專(zhuān)利名稱(chēng)：剝除銅或銅合金光阻的組成物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用以去除銅或銅合金光阻的組成物。本申請(qǐng)要求在2009年7月17日提出的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2009-006M64號(hào)(其全文在此以引用方式并入本申請(qǐng)中)的權(quán)益。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體裝置用積體電路或平板顯示器用微電路的程序中，在基板上形成的導(dǎo)電性金屬膜或絕緣膜均勻地涂覆光阻，選擇性地曝光，然后顯影形成光阻圖案。在此使用鋁或鋁合金膜、銅或銅合金膜等作為導(dǎo)電性金屬膜，及使用氧化硅膜、氮化硅膜等作為絕緣膜。繼而使用圖案化光阻膜作為光罩而將導(dǎo)電性金屬膜或絕緣膜濕式蝕刻或干式蝕刻，將微電路圖案轉(zhuǎn)移至光阻的下層，然后使用光阻剝除組成物去除光阻層的不必要部分。為了去除用于制造微電路程序的光阻，光阻剝除組成物必須可在低溫且短時(shí)間內(nèi)剝除光阻。此外光阻剝除組成物必須具有在洗滌后使光阻殘?jiān)粴埩粼诨迳系某潭鹊膬?yōu)良剝除力。此外光阻剝除組成物必須還具有低腐蝕力，使得配置在光阻底側(cè)上的導(dǎo)電性金屬膜或絕緣膜不受損。因此為了符合以上要求，現(xiàn)已研究及發(fā)展了各種形式的剝除組成物， 及其特定實(shí)施例如下。日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第51-72503號(hào)公開(kāi)了一種剝除組成物，其包含10至20 個(gè)碳原子的烷基苯磺酸、與沸點(diǎn)為150°C或更高的未鹵化芳族烴。此外日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第57-84456號(hào)公開(kāi)了一種剝除組成物，其包含二甲基亞砜或二乙基亞砜、及一種有機(jī)砜化合物。此外美國(guó)專(zhuān)利第4，256，294號(hào)公開(kāi)了一種剝除組成物，其包含烷基芳基磺酸、6 至9個(gè)碳原子的親水性芳族磺酸、及沸點(diǎn)為150°C或更高的未鹵化芳族烴。然而以上的剝除組成物因其嚴(yán)重地腐蝕導(dǎo)電性金屬膜(如鋁膜、銅膜、銅合金膜等)，及污染環(huán)境(因?yàn)槠錇楦叨拘?，使得其無(wú)法容易地處理或使用而成問(wèn)題。因此為了解決以上問(wèn)題，現(xiàn)已提議借混合作為主成分的水溶性烷醇胺與數(shù)種有機(jī)溶劑而制備剝除組成物的技術(shù)，及其實(shí)施例如下。美國(guó)專(zhuān)利第4，617，251號(hào)公開(kāi)了一種含兩種成分的剝除組成物，其包含一種有機(jī)胺化合物(如單乙醇胺(MEA)、2-(2_胺基乙氧基)-1-乙醇(AEE)等)、及一種極性溶劑(如二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、二甲基亞砜 (DMSO)、卡必醇乙酸酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯(PGMEA)等)。此外日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第62-49355號(hào)公開(kāi)了一種剝除組成物，其包含一種借由將環(huán)氧乙烷引入烷醇胺與乙二胺中而制備的伸烷基多胺砜化合物，及二醇單烷基醚。此外日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)案公開(kāi)第 64-似653號(hào)公開(kāi)了一種剝除組成物，其包含一種或多種選自二甲基亞砜(DMSO)、二乙二醇一烷基醚、二乙二醇二烷基醚、Y - 丁內(nèi)酯、與1，3- 二甲基-2-咪唑啶酮的溶劑、及一種含氮有機(jī)羥基化合物(如單乙醇胺(MEA)等)。此外日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第4-124668號(hào)公開(kāi)了一種剝除組成物，其包括有機(jī)胺、一種磷酸酯界面活性劑、2-丁炔-1，4-二醇、二乙二醇二烷基醚、與非量子極性溶劑。
然而這些剝除組成物也因由于其對(duì)含銅或銅合金的膜具有低抗腐蝕性，其在剝除程序期間造成嚴(yán)重腐蝕，及其在用于沉積間極絕緣膜的程序(后程序)時(shí)增加缺陷率而造成問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題因而本發(fā)明已構(gòu)想解決上述問(wèn)題，而且本發(fā)明的一個(gè)目的是為提供一種用以剝除銅或銅合金光阻的組成物，其可應(yīng)用于浸泡型剝除、片進(jìn)型剝除及噴灑型剝除。本發(fā)明的另一個(gè)目的是為了提供一種用以剝除銅或銅合金光阻的組成物，其可容易及顯著地去除因精密微影術(shù)或濕式蝕刻而劣化及硬化的光阻膜，即使是在低溫且短時(shí)間內(nèi)。本發(fā)明的又另一個(gè)目的是為了提供一種用以剝除銅或銅合金光阻的組成物，其不必使用異丙醇而可同時(shí)使配置在光阻底側(cè)上的導(dǎo)電性金屬膜的腐蝕、及絕緣膜(如氧化硅膜、氮化硅膜等)的腐蝕最小。技術(shù)方案為了完成以上目的，本發(fā)明提供了一種用以剝除銅或銅合金光阻的組成物，其包含(a)0. 1重量％ 30重量％的至少一種選自由下式1至5表示的化合物的胺化合物；及(b)其余為至少一種有機(jī)溶劑<式1>
權(quán)利要求
1. 一種用以剝除銅或銅合金光阻的組成物，包含(a)0.1重量％ 30重量％的至少一種選自由下式1至式5表示的化合物的胺化合物；及(b)其余為至少一種有機(jī)溶劑； <式1>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組成物，其中由所述式1表示的胺化合物選自N-(2-羥丙基) 嗎啉、N42-羥乙基)嗎啉、N-胺基丙基嗎啉、羥乙基哌嗪、羥丙基哌嗪、與1-(N-甲基哌嗪)乙醇。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組成物，其中由所述式2表示的胺化合物選自1-哌嗪乙胺、 1-哌嗪丙胺、1-哌嗪異丙胺、與1-(2-羥乙基)哌嗪。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組成物，其中由所述式3表示的胺化合物選自N-(2-羥乙基) 伸乙脲、N-(3-羥丙基)-2-吡咯啶酮、羥甲基吡咯啶酮、與羥乙基吡咯啶酮。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組成物，其中由所述式4表示的胺化合物選自N-哌啶乙醇與 1，4-二甲基哌嗪。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組成物，其中由所述式5表示的胺化合物選自二甲胺基乙氧基乙硫醇、二甲胺基乙氧基丙硫醇、二丙胺基乙氧基丁硫醇、二丁胺基乙氧基乙醇、二甲胺基乙氧基乙醇、二乙胺基乙氧基乙醇、二丙胺基乙氧基乙醇、二丁胺基乙氧基乙醇、N42-甲氧基乙醇)嗎啉、N-乙氧基乙醇)嗎啉、與N-丁氧基乙醇)嗎啉。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組成物，其中所述至少一種有機(jī)溶劑(b)包括選自二甲基亞砜、二甲基砜、二乙基砜、二(2-羥乙基)砜、環(huán)丁砜、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N， N- 二甲基乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N- 二乙基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N-丙基-2-吡咯啶酮、N-羥甲基-2-吡咯啶酮、N-羥乙基-2-吡咯啶酮、1，3_ 二甲基-2-咪唑啶酮、1，3- 二乙基-2-咪唑啶酮、1，3- 二異丙基-2-咪唑啶酮、乙二醇、乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、乙二醇一甲基醚乙酸酯、乙二醇一乙基醚乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇一甲基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇一丙基醚、與二乙二醇一丁基醚所構(gòu)成的組中的一種或兩種以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組成物，該組成物按組成物總量計(jì)進(jìn)一步包含(c)重量％ 0.01 10重量％的至少一種添加劑，包含選自至少一種唑化合物、至少一種羥基苯化合物、至少一種還原劑、與至少一種絡(luò)合物所構(gòu)成的組中的一種或兩種以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組成物，其中所述唑化合物選自甲苯基三唑、1，2，3-苯并三唑、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、3-胺基-1，2，4-三唑、4-胺基-4H-1，2，4-三唑、1-羥基苯并三唑、1-甲基苯并三唑、2-甲基苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并三唑-5-碳酸酯、硝基苯并三唑、與2-QH-苯并三唑-2-基)-4，6-二第三丁基酚所構(gòu)成的組中的一種或兩種以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組成物，其中所述羥基苯化合物選自?xún)翰璺?、氫醌、五倍子酚、五倍子酸、五倍子酸甲酯、五倍子酸乙酯、五倍子酸正丙酯、五倍子酸異丙酯、與五倍子酸正丁酯所構(gòu)成的組中的一種或兩種以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組成物，其中所述還原劑選自異抗壞血酸、維生素C與 α-生育酚所構(gòu)成的組中的一種或兩種以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組成物，其中所述至少一種絡(luò)合物選自順丁烯二酸鈉-鈦、 乙醇酸鈉-鋯、乳酸鈉-鋯、乳酸鉀-鋯、乙醇酸鉀-鋯、與順丁烯二酸鉀-鈦所構(gòu)成的組中的一種或兩種以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組成物，其中該組成物進(jìn)一步包含水。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用以剝除銅或銅合金光阻的組成物，其包含(a)0.1重量％～30重量％的至少一種胺化合物；及(b)其余為至少一種有機(jī)溶劑。
文檔編號(hào)G03F7/42GK102472984SQ201080032028
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月17日
發(fā)明者李承傭, 洪亨杓, 洪憲杓, 金泰熙, 金炳默 申請(qǐng)人:東友 Fine-Chem 股份有限公司