專利名稱：一種空間成像套刻檢驗(yàn)方法及陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種空間成像套刻檢驗(yàn)方法及陣列基板。
背景技術(shù)：
ADSDS (ADvanced Super Dimension Switch),簡稱 ADS,即高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)是目前液晶領(lǐng)域?yàn)榻鉀Q大尺寸、高清晰度桌面顯示器和液晶電視應(yīng)用而開發(fā)的廣視角技術(shù)，由于具有寬視角、高開口率、低功耗高亮度等優(yōu)勢，應(yīng)用越來越廣泛。其通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。聞級超維場開關(guān)技術(shù)可以提聞TFT-LCD廣品的畫面品質(zhì)，具有聞分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。目前制造TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管 液晶顯示器)陣列基板的工藝中需經(jīng)過多道光刻工序，為確保每道光刻工序的正確，需通過空間成像套刻(Overlay)檢驗(yàn)來確保上述多道光刻工序之間的對準(zhǔn)精度。Overlay檢驗(yàn)通常是利用光罩上的Overlay標(biāo)記在光刻所形成的薄膜層上面形成Overlay標(biāo)記圖形,并通過比對相鄰薄膜層上的Overlay標(biāo)記圖形的偏移來有效地檢測出兩道光刻工序間的對準(zhǔn)狀況。因此，精確的對準(zhǔn)相鄰兩薄膜層上面的Overlay標(biāo)記圖形是保證Overlay檢驗(yàn)精確度的關(guān)鍵。以目前的一種ADS模式的TFT-IXD陣列基板的制造過程為例，第一次光刻在玻璃基板上形成一層IT0(Indium Tin Oxides，銦錫氧化物)導(dǎo)電膜，第二次光刻要在ITO薄膜層表面再形成一層金屬柵極Gate薄膜層。但是由于ITO薄膜是一種透明導(dǎo)電薄膜，并且在進(jìn)行Gate薄膜層與ITO薄膜層間的Overlay檢驗(yàn)之前,ITO薄膜層表面的光刻膠(光刻膠一般為非透明色，其上面的Overlay標(biāo)記圖形比較清晰)就已經(jīng)被剝離，因此，在Gate薄膜層與ITO薄膜層間進(jìn)行Overlay檢驗(yàn)時(shí)，往往由于ITO薄膜層的透明而導(dǎo)致不能準(zhǔn)確地定位ITO薄膜層上的Overlay標(biāo)記圖形,使得Overlay檢驗(yàn)的耗時(shí)較長。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種空間成像套刻檢驗(yàn)方法及陣列基板，用以解決現(xiàn)有的空間成像套刻檢驗(yàn)技術(shù)中，由于光刻形成的薄膜為透明薄膜，而不能快速準(zhǔn)確的定位空間成像套刻標(biāo)記的問題。本發(fā)明提供一種空間成像套刻檢驗(yàn)方法，包括光刻形成一層具有空間成像套刻標(biāo)記的薄膜；在所述薄膜為透明薄膜時(shí)，對所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色；利用所述非透明色的空間成像套刻標(biāo)記，進(jìn)行所述透明薄膜與相鄰的薄膜之間的空間成像套刻檢驗(yàn)。
優(yōu)選地，對所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色,包括在經(jīng)過真空處理后的環(huán)境中向所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記所在的區(qū)域噴射氣體，所述氣體能夠與所述空間成像套刻標(biāo)記發(fā)生霧化反應(yīng)，使所述發(fā)生霧化反應(yīng)后的空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。優(yōu)選地，對所述透明薄膜上面的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色，包括對所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記所在的區(qū)域噴射染料，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。優(yōu)選地，所述透明薄膜為銦錫氧化物ITO透明薄膜。優(yōu)選地，所述ITO透明薄膜是通過光刻工藝形成，所述空間成像套刻標(biāo)記位于所述ITO透明薄膜的非顯示區(qū)域。優(yōu)選地，對所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色,具體包括在經(jīng)過真空處理后的環(huán)境中，采用向所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記所在的區(qū)域噴射氣體的方式，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色時(shí)，所述氣體為氨氣NH3氣體和硅烷SiH4氣體。優(yōu)選地，所述真空處理為向環(huán)境中充入氮?dú)釴2，則所述充入的N2氣體與所述噴射的NH3氣體、SiH4氣體的比例為NH3 : SiH4 : N2 = 1550sccm : 4000sccm : 14400sccm其中，標(biāo)況暈升每分sccm為體積流量單位。優(yōu)選地，在ITO薄膜的空間成像套刻標(biāo)記所在的區(qū)域噴射NH3氣體完全參與反應(yīng)，所噴射的SiH4氣體過量。優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括在所述薄膜為非透明薄膜時(shí)，直接利用所述非透明薄膜的空間成像套刻標(biāo)記，進(jìn)行所述透明薄膜與相鄰的薄膜之間的空間成像套刻檢驗(yàn)。本發(fā)明還提供一種陣列基板，所述陣列基板包括至少一層具有空間成像套刻標(biāo)記的透明薄膜，所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。優(yōu)選地，所述透明薄膜為銦錫氧化物ITO透明薄膜。本發(fā)明提供一種空間成像套刻檢驗(yàn)方法及陣列基板，通過對透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理后再進(jìn)行定位，解決了現(xiàn)有的光刻工藝中，當(dāng)光刻形成的薄膜為透明薄膜時(shí)，由于薄膜的透明，而導(dǎo)致進(jìn)行空間成像套刻檢驗(yàn)的設(shè)備不能夠準(zhǔn)確、方便的定位空間成像套刻標(biāo)記問題。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例空間成像套刻檢驗(yàn)方法流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中以ITO薄膜為例的空間成像套刻檢驗(yàn)方法流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中經(jīng)過各次光刻工序后形成的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例中Overlay檢驗(yàn)的示意圖；、
圖5為本發(fā)明實(shí)施例中沒有進(jìn)行顯色處理時(shí)Overlay檢驗(yàn)的示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例中進(jìn)行顯色處理后Overlay檢驗(yàn)的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對本發(fā)明一種透明圖像的定位方法的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。本發(fā)明實(shí)施例提供一種空間成像套刻檢驗(yàn)方法，目的在于解決TFT-IXD陣列基板的工藝中，對光刻后透明的薄膜進(jìn)行定位時(shí)，由于薄膜的透明特性，使得用于定位檢測的設(shè)備不能夠準(zhǔn)確、方便的定位的問題。尤其針對在對多個(gè)透明的薄膜的對位檢測中，以薄膜上空間成像套刻Overlay標(biāo)記作為基準(zhǔn)時(shí),不能夠準(zhǔn)確、快速的定位，將會(huì)直接影響對位檢測的結(jié)果和效率的問題。如圖I所示，包括步驟步驟101,光刻形成一層具有空間成像套刻Overlay標(biāo)記的薄膜；
在制造ADS模式的TFT-IXD陣列基板的工藝中，可能會(huì)通過多次光刻工藝形成多層薄膜結(jié)構(gòu)；對于需要與相鄰膜層進(jìn)行對位的薄膜，經(jīng)光刻會(huì)在薄膜上形成Overlay標(biāo)記。該薄膜可以是在基板通過光刻工藝得到的第一層薄膜，也可是其它層的薄膜。步驟102，在所述薄膜為透明薄膜時(shí)，對所述透明薄膜上的Overlay標(biāo)記作顯色處理，使所述Overlay標(biāo)記顯示出非透明色；如果是透明薄膜，則Overlay標(biāo)記不容易找到，為了方便檢測定位，本發(fā)明實(shí)施例中對透明薄膜上的Overlay標(biāo)記作顯色處理,從而可以快速地檢測到該Overlay標(biāo)記以進(jìn)行后續(xù)的Overlay檢驗(yàn)。具體的顯色處理方式可以采用多種，優(yōu)選采用適用于在半導(dǎo)體工藝中實(shí)現(xiàn)且不影響其它工藝流程的處理方式。步驟103，利用所述非透明色的空間成像套刻標(biāo)記，進(jìn)行所述透明薄膜與相鄰的薄膜之間的空間成像套刻Overlay檢驗(yàn)。具體的Overlay檢驗(yàn)過程可以采用現(xiàn)有技術(shù)，這里不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例通過對透明薄膜上的空間成像套刻Overlay標(biāo)記作顯色處理后再進(jìn)行定位，解決了現(xiàn)有的光刻工藝中，當(dāng)光刻形成的薄膜為透明薄膜時(shí)，由于薄膜的透明，而導(dǎo)致進(jìn)行Overlay檢驗(yàn)的設(shè)備不能夠準(zhǔn)確、方便的定位空間成像套刻標(biāo)記問題。優(yōu)選地，上述與透明薄膜相鄰的薄膜為非透明色，并且所述相鄰薄膜上具有空間成像套刻標(biāo)記。當(dāng)然，也可以是透明的且其Overlay標(biāo)記經(jīng)過顯色處理的透明薄膜。優(yōu)選地，對所述透明薄膜上的Overlay標(biāo)記作顯色處理，具體包括在經(jīng)過真空處理后的環(huán)境中向所述透明薄膜上的Overlay標(biāo)記所在的區(qū)域噴射氣體，所述氣體能夠與所述Overlay標(biāo)記發(fā)生霧化反應(yīng),使所述發(fā)生霧化反應(yīng)后的Overlay標(biāo)記顯示出非透明色。這里的霧化反應(yīng)，是指氣體與透明薄膜發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)而使其呈現(xiàn)非透明，通常化學(xué)反應(yīng)會(huì)有新物質(zhì)的生成，因此會(huì)使反應(yīng)區(qū)域呈現(xiàn)非透明的顏色。噴射時(shí)可以選擇利于在Overlay標(biāo)記實(shí)現(xiàn)噴射的噴射裝置。該方式屬于噴射氣體方式，該氣體可以根據(jù)透明薄膜的材質(zhì)，選擇能夠與該透明薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而變色的氣體。優(yōu)選地,對所述透明薄膜上面的Overlay標(biāo)記作顯色處理,具體包括對所述透明薄膜上的Overlay標(biāo)記所在的區(qū)域噴射染料，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。具體的噴射的染料，可以根據(jù)透明薄膜的材質(zhì)，選擇利于附著在透明薄膜上的染料，顏色也可以根據(jù)具體需要選取。該方式屬于噴射液體的方式優(yōu)選地，上述透明薄膜為銦錫氧化物ITO透明薄膜。當(dāng)然，還可以是其它材質(zhì)的透明薄膜。優(yōu)選地，ITO透明薄膜由ADS模式陣列基板制造過程中的光刻工藝形成，所述空間成像套刻標(biāo)記圖像位于所述ITO透明薄膜的非顯示區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，所述陣列基板包括至少一層具有空間成像套刻標(biāo)記的透明薄膜，所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。具體可以采用上述實(shí)施例的方法處理使透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。優(yōu)選地，所述透明薄膜為銦錫氧化物ITO透明薄膜。下面以ITO透明薄膜為例，給出本發(fā)明空間成像套刻檢驗(yàn)方法的優(yōu)選實(shí)施方式。如圖2所示,具體包括步驟201，在制造ADS模式的TFT-IXD陣列基板的工藝中，首先進(jìn)行第一次光刻工序，在玻璃基板上形成一層透明的ITO半導(dǎo)體導(dǎo)電薄膜；該ITO薄膜層將作為公共電極，并且該ITO薄膜層上面的非顯示區(qū)域含有Overlay
I■■己 O為了能夠在準(zhǔn)確定位ITO薄膜的前提下執(zhí)行第二次光刻工序，在第二次光刻工序形成一層金屬柵極Gate薄膜層之前，如圖2所示，執(zhí)行下面的步驟。步驟202，將上述帶有ITO薄膜的基板置于適于氣體噴射Overlay標(biāo)記的真空環(huán)境;具體地，在Sputter濺鍍機(jī)的轉(zhuǎn)移槽之前連接一個(gè)密閉的槽室，該密閉的槽室內(nèi)充入氮?dú)釴2以保持真空環(huán)境，并且該密閉的槽室的大小足以裝下基板；在該密閉的槽室內(nèi)安裝一個(gè)或多個(gè)可以活動(dòng)的噴嘴，噴嘴的方向可以調(diào)節(jié)；將表面覆蓋ITO薄膜的基板由轉(zhuǎn)移槽送入該密閉的槽室；調(diào)節(jié)所述噴嘴的方向，使其對準(zhǔn)ITO薄膜上非顯示區(qū)域的Overlay標(biāo)記圖像。步驟203,通過所述噴嘴向Overlay標(biāo)記圖像所在的區(qū)域噴射氨氣NH3氣體和娃燒SiH4氣體，其中噴射的NH3氣體、SiH4氣體(此時(shí)SiH4氣體不過量)與保持真空環(huán)境而充入的N2氣體的比例為NH3 : SiH4 : N2 = 1550sccm : 4000sccm : 14400sccm上式中 sccm (standard-state cubic centimeter per minute，標(biāo)況毫升每分)為體積流量單位。該過程中，以NH3作為氮源，以SiHJt為硅源，兩種氣體在ITO薄膜表面發(fā)生反應(yīng)生成SiN3O步驟204,通過所述噴嘴,繼續(xù)向Overlay標(biāo)記圖像所在的區(qū)域噴射SiH4氣體,至SiH4氣體過量。該過程中需要繼續(xù)噴射SiH4氣體直至過量，以促使ITO與SiN3發(fā)生反應(yīng)，使得Overlay標(biāo)記圖像所在的ITO區(qū)域表面發(fā)生霧化Haze現(xiàn)象,顏色加深、變黑。步驟205，停止所述噴嘴的氣體噴射，將基板從該密閉的槽室送回Sputter濺鍍機(jī)的轉(zhuǎn)移槽；
步驟206，基于ITO上經(jīng)顯色處理的Overlay標(biāo)記，進(jìn)行該ITO與之后光刻形成的薄膜層的Overlay校驗(yàn)。經(jīng)過上述操作步驟之后，再對基板進(jìn)行第二次光刻工序形成金屬柵極層，第三次光刻工序形成金屬絕緣層、有源層、源漏金屬電極，第四次光刻工序形成過孔，第五次光刻工序形成另一層ITO薄膜層作為像素電極，至此，陣列基板的制作完成。圖3所示為經(jīng)過所述各次光刻工序后形成的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，所形成的陣列基板包括玻璃基板I、ITO公共電極2、金屬柵極層3、金屬絕緣層4、有源層5、源漏金屬電極6、鈍化層7、過孔8、ITO像素電極9。本發(fā)明實(shí)施例中，基板表面在第一次光刻形成的ITO薄膜層上的Overlay標(biāo)記圖像區(qū)域不再透明，而是有顏色的，因此在執(zhí)行第二次光刻工序后，進(jìn)行Overlay檢驗(yàn)時(shí)， ⑶-SEM(線寬-掃描電子顯微鏡)設(shè)備能夠容易、清楚的識別Overlay標(biāo)記圖像，從而加快了 Overlay檢驗(yàn)的速度,提高了 Overlay檢驗(yàn)的精度。并且通過實(shí)際操作環(huán)境,確定噴嘴的噴射角度、噴射速度以及環(huán)境的溫度(例如控制噴射角度為45度 60度之間，環(huán)境溫度為250°C 300°C之間)，從而可使上述顯色處理中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)僅發(fā)生于ITO薄膜層表面的非顯示區(qū)域，不會(huì)對顯示區(qū)域造成影響，因此，上述對Overlay標(biāo)記圖像的顯色處理安全可行，適用于ADS模式的TFT-IXD陣列基板制造工藝。如圖4所示為本實(shí)施例的Overlay檢驗(yàn)示意圖，其中，第一次光刻工序形成的ITO薄膜上的Overlay標(biāo)記為其整個(gè)非顯示區(qū)域，則在第二次光刻工序形成的金屬柵極層上的PR光刻膠被剝離之前，針對所述ITO薄膜和金屬柵極層之間進(jìn)行Overlay檢驗(yàn)的過程如下分別測量所述金屬柵極層和ITO薄膜上的Al長度值、Al’長度值、A2長度值、A2’長度值，然后對比這兩層薄膜上的Al長度值之差、Al’長度值之差、A2長度值之差和A2’長度值之差，若所述各差值越小，則說明這兩道光刻工序間的對準(zhǔn)精度越高，否則精度越低。如圖5所示為沒有對第一次光刻形成的ITO薄膜進(jìn)行顯色處理時(shí)的Overlay檢驗(yàn)示意圖，其中，由于ITO薄膜邊界處的非顯示區(qū)域?yàn)橥该?，不能?zhǔn)確地定位Al的邊界，導(dǎo)致不能準(zhǔn)確地測量Al長度值，例如導(dǎo)致測量得到的Al (圖中虛線箭頭表示)比實(shí)際值(圖中實(shí)線箭頭表示)偏大，同理測量得到的A1’、A2、A2’也可能存在誤差，這樣進(jìn)行的Overlay檢驗(yàn)就會(huì)不準(zhǔn)確。如圖6所示為對第一次光刻形成的ITO薄膜進(jìn)行顯色處理后的Overlay檢驗(yàn)示意圖，其中，經(jīng)過顯色處理后，ITO薄膜層的非顯示區(qū)域被霧化處理，顏色變深，因此可方便地定位Al的邊界，以及測量得到準(zhǔn)確的Al長度值，同理可測量得到準(zhǔn)確的Al’、A2、A2’長度值，保證了 Overlay檢驗(yàn)的準(zhǔn)確性。在上述基板的制造工藝中進(jìn)行顯色處理，主要是為了在第二次光刻后進(jìn)行Overlay檢驗(yàn)時(shí)能夠便捷的找到Overlay標(biāo)記,從而能以第一次光刻形成的ITO薄膜層上的Overlay標(biāo)記作為基準(zhǔn)，并且由于第二次光刻形成的金屬柵極層不是透明的，所以在之后的Overlay檢驗(yàn)時(shí)都能以金屬柵極層上的Overlay標(biāo)記作為基準(zhǔn)；同時(shí)，第二次光刻至第四次光刻所形成的薄膜層都是非透明性質(zhì)的膜層，因此CD-SEM設(shè)備能夠容易的分辨出Overlay標(biāo)記圖像，不必采用上述顯色處理過程。但需要指出的是，上述基板的制造工藝中第五次光刻形成的ITO薄膜層可以不采用顯色處理，這是由于第五次光刻形成的ITO薄膜層為基板光刻薄膜的最后一層，因此可以在還沒剝離本層ITO薄膜表面的光刻膠之前，對該層ITO薄膜層和前一層薄膜層進(jìn)行Overlay檢驗(yàn)，這樣由于光刻膠的非透明特性，⑶-SEM設(shè)備能夠容易的找到光刻膠表面的Overlay標(biāo)記圖像。因此不建議對最后形成的ITO薄膜上的Overlay標(biāo)記圖像作顯色處理，省去不必要的麻煩。本實(shí)施例中的顯色處理過程需在經(jīng)真空處理過的環(huán)境中進(jìn)行，優(yōu)選的，所述真空處理為采用在密閉環(huán)境中充入氮?dú)釴2的方式。本實(shí)施例中對Overlay標(biāo)記圖像所作的顯色處理除了可以采用以上方式外，還可以采用很多其他的方式，本發(fā)明實(shí)施例對透明圖像作顯色處理所采用的方式不作具體限定，只要能使Overlay標(biāo)記圖像顯示出非透明色，并且不影響ITO薄膜層在所述ADS模式的TFT-LCD陣列基板中的正常功能，均應(yīng)落入本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。優(yōu)選的，還可采用對所述透明的ITO薄膜層上Overlay標(biāo)記圖像所在的區(qū)域噴射染料，使其顯示出非透明顏色。在上述實(shí)施例中，僅是以一種ADS模式的TFT-IXD陣列基板為例來介紹本發(fā)明所 提供的對透明薄膜進(jìn)行Overlay檢驗(yàn)的方法。當(dāng)然，上述方案還可以適用于其他的TFT-IXD結(jié)構(gòu)中，比如TN型、IPS型等TFT-IXD陣列基板上，或者包含透明膜層的彩膜基板上。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，所述陣列基板包括至少一層具有空間成像套刻標(biāo)記的透明薄膜，所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。優(yōu)選的，所述透明薄膜為銦錫氧化物ITO透明薄膜。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種空間成像套刻檢驗(yàn)方法，其特征在于，包括 光刻形成一層具有空間成像套刻標(biāo)記的薄膜； 在所述薄膜為透明薄膜時(shí)，對所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色； 利用所述非透明色的空間成像套刻標(biāo)記，進(jìn)行所述透明薄膜與相鄰的薄膜之間的空間成像套刻檢驗(yàn)。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，對所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色，包括 在經(jīng)過真空處理后的環(huán)境中向所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記所在的區(qū)域噴射氣體，所述氣體能夠與所述空間成像套刻標(biāo)記發(fā)生霧化反應(yīng)，使所述發(fā)生霧化反應(yīng)后的空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，對所述透明薄膜上面的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色，包括 對所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記所在的區(qū)域噴射染料，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述透明薄膜為銦錫氧化物ITO透明薄膜。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述ITO透明薄膜是通過光刻工藝形成，所述空間成像套刻標(biāo)記位于所述ITO透明薄膜的非顯示區(qū)域。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色，具體包括 在經(jīng)過真空處理后的環(huán)境中，采用向所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記所在的區(qū)域噴射氣體的方式，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色時(shí)，所述氣體為氨氣NH3氣體和硅烷SiH4氣體。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述真空處理為向環(huán)境中充入氮?dú)釴2，則所述充入的N2氣體與所述噴射的NH3氣體、SiH4氣體的比例為NH3 : SiH4 : N2 = 1550sccm : 4000sccm : 14400sccm 其中，標(biāo)況暈升每分sccm為體積流量單位。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在ITO薄膜的空間成像套刻標(biāo)記所在的區(qū)域噴射NH3氣體完全參與反應(yīng)，所噴射的SiH4氣體過量。
9.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 在所述薄膜為非透明薄膜時(shí)，直接利用所述非透明薄膜的空間成像套刻標(biāo)記，進(jìn)行所述透明薄膜與相鄰的薄膜之間的空間成像套刻檢驗(yàn)。
10.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括至少一層具有空間成像套刻標(biāo)記的透明薄膜，所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色。
11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述透明薄膜為銦錫氧化物ITO透明薄膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種空間成像套刻檢驗(yàn)方法及陣列基板，該方法包括光刻形成一層具有空間成像套刻標(biāo)記的薄膜；在所述薄膜為透明薄膜時(shí)，對所述透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理，使所述空間成像套刻標(biāo)記顯示出非透明色；利用所述非透明色的空間成像套刻標(biāo)記，進(jìn)行所述透明薄膜與相鄰的薄膜之間的空間成像套刻檢驗(yàn)。本發(fā)明通過對透明薄膜上的空間成像套刻標(biāo)記作顯色處理后再進(jìn)行定位，可以快速準(zhǔn)確的定位空間成像套刻標(biāo)記，從而可以快速有效地檢測出兩道光刻工序間的對準(zhǔn)狀況。
文檔編號G03F7/20GK102636962SQ20121002500
公開日2012年8月15日 申請日期2012年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月12日
發(fā)明者姜曉輝, 郭建 申請人:北京京東方光電科技有限公司