專利名稱：曝光工藝及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及曝光技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種曝光工藝和裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的利用曝光裝置對光刻膠曝光的工藝流程為首先將玻璃基板投入曝光流程中，將玻璃基板裝載在基板載臺上，進行預(yù)對位，然后通過抽真空處理將玻璃基板吸附在基板載臺上，調(diào)整玻璃基板與掩膜版之間的間隙，并實現(xiàn)玻璃基板與掩膜版之間的精確對位，對位完成之后，利用紫外光對玻璃基板上的光刻膠曝光，然后解除玻璃基板與基板載臺之 間的真空，將玻璃基板從基板載臺上卸載?，F(xiàn)有的曝光工藝中，玻璃基板和掩膜版均水平設(shè)置，由于掩膜版自身重力的作用，掩膜版很容易發(fā)生變形，導(dǎo)致曝光之后圖形整體發(fā)生形變，影響產(chǎn)品良率。下面以彩膜基板制程為例，描述現(xiàn)有曝光工藝所存在的弊端。圖I示出了利用現(xiàn)有曝光工藝對彩膜基板上光刻膠曝光的示意圖，涂布有光刻膠3的玻璃基板2被吸附在基板載臺I上，掩膜版5固定在掩膜版載臺4上，位于玻璃基板2上方一定距離，紫外光6通過掩膜版5對玻璃基板2上的光刻膠3曝光。在圖不的曝光方式條件下,掩膜版5放置在掩膜版載臺4上的表面狀態(tài)如圖I中所示，雖然掩膜版較厚(通常約8_)，但是由于自重的影響，可以看出掩膜版5表面仍然會有凹陷。圖2示出了對圖I曝光的光刻膠顯影之后的示意圖，掩膜版5表面的不平整經(jīng)曝光放大到玻璃基板2表面上，會引起顯影后光刻膠圖形7整體形變。圖3是基于圖I曝光之后的彩膜基板所產(chǎn)生的實際公差與設(shè)計公差之間的偏差圖示，圖中虛線圖形代表設(shè)計公差圖形，帶圓點的實線圖形代表實際公差圖形，從圖中可以看出，實際公差與設(shè)計公差具有一定的偏離。圖4是基于圖I曝光之后的彩膜基板進行不同的圖像制程工藝所出現(xiàn)的公差偏差圖示，圖中虛線圖形代表坐標標示，帶圓點的實線圖形代表其中一次圖像制程工藝的實際公差圖形，帶叉號的實線圖形代表另一次圖像制程工藝的實際公差圖形，從圖中可以看出，不同的圖像制程工藝之間具有一定的公差偏差。由圖3和圖4可以看出，彩膜基板制程中，由于掩膜版5表面彎曲導(dǎo)致各圖像制程工藝之間對位重合有偏差，尤其是針對橫向電場效應(yīng)顯示技術(shù)或邊緣場開關(guān)技術(shù)等寬視角用彩膜基板時，黑矩陣的標準尺寸很小，在公差偏差較大的情況下很容易出現(xiàn)如圖5所示的不良漏光現(xiàn)象。圖5中，取彩膜基板8上的局部區(qū)域為例，圖中10為黑矩陣，R/G/B分別表示紅/綠/藍彩膜，在正常的彩膜基板8上，紅色彩膜部分出現(xiàn)了漏光區(qū)域9，由此制成的顯示器會出現(xiàn)亮度不均勻現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何避免曝光工藝中因掩膜版重力作用而導(dǎo)致的掩膜版變形和曝光顯影后的光刻膠圖形整體變形現(xiàn)象。
( 二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種曝光工藝，將涂布有光刻膠的基板豎直設(shè)置，曝光用掩膜版與所述基板平行，使曝光機的光線照射方向垂直于所述掩膜版對所述光刻膠進行曝光。其中，所述將涂布有光刻膠的基板豎直設(shè)置具體為將所述基板固定在水平的基板載臺上，對所述基 板載臺進行90°翻轉(zhuǎn)，實現(xiàn)基板豎直設(shè)置。其中，所述曝光用掩膜版與所述基板平行具體為將所述掩膜版固定在水平的掩膜版載臺上，對所述掩膜版載臺進行90°翻轉(zhuǎn)，實現(xiàn)掩膜版與基板平行。本發(fā)明還提供了一種曝光裝置，包括固定被曝光基板的基板載臺和固定掩膜版的掩膜版載臺，所述基板載臺豎直設(shè)置，所述掩膜版載臺能夠由水平面翻轉(zhuǎn)至與所述基板載臺平行。其中，所述曝光裝置還包含有翻轉(zhuǎn)架，所述翻轉(zhuǎn)架設(shè)置在所述掩膜版載臺與掩膜版載臺安裝座之間，由所述翻轉(zhuǎn)架帶動掩膜版載臺在水平面和豎直面之間翻轉(zhuǎn)。其中，所述曝光裝置還包含有翻轉(zhuǎn)架，所述翻轉(zhuǎn)架設(shè)置在所述基板載臺與基板載臺安裝座之間，由所述翻轉(zhuǎn)架帶動基板載臺在水平面和豎直面之間翻轉(zhuǎn)。(三)有益效果上述技術(shù)方案所提供的曝光工藝和曝光裝置，將曝光方式由傳統(tǒng)的水平曝光變更為垂直曝光方式，克服掩模板由于自身重力作用引起的形變，使曝光得到的圖形整體形變減少；并且提高曝光得到的圖形在后續(xù)制程中的整體對位精度，避免由于圖形公差差別較大導(dǎo)致的漏光及亮度不均勻等不良現(xiàn)象。


圖I是利用現(xiàn)有曝光工藝對彩膜基板上光刻膠曝光的示意圖；圖2是對圖I中曝光的光刻膠顯影之后的示意圖；圖3是基于圖I曝光之后的彩膜基板所產(chǎn)生的實際公差與設(shè)計公差之間的偏差圖示；圖4是基于圖I曝光之后的彩膜基板進行不同的圖像制程工藝所出現(xiàn)的公差偏差圖示；圖5是基于圖I曝光之后的彩膜基板所出現(xiàn)的漏光現(xiàn)象示意圖；圖6是利用本發(fā)明實施例的曝光工藝對彩膜基板上光刻膠曝光的示意圖；圖7是對圖6中曝光的光刻膠顯影之后的示意圖。其中，I :基板載臺；2 :玻璃基板；3 :光刻膠；4 :掩膜版載臺；5 :掩膜版；6 :紫外光；7 :顯影后光刻膠圖形；8 :彩膜基板；9 :漏光區(qū)域；10 :黑矩陣。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。實施例I為了克服現(xiàn)有的水平曝光工藝所存在的一系列弊端，本實施例基于現(xiàn)有水平曝光工藝，將涂布有光刻膠的基板豎直設(shè)置，曝光用掩膜版設(shè)置為與基板平行，使曝光機的光線照射方向垂直于掩膜版對光刻膠進行曝光，常用曝光機使用紫外光對光刻膠曝光。掩膜板由于豎直放置，水平方向形變發(fā)生很小，在豎直方向雖然有自身重力影響，但是從豎直方向來看，其厚度相對現(xiàn)有水平曝光方式而言厚度增大非常多，而且還有掩膜板載臺的支撐作用，因此豎直掩膜版在豎直方向形變很小，曝光時基本可以排除掩膜版形變對圖形公差的影響，曝光之后形成的光刻膠圖形按照設(shè)計規(guī)整的轉(zhuǎn)印至基板上，提高產(chǎn)品良率。
本實施例以彩膜基板的制程工藝為例，詳細描述其中的曝光工藝。其曝光的工藝流程為首先將玻璃基板投入曝光流程中，將玻璃基板裝載在基板載臺上，進行預(yù)對位，然后通過抽真空處理將玻璃基板吸附在基板載臺上，若基板載臺為豎直設(shè)置，則直接實現(xiàn)玻璃基板的豎直設(shè)置，若基板載臺原始位置為水平設(shè)置，則將基板載臺設(shè)置為可翻轉(zhuǎn)，通過翻轉(zhuǎn)90°實現(xiàn)玻璃基板的豎直設(shè)置。在將玻璃基板豎直設(shè)置的同時，對掩膜版也進行豎直設(shè)置，其設(shè)置方式與玻璃基板的設(shè)置方式相同。然后，移動玻璃基板靠近掩膜板，保證兩者之間的預(yù)設(shè)間隙，并實現(xiàn)玻璃基板和掩膜板之間的精確對位，對位完成之后，利用紫外光對玻璃基板上的光刻膠曝光，曝光完成后，若基板載臺由原始的水平位置翻轉(zhuǎn)至當前的豎直位置，則需控制基板載臺回退，離開掩膜版一定距離，再將基板載臺逆向翻轉(zhuǎn)90°回復(fù)至原始水平位置，之后解除玻璃基板與基板載臺之間的真空，將玻璃基板從基板載臺上卸載。圖6示出了利用本實施例的曝光工藝對彩膜基板上光刻膠曝光的示意圖，涂布有光刻膠3的玻璃基板2被吸附在豎直的基板載臺I上，掩膜版5固定在豎直設(shè)置的掩膜版載臺4上,玻璃基板2和掩膜版5均實現(xiàn)了豎直設(shè)置,掩膜版5位于靠近玻璃基板2 —側(cè)的前方一定距離，紫外光6的光線方向以水平方式通過掩膜版5對玻璃基板2上的光刻膠3曝光。圖7示出了對圖6中曝光的光刻膠顯影之后的示意圖，掩膜版5的豎直設(shè)置方式使其在水平方向和豎直方向的形變均很小，從而使曝光和顯影之后得到的光刻膠圖形形變也很小。上述曝光工藝能夠提高彩膜基板制作工藝中曝光工序的公差精度，優(yōu)化紅/綠/藍各層圖形和隔墊物圖形的表面各區(qū)域與黑矩陣之間重疊分布的均一性，從而降低漏光等不良發(fā)生的可能性，減少由于紅/綠/藍各層圖形、隔墊物圖形和黑矩陣對位不精確、分布不均所引起的各種亮度不均勻。實施例2基于實施例I的曝光工藝，本實施例提供一種曝光裝置，該曝光裝置只需實現(xiàn)被曝光玻璃基板與掩膜版的豎直平行即可。具體地，將曝光裝置中固定被曝光基板的基板載臺豎直設(shè)置，并使固定掩膜版的掩膜版載臺與基板載臺平行。為了使曝光裝置的功能多樣化，本實施例優(yōu)選在基板載臺與基板載臺安裝座之間設(shè)置翻轉(zhuǎn)架，由該翻轉(zhuǎn)架帶動基板載臺在水平面和豎直面之間翻轉(zhuǎn)；同時也可在掩膜版載臺與掩膜版載臺安裝座之間設(shè)置翻轉(zhuǎn)架，由該翻轉(zhuǎn)架帶動掩膜版載臺在水平面和豎直面之間翻轉(zhuǎn)?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)的曝光裝置，即可以實現(xiàn)實施例I所述的豎直曝光工藝，又可以實現(xiàn)特定條件下所需要的水平曝光，將兩個功能結(jié)合在一個裝置中，簡化裝置的結(jié)構(gòu)，降低成本。由以上實施例可以看出，本發(fā)明實施例將曝光方式由傳統(tǒng)的水平曝光變更為垂直曝光方式，克服掩模板由于自身重力作用引起的形變，使曝光得到的圖形整體形變減少；并且提高曝光得到的圖形在后續(xù)制程中的整體對位精度，避免由于圖形公差差別較大導(dǎo)致的漏光及亮度不均勻等不良現(xiàn)象。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前 提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種曝光工藝，其特征在于，將涂布有光刻膠的基板豎直設(shè)置，曝光用掩膜版與所述基板平行，使曝光機的光線照射方向垂直于所述掩膜版對所述光刻膠進行曝光。
2.如權(quán)利要求I所述的曝光工藝，其特征在于，所述將涂布有光刻膠的基板豎直設(shè)置具體為將所述基板固定在水平的基板載臺上，對所述基板載臺進行90°翻轉(zhuǎn)，實現(xiàn)基板豎直設(shè)置。
3.如權(quán)利要求I所述的曝光工藝，其特征在于，所述曝光用掩膜版與所述基板平行具體為將所述掩膜版固定在水平的掩膜版載臺上，對所述掩膜版載臺進行90°翻轉(zhuǎn)，實現(xiàn)掩膜版與基板平行。
4.一種曝光裝置，包括固定被曝光基板的基板載臺和固定掩膜版的掩膜版載臺，其特征在于，所述基板載臺豎直設(shè)置，所述掩膜版載臺能夠由水平面翻轉(zhuǎn)至與所述基板載臺平行。
5.如權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置還包含有翻轉(zhuǎn)架，所述翻轉(zhuǎn)架設(shè)置在所述掩膜版載臺與掩膜版載臺安裝座之間，由所述翻轉(zhuǎn)架帶動掩膜版載臺在水平面和豎直面之間翻轉(zhuǎn)。
6.如權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置還包含有翻轉(zhuǎn)架，所述翻轉(zhuǎn)架設(shè)置在所述基板載臺與基板載臺安裝座之間，由所述翻轉(zhuǎn)架帶動基板載臺在水平面和豎直面之間翻轉(zhuǎn)。
全文摘要
本發(fā)明屬于曝光技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種曝光工藝，將涂布有光刻膠的基板豎直設(shè)置，曝光用掩膜版與所述基板平行，使曝光機的光線照射方向垂直于所述掩膜版對所述光刻膠進行曝光。本發(fā)明還公開了一種曝光裝置，包括固定被曝光基板的基板載臺和固定掩膜版的掩膜版載臺，所述基板載臺豎直設(shè)置，所述掩膜版載臺能夠由水平面翻轉(zhuǎn)至與所述基板載臺平行。本發(fā)明中，將曝光方式由傳統(tǒng)的水平曝光變更為垂直曝光方式，克服掩模板由于自身重力作用引起的形變，使曝光得到的圖形整體形變減少；并且提高曝光得到的圖形在后續(xù)制程中的整體對位精度，避免由于圖形公差差別較大導(dǎo)致的漏光及亮度不均勻等不良現(xiàn)象。
文檔編號G03F7/20GK102629078SQ20111023807
公開日2012年8月8日 申請日期2011年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月18日
發(fā)明者隆清德 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司