明的另一形式中，公開了一種用于制造表面的系統(tǒng)，所述表面具有大量微 小差別圖案，所述系統(tǒng)包括模板掩模，其具有用于在所述表面上形成圖案的字符組；和設(shè) 備，其用于通過使用字符改變技術(shù)來減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。在本發(fā)明的另一形式中，公開了一種用于在表面上的圖案的設(shè)計(jì)的光學(xué)鄰近校正 的方法，所述方法包括如下步驟為襯底輸入所期望的圖案；和輸入可以用于在所述表面 上形成圖案的字符組，所述字符組中的一些是復(fù)雜字符。在本發(fā)明的另一形式中，公開了一種用于在表面上的圖案的設(shè)計(jì)的光學(xué)鄰近校正 的方法，所述方法包括輸入可能的圖像字符的步驟，所述圖像字符基于預(yù)定字符組中的字 符，使用對(duì)所述字符組中的改變字符劑量、改變字符位置或應(yīng)用字符的部分曝光的計(jì)算，確 定所述圖像字符。在本發(fā)明的另一形式中，公開了一種用于在表面上的圖案的設(shè)計(jì)的光學(xué)鄰近校正 的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)包括襯底的所期望的圖案；和字符組，所述字符組中的一些是復(fù)雜 字符，用于在表面上形成一些圖案。在本發(fā)明的另一形式中，公開了 一種用于打碎或掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備或鄰近效應(yīng)校正的 方法，其包括如下步驟輸入要在表面上形成的圖案，圖案子組彼此具有微小差別變化；和 選擇字符組，用于形成多個(gè)圖案，所述字符組中的一些是復(fù)雜字符；和通過使用字符改變技 術(shù)減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。在本發(fā)明的另一形式中，公開了一種用于打碎、或掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備或鄰近效應(yīng)校正 的系統(tǒng)，其包括設(shè)備，其用于輸入要在表面上形成的圖案，圖案具有微小差別；和裝置，其 用于選擇字符組，以用于形成多個(gè)圖案，所述字符組中的一些是復(fù)雜字符；所述字符組裝載 模板掩模上，并且通過使用字符改變技術(shù)減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。在考慮下面詳細(xì)的說明連同附圖之后，本發(fā)明的上述和其他優(yōu)點(diǎn)將顯而易見。


圖1是用于制造表面的單元投影系統(tǒng)；圖2A示出了將要放置在襯底上的圖案的設(shè)計(jì)；圖2B示出了根據(jù)圖2A中所示的設(shè)計(jì)在光罩中形成的圖案；圖2C示出了使用圖2B的光罩在襯底的光阻劑中形成的圖案，示出沒有光學(xué)鄰近 校正，圖像并不與圖2A中所示的設(shè)計(jì)幾乎相似；圖3A示出了圖2A中所示的圖案的光學(xué)鄰近校正的版本；圖;3B示出了圖3A中所示的圖案在形成于光罩中之后的光學(xué)鄰近校正的版本；圖3C示出了使用圖;3B的光罩形成于硅晶片的光阻劑中的圖案；圖4A示出了要放置在襯底上的理想圖案；圖4B示出了兩個(gè)基本模板形狀；圖4C以重疊方式示出了圖4B中所示的兩個(gè)基本模板形狀；圖4D示出了通過使用圖4C中所示的重疊的模板形狀在光罩中所形成的圖案；
圖4E示出了通過使用圖4D中所示的圖案在襯底上所形成的圖案；圖5A以重疊方式示出了兩個(gè)基本模板形狀，其中一個(gè)模板形狀由兩個(gè)不連接的 正方形組成；圖5B示出了通過使用圖5A中所示的重疊的模板形狀在光罩上所形成的圖案；圖5C示出了通過使用圖5B中所示的圖案在襯底上所形成的圖案；圖6A示出了用于在光罩上形成圖案的模板形狀；圖6B示出了通過使用圖6A中所示的模板形狀在光罩上所形成的圖案；圖6C示出了通過使用圖6B中所示的圖案在襯底上所形成的圖案；圖7A示出了用于在表面上形成圖案的四個(gè)模板形狀；圖7B示出了通過使用圖7A中所示的模板形狀在表面上所形成的圖案；圖8A示出了在模板掩模上所形成的字符組；圖8B示出了通過使用圖8A中所示的字符組在表面上所形成的圖案；圖8C示出了調(diào)整字符組；圖8D使用實(shí)線和虛線形狀示出了曝光劑量的變化度，通過使用圖8A中所示的字 符組和圖8C中所示的調(diào)整字符組，在表面的光阻劑中每個(gè)字符和調(diào)整字符通過所述曝光 劑量來曝光；圖8E示出了通過使用圖8A中所示的字符和圖8C中所示的調(diào)整字符在表面上所 形成的圖案。圖9示出了如何制備用于制造襯底(例如，硅晶片上的集成電路)的表面的概念 流程圖；圖10示出了如何制備用于制造襯底(例如，硅晶片上的集成電路)的表面的另一 概念流程圖；圖11示出了字符組；圖12示出了具有形狀變化的字符和調(diào)整字符的組；圖13示出了具有位置變化的字符和調(diào)整字符的組；圖14示出了通過調(diào)整字符的形狀變化所產(chǎn)生的圖案組；圖15示出了通過調(diào)整字符的各種曝光劑量所產(chǎn)生的圖案組；圖16示出了通過單一字符的各種曝光劑量所產(chǎn)生的圖案組；圖17示出了通過調(diào)整字符的位置變化所產(chǎn)生的圖案組；圖18示出了如何制備用于制造襯底(例如，硅晶片上的集成電路)的表面的概念 流程圖；圖19示出了圖像字符的示例；和圖20示出了參數(shù)化圖像字符的示例。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參考附圖，其中相同的數(shù)字表示相同的組件，圖1的數(shù)字10表示根據(jù)本發(fā)明 的采用字符投影來制造表面12的光刻系統(tǒng)的實(shí)施例，例如，粒子束寫入系統(tǒng)，在這種情況 下是電子束寫入系統(tǒng)。電子束寫入系統(tǒng)10具有朝向孔徑板18發(fā)射電子束16的電子束源 14。板18具有形成于其中的孔徑20，所述孔徑20能使得電子束16穿過。一旦電子束16穿過孔徑20，其被一系列透鏡(未示出)作為電子束22引導(dǎo)或偏轉(zhuǎn)至另一矩形孔徑板或模 板掩模M。模板掩模M在其中形成限定了各種類型的字符觀的很多孔徑26。模板掩模 24中所形成的每個(gè)字符觀可以用于形成表面12中的圖案。電子束30從一個(gè)孔徑沈出 現(xiàn)，并且其被引導(dǎo)在表面12作圖案32。表面12涂覆有光阻劑(未示出)，所述光阻劑與電 子束30相互作用。通過使用電子束系統(tǒng)10的一次發(fā)射繪出圖案32。與使用可變形狀電子 束(VSB)投影系統(tǒng)或方法相比，這減小了用來完成圖案32的總寫入時(shí)間。表面12可以是 光罩。表面12然后可以用于另一設(shè)備或機(jī)器(例如，掃描儀)，以將圖案32轉(zhuǎn)移在硅晶片 上，以生產(chǎn)集成電路或芯片。更一般的，光罩12用于另一設(shè)備或機(jī)器，以將圖案32轉(zhuǎn)移在 襯底上。如上所述，因?yàn)榘雽?dǎo)體和其他納米技術(shù)制造商正在接近光刻的極限，所以很難講 理想圖案轉(zhuǎn)移在襯底上。例如，圖2A示出了將要在襯底的光阻劑中形成的理想圖案40，所 述理想圖案40表示電路。當(dāng)生產(chǎn)試圖在其上形成圖案40的光罩時(shí)，光罩并非完美再現(xiàn)圖 案40。圖2B中示出了可以形成于試圖再現(xiàn)圖案40的光罩中的圖案42。與圖案40相比， 圖案42具有更加圓潤(rùn)并縮短的特征。當(dāng)在光刻過程中采用圖案42時(shí)，如圖2C所示，圖案 44形成于襯底上的光阻劑中。圖案44并不非常接近于理想圖案40，這表明為什么需要光 學(xué)鄰近校正。在試圖補(bǔ)償圖案40和44中的差別時(shí)，使用光學(xué)鄰近校正。光學(xué)鄰近校正改變光 罩，以補(bǔ)償由光學(xué)衍射、與相鄰形狀的光學(xué)相互作用和光阻劑工藝效應(yīng)所產(chǎn)生的畸變。圖 3A-3C示出了可以如何采用光學(xué)鄰近校正來改進(jìn)光刻工藝，以顯影出更好版本的圖案44。 具體來說，圖3A示出了圖案50，所述圖案50是圖案40的改變版本。圖案50具有增加到不 同拐角的襯線元素52，以在試圖減小降低拐角的銳度的光學(xué)和工藝效應(yīng)時(shí)提供額外區(qū)域。 當(dāng)生產(chǎn)了圖案50的光罩時(shí)，如圖:3B所示，在光罩中顯示為圖案M。當(dāng)在光刻設(shè)備中使用光 學(xué)鄰近校正的圖案討時(shí)，如圖3C所示，產(chǎn)生了輸出圖案56。圖案56比圖案44更相似于理 想圖案40，這是由于光學(xué)鄰近校正。盡管使用光學(xué)鄰近校正有幫助，但是這需要改變或完成 每個(gè)圖案，這增加了用來生產(chǎn)光罩或光掩模的時(shí)間和成本。另外，當(dāng)應(yīng)用OPC時(shí)光罩上所形 成的各種圖案之間可以適當(dāng)?shù)木哂形⑿〔顒e，這增加了制備光罩的時(shí)間和成本。此外，圖案 中的大量微小差別或變化會(huì)使得使用字符投影系統(tǒng)生產(chǎn)光罩難以處理，這是因?yàn)樗枳址?的數(shù)量將太大?，F(xiàn)在參考圖4A，示出了將要放置在襯底上的理想圖案60 (例如，觸點(diǎn))。理想圖案 60是正方形形狀。在試圖提供將圖案60更加接近的轉(zhuǎn)移在襯底上的光罩時(shí)，使用下列步 驟。圖4B示出了可以用于將理想圖案60寫在光罩上的兩個(gè)基本模板掩?；蜃址?2和64。 模板形狀62是正方形形狀66具有位于每個(gè)拐角70、72、74和76的襯線68。模板形狀64 是調(diào)節(jié)字符，所述調(diào)節(jié)字符可以重新放置在形狀62上，以使一個(gè)或多個(gè)拐角70、72、74和76 處的襯線68的形狀變化或改變。例如，在圖4C中，示出模板掩模64覆蓋模板形狀62的拐 角74。當(dāng)在單元投影設(shè)備(例如，圖1中所示的電子束寫入系統(tǒng)10)中使用模板掩模62和 64以將圖案寫在光罩上時(shí)，將出現(xiàn)如圖4D所示的圖案78。圖案78具有拐角80，所述拐角 80比任何其他拐角更加拉長(zhǎng)和明顯。這是由于使用模板掩模64來改變拐角74。光掩?；?光罩上的圖案78可以用于通常的光刻設(shè)備，以將圖案78轉(zhuǎn)移在襯底上。例如，如果為了在 襯底上生產(chǎn)盡量接近圖案60，考慮到影響光學(xué)鄰近校正的附近的形狀，光罩上的圖案78是適合的形狀，如圖4E所示的圖案82將是圖案78被轉(zhuǎn)移在襯底上的結(jié)果。圖案82與理想 圖案60相似或接近。使用模板形狀62和64可以形成各種其他圖案。例如，形狀64的兩個(gè)示例可以結(jié) 合在一起作為一個(gè)字符90，所述字符90用于覆蓋拐角70和74以形成圖案92，這在圖5A 中示出。模板掩模90和92是可以在光罩上產(chǎn)生圖5B中的圖案94的重疊發(fā)射。為了在襯 底上生產(chǎn)盡量接近圖案60，考慮到影響光學(xué)鄰近校正的附近的形狀，當(dāng)光罩上的圖案94是 適當(dāng)?shù)男螤顣r(shí)，當(dāng)使用光罩上的圖案94來發(fā)射襯底時(shí)，圖5C中所示的圖案96出現(xiàn)在襯底 上。圖案96大致與理想圖案60相同。還能夠考慮使得用于電子束寫入系統(tǒng)10的劑量改 變或變化，以進(jìn)一步修改或調(diào)整形成于光罩上的各種圖案?？梢岳斫?，使用少數(shù)模板形狀， 可以在表面(例如，光罩)上產(chǎn)生大量的或多種形狀?，F(xiàn)在特別參考圖12，示出了一組十六個(gè)字符400、402、404、406、408、410、412、 414、416、418、420、422、424、426、似8和430，作為在通過字符投影系統(tǒng)投影之后將出現(xiàn)在 表面上的字符。通過其設(shè)計(jì)作為“中心CP150在圖13中示出的字符投影作為“正方形152 在圖13中顯示為正方形的設(shè)計(jì)上的圖案，投影出字符400所示的表面上的“0耳”圖案。字 符414所示的“2耳”圖案是由其設(shè)計(jì)作為“23處的耳”在圖13中示出的字符所投影的，并 且是調(diào)整字符的示例。同樣的，如圖14所示，結(jié)合字符400所投影的十五個(gè)字符402、404、 406、408、410、412、414、416、418、420、422、424、426、428 和 430 可以在表面上產(chǎn)生十五個(gè)圖 案 472、474、476、478、480、482、484、486、488、490、492、494、496、498 和 500。通過用一定劑 量來投影字符400，產(chǎn)生圖案470 (圖14)。圖14的十五個(gè)圖案472、474、476、478、480、482、 484、486、488、490、492、494、496、498和500是通過兩個(gè)字符發(fā)射的組合所形成的圖像字 符，所述圖像字符是可以由小的字符組產(chǎn)生于表面上的微小差異圖案的大變化的示例。需 要大變化的潛在原因是用于在表面是光罩或光掩模的情況下使用光刻的最終投影的光學(xué) 鄰近校正。為了在襯底上投影如圖13中所示的正方形452，由于需要光學(xué)鄰近校正，需要在 光罩上產(chǎn)生微小差異的大變化(即，“0耳” 400的變化)。但是，本發(fā)明不依賴于需要微小 差異圖案的大變化的理由。通過改變調(diào)整字符的劑量，可以只通過這些字符發(fā)射在表面上的圖案的變化進(jìn)一 步增加。圖15示出產(chǎn)生從IOnm到19nm的臨界尺寸變化的、以0%、-30%, -60%, +50% 和+100%改變劑量的情形530、532、534、536和538。此外，還可以改變由“0耳，，400所 表示的中心字符(圖12)的劑量，以產(chǎn)生微小差異圖案的進(jìn)一步的變化。圖16示出通過 以-40%、-20%、0%、+25%和+50%改變劑量可以在表面上產(chǎn)生的不同形狀550、552、554、 556和558。形狀560說明了形狀550、552、554、556和558的重疊，以進(jìn)一步證明通過改變 劑量可以產(chǎn)生微小差異圖案。每個(gè)圖案550、552、554、556和558可以是已知通過組合少量 的字符發(fā)射可以得到的圖像字符或圖案。參數(shù)化的圖像字符可以更一般性的用作更緊湊的 表示方法，以在單一說明中描述眾多圖像字符。圖案560說明劑量可以是用來以一種表示 方法表示多個(gè)圖像字符的參數(shù)。參數(shù)化的圖像字符是描述所有這些可能的圖像字符550、 552、554、556和558的單一說明，是更加緊湊和更加靈活的表示方法。還可以通過在不同的 位置上發(fā)射調(diào)整字符的相同基本圖案來產(chǎn)生微小差異圖案。參考圖17，通過將相同的1耳 字符(例如，圖12中的字符404)放置在距0耳字符(例如，圖12中的字符400)的不同位 置，組成圖案580和圖案582。通過很多變化的字符(在這種情況下是中心字符的變化和調(diào)整字符的變化)和改變劑量與相對(duì)位置，可以在只使用兩個(gè)發(fā)射時(shí)在表面上投影非常大量 的微小差異圖案。使用三個(gè)或多個(gè)發(fā)射，可得到的可以投影在表面上的圖像字符的數(shù)量按 幾何級(jí)數(shù)增長(zhǎng)。圖17中也示出了其他圖案，例如，圖案584、586、588和590。例如，通過使 字符400(圖12)與使用圖12中所示的調(diào)整字符412的2耳的標(biāo)準(zhǔn)距離的字符組，形成圖 案584。通過使字符400與使用圖12的調(diào)整字符432的2耳的長(zhǎng)距離的字符組，形成圖案 586。通過使圖12的字符400與使用圖12的調(diào)整字符424的3耳的標(biāo)準(zhǔn)距離的字符組，形 成圖案588。通過使徒12的字符400與使用圖12中所示的調(diào)整字符434的3耳的長(zhǎng)距離 的字符組，形成圖案590?，F(xiàn)在參考圖6A，示出了另一模板圖案100，所述模板圖案100可以用于試圖在襯底 (例如，硅晶片)上形成圖案，以類似于圖4A中所示的理想圖案60。模板圖案100包括在 每個(gè)拐角106、108、110和112處具有襯線104的模板形狀102。模板圖案100還具有在每 個(gè)拐角106、108、110和112處的對(duì)角線上的次分辨率輔助特征(SRAF) 114。如圖6B所示， 模板圖案100用于在光罩上形成圖案116?，F(xiàn)在參考圖6C，圖案116然后用于在襯底上形 成圖案118。圖案118與理想圖案60相似。圖7A示出了四個(gè)模板字符150、152、154和156，如圖7B所示，所述四個(gè)模板字符 可以用于模板掩模上組合以在光罩上形成精細(xì)形狀或圖案158。具體來說，第一字符150被 發(fā)射或投影在光罩上，然后發(fā)射第二字符152，然后是第三字符154，最后是第四字符156。 字符是曲線形狀，而不是直線形狀。以這種方式，可以在光罩上形成復(fù)雜圖案，例如圖案 158。模板掩模上的形狀可以稱作“字符”，光罩上所形成的圖案可以稱作“圖像字符”。除 了形狀改變之外，還能夠使用劑量控制來產(chǎn)生通過使用相同的模板字符(例如，字符150、 152、154和156)形成于光罩上的圖案的更微小變化。使用不同劑量的變化，多個(gè)字符的組 合可以彼此重疊，以增加可以產(chǎn)生的可能的形狀或圖案的變化。此外，可以改變字符的位 置，以增加可以產(chǎn)生的可能的形狀或圖案的變化。因?yàn)樽址?50、152、巧4和156的形狀是 曲線的，所以這減少了離子束寫入系統(tǒng)必須用來將字符150、152、巧4和156發(fā)射或投影在 光罩上以寫入圖像字符(例如，圖案158)的發(fā)射的數(shù)量。例如，可以只通過使用四個(gè)字符 150、152、1M和156來發(fā)射圖案158。如果使用直線形狀，則將需要使用更多的發(fā)射或VSB 發(fā)射?？梢钥闯觯軌蚴褂么鎂SB發(fā)射的字符減小了制備光罩的時(shí)間。還能夠使用具有 曲線形狀的直線形狀，以在光罩上形成圖案。雖然在用于投影需要很多種形狀的表面的字 符投影系統(tǒng)中可以利用字符投影的這個(gè)特征，但是可以作為單一組件使用的字符的數(shù)量不 夠大。本方法和系統(tǒng)使多種字符與劑量、位置或具有潛在的重疊發(fā)射的投影變化結(jié)合，以顯 著地增加可以得到的圖像字符的數(shù)量。通過具有大量圖像字符作為可得到的圖案，代替非 常有限數(shù)量的字符作為可得到的圖案，可以將更加復(fù)雜的圖案投影在表面上，而不會(huì)明顯 影響發(fā)射數(shù)量或?qū)懭霑r(shí)間?？蛇x的，使用大量可得到的圖像字符使得能夠用少得多的發(fā)射 和寫入時(shí)間來發(fā)射具有高度復(fù)雜形狀的表面?，F(xiàn)在參考圖8A，示出了可以放置在模板掩模上的字符組200的示例。如圖8B所 示，字符組200可以用于在光罩上形成圖案202。圖案202可以由字符組200中的一個(gè)或多 個(gè)字符形成。但是，在試圖通過使用光罩更好的形成將要轉(zhuǎn)移在硅晶片上的理想圖案時(shí)，如 圖8C所示，調(diào)整字符或發(fā)射204可以用于進(jìn)一步改進(jìn)圖案202。圖8D示出了可以在光罩的 光阻劑中形成的與調(diào)整字符204組合的圖案202的示例。調(diào)整字符204以虛線示出，以表示與用于發(fā)射其他字符202的劑量相比，這些字符204的更小的劑量。圖8E示出了通過使 用改變的劑量、使用字符組200和調(diào)整字符204在光罩中形成的圖案206?？梢允褂糜邢迶?shù) 量的字符(例如，字符組200)來形成多個(gè)不同形狀的圖案或多個(gè)微小差別形狀的圖案。
圖9是如何制備光罩的概念流程圖250，所述光罩用于制造諸如硅晶片上的集成 電路之類的表面。在第一步驟252中，設(shè)計(jì)了物理設(shè)計(jì)，例如集成電路的物理設(shè)計(jì)。這可以 包括確定需要在物理設(shè)計(jì)中(例如，集成電路中)提供的邏輯門、晶體管、金屬層和其他項(xiàng) 目。然后，在步驟邪4中，確定光學(xué)鄰近校正。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以包括以預(yù)先計(jì)算的 圖像字符或參數(shù)化圖像字符的庫作為輸入。可選的或附加的，還可以包括以預(yù)先設(shè)計(jì)的字 符的庫作為輸入，所述預(yù)先設(shè)計(jì)的字符包括將在步驟沈2中在模板260上可得到的復(fù)雜字 符。在本發(fā)明的實(shí)施例中，OPC步驟邪4還可以包括發(fā)射數(shù)量或?qū)懭霑r(shí)間的同時(shí)優(yōu)化，并且 還可以包括打碎操作、發(fā)射布置操作、劑量分配操作，或者還可以包括發(fā)射順序優(yōu)化操作、 或其他掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備操作。一旦完成了光學(xué)鄰近校正，在步驟256中使掩模設(shè)計(jì)顯影。然 后，在步驟258中，可以進(jìn)行掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備操作或者可以進(jìn)行發(fā)射順序優(yōu)化，所述掩模數(shù)據(jù) 準(zhǔn)備操作可以包括打碎操作、發(fā)射布置操作、劑量分配操作。OPC步驟2M或MDP步驟258 的任意步驟、或者不同于這兩個(gè)步驟邪4或258的單獨(dú)程序，可以包括用于確定需要呈現(xiàn)在 模板上的有限數(shù)量的模板字符、或大量圖像字符或參數(shù)化圖像字符的程序，通過使需要呈 現(xiàn)在模板上的字符與改變的劑量、位置、和部分曝光的程度組合，可以使用少量發(fā)射將所述 大量圖像字符或參數(shù)化圖像字符發(fā)射在表面上，以將全部或大部分所需圖案寫在光罩上。 應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明中，掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備步驟258或掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備不包括0PC。在本發(fā)明可以 考慮在一個(gè)步驟中組合OPC與掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備的任意或所有的各種操作?？梢园ù蛩椴僮?的掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備步驟258還可以包括圖案匹配操作，以匹配圖像字符，以生成緊密匹配掩 模設(shè)計(jì)的掩模。掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備還可以包括使用微小差異的圖案輸入將要形成于表面上的圖 案，選擇用于形成眾多圖案的字符組、安裝在模板掩模上的字符組和基于變化的字符劑量 或變化的字符位置的字符組，或在字符組內(nèi)應(yīng)用字符的部分曝光，以減小發(fā)射數(shù)量或總寫 入時(shí)間。表面上的一組微小差別圖案可以設(shè)計(jì)用來在襯底上生成基本相同的圖案。此外， 字符組可以從預(yù)定的字符組中選擇。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可以為特定的掩模設(shè)計(jì)準(zhǔn) 備在掩模寫入步驟262過程中可以快速選擇的、在步驟270中在模板上可得到的一組字符。 在該實(shí)施例中，一旦完成了掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備步驟258，在步驟沈0中準(zhǔn)備模板。在本發(fā)明的另 一實(shí)施例中，在步驟260中準(zhǔn)備模板在MDP步驟258之前或同時(shí)，并且可以不依賴于特定的 掩模設(shè)計(jì)。在本實(shí)施例中，在步驟272中設(shè)計(jì)在步驟270中可得到的字符和模板布局，以一 般的為很多潛在的掩模設(shè)計(jì)256輸出，以組合微小差別圖案，所述微小差別圖案可能由特 定的OPC程序254、或特定的MDP程序258、或以物理設(shè)計(jì)252 (例如，存儲(chǔ)器、快閃存儲(chǔ)器、 芯片設(shè)計(jì)上的系統(tǒng))為特征的特定類型的設(shè)計(jì)、或設(shè)計(jì)用于物理設(shè)計(jì)252的特定工藝技術(shù)、 或物理設(shè)計(jì)252中所用的特定元件庫、或可以在掩模設(shè)計(jì)256中形成不同的微小差別圖案 組的任何其他通用特征所輸出。模板可以包括字符組，例如，包括調(diào)整字符組的在步驟258 中所確定的有限數(shù)量的字符。一旦完成了模板，在掩模寫入機(jī)(例如，電子束寫入系統(tǒng))中 使用模板來產(chǎn)生表面。該特定步驟被認(rèn)定為步驟262。如步驟沈4中所示，電子束寫入系 統(tǒng)將電子束通過模板投影在表面上，以在表面上形成圖案。然后，完成的表面可以用于光刻 系統(tǒng)，這在步驟沈6中示出。最后，在步驟沈8中，生成襯底，例如硅晶片。如上所述，在步驟270中，可以將字符提供給OPC步驟2M或MDP步驟258。步驟270還將字符提供給字符 和模板設(shè)計(jì)步驟274與圖像字符產(chǎn)生步驟274。字符和模板設(shè)計(jì)步驟272為模板步驟260 和字符步驟270提供輸入。圖像字符產(chǎn)生步驟274將信息提供給圖像字符或參數(shù)化圖像字 符步驟276。此外，如上所述，圖像字符或參數(shù)化圖像字符步驟276將信息提供給OPC步驟 邪4或MDP步驟258。 現(xiàn)在參考圖10，示出了如何制備用于制造襯底(例如，硅晶片上的集成電路)的 表面的另一概念流程圖300。在第一步驟252中，設(shè)計(jì)了物理設(shè)計(jì)，例如集成電路的物理設(shè) 計(jì)。這可以是設(shè)計(jì)者想要轉(zhuǎn)移在襯底上的理想圖案。然后，在步驟304中，確定步驟302中 所生成的理想圖案的光學(xué)鄰近校正。這可以包括選擇需要制備的圖像字符。光學(xué)鄰近校正 還可以包括輸入可能的圖像字符，圖像字符可以基于預(yù)定字符，可以使用改變字符劑量或 改變字符位置、或應(yīng)用字符的部分曝光的計(jì)算來確定圖像字符。此外，光學(xué)鄰近校正可以包 括從可能的圖像字符中選擇圖像字符、根據(jù)所選擇的圖像字符計(jì)算襯底上的圖案、和如果 計(jì)算的誤差超過預(yù)定閾值則選擇另一圖像字符。預(yù)定字符可以來自一系列幾何圖案。一旦 完成了光學(xué)鄰近校正，在步驟304中使掩模設(shè)計(jì)顯影。然后，在步驟306中，準(zhǔn)備掩模設(shè)計(jì)。 一旦準(zhǔn)備了掩模設(shè)計(jì)，在掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備步驟308中進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)掩模設(shè)計(jì)。掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn) 備步驟308可以包括用于確定有限數(shù)量的字符的程序，所述有限數(shù)量的字符需要呈現(xiàn)于模 板上以能夠?qū)⑺械乃鑸D案寫在光罩上。掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備還可以包括圖案匹配，以匹配圖 像字符，以生成緊密匹配掩模設(shè)計(jì)的掩模。還可以執(zhí)行圖案匹配、劑量分配和等價(jià)性檢驗(yàn)的 迭代，可能只包括一次迭代，其中執(zhí)行由構(gòu)建來校正(correct-by-construction)的“確定 性”計(jì)算。這些步驟將輔助制備改進(jìn)等價(jià)性的掩模設(shè)計(jì)。一旦改進(jìn)了掩模，在步驟310中生 成等價(jià)性掩模設(shè)計(jì)?？梢杂糜诖_定等價(jià)性掩模設(shè)計(jì)是否真正等價(jià)于掩模設(shè)計(jì)的檢驗(yàn)的動(dòng)機(jī) 有兩個(gè)。一個(gè)動(dòng)機(jī)是通過掩模檢驗(yàn)。另一個(gè)動(dòng)機(jī)是確定芯片或集成電路一旦被制造后就將 適當(dāng)?shù)钠鹱饔谩D案匹配操作表示匹配的接近性可以由一組等價(jià)條件確定。等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)可以 至少部分的由光刻等價(jià)性(litho-equivalence)實(shí)現(xiàn)。光刻等價(jià)性可以由一組預(yù)定的幾何 規(guī)則，表示匹配、部分匹配或不匹配的一組數(shù)學(xué)方程式確定，或者通過進(jìn)行表面設(shè)計(jì)上的圖 案的光刻模擬和圖像字符的光刻模擬并通過使用一組預(yù)定的幾何規(guī)則來對(duì)比兩個(gè)結(jié)果、或 通過表示匹配、部分匹配或不匹配的一組數(shù)學(xué)方程式來確定。在確保最終的等價(jià)性掩模設(shè) 計(jì)310為等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)所接受的同時(shí)，MDP步驟308可以使用預(yù)定的一組可得到的字符、圖像字 符或參數(shù)化圖像字符來優(yōu)化發(fā)射數(shù)量或?qū)懭霑r(shí)間。在另一實(shí)施例中，在由構(gòu)建來校正的方 法中OPC和MDP可以組合，在這種情況下，可以沒有分別由等價(jià)性掩模設(shè)計(jì)310所產(chǎn)生的掩 模設(shè)計(jì)306。如步驟312中所示，等價(jià)性掩模設(shè)計(jì)可以用于制備模板。一旦完成了模板，在 掩模寫入機(jī)(例如，電子束寫入系統(tǒng))中使用模板來制備光罩。該步驟被認(rèn)定為步驟314。 電子束寫入系統(tǒng)將電子束通過模板投影在表面上，以在表面中形成圖案。在步驟316中完 成表面。然后，完成的表面可以用于光刻機(jī)，這在步驟318中示出，以將表面上所得到的圖 案轉(zhuǎn)移到襯底，例如硅晶片，以制造集成電路。最后，在步驟320中，生產(chǎn)了襯底，例如半導(dǎo) 體晶片。如上所述，在步驟322中，可以將字符提供給OPC步驟304或MDP步驟308。步驟 322還將字符提供給圖像字符產(chǎn)生步驟326。字符和模板設(shè)計(jì)步驟3M為模板步驟312或 字符步驟322提供輸入。字符步驟322可以為字符和模板設(shè)計(jì)步驟3M提供輸入。圖像字 符產(chǎn)生步驟3 將信息提供給圖像字符或參數(shù)化圖像字符步驟328。此外，如上所述，圖像字符或參數(shù)化圖像字符步驟3 將信息提供給OPC步驟304或MDP步驟308?，F(xiàn)在參考圖18，示出了如何制備直寫在襯底(例如硅晶片)上的表面的另一概念 流程圖700。在第一步驟702中，設(shè)計(jì)了物理設(shè)計(jì)，例如集成電路的物理設(shè)計(jì)。這可以是設(shè) 計(jì)者想要轉(zhuǎn)移在襯底上的理想圖案。然后，在步驟704中，執(zhí)行鄰近效應(yīng)校正(PEC)和其他 數(shù)據(jù)準(zhǔn)備(DP)步驟，以準(zhǔn)備襯底寫入設(shè)備的輸入數(shù)據(jù)，其中物理設(shè)計(jì)的記過包括多個(gè)微小 差異的圖案。步驟704還可以包括從步驟7M輸入可能的圖像字符或參數(shù)化圖像字符，圖像 字符基于來自步驟718的預(yù)定字符，在圖像字符產(chǎn)生步驟722中，可以使用改變字符劑量或 改變字符位置、或應(yīng)用字符的部分曝光的計(jì)算來確定圖像字符。步驟704還可以包括圖案 匹配，以匹配圖像字符，以產(chǎn)生緊密匹步驟702中所產(chǎn)生的物理設(shè)計(jì)的晶片圖像。還可以執(zhí) 行圖案匹配、劑量分配和等價(jià)性檢驗(yàn)的迭代，可能只包括一次迭代，其中執(zhí)行由構(gòu)建來校正 (correct-by-construction)的“確定性”計(jì)算。在步驟708中制備模板，然后在步驟710 中，將模板提供給晶片寫入器。一旦完成了模板，在掩模寫入機(jī)(例如，電子束寫入系統(tǒng))中 使用模板來制備光罩。該步驟被認(rèn)定為步驟710。電子束寫入系統(tǒng)將電子束通過模板投影 在表面上，以在表面中形成圖案。在步驟712中完成表面。此外，在步驟718中，可以將字 符提供給PEC和數(shù)據(jù)準(zhǔn)備步驟704。步驟718還將字符提供給圖像字符產(chǎn)生步驟722。字 符和模板設(shè)計(jì)步驟720為模板步驟708或字符步驟718提供輸入。字符步驟718可以為字 符和模板設(shè)計(jì)步驟720提供輸入。圖像字符產(chǎn)生步驟722將信息提供給圖像字符或參數(shù)化 圖像字符步驟724。圖像字符或參數(shù)化圖像字符步驟7M將信息提供給PEC和數(shù)據(jù)準(zhǔn)備步 驟704。步驟710可以包括對(duì)于加工的每層根據(jù)需要重復(fù)應(yīng)用，可能的，一些層使用結(jié)合圖 9和10所描述的方法來加工，其他層使用參考圖18如上描述的方法來加工，或者其他層使 用任何其他晶片寫入方法來加工，以在硅晶片上生產(chǎn)集成電路。圖11示出了各種其他基本樣板形狀或字符350、352、354、356、358、360和362，所
述基本樣板形狀或字符可以用作模板上的一組字符，以形成光罩上的各種圖案。當(dāng)使用字 符投影時(shí)，模板字符可以通過三種方法略微修改。第一種方法是修改字符的形狀和大小。 例如，可以使用可變字符投影，其中可以通過部分的曝光字符的一部分改變單個(gè)字符。第 二中方法是在發(fā)射特定形狀和大小的字符時(shí)略微修改劑量。粒子投影發(fā)射的“劑量”是快 門速度，在光罩的表面上投影特定發(fā)射的時(shí)間長(zhǎng)度?！皠┝啃Ｕ笔抢鐬榱肃徑?yīng)校正 (PEC)，略微改變?nèi)魏翁囟ㄗ址队暗陌l(fā)射的劑量的處理步驟。在本特定實(shí)施例中，附加的 或者與其他劑量校正結(jié)合的，有目的的改變劑量，以略微改變投影在光罩的表面上的字符 的大小和形狀，以在光罩上形成圖案或圖像字符。還能夠通過使用字符350、352、3M和356 的多次重疊發(fā)射來改變光罩上的圖案發(fā)射，以產(chǎn)生多種圖案或圖像字符。圖案或圖像字符 可以是直線、接近直線、線性或曲線形狀。此外，還可以考慮改變劑量與使用重疊字符相結(jié) 合，以產(chǎn)生更多種的圖案或圖像字符。此外，可以用VSB發(fā)射使用一組模板字符，以在表面 上形成更多的圖案或圖像字符，所述模板字符是簡(jiǎn)單字符的示例。VSB發(fā)射和字符可以與分 配的劑量結(jié)合，以產(chǎn)生大量的圖案或圖像字符。略微改變模板字符的第三種方法是使用位 置變化。字符358、360和360示出了相同字符的三種位置變化。通過改變劑量以及字符的 幾何形狀和字符彼此的相對(duì)位置，可以由特定組合的字符投影字符快速發(fā)射的掩模圖像片 段的數(shù)量成倍增加?？梢允褂眯枰倭孔址拇罅繄D像字符，以用減少的發(fā)射數(shù)量和寫入 時(shí)間投影復(fù)雜的圖案。
通過使用字符組，可以形成復(fù)雜形狀，所述復(fù)雜形狀包括直線形狀、組合了任意角 度的邊緣的形狀和包括任意彎曲的形狀的連接的或未連接的組合。任意彎曲形狀可以包括 圓形、半圓形和四分之一圓形。一組字符投影字符被設(shè)計(jì)并容納于安裝在寫光罩的粒子束 投影系統(tǒng)中的模板中。光學(xué)鄰近校正系統(tǒng)可以用于選擇字符投影字符的組合，所述字符能 包括能改變劑量和部分投影的角度的VSB發(fā)射，以產(chǎn)生大量圖案。具體為了特定設(shè)計(jì)、或一 般的為了一組設(shè)計(jì)和將來可能的設(shè)計(jì)，可以用一些組織(例如，特定的半導(dǎo)體制造技術(shù)節(jié) 點(diǎn))預(yù)先設(shè)計(jì)一組字符。光學(xué)鄰近校正系統(tǒng)可以用可變的劑量打碎彼此重疊的字符。這使 得能夠在光罩上產(chǎn)生復(fù)雜的形狀。還能夠用預(yù)先估算或預(yù)先計(jì)算的圖像字符的很大的庫來開始光學(xué)鄰近校正系統(tǒng)。 然后，光學(xué)鄰近校正系統(tǒng)在執(zhí)行集成電路的原始物理設(shè)計(jì)到光罩設(shè)計(jì)的光學(xué)鄰近校正變換 時(shí)嘗試盡量使用可得到大的圖像字符。圖像字符可以各自標(biāo)記有相關(guān)聯(lián)的發(fā)射數(shù)量和寫 入時(shí)間的優(yōu)化值或多個(gè)優(yōu)化值，光學(xué)鄰近校正系統(tǒng)、掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備系統(tǒng)或一些獨(dú)立的程序 可以通過選擇較少的發(fā)射數(shù)量或?qū)懭霑r(shí)間來優(yōu)化發(fā)射數(shù)量或?qū)懭霑r(shí)間?？梢砸宰疃搪窂?(greedy)方式或迭代優(yōu)化方式來執(zhí)行該優(yōu)化，在最短路徑方式中，以選擇圖像字符來匹配 圖案的一定順序，選擇每個(gè)圖像字符，來優(yōu)化為發(fā)射數(shù)量或?qū)懭霑r(shí)間所選擇的最佳圖像字 符，迭代方式例如使用模擬退火算法，其中圖像字符選擇的交換優(yōu)化了總發(fā)射數(shù)量或?qū)懭?時(shí)間。通過任何可得到的圖像字符，要形成于光罩上的一些所需的圖案可能仍然不匹配，需 要通過使用VSB發(fā)射來形成這些圖案?，F(xiàn)在參考圖19，示出了可以由光學(xué)鄰近校正、打碎、鄰近效應(yīng)校正或掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備 的任何其他步驟所使用的圖像字符1000、1002、1004和1006的示例。圖像字符1000、1002、 1004和1006可以通過或不通過相同字符的組合產(chǎn)生，或者其還可以是由四個(gè)不同的字符 所產(chǎn)生的圖像字符。不考慮產(chǎn)生圖像字符的方法，圖像字符表示可能圖案，該可能圖案是已 知的使用少量發(fā)射或?qū)懭霑r(shí)間而生成的表面上的可能圖案。每個(gè)圖像字符可以與需要用來 產(chǎn)生圖像字符的字符的說明、每個(gè)字符的部分曝光的指令、每個(gè)字符投影所需的劑量和字 符的相對(duì)位置相關(guān)聯(lián)。圖20示出了參數(shù)化圖像字符1010和1012的示例。圖像字符1010示出了用可以 改變的尺寸的說明所描述的通常形狀，在這種情況下，長(zhǎng)度X在10到25長(zhǎng)度單位值之間改 變。圖像字符1012以更加限制性的方式示出了相同的通常形狀，其中長(zhǎng)度X只能是其中一 個(gè)具體的值，例如，10、15、20或25。參數(shù)化圖像字符1010表明這些描述考慮到了使用未參 數(shù)化的圖像字符的列舉方法不可行的大量可能的圖像字符。圖像字符1010的參數(shù)化圖像字符描述示例可以是如下的pglyph upsideDownLShape(x manometers, where((χ = 10)or((χ > 10)and(χ < 2))or (χ = 25)))；rect(0，0，5，15)；rect(0,15, χ, 20)；end pglygh ；圖像字符1012的參數(shù)化圖像字符描述示例可以是如下的pglyph upsideDownLShape2(χ manometers, where ((χ = 10)or(χ = 15)or (χ = 20) or (χ = 25)))；
rect(0，0，5，15)；rect(0,15, χ, 20)；end pglygh ；這些示例描述基于服從于確定哪個(gè)參數(shù)值符合一定的條件的邏輯測(cè)試的參數(shù)， 所述一定的條件例如 “where ((χ = 10) or ((χ > 10) and (χ < 2 = = or (χ = 25)=，，或 "where ((χ = 10) or (χ = 15) or (χ = 20) or (χ = 25))”。存在很多其他方式來描述參數(shù)化 圖像字符。表示構(gòu)造方法的另一示例如下pglyph upsideDownLShape2 (x manometers)；glyphFor (χ = 10，x+x+5 ；χ > 25){rect(0，0，5，15)；rect(0,15, χ, 20)；}end pglyph ；雖然參照具體實(shí)施例詳細(xì)描述了本說明書，但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到在獲得上述內(nèi)容的理 解之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易的想到這些實(shí)施例的替換、變化以及等價(jià)。在不超出特別 地在權(quán)利要求中陳述的本主題的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到對(duì)于 用于使用字符投影光刻制造光罩的本系統(tǒng)和方法的這些和其他的修改和變化。此外，本領(lǐng) 域的技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到上述描述僅為示例性的，并且不是為了進(jìn)行限制。因此，意味著本 主題覆蓋在權(quán)利要求及其等價(jià)物范圍內(nèi)的這種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種用于制造表面的方法，所述表面具有大量微小差別圖案，所述方法包括如下步驟在模板掩模上使用字符組，用于在所述表面上形成圖案；和 通過使用字符改變技術(shù)，減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述字符改變技術(shù)包括改變字符劑量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，來自所述字符組中的多個(gè)字符的發(fā)射重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述字符改變技術(shù)包括改變字符位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述字符改變技術(shù)包括應(yīng)用所述字符組中的字 符的部分曝光。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述表面是光罩。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述表面上的微小差別圖案在襯底上產(chǎn)生大致 相同的圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)判定所述襯底上的圖案是否大致相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)基于光刻模擬。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述表面是襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括使用字符投影光刻的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括如下步驟設(shè)計(jì)將要形成于表面上的多個(gè)圖案，所述圖案具有微小差別； 根據(jù)所述多個(gè)圖案設(shè)計(jì)要使用的字符組；和 準(zhǔn)備具有所述字符組的模板掩模。
13.一種用于制造表面的系統(tǒng)，所述表面具有大量微小差別圖案，所述系統(tǒng)包括 模板掩模，其具有用于在所述表面上形成圖案的字符組；和設(shè)備，其用于通過使用字符改變技術(shù)來減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述字符改變技術(shù)包括改變字符劑量。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，來自所述字符組中的多個(gè)字符的發(fā)射重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述字符改變技術(shù)包括改變字符位置。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述字符改變技術(shù)包括應(yīng)用所述字符組中的 字符的部分曝光。
18.一種用于制造集成電路的方法，所述集成電路具有表面，所述表面具有大量微小差 別圖案，所述方法包括如下步驟在模板掩模上使用字符組，用于在所述表面上形成圖案；和 通過使用字符改變技術(shù)，減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述字符改變技術(shù)包括改變字符劑量。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，來自所述字符組中的多個(gè)字符的發(fā)射重疊。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述字符改變技術(shù)包括改變字符位置。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述字符改變技術(shù)包括應(yīng)用所述字符組中的 字符的部分曝光。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括使用字符投影光刻的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括如下步驟設(shè)計(jì)將要形成于表面上的多個(gè)圖案，所述圖案具有微小差別； 根據(jù)所述多個(gè)圖案設(shè)計(jì)要使用的字符組；和 準(zhǔn)備具有所述字符組的模板掩模。
25.一種用于使用光刻工藝制造集成電路的方法，所述光刻工藝使用光罩，所述光罩具 有大量微小差異圖案，所述方法包括如下步驟在模板掩模上使用字符組，用于在所述光罩上形成圖案；和 通過使用字符改變技術(shù)，減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述字符改變技術(shù)包括改變字符劑量。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，來自所述字符組中的多個(gè)字符的發(fā)射重疊。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述字符改變技術(shù)包括改變字符位置。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述字符改變技術(shù)包括應(yīng)用所述字符組中的 字符的部分曝光。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述光罩上的微小差別圖案在襯底上產(chǎn)生大 致相同的圖案。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)確定所述襯底上的圖案是否大致相同。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中，所述等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)基于光刻模擬。
33.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，還包括使用字符投影光刻的步驟。
34.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，還包括如下步驟設(shè)計(jì)將要形成于光罩上的多個(gè)圖案，所述圖案具有微小差別； 根據(jù)所述多個(gè)圖案設(shè)計(jì)要使用的字符組；和 準(zhǔn)備具有所述字符組的模板掩模。
35.一種用于在表面上包括圖案組的設(shè)計(jì)的光學(xué)鄰近校正的方法，所述表面用于光刻 工藝，以將所述圖案組轉(zhuǎn)移到襯底，所述方法包括如下步驟為所述襯底輸入所期望的圖案；和輸入可以用于在所述表面上形成圖案的字符組，所述字符組中的一些是復(fù)雜字符。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，還包括如下步驟計(jì)算所述字符組中的字符劑量、或 字符位置的變化、或字符的部分曝光。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，還包括如下步驟確定發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間，其中減 小了所述發(fā)射數(shù)或所述總寫入時(shí)間。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，還包括如下步驟使所述字符組中的多個(gè)字符重疊， 以在所述表面上形成圖案。
39.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述表面上的圖案子組由彼此具有微小差別 變化的圖案組成。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，所述表面上的微小差別圖案在所述襯底上產(chǎn) 生大致相同的圖案。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中，等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)確定所述襯底上的圖案是否大致相同。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中，所述等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)基于光刻模擬。
43.一種用于在表面上包括圖案組的設(shè)計(jì)的光學(xué)鄰近校正的方法，所述表面用于光刻 工藝，以將所述圖案組轉(zhuǎn)移到襯底，所述方法包括輸入可能的圖像字符的步驟，所述圖像字 符基于預(yù)定字符組中的字符，使用對(duì)所述字符組中的改變字符劑量、改變字符位置或應(yīng)用 字符的部分曝光的計(jì)算，確定所述圖像字符。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，還包括如下步驟從可能的圖像字符中選擇圖像字符；根據(jù)所選擇的圖像字符，計(jì)算所述襯底上的轉(zhuǎn)移圖案；和如果來自計(jì)算步驟的誤差超過預(yù)定閾值，則從可能的圖像字符中選擇另一圖像字符。
45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中，所述可能的圖像字符時(shí)參數(shù)化圖像字符。
46.一種用于產(chǎn)生圖像字符的方法，其包括如下步驟獲取預(yù)定字符組，作為基礎(chǔ)圖形字符；和計(jì)算所述預(yù)定字符組中的字符劑量的變化、字符位置的變化或字符的部分曝光的應(yīng) 用，以產(chǎn)生另外的圖像字符。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中所述圖像字符是參數(shù)化圖像字符。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中，所述產(chǎn)生的圖像字符包括圖像字符子組，每個(gè) 子組中的圖像字符包括大量微小差別圖案。
49.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，還包括如下步驟根據(jù)所述預(yù)定字符組中的一個(gè)或 多個(gè)字符，計(jì)算多個(gè)重疊的發(fā)射。
50.一種用于在表面上包括圖案組的設(shè)計(jì)的光學(xué)鄰近校正的系統(tǒng)，所述表面用于光刻 工藝，以將所述圖案組轉(zhuǎn)移到襯底，所述系統(tǒng)包括所述襯底的所期望的圖案；和字符組，所述字符組中的一些是復(fù)雜字符，用于在表面上形成一些圖案。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的系統(tǒng)，還包括設(shè)備，所述設(shè)備用于計(jì)算所述字符組中的字 符劑量、或字符位置的變化、或字符的部分曝光。
52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的系統(tǒng)，還包括設(shè)備，所述設(shè)備用于確定發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí) 間，其中減小了所述發(fā)射數(shù)或所述總寫入時(shí)間。
53.根據(jù)權(quán)利要求50所述的系統(tǒng)，其中所述字符組中的多個(gè)字符重疊。
54.一種用于在表面上包括圖案組的設(shè)計(jì)的光學(xué)鄰近校正的系統(tǒng)，所述表面用于光刻 工藝，以將所述圖案組轉(zhuǎn)移到襯底，所述系統(tǒng)包括設(shè)備，所述設(shè)備用于輸入可能的圖像字 符，所述圖像字符基于預(yù)定字符組中的字符，使用對(duì)所述字符組中的改變字符劑量、改變字 符位置或應(yīng)用字符的部分曝光的計(jì)算，確定所述圖像字符。
55.根據(jù)權(quán)利要求M所述的系統(tǒng)，其中，從可能的圖像字符中選擇圖像字符，根據(jù)所選 擇的圖像字符計(jì)算所述襯底上的轉(zhuǎn)移圖案，如果來自計(jì)算步驟的誤差超過預(yù)定閾值，則從 可能的圖像字符中選擇另一圖像字符。
56.一種用于產(chǎn)生圖像字符的系統(tǒng)，其包括設(shè)備，其用于獲取預(yù)定字符組，作為基礎(chǔ)圖形字符；和裝置，其用于計(jì)算所述預(yù)定字符組中的字符劑量的變化、字符位置的變化或字符的部 分曝光的應(yīng)用，以產(chǎn)生圖像字符。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的系統(tǒng)，其中，所產(chǎn)生的圖像字符是參數(shù)化圖像字符。
58.根據(jù)權(quán)利要求56所述的系統(tǒng)，其中，所產(chǎn)生的圖像字符包括圖像字符子組，每個(gè)子 組中的圖像字符形成大量微小差別圖案。
59.根據(jù)權(quán)利要求56所述的系統(tǒng)，其中，來自所述預(yù)定字符組中的一個(gè)或多個(gè)字符的 多次發(fā)射重疊，以產(chǎn)生至少一個(gè)圖像字符。
60.一種用于打碎或掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備或鄰近效應(yīng)校正的方法，其包括如下步驟 輸入要在表面上形成的圖案，圖案子組彼此具有微小差別變化；和選擇字符組，用于形成多個(gè)圖案，所述字符組中的一些是復(fù)雜字符； 其中，通過使用字符改變技術(shù)減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。
61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述表面上的微小差別圖案在襯底上產(chǎn)生大 致相同的圖案。
62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的方法，其中，等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)確定所述襯底上的圖案是否大致相同。
63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法，其中，所述等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)基于光刻模擬。
64.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述字符組是預(yù)定的。
65.根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，還包括如下步驟輸入可能的圖像字符，所述圖像字 符基于預(yù)定字符組。
66.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其中，所述圖像字符時(shí)參數(shù)化圖像字符。
67.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，還包括如下步驟確定使用哪個(gè)圖像字符來匹配輸 入的圖案中的一個(gè)或多個(gè)。
68.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，還包括如下步驟根據(jù)發(fā)射數(shù)或?qū)懭霑r(shí)間，優(yōu)化打 碎、或掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備或鄰近效應(yīng)校正。
69.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其中，所述圖像字符包括圖像字符子組，圖像字符的 每個(gè)子組包括大量微小差別圖案。
70.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述述字符改變技術(shù)改變字符劑量。
71.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述述字符改變技術(shù)改變字符位置。
72.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述述字符改變技術(shù)應(yīng)用所述字符組中的一 個(gè)字符的部分曝光。
73.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述述字符改變技術(shù)重疊字符。
74.一種用于打碎、或掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備或鄰近效應(yīng)校正的系統(tǒng)，其包括設(shè)備，其用于輸入要在表面上形成的圖案，圖案子組彼此具有微小差別變化；和 裝置，其用于選擇字符組，以用于形成多個(gè)圖案，所述字符組中的一些是復(fù)雜字符； 其中，所述字符組裝載模板掩模上，并且其中，通過使用字符改變技術(shù)減小發(fā)射數(shù)或總 寫入時(shí)間。
75.根據(jù)權(quán)利要求74所述的系統(tǒng)，其中，所述表面上的微小差別圖案在襯底上產(chǎn)生大 致相同的圖案。
76.根據(jù)權(quán)利要求75所述的系統(tǒng)，其中，等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)確定所述襯底上的圖案是否大致相同。
77.根據(jù)權(quán)利要求76所述的系統(tǒng)，其中，所述等價(jià)標(biāo)準(zhǔn)基于光刻模擬。
78.根據(jù)權(quán)利要求74所述的系統(tǒng)，還包括用于輸入可能的圖像字符并確定使用哪個(gè)圖像字符來匹配輸入的圖案中的一個(gè)或多個(gè)的設(shè)備。
79.根據(jù)權(quán)利要求78所述的系統(tǒng)，還包括用于根據(jù)發(fā)射數(shù)或?qū)懭霑r(shí)間來優(yōu)化打碎、或 掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備或鄰近效應(yīng)校正的設(shè)備。
80.根據(jù)權(quán)利要求78所述的系統(tǒng)，其中，所述圖像字符包括圖像字符子組，圖像字符的 每個(gè)子組包括大量微小差別圖案。
81.根據(jù)權(quán)利要求74所述的方法，其中，所述述字符改變技術(shù)改變字符劑量。
82.根據(jù)權(quán)利要求74所述的方法，其中，所述述字符改變技術(shù)改變字符位置。
83.根據(jù)權(quán)利要求74所述的方法，其中，所述述字符改變技術(shù)應(yīng)用所述字符組中的一 個(gè)字符的部分曝光。
84.根據(jù)權(quán)利要求74所述的方法，其中，所述述字符改變技術(shù)重疊字符。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于制造具有大量微小差別圖案的表面的方法和系統(tǒng)。所述方法包括在模板掩模上使用字符組合，用于在表面上形成圖案；和通過使用字符改變技術(shù)，減小發(fā)射數(shù)或總寫入時(shí)間。還公開了上述方法應(yīng)用于打碎、掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備或鄰近效應(yīng)校正。還公開了用于在表面上的圖案的設(shè)計(jì)的光學(xué)鄰近校正的方法，包括為襯底輸入所期望的圖案；和輸入可以用于在表面上形成圖案的字符組合，所述字符組合中的一些是復(fù)雜字符。還公開了產(chǎn)生圖像字符的方法。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102138106SQ200980134242
公開日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2009年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月1日
發(fā)明者三橋隆, 蘭斯·格蘭瑟, 萩原和之, 藤村晶 申請(qǐng)人:D2S公司