專利名稱：一種光刻掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，具體而言涉及一種光刻掩?；蚬饪贪?reticle)。
背景技術(shù)：
隨著集成電路制造技術(shù)的不斷革新，集成電路中的各種元件的尺寸不斷縮小，同時功能化密度不斷增大。而整個半導(dǎo)體制作工藝中最舉足輕重的可說是光刻制作工藝，其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制作工藝的各個步驟當(dāng)中，此外整個半導(dǎo)體工業(yè)的元件集成度，是否能繼續(xù)的往0.1SMffl以下更小的線寬進(jìn)行，也決定于光刻制作工藝的發(fā)展。目前，在0.25Mm以下的半導(dǎo)體工藝中廣泛采用STI (淺溝槽隔離)工藝和CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)工藝，其中如圖1A、1B所示，在STI的制作過程中要用到反形光刻(reversemask)以去除有源區(qū)上的二氧化硅103 ;接著如圖1C所示，執(zhí)行CMP工藝拋光半導(dǎo)體襯底100表面以去除二氧化硅；接著如圖1D所示，剝離所述半導(dǎo)體襯底表面的氧化硅層101和氮化硅層102，完成STI的制作。在上述反形光刻工藝中，如圖2中上圖所示，晶片邊緣區(qū)域通常不能保留完整的光刻掩模上的圖形，造成位于晶片邊緣區(qū)域不能曝光。結(jié)果如圖3A所示，在STI的制作過程中的反形光刻(reverse mask)工藝中,有源區(qū)上的部分光刻膠304沒有曝光；接著如圖3B所示，反形光刻后的蝕刻因光刻膠未曝光不能去除氮化硅層302上的二氧化硅303，造成有源區(qū)氮化硅層302上殘留有大量二氧化硅303 ;接著如圖3C所示，執(zhí)行CMP工藝時，由于殘留的二氧化硅的較厚的厚度，導(dǎo)致CMP效率變低，造成有源區(qū)氮化硅層302上殘留的二氧化硅303不能完全被去除；接著如圖3D所示，因殘留的二氧化硅的阻擋作用，致使位于所述有源區(qū)的氮化硅層302未被剝離，產(chǎn)生較高的臺階，影響后續(xù)工藝過程，尤其是光刻后段工藝曝光時的自動聚焦功能。當(dāng)上述晶片上存在大塊的有源區(qū)(大于100微米)時，上述現(xiàn)象更加明顯。由于光刻機(jī)曝光時，光刻掩模是在固定位置不變的，在晶片上曝光是通過移動上述晶片來實現(xiàn)的。為了解決上述氮化硅殘留的問題，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用改變晶片上芯片的布局來避免晶片邊緣區(qū)域的曝光不完全。如圖2下圖所示，將需要曝光的位于晶片邊緣的芯片位置盡量靠向里面，雖然上述方案可以使晶片邊緣的芯片曝光，而克服上述STI制作工藝中氮化硅殘留的問題，但晶片邊緣區(qū)域的聚焦功能不好，位于晶片邊緣的芯片成品率會降低。因此，急需提出一種光刻掩模，在滿足晶片邊緣的聚焦功能正常的情況下，同時克服晶片邊緣的不完整曝光區(qū)域的氮化硅殘留的問題。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種光刻掩模，
所述掩模包括:位于掩模中央的主圖形和位于掩模邊緣的透光的輔助圖形，所述主圖形和所述輔助圖形之間的最小距離保證在光刻曝光上述不同圖形區(qū)域時不互相干擾。
所述最小距離為2000微米。所述主圖形和輔助圖形之間不透光。所述光刻掩模用于淺溝道隔離制作工藝中
根據(jù)本發(fā)明，在位于掩模中央的主圖形的周圍布置透光的輔助圖形，可以在滿足晶片邊緣的聚焦功能正常的情況下，同時克服晶片邊緣的不完整曝光區(qū)域的氮化硅殘留的問題。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。附圖中:
圖1A-圖1D為現(xiàn)有技術(shù)中采用反形光刻工藝制作STI的方法流程 圖2為采用現(xiàn)有光刻掩模進(jìn)行光刻造成晶片邊緣不能曝光的示意圖以及現(xiàn)有技術(shù)中克服晶片邊緣不能曝光的方法示意圖。圖3A-圖3D為現(xiàn)有技術(shù)中采用圖2所示光刻掩模制作STI的方法流程 圖4為本發(fā)明光刻掩模的平面圖。附圖中附圖標(biāo)記的簡要說明如下:100.300:半導(dǎo)體襯底；
101.301:氧化硅層；
102.302:氮化硅層；
103.303:二氧化硅層；
104、304:光刻膠層；
400:光刻掩模；
401:主圖形；
402:輔助圖形。
具體實施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出了一種新的光刻掩模，來解決現(xiàn)有光刻掩模在滿足晶片邊緣的聚焦功能正常的情況下，不能同時克服晶片邊緣的不完整曝光區(qū)域的氮化硅殘留的問題。如圖4所不,本發(fā)明的光刻掩模400,包括:位于掩模中央的主圖401和位于掩模邊緣的多個透光的輔助圖形402。所述主圖形和所述輔助圖形之間的最小距離保證在光刻曝光上述不同圖形區(qū)域時不互相干擾。如果兩者之間的距離過小，則易于發(fā)生彼此干擾的現(xiàn)象，從而難以控制曝光量，造成光刻膠的圖形邊緣的扭曲變形，從而影響曝光圖形邊緣的關(guān)鍵尺寸的精確度，而造成線寬或圖形轉(zhuǎn)移上的誤差。優(yōu)選，上述最小距離為2000微米。所述主圖形和輔助圖形之間不透光，則可以更好地避免主圖形和輔助圖形之間的干擾問題。根據(jù)本發(fā)明，在光刻掩模的四周邊緣部分增加了多個透光的輔助圖形，在使用本發(fā)明的光刻掩模進(jìn)行上述STI制作過程中的反形光刻工藝步驟時，由于在光刻掩模的四周邊緣部分增加了對晶片邊緣區(qū)域的芯片的不完整區(qū)域進(jìn)行曝光的多個透光的輔助圖形，因此，在圖2上圖所示的晶片邊緣區(qū)域的芯片也能得到很好的曝光，以便位于有源區(qū)的二氧化硅能在CMP工序中被有效地去除，進(jìn)而避免后續(xù)氮化硅的殘留。同時，由于晶片上芯片的布局沒有像圖2下圖那樣進(jìn)行調(diào)整，因此，也不會降低晶片邊緣的聚焦功能。因此，采用本發(fā)明的光刻掩模可以同時解決晶片邊緣的聚焦不良，和晶片邊緣的不完整曝光區(qū)域的氮化硅殘留的問題。由于輔助圖形的尺寸較小，有可能一次曝光無法完全將晶片邊緣的不完整區(qū)域曝光，但可以通過移動晶片進(jìn)行多次曝光的方式予以解決。本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種光刻掩模，所述掩模包括:位于掩模中央的主圖形和位于掩模邊緣的透光的輔助圖形，所述主圖形和所述輔助圖形之間的最小距離保證在光刻曝光上述不同圖形區(qū)域時不互相干擾。
2.按權(quán)利要求1所述的光刻掩模，其特征在于，所述最小距離為2000微米。
3.按權(quán)利要求1所述的光刻掩模，其特征在于，所述主圖形和輔助圖形之間不透光。
4.按權(quán)利要求1所述的光刻掩模，其特征在于，所述光刻掩模用于淺溝道隔離制作工藝中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光刻掩模，所述掩模包括位于掩模中央的主圖形和位于掩模邊緣的透光的輔助圖形，所述主圖形和所述輔助圖形之間的最小距離保證在光刻曝光上述不同圖形區(qū)域時不互相干擾。根據(jù)本發(fā)明，可以在滿足晶片邊緣的聚焦功能正常的情況下，同時克服晶片邊緣的不完整曝光區(qū)域的氮化硅殘留的問題。
文檔編號G03F1/38GK103091972SQ201110343428
公開日2013年5月8日 申請日期2011年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月3日
發(fā)明者黃瑋 申請人:無錫華潤上華科技有限公司