專利名稱：低污染型光刻膠組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種含烷氧基雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑的低污染型光刻膠組合物。
背景技術：
現(xiàn)代文明是電子芯片驅動的，電子芯片都是光刻工藝的產(chǎn)物，而光刻膠是光刻的關鍵材料，又稱光致抗蝕劑。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。中國的微電子和平板顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，帶動了光刻膠與高純試劑供應商等產(chǎn)業(yè)鏈中的相關配套企業(yè)的建立和發(fā)展。特別是2009年LED (發(fā)光二極管)的迅猛發(fā)展，更加有力地推動了光刻膠產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。但是長期以來，光刻膠產(chǎn)業(yè)存在下列問題一.使用光酸產(chǎn)生劑，使用過程中產(chǎn)生的有機酸腐蝕金屬、污染環(huán)境；二.使用昂貴且污染嚴重的有機溶劑作顯影液；三.含羥基和酯基的聚合物，由于極性的差異，如果沒有強效光引發(fā)催化劑，很難把這兩類聚合物交聯(lián)形成沒有相分離的均勻物，從而限制了其在水性體系的應用。因而目前光刻膠的處理過程總會涉及強堿顯影液和高純有機溶劑，非常經(jīng)濟環(huán)保的去離子水，在光刻膠領域卻很少有其作為溶劑或顯影液的報道。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是首次提出含烷氧基雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑應用于水溶性聚合物體系光刻膠的研究思路，試制出了具有較好圖案化效果的低污染型光刻膠組合物。本發(fā)明提供一種低污染型光刻膠組合物，其包括a.在曝露于輻射時形成堿的含烷氧基的雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑，數(shù)量足以引發(fā)聚合物交聯(lián)；b.含有酯基的水溶性聚合物； c.含有羥基的水溶性聚合物；d.溶劑。含烷氧基的雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑、含有酯基的水溶性聚合物、含有羥基的水溶性聚合物和溶劑的質量比優(yōu)選為1 5 20 5 20 100 200。a中含烷氧基的雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑，其結構如下
權利要求
1.低污染型光刻膠組合物，其特征是，包括a.在曝露于輻射時形成堿的含烷氧基的雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑；b.含有酯基的水溶性聚合物；c.含有羥基的水溶性聚合物；d.溶劑。
2.根據(jù)權利要求1所述的低污染型光刻膠組合物，其特征是，含烷氧基的雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑、含有酯基的水溶性聚合物、含有羥基的水溶性聚合物和溶劑的質量比為1 5 20 5 20 100 200。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的低污染型光刻膠組合物，其特征是，所述的含酯基的水溶性聚合物指1-乙烯基吡咯烷酮和2-甲基丙烯酸二甲氨基乙酯質量比1 1的雙聚物。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的低污染型光刻膠組合物，其特征是，所述的含有羥基的水溶性聚合物是纖維素及其衍生物。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的低污染型光刻膠組合物，其特征是，所述的含烷氧基的雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑，其結構如下
6.權利要求1所述的低污染型光刻膠組合物成像的方法，其特征是，包括以下步驟 (1)在載玻片上涂布光刻膠組合物薄膜；(2)烘焙干燥去除溶劑；C3)以紫外光照射光刻膠薄膜；(4)后烘焙光刻膠；(5)以去離子水為顯影液將照射過的薄膜顯影。
7.根據(jù)權利要求6所述的低污染型光刻膠組合物成像的方法，其特征是，步驟( 中的干燥溫度為50°C 90°C，干薄膜的厚度為0. 5 1. 5微米。
8.根據(jù)權利要求6所述的低污染型光刻膠組合物成像的方法，其特征是，步驟C3)中紫外光波長為150 300nm，強度為5 15mW/cm2。
9.根據(jù)權利要求6所述的低污染型光刻膠組合物成像的方法，其特征是，步驟(4)中烘焙溫度為130°C 170°C，時間為10 30分鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低污染型光刻膠組合物，包括a.在曝露于輻射時形成堿的含烷氧基的雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑，數(shù)量足以引發(fā)聚合物交聯(lián)；b.含有酯基的水溶性聚合物；c.含有羥基的水溶性聚合物；d.溶劑。含烷氧基的雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑、含有酯基的水溶性聚合物、含有羥基的水溶性聚合物的質量比優(yōu)選為1∶5～20∶5～20。本發(fā)明采用水溶性好的聚合物，避免有機溶劑的污染，且易得到均勻薄膜，含烷氧基的雙環(huán)胍光堿產(chǎn)生劑制備方法簡單，主要原料已商業(yè)化，成本低，吸收光譜寬(190～280nm)、光激發(fā)效率高，催化活性高。
文檔編號G03F7/00GK102279525SQ20111017970
公開日2011年12月14日 申請日期2011年6月29日 優(yōu)先權日2011年6月29日
發(fā)明者萬茂生, 周晨, 曹成波, 沈新春, 陳錦釗 申請人:山東大學