專利名稱：相機(jī)模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及相機(jī)模塊，尤其涉及相機(jī)模塊中的透鏡結(jié)構(gòu)的間隙物，以及間隙物的制造方法，并且間隙物的高度可依據(jù)制造方法而調(diào)整。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)的相機(jī)模塊中，透鏡結(jié)構(gòu)是設(shè)置在圖像感測元件上方，透鏡結(jié)構(gòu)包括透鏡，借此調(diào)整入射光線，使得圖像感測元件可以更有效地捕捉圖像。此外，透鏡結(jié)構(gòu)還包括圍繞透鏡的間隙物，間隙物控制透鏡與圖像感測元件之間的距離，使得相機(jī)模塊的光學(xué)效能較佳化。
在傳統(tǒng)相機(jī)模塊的制造方法中，間隙物是通過對玻璃基板進(jìn)行鉆孔而制成，由于玻璃基板的厚度是固定的，因此通過將玻璃基板鉆孔所形成的間隙物的厚度無法進(jìn)行調(diào)整。在另一種傳統(tǒng)相機(jī)模塊的制造方法中，間隙物是通過對光致抗蝕劑進(jìn)行曝光及顯影而制成，由于光致抗蝕劑的厚度是固定的，因此通過將光致抗蝕劑曝光及顯影所形成的間隙物的厚度無法進(jìn)行調(diào)整。因此，經(jīng)由傳統(tǒng)的制造方法所形成的間隙物的厚度無法調(diào)整至使得相機(jī)模塊的光學(xué)效能達(dá)到最佳化。因此，業(yè)界急需可以克服上述問題的相機(jī)模塊及其制造方法，其所形成的間隙物的高度可以調(diào)整，進(jìn)而使得相機(jī)模塊的光學(xué)效能可以達(dá)到最佳化。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，在本發(fā)明的實(shí)施例中，提供相機(jī)模塊以及相機(jī)模塊的制造方法，其中相機(jī)模塊的透鏡結(jié)構(gòu)的間隙物的高度可經(jīng)由間隙物中的基礎(chǔ)圖案的體積、基礎(chǔ)圖案的圖案密度以及間隙物中的干膜光致抗蝕劑的厚度而調(diào)整。在一實(shí)施例中，相機(jī)模塊包括透鏡結(jié)構(gòu)，以及圖像感測元件芯片設(shè)置于透鏡結(jié)構(gòu)下方。透鏡結(jié)構(gòu)包含透明基底，具有第一表面以及相對于第一表面的第二表面，透鏡設(shè)置于透明基底的第一表面上，間隙物設(shè)置于透明基底的第一表面上以圍繞透鏡，其中間隙物包含基礎(chǔ)圖案和干膜光致抗蝕劑。在一實(shí)施例中，相機(jī)模塊的制造方法包括提供載體，在載體上形成基礎(chǔ)圖案，將干膜光致抗蝕劑貼附在載體和基礎(chǔ)圖案上，進(jìn)行壓膜工藝將干膜光致抗蝕劑平坦化。然后，將干膜光致抗蝕劑圖案化形成間隙物，提供具有多個(gè)透鏡在其上的透明基底，將間隙物從載體剝離，然后將間隙物貼附至透明基底上，以圍繞每個(gè)透鏡。接著，將多個(gè)圖像感測元件芯片貼合在透鏡下方。本發(fā)明所形成的間隙物的高度可以調(diào)整，進(jìn)而使得相機(jī)模塊的光學(xué)效能可以達(dá)到
最佳化。為了讓本發(fā)明的上述目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖I是示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，相機(jī)模塊的透鏡結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖2是示出依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，相機(jī)模塊的透鏡結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖3是示出依據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例，相機(jī)模塊的透鏡結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖4是示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，沿著圖3的虛線4-4’，相機(jī)模塊的剖面示意圖。圖5A至圖5F是示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，制造透鏡結(jié)構(gòu)的中間階段的剖面示意圖。 圖6A至圖6G是示出依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，制造透鏡結(jié)構(gòu)的中間階段的剖面示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下100 透明基底；100AU00B 透明基底的表面；IOOa 第一透明基底；IOOb 第二透明基底；102、102a、102c、102d 基礎(chǔ)圖案；101、103、104、104a、104c、104d、105 干膜光致抗蝕劑；106、106a、106b、106c、106d 開口 ；107、104b、109 間隙物；108、108a、108b、108c、108d 透鏡；110 半導(dǎo)體基底；112 圖像感測元件芯片；120 載體；200 透鏡結(jié)構(gòu)；200a 第一透鏡結(jié)構(gòu)；200b 第二透鏡結(jié)構(gòu)；200c 第三透鏡結(jié)構(gòu)；200d 第四透鏡結(jié)構(gòu)；300 相機(jī)模塊。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一實(shí)施例提供用于相機(jī)模塊的透鏡結(jié)構(gòu)，其中透鏡結(jié)構(gòu)包含高度可調(diào)整的間隙物(spacer)。圖I示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，相機(jī)模塊的透鏡結(jié)構(gòu)200的平面示意圖，其中在透明基底100例如玻璃基板上設(shè)置基礎(chǔ)圖案(base pattern) 102，基礎(chǔ)圖案102包含多個(gè)矩形環(huán)狀物互相連接在一起。干膜光致抗蝕劑(dry film photoresist) 104設(shè)置在透明基底100上，并且覆蓋基礎(chǔ)圖案102，干膜光致抗蝕劑104被圖案化而具有多個(gè)開口106，這些開口 106暴露出部分的透明基底100。基礎(chǔ)圖案102和干膜光致抗蝕劑104的組合形成透鏡結(jié)構(gòu)200的間隙物，在透明基底100上設(shè)置有多個(gè)透鏡108，每個(gè)透鏡108設(shè)置在每個(gè)開口 106中，并且被透鏡結(jié)構(gòu)200的間隙物所圍繞，透鏡108的形狀、開口 106的形狀以及基礎(chǔ)圖案102的矩形環(huán)狀物為共中心(concentric)。今日對于配備有相機(jī)的產(chǎn)品的需求傾向于微型化，因此，需要使用干膜光致抗蝕劑取代玻璃來制造間隙物，以降低整體的尺寸。干膜光致抗蝕劑是一種用在光刻技術(shù)上的感光材料，其可以形成精確的圖案，并且可提供絕佳的順應(yīng)性(conformity)，因此可讓多層的狀態(tài)壓膜(lamination)形成所需的厚度，并且可通過選擇較佳粘著力的干膜以及施加適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，讓多層干膜光致抗蝕劑層之間達(dá)成無縫隙的界面。
如果干膜光致抗蝕劑在75°C以下進(jìn)行壓膜、曝光、顯影等工藝，則干膜光致抗蝕劑會保持在原來的位置，而不會進(jìn)入任何未受保護(hù)、未隔絕或未被占據(jù)的空間，亦即干膜光致抗蝕劑在75°C以下無法流動。因此，之后使用溶劑可以很容易地將干膜光致抗蝕劑剝離，而不會有殘留物留在任何未受保護(hù)、未隔絕或未被占據(jù)的空間。反之，干膜光致抗蝕劑在750C以上具有流體的移動特性，在干膜光致抗蝕劑移動且分布之后可對其施加硬化或固化工藝，固化后的干膜光致抗蝕劑將會硬化，需要通過溶劑才可以將其移除。在本發(fā)明的實(shí)施例中，干膜光致抗蝕劑104在75°C以上的壓膜工藝中具有流動特性，在壓膜工藝期間，干膜光致抗蝕劑104會被平坦化。因此，在基礎(chǔ)圖案102上由干膜光致抗蝕劑104所增加的厚度取決于基礎(chǔ)圖案102的體積、基礎(chǔ)圖案102的圖案密度以及干膜光致抗蝕劑104在壓膜工藝進(jìn)行之前的原始厚度。當(dāng)基礎(chǔ)圖案102的體積增加時(shí)，所形成的間隙物的高度會增加；當(dāng)基礎(chǔ)圖案102的圖案密度增加時(shí)，所形成的間隙物的高度會增加；當(dāng)干膜光致抗蝕劑104的原始厚度增加時(shí)，所形成的間隙物的高度也會增加。因此，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在對間隙物進(jìn)行紫外光硬化工藝之前，由基礎(chǔ)圖案 102與干膜光致抗蝕劑104所組成的間隙物的高度可以調(diào)整。為了調(diào)整間隙物的高度，在壓膜工藝期間，可使用特定的基礎(chǔ)圖案102來調(diào)整干膜光致抗蝕劑104在特定基礎(chǔ)圖案102上所產(chǎn)生的厚度，因此，本發(fā)明的實(shí)施例所提供的間隙物具有各種高度，可適用于相機(jī)模塊的各種高度的透鏡結(jié)構(gòu)，并且間隙物的高度可通過基礎(chǔ)圖案的設(shè)計(jì)而微調(diào)，使得相機(jī)模塊達(dá)到最佳的光學(xué)效能。在一示范性的例子中，參閱圖1，基礎(chǔ)圖案102具有的外部長度LI約為4320 μ m，內(nèi)部長度L2約為4098 μ m,基礎(chǔ)圖案102的厚度約為50 μ m,并且干膜光致抗蝕劑104的原始厚度約為100 μ m。在壓膜工藝進(jìn)行之后，干膜光致抗蝕劑104在基礎(chǔ)圖案102上所增加的厚度約為5μπι。在另一示范性的例子中，參閱圖1，基礎(chǔ)圖案102的外部長度LI約為4320 μ m,內(nèi)部長度L2約為3864 μ m,基礎(chǔ)圖案102的厚度約為50 μ m,并且干膜光致抗蝕劑104材料層的原始厚度約為100 μ m。于壓膜工藝進(jìn)行之后，干膜光致抗蝕劑104在基礎(chǔ)圖案102上所增加的厚度約為ΙΟμπι。因此，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，干膜光致抗蝕劑104在基礎(chǔ)圖案102上增加的厚度可經(jīng)由改變基礎(chǔ)圖案102的內(nèi)部長度L2而進(jìn)行調(diào)整。因此，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，透鏡結(jié)構(gòu)的間隙物的高度可經(jīng)由基礎(chǔ)圖案的設(shè)計(jì)而微調(diào)。圖2示出依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，相機(jī)模塊的透鏡結(jié)構(gòu)200的平面示意圖，其中基礎(chǔ)圖案102包含多個(gè)彼此分開的矩形環(huán)狀物，每個(gè)透鏡108的形狀、干膜光致抗蝕劑104的每個(gè)開口 106以及基礎(chǔ)圖案102的每個(gè)矩形環(huán)狀物為共中心(concentric),基礎(chǔ)圖案102和干膜光致抗蝕劑104的組合形成透鏡結(jié)構(gòu)200的間隙物。同樣地，在對干膜光致抗蝕劑104進(jìn)行紫外光硬化工藝之前，可以調(diào)整透鏡結(jié)構(gòu)200的間隙物高度，因此，透鏡結(jié)構(gòu)200的間隙物高度可通過基礎(chǔ)圖案104的設(shè)計(jì)而進(jìn)行調(diào)整，使得相機(jī)模塊達(dá)到最佳的光學(xué)效能。圖3示出依據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例，相機(jī)模塊的透鏡結(jié)構(gòu)200的平面示意圖，其中基礎(chǔ)圖案102包含多個(gè)彼此分開的圓形環(huán)狀物，每個(gè)透鏡108、干膜光致抗蝕劑104的每個(gè)開口 106以及基礎(chǔ)圖案102的每個(gè)圓形環(huán)狀物為共中心(concentric)，基礎(chǔ)圖案102和干膜光致抗蝕劑104的組合形成透鏡結(jié)構(gòu)200的間隙物。由于干膜光致抗蝕劑104在壓膜工藝期間具有可平坦化的特性，因此在對干膜光致抗蝕劑104進(jìn)行紫外光硬化工藝之前，可以調(diào)整透鏡結(jié)構(gòu)200的間隙物高度，因此，透鏡結(jié)構(gòu)200的間隙物高度可通過基礎(chǔ)圖案104的設(shè)計(jì)而進(jìn)行調(diào)整，使得相機(jī)模塊達(dá)到最佳的光學(xué)效能。圖4示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，沿著圖3的虛線4-4’，相機(jī)模塊300的剖面示意圖。相機(jī)模塊300包含四個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)200a、200b、200c和200d，設(shè)置在圖像感測元件芯片112之上，圖像感測元件芯片112形成于半導(dǎo)體基底110，例如晶片上。雖然圖4的相機(jī)模塊300只繪制出四個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)，然而在相機(jī)模塊300中也可以使用其他數(shù)量的透鏡結(jié)構(gòu)。第一透鏡結(jié)構(gòu)200a包含間隙物107，其設(shè)置在第一透明基底IOOa的底部表面上，并且透鏡108a被間隙物107所圍繞。間隙物107由基礎(chǔ)圖案102a和干膜光致抗蝕劑104a形成，間隙物107具有開口 106a，并且透鏡108a設(shè)置在開口 106a中。第二透鏡結(jié)構(gòu)200b包含間隙物104b，其設(shè)置在第一透明基底IOOa的頂部表面上，并且透鏡108b被間隙物104b所圍繞，間隙物104b由干膜光致抗蝕劑形成。間隙物104b 具有開口 106b，并且透鏡108b設(shè)置在開口 106b中。第三透鏡結(jié)構(gòu)200c包含間隙物107，其設(shè)置在第二透明基底IOOb的底部表面上，并且透鏡108c被間隙物107所圍繞。第三透鏡結(jié)構(gòu)200c的間隙物107由基礎(chǔ)圖案102c和干膜光致抗蝕劑104c形成，第三透鏡結(jié)構(gòu)200c的間隙物107具有開口 106c，并且透鏡108c設(shè)置在開口 106c中。第四透鏡結(jié)構(gòu)200d包含間隙物109，其設(shè)置在第二透明基底IOOb的頂部表面上，并且透鏡108d被間隙物109所圍繞。間隙物109由基礎(chǔ)圖案102d和干膜光致抗蝕劑104d形成，間隙物109具有開口 106d，并且透鏡108d設(shè)置在開口 106d中。在第四透鏡結(jié)構(gòu)200d的間隙物109中，基礎(chǔ)圖案102d被包埋在間隙物109的干膜光致抗蝕劑104d中。這四個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)200a、200b、200c和200d接合在一起形成透鏡元件，然后透鏡元件與具有圖像感測元件芯片112形成于其上的半導(dǎo)體基底110接合。雖然圖4的相機(jī)模塊300只繪制出一個(gè)圖像感測元件芯片112，并且每個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)只繪制出一個(gè)透鏡，然而此透鏡元件可以用晶片級(wafer level scale)的工藝制造，并且可以與具有多個(gè)圖像感測元件芯片在其上的晶片接合，然后，可切割透鏡元件和晶片，將圖像感測元件芯片112分離，形成如圖4所示的相機(jī)模塊300。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基礎(chǔ)圖案可用在任何透鏡結(jié)構(gòu)的間隙物中，借此調(diào)整間隙物的高度而適用于各種透鏡高度。雖然基礎(chǔ)圖案和干膜光致抗蝕劑分別具有固定的原始厚度，但是由基礎(chǔ)圖案和干膜光致抗蝕劑所形成的間隙物的最終高度可通過基礎(chǔ)圖案的設(shè)計(jì)而進(jìn)行微調(diào)，例如可通過基礎(chǔ)圖案的體積、在載體上基礎(chǔ)圖案的圖案密度以及干膜光致抗蝕劑的厚度來調(diào)整間隙物的最終高度。圖5A至圖5F顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，制造透鏡結(jié)構(gòu)200a或200c的中間階段的剖面示意圖。參閱圖5A，首先提供載體120，載體120例如為高分子膜，形成于載體120上的間隙物可以被剝離。將基礎(chǔ)圖案102的材料層(未繪出)例如為干膜型光致抗蝕劑設(shè)置在載體120上，然后通過曝光與顯影工藝將基礎(chǔ)圖案102的材料層圖案化，在載體120上形成基礎(chǔ)圖案102。參閱圖5B，將干膜光致抗蝕劑103貼附在基礎(chǔ)圖案102和載體120上。在一實(shí)施例中，干膜光致抗蝕劑103的材料可以與基礎(chǔ)圖案102的材料相同。在另一實(shí)施例中，干膜光致抗蝕劑103的材料可以與基礎(chǔ)圖案102的材料不同。
參閱圖5B和圖5C，經(jīng)由壓膜工藝將干膜光致抗蝕劑103平坦化，圖5B中所示的載體120暴露出來的表面F可在壓膜工藝中提供干膜光致抗蝕劑103流動用，載體120暴露出來的表面F未被基礎(chǔ)圖案102占據(jù)。參閱圖5D，于壓膜工藝之后，通過曝光與顯影工藝將干膜光致抗蝕劑103圖案化，形成具有開口的干膜光致抗蝕劑104。干膜光致抗蝕劑104覆蓋基礎(chǔ)圖案102的側(cè)壁和頂部表面，基礎(chǔ)圖案102和干膜光致抗蝕劑104的組合形成透鏡結(jié)構(gòu)的間隙物107，其中間隙物107的高度可以調(diào)整。參閱圖5E，提供透明基底100，例如為玻璃基板，透鏡108形成于透明基底100的 表面100A上。參閱圖至圖5F，從載體120上將間隙物107剝離，然后將間隙物107貼附至透明基底100的表面100A上，使得間隙物107圍繞透鏡108，形成如圖4所示的透鏡結(jié)構(gòu)200a 或 200c。此外，在透明基底100的另一表面100B上也可以形成另一透鏡(未示出)，并且另一間隙物(未示出)也可以貼附至透明基底100的表面100B上，圍繞此透鏡而形成另一透鏡結(jié)構(gòu)，例如為圖4所示的透鏡結(jié)構(gòu)200b或200d。圖6A至圖6G是示出依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，制造透鏡結(jié)構(gòu)200d的中間階段的剖面示意圖。參閱圖6A，提供載體120，并且在載體120上設(shè)置干膜光致抗蝕劑101。載體120例如為高分子膜，形成于載體120上的間隙物可以被剝離。參閱圖6B，在干膜光致抗蝕劑101上設(shè)置基礎(chǔ)圖案102的材料層(未示出)，然后通過曝光與顯影工藝將基礎(chǔ)圖案102的材料層圖案化，于干膜光致抗蝕劑101上形成基礎(chǔ)圖案102。參閱圖6C，將干膜光致抗蝕劑103貼附在基礎(chǔ)圖案102和干膜光致抗蝕劑101上。在一實(shí)施例中，干膜光致抗蝕劑101的材料、基礎(chǔ)圖案102的材料以及干膜光致抗蝕劑103的材料可以相同。在另一實(shí)施例中，干膜光致抗蝕劑101的材料、基礎(chǔ)圖案102的材料以及干膜光致抗蝕劑103的材料可以彼此不同。在其他實(shí)施例中，干膜光致抗蝕劑101的材料可以與干膜光致抗蝕劑103的材料相同，但是與基礎(chǔ)圖案102的材料不同。參閱圖6C和圖6D，通過壓膜工藝將干膜光致抗蝕劑103平坦化，圖6B中所示的干膜光致抗蝕劑101暴露出來的表面F可在壓膜工藝中提供干膜光致抗蝕劑103流動用。參閱圖6E，于壓膜工藝之后，通過曝光與顯影工藝將干膜光致抗蝕劑103和干膜光致抗蝕劑101圖案化，形成具有開口 106在其中的干膜光致抗蝕劑104和干膜光致抗蝕劑105，干膜光致抗蝕劑104覆蓋基礎(chǔ)圖案102的側(cè)壁和頂部表面，干膜光致抗蝕劑105設(shè)置在基礎(chǔ)圖案102下方，干膜光致抗蝕劑104和干膜光致抗蝕劑105以及基礎(chǔ)圖案102的組合形成如圖4所示的透鏡結(jié)構(gòu)200d的間隙物109，其中間隙物109的高度可以調(diào)整，并且基礎(chǔ)圖案102被包埋在間隙物109中。參閱圖6F，提供透明基底100，例如為玻璃基板，透鏡108形成于透明基底100的表面100A上。參閱圖6E至圖6G，從載體120上將間隙物109剝離，然后將間隙物109貼附至透明基底100的表面100A上，使得間隙物109圍繞透鏡108，形成如圖4所示的透鏡結(jié)構(gòu)200d。此外，在形成透鏡結(jié)構(gòu)200d之前，另一透鏡結(jié)構(gòu)，例如圖4所示的透鏡結(jié)構(gòu)200c可以在透明基底100的另一表面100B上形成。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，含有基礎(chǔ)圖案在其中的間隙物可以被設(shè)置在一透鏡結(jié)構(gòu)，例如圖4所示的透鏡結(jié)構(gòu)200c中，此透鏡結(jié)構(gòu)可以與另一透鏡結(jié)構(gòu)，例如圖4所示的透鏡結(jié)構(gòu)200b接合在一起。此外，具有基礎(chǔ)圖案在其中的間隙物可以被設(shè)置在一透鏡結(jié)構(gòu)中，例如圖4所示的透鏡結(jié)構(gòu)200a，此透鏡結(jié)構(gòu)可以與圖像感測元件芯片，例如圖4所示的圖像感測元件芯片112接合在一起。雖然本發(fā)明已揭示較佳實(shí)施例如上，然其并非用以限定本發(fā)明，在此技術(shù)領(lǐng)域中 普通技術(shù)人員當(dāng)可了解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種相機(jī)模塊,包括 一第一透鏡結(jié)構(gòu)，包含 一第一透明基底，具有一第一表面以及相對于該第一表面的一第二表面； 一第一透鏡，設(shè)置于該第一透明基底的該第一表面上；以及 一第一間隙物，設(shè)置于該第一透明基底的該第一表面上，圍繞該第一透鏡，其中該第一間隙物包含一第一基礎(chǔ)圖案和一第一干膜光致抗蝕劑；以及一圖像感測元件芯片，設(shè)置于該第一透鏡結(jié)構(gòu)下方。
2.如權(quán)利要求I所述的相機(jī)模塊，其中該第一基礎(chǔ)圖案和該第一干膜光致抗蝕劑接觸該第一透明基底的該第一表面。
3.如權(quán)利要求I所述的相機(jī)模塊，其中在該第一間隙物中，該第一干膜光致抗蝕劑包埋該第一基礎(chǔ)圖案。
4.如權(quán)利要求I所述的相機(jī)模塊,其中該第一間隙物的高度通過該第一基礎(chǔ)圖案的體積、該第一基礎(chǔ)圖案的圖案密度以及該第一干膜光致抗蝕劑的厚度而調(diào)整。
5.如權(quán)利要求I所述的相機(jī)模塊，還包括一第二透鏡結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第一透鏡結(jié)構(gòu)之上，其中該第二透鏡結(jié)構(gòu)包含 一第二透鏡，設(shè)置于該第一透明基底的該第二表面上；以及 一第二間隙物，設(shè)置于該第一透明基底的該第二表面上，圍繞該第二透鏡，其中該第二間隙物包含一第二干膜光致抗蝕劑以及該第二干膜光致抗蝕劑覆蓋的一第二基礎(chǔ)圖案，并且在該第二間隙物中，該第二干膜光致抗蝕劑包埋該第二基礎(chǔ)圖案。
6.如權(quán)利要求5所述的相機(jī)模塊，還包括一第三透鏡結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第二透鏡結(jié)構(gòu)之上，其中該第三透鏡結(jié)構(gòu)包含 一第二透明基底，具有一第三表面以及相對于該第三表面的一第四表面； 一第三透鏡，設(shè)置于該第二透明基底的該第三表面上，面對該第二透鏡；以及一第三間隙物，設(shè)置于該第二透明基底的該第三表面上，圍繞該第三透鏡，并且與該第二間隙物接合，其中該第三間隙物包含一第三干膜光致抗蝕劑以及該第三干膜光致抗蝕劑覆蓋的一第三基礎(chǔ)圖案，并且在該第三間隙物中，該第三干膜光致抗蝕劑包埋該第三基礎(chǔ)圖案。
7.如權(quán)利要求6所述的相機(jī)模塊，還包括一第四透鏡結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第三透鏡結(jié)構(gòu)之上，其中該第四透鏡結(jié)構(gòu)包含 一第四透鏡，設(shè)置于該第二透明基底的該第四表面上；以及 一第四間隙物，設(shè)置于該第二透明基底的該第四表面上，圍繞該第四透鏡，其中該第四間隙物包含一第四干膜光致抗蝕劑。
8.—種相機(jī)模塊的制造方法,包括 提供一第一載體； 在該第一載體上形成一第一基礎(chǔ)圖案； 將一第一干膜光致抗蝕劑貼附至該第一載體和該第一基礎(chǔ)圖案上； 進(jìn)行一壓膜工藝，將該第一干膜光致抗蝕劑平坦化； 將該第一干膜光致抗蝕劑圖案化，形成一第一間隙物； 提供一第一透明基底，具有多個(gè)第一透鏡；將該第一間隙物從該第一載體剝離； 將該第一間隙物貼附至該第一透明基底上，圍繞每個(gè)該第一透鏡；以及 與多個(gè)圖像感測元件芯片貼合。
9.如權(quán)利要求8所述的相機(jī)模塊的制造方法,其中在該第一載體上形成該第一基礎(chǔ)圖案的該步驟包括調(diào)整該第一基礎(chǔ)圖案的體積以及調(diào)整該第一基礎(chǔ)圖案的圖案密度。
10.如權(quán)利要求8所述的相機(jī)模塊的制造方法，其中將該第一干膜光致抗蝕劑貼附至該第一載體和該第一基礎(chǔ)圖案上的該步驟之前，還包括調(diào)整該第一干膜光致抗蝕劑的厚度。
11.如權(quán)利要求8所述的相機(jī)模塊的制造方法，還包括 在該第一透明基底之上形成一透鏡結(jié)構(gòu)，其中該透鏡結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第二透鏡，以及一第二間隙物圍繞每個(gè)該第二透鏡，且其中該第二間隙物包含一第二基礎(chǔ)圖案包埋在該第二間隙物中；以及 切割所述多個(gè)圖像感測元件芯片、該第一間隙物以及該第二間隙物，分離所述多個(gè)圖像感測元件芯片。
12.如權(quán)利要求11所述的相機(jī)模塊的制造方法，其中形成該透鏡結(jié)構(gòu)的該步驟包括 提供一第二載體； 在該第二載體上形成一第二基礎(chǔ)圖案； 將一第二干膜光致抗蝕劑貼附至該第二載體和該第二基礎(chǔ)圖案上； 進(jìn)行一壓膜工藝，將該第二干膜光致抗蝕劑平坦化； 將一第三干膜光致抗蝕劑貼附至該第二干膜光致抗蝕劑上； 將該第三干膜光致抗蝕劑和該第二干膜光致抗蝕劑圖案化，形成該第二間隙物； 將該第二間隙物從該第二載體剝離；以及 將該第二間隙物貼附至具有所述多個(gè)第二透鏡的該第一透明基底的一表面上，圍繞每個(gè)該第二透鏡。
全文摘要
本發(fā)明提供相機(jī)模塊及其制造方法，相機(jī)模塊包含透鏡結(jié)構(gòu)以及圖像感測元件芯片設(shè)置于透鏡結(jié)構(gòu)下方，透鏡結(jié)構(gòu)包含透明基底，具有第一表面以及相對的第二表面，透鏡設(shè)置于透明基底的第一表面上，間隙物設(shè)置于透明基底的第一表面上且圍繞透鏡，其中間隙物包含基礎(chǔ)圖案和干膜光致抗蝕劑。此方法包含在載體上形成基礎(chǔ)圖案，將干膜光致抗蝕劑貼附至載體和基礎(chǔ)圖案上，進(jìn)行壓膜工藝將干膜光致抗蝕劑平坦化，然后將干膜光致抗蝕劑圖案化形成間隙物，提供具有多個(gè)透鏡的透明基底，將間隙物從載體剝離，貼附至透明基底上，圍繞每個(gè)透鏡，然后與多個(gè)圖像感測元件芯片貼合。本發(fā)明所形成的間隙物的高度可以調(diào)整，進(jìn)而使得相機(jī)模塊的光學(xué)效能可以達(dá)到最佳化。
文檔編號G03B17/12GK102809876SQ201110274849
公開日2012年12月5日 申請日期2011年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月3日
發(fā)明者鄭杰元, 林宏燁 申請人:采鈺科技股份有限公司, 美商豪威科技股份有限公司