技術(shù)特征：
1.一種內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，包括：彩膜基板、薄膜晶體管陣列基板、設(shè)置在彩膜基板和薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層，其特征在于，所述彩膜基板包括網(wǎng)格狀的黑矩陣、觸控層、彩膜層；其中，彩膜層由多個子像素單元組成，所述觸控層包括呈矩陣排列的多個金屬網(wǎng)格電極，所述金屬網(wǎng)格電極包括多個驅(qū)動電極和多個感應(yīng)電極，在透光方向上，所述金屬網(wǎng)格電極的投影落入所述黑矩陣的投影內(nèi)；并且，在相鄰的感應(yīng)電極和驅(qū)動電極鄰近處的金屬網(wǎng)格的密度大于感應(yīng)電極和驅(qū)動電極遠(yuǎn)離處的金屬網(wǎng)格的密度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，相鄰的感應(yīng)電極和驅(qū)動電極從鄰近處至遠(yuǎn)離處，所述金屬網(wǎng)格的密度依次減小。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格的密度與子像素單元密度的比例在1：1至1：12之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，所述觸控層包括橫向線和豎向線，所述橫向線和豎向線相互交疊，所述橫向線或豎向線也由金屬網(wǎng)格構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，所述橫向線或豎向線的金屬網(wǎng)格密度與子像素單元密度的比例為1:1。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，所述觸控層包括第一金屬層、第二金屬層以及第一金屬層和第二金屬層之間的絕緣層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，所述觸控層的第一金屬層包括驅(qū)動電極、感應(yīng)電極和豎向線，所述豎向線將多個驅(qū)動電極連接成驅(qū)動線；所述第二金屬層包括橫向線，所述橫向線通過絕緣層將多個感應(yīng)電極連接成感應(yīng)線。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，所述觸控層的第二金屬層包括驅(qū)動電極、感應(yīng)電極和豎向線，所述豎向線將多個驅(qū)動電極連接成驅(qū)動線；所述第一金屬層包括橫向線，所述橫向線通過絕緣層將多個感應(yīng)電極連接成感應(yīng)線。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，所述觸控層的第一金屬層包括驅(qū)動電極和豎向線，所述豎向線將多個驅(qū)動電極連接成驅(qū)動線；所述第二金屬層包括感應(yīng)電極和橫向線，所述橫向線將多個感應(yīng)電極連接成感應(yīng)線。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，金屬網(wǎng)格的線寬范圍在0.1-10μm之間。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控顯示裝置，其特征在于，所述驅(qū)動電極和感應(yīng)電極的形狀為長方形、菱形或者其他形狀。