專利名稱：彩膜基板及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種彩膜基板及顯示面板。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display, TFT-IXD)已經(jīng)在監(jiān)視器、電視、筆記本等各領(lǐng)域得到了廣泛的應用，且在將來的20 30 年內(nèi)仍將是顯示器的主流技術(shù)。目前TFT-IXD技術(shù)的發(fā)展趨勢之一是追求高對比度和高透過率，以獲得更加優(yōu)質(zhì)的顯示效果。影響TFT-LCD高對比的一個重要因素是液晶的取向，根據(jù)取向效果可將TFT-IXD顯示模式分為兩大類，一種是采用垂直取向液晶(Liquid Crystal, LC)的垂直取向(Vertical Alignment, VA)模式陣營，包括圖案化垂直取向構(gòu)型(Patterned Vertical Alignment，PVA)、多疇垂直取向構(gòu)型(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)等，優(yōu)勢在于對比度較高，其商業(yè)化產(chǎn)品的對比度已經(jīng)穩(wěn)定在3000 1的水平以上，其不足在于采用了成本較高、響應速度較慢的負性液晶，VA模式之所以能獲得高對比度，其原因在于使用了非摩擦的液晶取向技術(shù)，包括光配向(Optical Alignment,OA), 高分子支撐配向(Polymer Sustained Alignment, PSA)等取向技術(shù)，并且這些用于液晶垂直取向的非摩擦的液晶取向技術(shù)已經(jīng)保持在非常穩(wěn)定的量產(chǎn)水平。另一種是采用水平取向LC的面內(nèi)開關(guān)模式陣營，包括面內(nèi)開關(guān)αη-Plane Switching, IPS)模式、邊緣場切換 (Fringe Field Switching,FFS)模式等，其產(chǎn)品的對比度目前只能達到1500 1的水平， 其對比度提高的瓶頸在于采用了摩擦取向技術(shù)，無法避免摩擦取向技術(shù)工藝過程中帶來的摩擦不良(rubbing mura)、顆粒(partical)等因素，正是這些因素大大增加了該類產(chǎn)品的暗態(tài)漏光，影響了對比度的提高，但這種顯示模式的優(yōu)勢在于使用了成本較低、響應速度較快的正性液晶。為了大幅度提高面內(nèi)開關(guān)模式的對比度，文獻(T. &ikurai，et al. Advanced VA Mode with Fast Gray Scale Response and Wide Viewing Angle in a Bend Liquid Crystal Configuration ；SID，2010 .721)中提出了一種基于IPS電極結(jié)構(gòu)的，液晶是垂直取向的橫向彎曲配向CTransverse Bend Alignment, TBA)顯示模式。如圖1所示，彩膜基板由玻璃基板1、彩膜樹脂層3，第一公共電極及保護層10組成，第一公共電極為整個一層電極21。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?2使其間的液晶5在無電場作用下為垂直取向，位于鈍化層7上的像素電極6和第二公共電極23為指狀結(jié)構(gòu)，其間形成水平電場。由于該顯示模式的液晶是垂直取向，所以不需要采取摩擦取向或光取向等取向工藝，只需要采取相應的取向材料，即可獲得2000 1以上的對比度。該顯示模式中，TFT的電極結(jié)構(gòu)是指狀電極，而彩膜基板上也設(shè)置了公共電極，其中，彩膜基板的公共電極上覆蓋有保護層(Over Coater)，以提高液晶層中水平電場的比例，從而提高透過率。TBA的不足之處在于，保護層的存在使制造工藝更加復雜，且增加了材料成本和工藝成本
實用新型內(nèi)容
[0004](一 )要解決的技術(shù)問題本實用新型要解決的技術(shù)問題是如何在提高透過率的情況下，使彩膜基板的工藝結(jié)構(gòu)簡單，且節(jié)約工藝成本。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種彩膜基板，包括玻璃基板、第一公共電極和彩膜樹脂層，其特征在于，所述第一公共電極覆蓋在玻璃基板表面，彩膜樹脂層覆蓋在第一公共電極表面。其中，所述第一公共電極為指狀電極。其中，所述指狀電極的寬度相同，且相鄰兩個指狀電極的間距相等。其中，所述彩膜樹脂層未與所述第一公共電極接觸的表面上具有取向結(jié)構(gòu)。本實用新型還提供了一種顯示面板，包括TFT陣列基板、液晶位于所述TFT陣列基板表面的第二取向?qū)?，還包括上述不具有取向結(jié)構(gòu)的彩膜基板及位于所述彩膜基板表面的第一取向?qū)樱鲆壕挥诘谝蝗∠驅(qū)雍偷诙∠驅(qū)又g。其中，所述第一取向?qū)拥娜∠蚪Y(jié)構(gòu)和第二取向?qū)拥娜∠蚪Y(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。其中，所述TFT陣列基板中的電極為指狀像素電極和指狀的第二公共電極，所述指狀像素電極和所述第二公共電極間隔排列且相互絕緣。其中，所述TFT陣列基板中的電極為相互絕緣的指狀像素電極。本實用新型還提供了一種顯示面板，包括TFT陣列基板、液晶、位于所述TFT陣列基板表面的取向?qū)?，還包括上述具有取向結(jié)構(gòu)的彩膜基板，所述液晶位于所述彩膜基板和 TFT陣列基板表面的取向?qū)又g。其中，所述彩膜樹脂層的取向結(jié)構(gòu)和所述取向?qū)拥娜∠蚪Y(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。其中，所述TFT陣列基板中的電極為指狀像素電極和指狀的第二公共電極，所述指狀像素電極和所述第二公共電極間隔排列且相互絕緣。其中，所述TFT陣列基板中的電極為若干相互絕緣的指狀像素電極。(三)有益效果本實用新型的彩膜基板通過彩膜樹脂層提高了液晶層水平電場的比例，從而提高了透過率，且工藝結(jié)構(gòu)簡單、成本低；采用所述彩膜基板的顯示面板中TFT陣列基板的電極采用兩組可接相反電壓的像素電極的結(jié)構(gòu)，更加提高了液晶層水平電場的比例，提高了透過率。

圖1是傳統(tǒng)的TBA顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型實施例1的一種彩膜基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實用新型實施例2的一種彩膜基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實用新型實施例3的一種彩膜基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實用新型實施例4的一種彩膜基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖6 (a)是本實用新型實施例5的一種顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖，其示出了像素電極和第二公共電極未產(chǎn)生電場的狀態(tài)，圖6(b)為像素電極和第二公共電極產(chǎn)生電場的狀態(tài)；圖7(a)是本實用新型實施例6的一種顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖，圖7 (b)和圖7(c)分別為該結(jié)構(gòu)中兩個像素電極的電壓波形圖；圖8是本實用新型實施例7的一種顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本實用新型實施例8的一種顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是本實用新型實施例9的一種顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖11是本實用新型實施例10的一種顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖12是本實用新型實施例11的一種顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖13是本實用新型實施例12的一種顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。實施例1如圖2所示，本實施例的彩膜基板包括玻璃基板1、第一公共電極和彩膜樹脂層 3，第一公共電極覆蓋在玻璃基板1的表面，彩膜樹脂層3覆蓋在第一公共電極的表面。第一公共電極為覆蓋在玻璃基板1表面的一層電極21，該電極21為一整塊可完全覆蓋在玻璃基板1表面上的電極。電極21可以為通常的氧化銦錫andium-Tin Oxide, IT0)電極，彩膜樹脂層3不但能夠提供傳統(tǒng)意義上的三原色，還提高液晶層中水平電場的比例，從而提高透過率，最終實現(xiàn)對比度的提高。由于相對于傳統(tǒng)的彩膜去掉了保護層，因此，本實施例中的彩膜制造工藝簡單，降低了材料成本和工藝成本。實施例2如圖3所述，本實施例的彩膜基板與實施例1的彩膜基板的結(jié)構(gòu)基本相同，不同的是第一公共電極為覆蓋在玻璃基板1表面的若干指狀電極22(每個指狀電極22寬度也可以相等也可以不相等，相鄰兩個指狀電極22間距也可以相等也可以不相等，圖中示出了 4 個指狀電極22)，彩膜樹脂層3覆蓋在指狀電極22的表面。為了形成均勻的垂直電場，優(yōu)選地，指狀電極22的寬度相同，且相鄰兩個指狀電極22的間距相等。相對于實施例1中第一公共電極僅為一整層電極的設(shè)計，提高了透過率，且更加節(jié)省材料和降低成本。實施例3如圖4所示，本實施例中的彩膜基板的結(jié)構(gòu)和實施例1中彩膜基板結(jié)構(gòu)基本相同， 包括玻璃基板1、覆蓋在玻璃基板1上的電極21和覆蓋在電極21上的彩膜樹脂層3。不同的是彩膜樹脂層3未與第一公共電極接觸的表面(圖4中為彩膜樹脂層3的下表面)經(jīng)過了取向處理，具有取向結(jié)構(gòu)31，使其能夠?qū)σ壕Х肿舆M行初始取向。實施例4如圖5所示，本實施例中的彩膜基板的結(jié)構(gòu)和實施例2中彩膜基板結(jié)構(gòu)基本相同， 包括玻璃基板1、覆蓋在玻璃基板1上的指狀電極22和覆蓋在指狀電極22上的彩膜樹脂層3。不同的是彩膜樹脂層3未與第一公共電極接觸的表面(圖5中為彩膜樹脂層3的下表面)經(jīng)過了取向處理，具有取向結(jié)構(gòu)31，使其能夠?qū)σ壕Х肿舆M行初始取向。實施例5[0044]本實施例提供了一種顯示面板。如圖6(a)所示，包括TFT陣列基板、第一取向?qū)?41、位于TFT陣列基板表面的第二取向?qū)?2、位于第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?2之間的液晶5及位于第一取向?qū)?1未與液晶接觸的表面(圖中為第一取向?qū)?1的上表面，制作時， 第一取向?qū)?1事先涂在了彩膜基板上，然后與下層結(jié)構(gòu)對合)上的彩膜基板，該彩膜基板為實施例1中的彩膜基板(包括玻璃基板1、電極21和彩膜樹脂層3)。在液晶垂直取向的邊緣場開關(guān)液晶顯示器模式下，該顯示面板的第一取向?qū)?1 和第二取向?qū)?2的取向結(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。TFT陣列基板 (圖中只示出了其電極結(jié)構(gòu)和鈍化層7)中的電極為若干指狀的像素電極6和第二公共電極 23，指狀的像素電極6和第二公共電極23間隔排列且相互絕緣。工作時，像素電極6接數(shù)據(jù)線電壓信號，第二公共電極23接公共電壓信號，之間形成水平電場，可使液晶分子向水平方向偏轉(zhuǎn)，電極21和像素電極6形成豎直電場，水平電場和豎直電場的疊加，使液晶分子呈一定角度斜向偏轉(zhuǎn)，從而提高透過率，偏轉(zhuǎn)后的狀態(tài)如圖6(b)所示。由于采用了實施例 1的彩膜基板，因此，本實施例中顯示面板在制作上降低了材料成本和工藝成本。實施例6如圖7(a)所示，本實施例的顯示面板包括TFT陣列基板、第一取向?qū)?1、位于 TFT陣列基板表面的第二取向?qū)?2、位于第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?2之間的液晶5及位于第一取向?qū)?1未與液晶接觸的表面(圖中為第一取向?qū)?1的上表面)上的彩膜基板， 該彩膜基板為實施例1中的彩膜基板(包括玻璃基板1、電極21和彩膜樹脂層幻。在液晶垂直取向的邊緣場開關(guān)液晶顯示器模式下，該顯示面板的第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?42的取向結(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。其中，TFT陣列基板(圖中只示出了其電極結(jié)構(gòu)和鈍化層7)中的電極為若干相互絕緣的指狀像素電極，工作時，這些像素電極分為兩組，像素電極8和像素電極9間隔排列，且都連接數(shù)據(jù)線，相鄰兩個像素電極 8和像素電極9施加極性相反的電壓信號，S卩相鄰兩個像素電極8和像素電極9中的信號波形圖如圖7(b)和圖7(c)所示，圖7(b)為像素電極8的信號波形圖，圖7(c)為像素電極 9的信號波形圖，在某一時刻，若像素電極8的電壓比第一公共電極(電極21)的電壓大某一值Δ V，則像素電極9比第一公共電極的電壓小Δ V;若像素電極8的電壓比第一公共電極的電壓小某一值Δ V，則像素電極9比第一公共電極的電壓大Δ V。這樣像素電極8和像素電極9的形成電場的電勢差較大，液晶分子向水平方向偏轉(zhuǎn)的角度也較大，因此相對于實施例5有更好的透過率。實施例7如圖8所示，本實施例的顯示面板包括TFT陣列基板、第一取向?qū)?1、位于TFT陣列基板表面的第二取向?qū)?2、位于第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?2之間的液晶5及位于第一取向?qū)?1未與液晶接觸的表面(圖中為第一取向?qū)?1的上表面)上的彩膜基板。該彩膜基板為實施例2中所述的彩膜基板(包括玻璃基板1、指狀電極22和彩膜樹脂層3)，即彩膜基板中第一公共電極為若干指狀電極22。在液晶垂直取向的邊緣場開關(guān)液晶顯示器模式下，該顯示面板的第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?2的取向結(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。TFT陣列基板(圖中只示出了其電極結(jié)構(gòu)和鈍化層7)中的電極為若干指狀的像素電極6和第二公共電極23，指狀的像素電極6和第二公共電極23間隔排列且相互絕緣。指狀電極22和像素電極6之間形成豎直電場，其工作原理和實施例5基本相同，此處不再敖述。相對于本實施例5的顯示面板更加節(jié)省材料、降低成本。實施例8如圖9所示，本實施例的顯示面板包括TFT陣列基板、第一取向?qū)?1、位于TFT陣列基板表面的第二取向?qū)?2、位于第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?2之間的液晶5及位于第一取向?qū)?1未與液晶接觸的表面(圖中為第一取向?qū)?1的上表面)上的彩膜基板。該彩膜基板為實施例2中所述的彩膜基板(包括玻璃基板1、指狀電極22和彩膜樹脂層3)，即彩膜基板中第一公共電極為若干指狀電極22。TFT陣列基板(圖中只示出了其電極結(jié)構(gòu)和鈍化層7)中的像素電極8和像素電極9與指狀電極22的壓差值相同，其工作原理和實施例6基本相同，此處不再敖述。本實施例的顯示面板相對于本實施例6的顯示面板更加節(jié)省材料、降低成本。實施例9如圖10所示，本實施例中顯示面板包括TFT陣列基板、位于TFT陣列基板表面的取向?qū)?3、液晶5及彩膜基板。該彩膜基板采用了實施例3中的彩膜基板(包括玻璃基板1、電極21和彩膜樹脂層3)，該彩膜基板的彩膜樹脂層3上具有取向結(jié)構(gòu)31，。液晶5位于取向?qū)?3和彩膜基板之間。在液晶垂直取向的邊緣場開關(guān)液晶顯示器模式下，該彩膜樹脂層3和取向?qū)?3的取向結(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。其中，TFT陣列基板(圖中只示出了其電極結(jié)構(gòu)和鈍化層7)中的電極為若干指狀的像素電極6和第二公共電極23，指狀的像素電極6和第二公共電極23間隔排列且相互絕緣。工作時像素電極 6接數(shù)據(jù)線電壓信號，第二公共電極23接公共電壓信號，之間形成水平電場，可使液晶分子向水平方向偏轉(zhuǎn)，電極21和像素電極6形成豎直電場，水平電場和豎直電場的疊加，使液晶分子呈一定角度斜向偏轉(zhuǎn)，從而提高透過率。由于彩膜樹脂層3上具有取向結(jié)構(gòu)31，因此， 相對于實施例5省去了第一取向?qū)?，更加降低了材料成本和工藝成本。實施?0如圖11所示，本實施例中顯示面板包括TFT陣列基板、位于TFT陣列基板表面的取向?qū)?3、液晶5及彩膜基板。該彩膜基板采用了實施例3中的彩膜基板(包括玻璃基板 1、電極21和彩膜樹脂層3)，該彩膜基板的彩膜樹脂層3具有取向結(jié)構(gòu)31。液晶5位于取向?qū)?3和彩膜基板之間。在液晶垂直取向的邊緣場開關(guān)液晶顯示器模式下，該彩膜樹脂層 3和取向?qū)?3的取向結(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。其中，TFT陣列基板(圖中只示出了其電極結(jié)構(gòu)和鈍化層7)中的電極為若干相互絕緣的指狀像素電極，工作時，這些像素電極分為兩組，像素電極8和像素電極9，且都連接數(shù)據(jù)線，像素電極8和像素電極9與電極21的壓差值相同。其工作原理和實施例6相同。由于彩膜樹脂層3上具有取向結(jié)構(gòu)31，因此，相對于實施例6省去了第一取向?qū)?，更加降低了材料成本和工藝成本。實施?1如圖12所示，本實施例中顯示面板包括TFT陣列基板、位于TFT陣列基板表面的取向?qū)?3、液晶5及彩膜基板。該彩膜基板采用了實施例4中的彩膜基板(包括玻璃基板1、指狀電極22和彩膜樹脂層幻，該彩膜基板的彩膜樹脂層3具有取向結(jié)構(gòu)31。液晶5 位于取向?qū)?3和彩膜基板之間。在液晶垂直取向的邊緣場開關(guān)液晶顯示器模式下，該彩膜樹脂層3和取向?qū)?3的取向結(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。其中，TFT 陣列基板(圖中只示出了其電極結(jié)構(gòu)和鈍化層7)中的電極為若干指狀的像素電極6和第二公共電極23，指狀的像素電極6和第二公共電極23間隔排列且相互絕緣。指狀電極22 和像素電極6之間形成豎直電場，其工作原理和實施例9基本相同，此處不再敖述。由于彩膜基板中第一公共電極為若干指狀電極22，相對于實施例9的顯示面板更加節(jié)省材料、降低成本。實施例12如圖13所示，本實施例中顯示面板包括TFT陣列基板、位于TFT陣列基板表面的取向?qū)?3、液晶5及彩膜基板。該彩膜基板采用了實施例4中的彩膜基板(包括玻璃基板1、指狀電極22和彩膜樹脂層幻，該彩膜基板的彩膜樹脂層3具有取向結(jié)構(gòu)31。液晶5 位于取向?qū)?3和彩膜基板之間。在液晶垂直取向的邊緣場開關(guān)液晶顯示器模式下，該彩膜樹脂層3和取向?qū)?3的取向結(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。其中，TFT 陣列基板(圖中只示出了其電極結(jié)構(gòu)和鈍化層7)中的電極為若干相互絕緣的指狀像素電極，工作時，這些像素電極分為兩組，像素電極8和像素電極9，且都連接數(shù)據(jù)線，像素電極8 和像素電極9與電極21的壓差值相同。其工作原理和實施例10相同。由于彩膜基板中第一公共電極為若干指狀電極22，相對于實施例10的顯示面板更加節(jié)省材料、降低成本。以上實施方式僅用于說明本實用新型，而并非對本實用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實用新型的范疇，本實用新型的專利保護范圍應由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.一種彩膜基板，包括玻璃基板、第一公共電極和彩膜樹脂層，其特征在于，所述第一公共電極覆蓋在玻璃基板表面，彩膜樹脂層覆蓋在第一公共電極表面。
2.如權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一公共電極為指狀電極。
3.如權(quán)利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述指狀電極的寬度相同，且相鄰兩個指狀電極的間距相等。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜樹脂層未與所述第一公共電極接觸的表面上具有取向結(jié)構(gòu)。
5.一種顯示面板，包括TFT陣列基板、液晶位于所述TFT陣列基板表面的第二取向?qū)樱?其特征在于，還包括權(quán)利要求1 3中任一項所述的彩膜基板及位于所述彩膜基板表面的第一取向?qū)樱鲆壕挥诘谝蝗∠驅(qū)雍偷诙∠驅(qū)又g。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一取向?qū)拥娜∠蚪Y(jié)構(gòu)和第二取向?qū)拥娜∠蚪Y(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。
7.如權(quán)利要求5或6所述的顯示面板，其特征在于，所述TFT陣列基板中的電極為指狀像素電極和指狀的第二公共電極，所述指狀像素電極和所述第二公共電極間隔排列且相互絕緣。
8.如權(quán)利要求5或6所述的顯示面板，其特征在于，所述TFT陣列基板中的電極為相互絕緣的指狀像素電極。
9.一種顯示面板，包括TFT陣列基板、液晶、位于所述TFT陣列基板表面的取向?qū)?，其特征在于，還包括權(quán)利要求4所述的彩膜基板，所述液晶位于所述彩膜基板和TFT陣列基板表面的取向?qū)又g。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于，所述彩膜樹脂層的取向結(jié)構(gòu)和所述取向?qū)拥娜∠蚪Y(jié)構(gòu)使得液晶分子在無電場情況下具有垂直取向。
11.如權(quán)利要求9或10所述的顯示面板，其特征在于，所述TFT陣列基板中的電極為指狀像素電極和指狀的第二公共電極，所述指狀像素電極和所述第二公共電極間隔排列且相互絕緣。
12.如權(quán)利要求9或10所述的顯示面板，其特征在于，所述TFT陣列基板中的電極為相互絕緣的指狀像素電極。
專利摘要本實用新型公開了一種彩膜基板，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，所述彩膜基板包括玻璃基板、第一公共電極和彩膜樹脂層，所述第一公共電極覆蓋在彩膜基板表面，彩膜樹脂層覆蓋在第一公共電極表面。還公開了一種包括該彩膜基板的顯示面板。本實用新型的彩膜基板通過彩膜樹脂層提高了液晶層水平電場的比例，從而提高了透過率，且工藝結(jié)構(gòu)簡單、成本低；采用所述彩膜基板的顯示面板中TFT陣列基板的電極采用兩組可接相反電壓的像素電極的結(jié)構(gòu)，更加提高了液晶層水平電場的比例，提高了透過率。
文檔編號G02F1/1337GK202285073SQ20112044075
公開日2012年6月27日 申請日期2011年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月8日
發(fā)明者柳在健, 鈴木照晃, 魯姣明 申請人:京東方科技集團股份有限公司