專利名稱：一種薄膜場效應晶體管基板及液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜場效應晶體管基板以及液晶面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示屏(LCD，Liquid Crystal Display)屬于被動顯示，即液晶本身不發(fā)光， 由背光源發(fā)射背景光照射到液晶層和微濾色鏡陣列形成液晶圖像。所以背景光透過液晶面板的強度決定著液晶顯示屏的亮度。而現(xiàn)有的液晶面板中使用的薄膜場效應晶體管(TFT， Thin Film Transistor)基板是由TFT陣列基板和彩膜基板組成的。其中，TFT陣列基板和彩膜基板中使用的襯底的主要成分為二氧化硅SiO2，由于SiO2對背光源的可見光中的藍光透過率不高，導致大量背景光被反射掉，嚴重降低了背光源的透過率。

實用新型內(nèi)容本實用新型實施例提供了一種薄膜場效應晶體管TFT基板以及液晶面板，用以解決現(xiàn)有的TFT基板對背光源的透過率不高的問題。本實用新型實施例提供的薄膜場效應晶體管TFT基板，包括彩膜基板和TFT陣列基板；其中，彩膜基板的襯底和/或TFT陣列基板的襯底面向背光源的一側(cè)具有納米結(jié)構(gòu)圖形。本實用新型實施例提供的液晶面板，包括前述薄膜場效應晶體管TFT基板。本實用新型實施例的有益效果包括本實用新型實施例提供的薄膜場效應晶體管TFT基板以及液晶面板，在TFT陣列基板的襯底和/或彩膜基板的襯底面向背光源的一側(cè)制作納米結(jié)構(gòu)圖形，由于納米結(jié)構(gòu)圖形具有表面等離子體調(diào)制效應的性質(zhì)，能有效地透射背光源發(fā)出的可見光，提高了背景光的透過率。

圖1為本實用新型實施例提供的TFT基板和背光源的結(jié)構(gòu)關(guān)系示意圖；圖2為本實用新型實施例提供的襯底上具有凸出的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的立體示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的襯底上具有凸出的點陣結(jié)構(gòu)圖形的立體示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的襯底上具有凹進襯底內(nèi)的點陣結(jié)構(gòu)圖形的立體示意圖；圖fe為本實用新型實施例提供的襯底上具有凸出的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形的俯視圖；圖恥為本實用新型實施例提供的襯底上具有凸出的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形的側(cè)視圖。
具體實施方式
3[0014]
以下結(jié)合附圖，對本實用新型實施例提供的薄膜場效應晶體管(TFT)基板的具體實施方式
進行詳細地說明。本實用新型實施例提供的一種薄膜場效應晶體管(TFT)基板，如圖1所示，具體包括彩膜基板103和在彩膜基板103之上的TFT陣列基板102 ；其中，彩膜基板103的襯底和/或TFT陣列基板102的襯底面向背光源101的一側(cè)具有納米結(jié)構(gòu)圖形。具體地，彩膜基板103的襯底和/或TFT陣列基板102的襯底上的納米結(jié)構(gòu)圖形可以全部凸出于襯底，也可以全部凹進襯底，還可以部分凸出另外部分凹進于襯底。并且， 納米結(jié)構(gòu)圖形可以為周期性結(jié)構(gòu)圖形、非周期性結(jié)構(gòu)圖形或兩者的組合。本實用新型實施例之所以在彩膜基板的襯底和/或TFT陣列基板的襯底形成納米結(jié)構(gòu)圖形，是基于納米結(jié)構(gòu)圖形所采用的材料的特性，納米結(jié)構(gòu)圖形一般采用具有表面等離子體調(diào)制效應的材料，例如現(xiàn)有的金屬材料或者重摻雜半導體材料，使用這些材料制成的納米結(jié)構(gòu)圖形能夠增加主要成分為SiO2的襯底對背景光中藍光的透過率，從而增加TFT 基板對背光源的透過率。下面以周期性結(jié)構(gòu)圖形為例，對納米結(jié)構(gòu)圖形的具體結(jié)構(gòu)進行說明實施例一納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形中的光柵結(jié)構(gòu)圖形；如圖2所示，納米結(jié)構(gòu)圖形可以為在襯底1上凸出的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形2。其中， 條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形2的制造方法為在襯底1上利用熱蒸發(fā)或者磁控濺射方法制備一層金屬薄膜，接著利用納米壓印技術(shù)制成所需的具體條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形。納米結(jié)構(gòu)圖形也可以為凹進襯底的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形。其中，條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的制造方法為在襯底上利用刻蝕技術(shù)制作出所需的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形，然后將金屬材料填充進凹陷的部位，最后形成凹進襯底的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形。納米結(jié)構(gòu)圖形還可以為上述在襯底1上凸出的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形2和凹進襯底的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的組合。優(yōu)選地，條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形為亞波長條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形，亞波長條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的光柵高度可以小于500nm，周期為250nm-8000nm，占空比大于0小于1。更優(yōu)選地，光柵高度為50nm-100nm，周期為450nm，占空比為2/9。具體地，金屬薄膜和金屬材料可以是銀(Ag)金屬或其他常用金屬，在本實施例中不做限定。實施例二 納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形中的點陣結(jié)構(gòu)圖形；點陣結(jié)構(gòu)圖形由若干個點狀部件以陣列形式組合而成。具體地，單個點狀部件的形狀可以為圓柱狀、多邊形柱狀、球冠狀或現(xiàn)有的其他形狀，而點陣結(jié)構(gòu)圖形可以由若干個同一形狀的點狀部件組合而成，也可以由若干個不同形狀的點狀部件組合形成。優(yōu)選地，點陣結(jié)構(gòu)圖形中點狀部件的高度可以小于500nm，周期(即各個點狀部件中心的距離)可以為250nm-8000nm。更優(yōu)選地，在點狀部件的半徑為IOOnm時，點狀部件的高度為50歷_100歷，周期為 450nmo此外，點陣結(jié)構(gòu)圖形可以可以全部凸出于襯底，也可以全部凹進襯底，還可以部分凸出于襯底而另外的部分凹進于襯底。下面以點狀部件的形狀為圓柱狀為例進行說明，具體地，如圖3所示的一種結(jié)構(gòu)形式中，圓柱狀的點狀部件3凸出于襯底1 ；如圖4所示的另一種結(jié)構(gòu)形式中，圓柱狀的點狀部件4凹進襯底1中。優(yōu)選地，圖3和圖4中圓柱狀的圓形截面的半徑可以為10nm-780nm。其中，凸出襯底的點陣結(jié)構(gòu)圖形的制造方法為在襯底上利用熱蒸發(fā)或者磁控濺射方法制備一層金屬薄膜，接著利用光刻技術(shù)刻蝕掉點狀部件之外的金屬，保留下來的金屬就形成了所需的點陣結(jié)構(gòu)圖形。凹進襯底內(nèi)的點陣結(jié)構(gòu)圖形的制作方法為在襯底上利用刻蝕技術(shù)制作出所需的陣列點狀部件，然后將金屬材料填充進凹陷的部位，最后形成凹進襯底的點陣結(jié)構(gòu)圖形。具體地，金屬薄膜和金屬材料可以是金(Au)金屬或其他常用金屬，在本實施例中不做限定。實施例三納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形中的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形；牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形由同心圓環(huán)部件和中心圓部件組成。具體地，本實用新型實施例三中，牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形可以全部凸出于襯底，也可以全部凹進襯底，還可以部分凸出于襯底而另外的部分凹進于襯底。下面以一個凸出在襯底上的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形為例進行說明，如圖如和恥所示，其中，圖fe為襯底1上具有凸出的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形5的俯視圖，圖恥為襯底1上具有凸出的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形5的側(cè)視圖，從圖如和圖恥可以看出，若干個同心圓環(huán)部件以中心圓部件為中心，以一定的半徑差依次排列組合成牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形。優(yōu)選地，在牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形中，同心圓環(huán)部件和中心圓部件的高度可以為小于 500nm,同心圓環(huán)部件之間半徑差為250nm-8000nm，占空比大于0小于1。更優(yōu)選地，同心圓環(huán)部件和中心圓部件的高度為50nm-100nm，同心圓環(huán)部件的環(huán)寬度為lOOnm，各個同心圓環(huán)部件之間半徑差為450nm。其中，凸出襯底的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形的制造方法為在襯底上利用熱蒸發(fā)或者磁控濺射方法制備一層金屬薄膜，接著利用聚焦離子束(FIB，F(xiàn)ocused Ionbeam)技術(shù)刻蝕掉同心圓環(huán)部件和中心圓部件之外的金屬，保留下來的金屬就形成了所需的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形。凹進襯底的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形的制造方法為在襯底上利用刻蝕技術(shù)制作出所需的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形，然后將金屬材料填充進凹陷的部位，最后形成凹進襯底的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形。具體地，金屬薄膜和金屬材料可以是金(Au)金屬、鈦(Ti)金屬或銀(Ag)金屬，在本實施例中不做限定。除了上述實施例一至三的結(jié)構(gòu)之外，納米結(jié)構(gòu)圖形中的周期性結(jié)構(gòu)圖形還可以為上述凸出襯底的光柵結(jié)構(gòu)圖形、點陣結(jié)構(gòu)圖形和牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形以及凹進襯底的光柵結(jié)構(gòu)圖形、點陣結(jié)構(gòu)圖形和牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形之間的任意組合。另外，襯底具有的納米結(jié)構(gòu)圖形也不限于本實用新型實施例一至三中的所列舉的周期性結(jié)構(gòu)圖形的例子，還可以是非周期性結(jié)構(gòu)圖形(例如點狀部件非周期性排列組成的納米結(jié)構(gòu)圖形)。同樣，納米結(jié)構(gòu)圖形也可以是周期性結(jié)構(gòu)圖形和非周期性結(jié)構(gòu)圖形的組合，具體結(jié)構(gòu)在此不再贅述。本實用新型實施例還提供了一種液晶模組，該液晶模組包括本實用新型實施例提供的上述薄膜場效應晶體管TFT基板。[0048]本實用新型實施例提供的薄膜場效應晶體管TFT基板以及液晶面板，在TFT陣列基板的襯底和/或彩膜基板的襯底面向背光源的一側(cè)制作納米結(jié)構(gòu)圖形，由于納米結(jié)構(gòu)圖形具有表面等離子體調(diào)制效應的性質(zhì)，能有效地透射背光源發(fā)出的可見光，提高了背景光的透過率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種薄膜場效應晶體管基板，其特征在于，包括彩膜基板和薄膜場效應晶體管TFT 陣列基板；其中，所述彩膜基板的襯底和/或所述TFT陣列基板的襯底面向背光源的一側(cè)具有納米結(jié)構(gòu)圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述襯底上具有凸出的納米結(jié)構(gòu)圖形和/或具有凹進襯底的納米結(jié)構(gòu)圖形。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形、 非周期性結(jié)構(gòu)圖形或兩者的組合。
4.如權(quán)利要求3所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形中的光柵結(jié)構(gòu)圖形、點陣結(jié)構(gòu)圖形以及牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形中的任意一種或組合。
5.如權(quán)利要求4所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為亞波長條狀光柵圖形， 所述亞波長條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的光柵高度小于500nm，周期為250nm-8000nm，占空比大于0 小于1。
6.如權(quán)利要求5所述的基板，其特征在于，所述光柵高度為50nm-100nm，所述周期為 450nm，所述占空比為2/9。
7.如權(quán)利要求4所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為點陣結(jié)構(gòu)圖形，所述點陣結(jié)構(gòu)圖形中的點狀部件高度小于500nm，所述點陣結(jié)構(gòu)圖形的周期為250nm-8000nm。
8.如權(quán)利要求7所述的基板，其特征在于，所述點狀部件高度為50nm-100nm，所述點陣結(jié)構(gòu)圖形的周期為450nm。
9.如權(quán)利要求7所述的基板，其特征在于，所述點狀部件的形狀為圓柱狀、多邊形柱狀或球冠狀。
10.如權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于，所述點狀部件的形狀為圓柱狀時，圓柱狀的圓形截面的半徑為10nm-780nm。
11.如權(quán)利要求4所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形時， 所述牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形中的同心圓環(huán)部件和中心圓部件的高度小于500nm，所述同心圓環(huán)部件之間半徑差為250nm-8000nm，占空比大于0小于1。
12.如權(quán)利要求11所述的基板，其特征在于，所述同心圓環(huán)部件和中心圓部件的高度為50nm-100nm，所述同心圓環(huán)部件的環(huán)寬度為lOOnm，所述同心圓環(huán)部件之間半徑差為 450nmo
13.一種液晶面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-12任一權(quán)利要求所述薄膜場效應晶體管基板。
專利摘要本實用新型公開了一種薄膜場效應晶體管TFT基板以及液晶面板，在TFT陣列基板的襯底和/或彩膜基板的襯底面向背光源的一側(cè)制作納米結(jié)構(gòu)圖形，由于該納米結(jié)構(gòu)圖形具有表面等離子體調(diào)制效應的性質(zhì)，能有效地透射背光源發(fā)出的可見光，提高了背景光的透過率。
文檔編號G02F1/1368GK202058734SQ201120160339
公開日2011年11月30日 申請日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月19日
發(fā)明者張宇 申請人:北京京東方光電科技有限公司