專利名稱：饋通電壓補(bǔ)償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補(bǔ)償方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種饋通電壓補(bǔ)償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補(bǔ)償方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的液晶顯示裝置多采用TFT進(jìn)行像素的顯示控制。如圖I所示，TFT的閘極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接像素電極，像素電極與彩膜基板(CF-Vcom)之間形成像素電容C(LC)、像素電容并聯(lián)有補(bǔ)償電容C(st)，補(bǔ)償電容C(St) —端跟TFT的漏極連接，另一端連接有共通線Vcom。由于TFT的閘極和漏極之間存在寄生電容Cgs，在TFT關(guān)閉的瞬間C(gs)連接閘端的壓降造成像素兩端的電壓隨之降低，產(chǎn)生了饋通電壓，造成顯示亮度下降。饋通電壓不同，在顯示屏只有ー個Vcom的情況下，對造成顯示屏不同位置，有不同的亮度。如圖2所示，對于雙邊驅(qū)動的液晶顯示裝置，常見的現(xiàn)象是顯示屏在低灰階畫面下，左右兩側(cè)畫面較亮。專利文獻(xiàn)CN100460939C于2009年2月11日公開了ー種液晶顯示器及其脈波調(diào)整電路，該液晶顯示器包含電源、脈波調(diào)整電路與柵極驅(qū)動芯片。脈波調(diào)整電路連接于電源與柵極驅(qū)動芯片間，電源提供電源信號。脈波調(diào)整電路用以調(diào)整電源信號的多個脈波或選擇適當(dāng)?shù)碾妷簻?zhǔn)位，使脈波的波形具有一削角或使脈波的振幅増大，便能減少驅(qū)動電路中的薄膜晶體管受到饋通電壓影響，進(jìn)而提高液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。專利文獻(xiàn)CN1987620B于2010年5月12日公開了ー種液晶顯示器，其每ー像素單兀包括一薄膜晶體管、一公共電極與一像素電極，該像素電極與該公共電極形成一液晶電容，該薄膜晶體管包括柵極、源極和連接至該像素電極的漏極，上述電路中接入包括ー比較器的電壓補(bǔ)償單元，當(dāng)加載電壓至該液晶電容時，該比較器可比較該薄膜晶體管從開啟至關(guān)閉時間段的源極電位和該薄膜晶體管關(guān)閉后的漏極電位并輸出補(bǔ)償電壓信號，以補(bǔ)償該薄膜晶體管的饋通電壓。專利文獻(xiàn)CN102023423A于2011年4月20日公開了ー種液晶顯示器及其制造方法。該液晶顯示器包括對盒在一起并將液晶夾設(shè)其間的TFT — LCD陣列基板和彩膜基板， 所述TFT —擾D陣列基板包括柵線、用于控制第一數(shù)據(jù)線向像素電極提供數(shù)據(jù)電壓的第一薄膜晶體管和用于控制第二數(shù)據(jù)線向存儲電極線提供公共電壓的第二薄膜晶體管，所述彩膜基板包括彼此獨立的公共電極，所述公共電極與存儲電極線電連接。本發(fā)明通過在彩膜基板上設(shè)置相互獨立的公共電極，在陣列基板上設(shè)置控制公共電極的薄膜晶體管，使像素電極與公共電極之間的電壓差保持不變，因此消除了由于各像素饋通效應(yīng)不同所帯來的各像素顯示灰度差異，提高了顯示品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供ー種可補(bǔ)償饋通電壓的饋通電壓補(bǔ)償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補(bǔ)償方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路，包括共通線和存儲電容，所述存儲電容ー 端連接至液晶分子對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，所述共通線連接有切換開關(guān)，所述切換開關(guān)包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準(zhǔn)電壓，另ー個輸入端連接至低電平的補(bǔ)償電壓。優(yōu)選的，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應(yīng)ー個切換開關(guān)。處于不同位置的像素，其參數(shù)有差異，每條共通線控制一組顯示像素， 可以根據(jù)參數(shù)的差異設(shè)置不同的補(bǔ)償電壓，提高控制精度，進(jìn)ー步改善顯示品質(zhì)。優(yōu)選的，所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，，所述第一薄膜晶體管的閘極連接到所述基準(zhǔn)電壓，第二薄膜晶體管的閘極連接到對應(yīng)的液晶顯示器的掃描線?，F(xiàn)有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示，因此采用薄膜晶體管作為切換開關(guān)，在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關(guān)的薄膜晶體管，有利于降低制造成本。優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。優(yōu)選的，所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應(yīng)的液晶顯示器的掃描線。此為另ー種具體的控制方式。優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。優(yōu)選的，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應(yīng)ー個切換開關(guān)，所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓，閘極連接到所述基準(zhǔn)電壓；所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓，閘極連接到對應(yīng)的液晶顯示器的掃描線；兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。優(yōu)選的，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應(yīng)ー個切換開關(guān)，所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓；所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應(yīng)的液晶顯示器的掃描線，漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型 MOS 管。ー種液晶顯示裝置，包括上述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路。ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償方法，包括步驟在當(dāng)前掃描線驅(qū)動時，通過切換開關(guān)將對應(yīng)的共通線切換到低電平的補(bǔ)償電壓；當(dāng)掃描線驅(qū)動撤銷時，將共通線切換到高電平的基準(zhǔn)電壓。本發(fā)明由于采用了切換開關(guān)對共通線進(jìn)行切換，選擇電路在TFT閘極電壓為高電平時，將共通線切到補(bǔ)償電壓的低電平信號；TFT閘極電壓為低電平，將共通線切到基準(zhǔn)電壓的高電平信號，這樣就可以在TFT關(guān)閉時從將共通線給予ー個壓升，來提升像素兩端的電壓上升，提升顯示亮度。


圖1是現(xiàn)有的液晶顯示裝置驅(qū)動電路示意圖；圖2是現(xiàn)有的一種液晶顯不裝置的閘極電壓的崎變不意圖；圖3是本發(fā)明的原理示意圖；圖4是本發(fā)明實施例一的原理示意圖；圖5是本發(fā)明實施例二的原理示意圖；圖6是本發(fā)明驅(qū)動原理示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和較佳的實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖3所示，一種液晶顯示裝置，包括上述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電 路，該液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至 液晶分子對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，所述共通線連接有切換開 關(guān)，所述切換開關(guān)包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準(zhǔn)電壓，另一個輸入端連 接至低電平的補(bǔ)償電壓。所述共通線可以是一條，也可以是多條，優(yōu)選多條共通線，每條共 通線連接一組所述存儲電容，每條共通線對應(yīng)一個切換開關(guān)。這樣處于不同位置的像素，其 參數(shù)有差異，每條共通線控制一組顯示像素，可以根據(jù)參數(shù)的差異設(shè)置不同的補(bǔ)償電壓，提 聞控制精度，進(jìn)一步改善顯不品質(zhì)。實施例一如圖4所示，切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2，第一薄膜晶 體管T1的源極和閘極連接至基準(zhǔn)電壓A-Vcom ;所述第二薄膜晶體管T2的源極連接至所述 補(bǔ)償電壓A-Vcom-low，閘極連接到對應(yīng)的液晶顯示器的掃描線，兩個薄膜晶體管的漏極共 同連接到同一共通線Vcom。優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2都為N型M0S管。當(dāng)然兩 個薄膜晶體管都為P型M0S管，或者一個為N型M0S管、另一個為P型M0S管也是可行的?，F(xiàn)有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示，因此采用薄膜晶體 管作為切換開關(guān)，在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關(guān)的薄膜晶體管，有利于降 低制造成本。實施例二如圖5所述，切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2，所述第一薄 膜晶體管T1的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓A-Vcom，所述第二薄膜晶體管T2的源極連接至所 述補(bǔ)償電壓A-Vcom-low，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線Vcom。所述第一薄 膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2的閘極連接到同一條對應(yīng)的液晶顯示器的掃描線。此為 另一種具體的控制方式。優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管T1為P型M0S管，所述第二薄膜晶體管T2為N型 M0S管。當(dāng)然兩個薄膜晶體管都為P型M0S管或N型M0S管、或者第一薄膜晶體管T1為N 型M0S管，第二薄膜晶體管T2為P型M0S管的技術(shù)方案也是可行的。現(xiàn)有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示，因此采用薄膜晶體管作為切換開關(guān)，在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關(guān)的薄膜晶體管，有利于降低制造成本。如圖6所述，上述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路通過改變共通線的電壓來補(bǔ)償對應(yīng)掃描線的饋通電壓。具體來說，其驅(qū)動過程包括在當(dāng)前掃描線驅(qū)動時，掃描線的電壓Vgate為高電平，此時通過切換開關(guān)將對應(yīng)的共通線切換到低電平的補(bǔ)償電壓；當(dāng)掃描線驅(qū)動撤銷時，掃描線的電壓Vgate為低電平，將共通線切換到高電平的基準(zhǔn)電壓，經(jīng)由調(diào)整共通線波形Vcom，達(dá)成饋通電壓的修正。如果共通線有多條，可以根據(jù)掃描線在不同位置處的RC阻容效應(yīng)(Gate RC)的不同，設(shè)置不同的補(bǔ)償電壓。Gate RC較小時，饋通電壓修正的多。反之Gate RC較大時，饋通電壓修正的少。補(bǔ)償后，在同一掃描線不同位置對應(yīng)的像素兩端的電壓(Vpixel)波形基本保持一致。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)ー步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路，包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至液晶分子對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，其特征在于，所述共通線連接有切換開關(guān)，所述切換開關(guān)包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準(zhǔn)電壓，另ー個輸入端連接至低電平的補(bǔ)償電壓。
2.如權(quán)利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應(yīng)一個切換開關(guān)。
3.如權(quán)利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管的閘極連接到所述基準(zhǔn)電壓，第二薄膜晶體管的閘極連接到對應(yīng)的液晶顯示器的掃描線。
4.如權(quán)利要求3所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。
5.如權(quán)利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應(yīng)的液晶顯不器的掃描線。
6.如權(quán)利要求5所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。
7.如權(quán)利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應(yīng)一個切換開關(guān)，所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓，閘極連接到所述基準(zhǔn)電壓；所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓，閘極連接到對應(yīng)的液晶顯示器的掃描線；兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。
8.如權(quán)利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應(yīng)ー個切換開關(guān)，所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓；所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應(yīng)的液晶顯示器的掃描線，漏極共同連接到同一共通線， 所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。
9.ー種液晶顯示裝置，包括如權(quán)利要求I 8任一所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路。
10.ー種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償方法，包括步驟在當(dāng)前掃描線驅(qū)動時，通過切換開關(guān)將對應(yīng)的共通線切換到低電平的補(bǔ)償電壓；當(dāng)掃描線驅(qū)動撤銷時，將共通線切換到高電平的基準(zhǔn)電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開一種饋通電壓補(bǔ)償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補(bǔ)償方法。所述液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至液晶分子對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，所述共通線連接有切換開關(guān)，所述切換開關(guān)包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準(zhǔn)電壓，另一個輸入端連接至低電平的補(bǔ)償電壓。本發(fā)明由于采用了切換開關(guān)對共通線進(jìn)行切換，選擇電路在TFT閘極電壓為高電平時，將共通線切到補(bǔ)償電壓的低電平信號；TFT閘極電壓為低電平，將共通線切到基準(zhǔn)電壓的高電平信號，這樣就可以在TFT關(guān)閉時從將共通線給予一個壓升，來提升像素連接至液晶分子對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極端的電壓上升，以補(bǔ)償饋通電壓造成的壓降。
文檔編號G02F1/1362GK102610205SQ201210087540
公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月29日
發(fā)明者侯鴻龍, 林家強(qiáng) 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司